JPH05295293A - オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 - Google Patents
オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH05295293A JPH05295293A JP4099236A JP9923692A JPH05295293A JP H05295293 A JPH05295293 A JP H05295293A JP 4099236 A JP4099236 A JP 4099236A JP 9923692 A JP9923692 A JP 9923692A JP H05295293 A JPH05295293 A JP H05295293A
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- JP
- Japan
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- oxytitanium phthalocyanine
- phthalocyanine crystal
- crystal
- producing
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザー等の長波長光源に対して十分
な感度を有する電子写真感光体に適した特定のオキシチ
タニウムフタロシアニン結晶を製造する工業的に有利
で、且つ新規な製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 オキシチタニウムフタロシアニンを酢酸等の
有機酸溶媒中、フェニルホスホン酸と共に加熱処理、あ
るいは機械的摩砕処理をして特定のオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶を製造する。
な感度を有する電子写真感光体に適した特定のオキシチ
タニウムフタロシアニン結晶を製造する工業的に有利
で、且つ新規な製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 オキシチタニウムフタロシアニンを酢酸等の
有機酸溶媒中、フェニルホスホン酸と共に加熱処理、あ
るいは機械的摩砕処理をして特定のオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶の製造法に関し、特に半導体レーザー光に
対して高感度が要求される電子写真用感光体に適したオ
キシチタニウムフタロシアニン結晶の新規な製造法に関
するものである。
シアニン結晶の製造法に関し、特に半導体レーザー光に
対して高感度が要求される電子写真用感光体に適したオ
キシチタニウムフタロシアニン結晶の新規な製造法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より電子写真用の光導電性材料とし
てフタロシアニン化合物が電子写真用感光体に使用され
ていることは広く知られていることであるが、近年、ノ
ンインパクトプリンティングテクノロジーの発展に伴い
半導体レーザーを用いたレーザービームプリンターへの
期待が高まっている。そこでこれらの要求に対し、現在
７００ｎｍ以上の長波長域に吸収ピークを有し、また中
心金属や結晶型の種類によって、半導体レーザーの近赤
外領域で高感度を示すものがいくつか報告されており、
その研究開発が活発になされている。
てフタロシアニン化合物が電子写真用感光体に使用され
ていることは広く知られていることであるが、近年、ノ
ンインパクトプリンティングテクノロジーの発展に伴い
半導体レーザーを用いたレーザービームプリンターへの
期待が高まっている。そこでこれらの要求に対し、現在
７００ｎｍ以上の長波長域に吸収ピークを有し、また中
心金属や結晶型の種類によって、半導体レーザーの近赤
外領域で高感度を示すものがいくつか報告されており、
その研究開発が活発になされている。
【０００３】その中でもオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶を用いた感光体は、特にキャリア生成効率および
移動度に優れ、近赤外領域において他のフタロシアニン
化合物を用いた感光体をはるかに凌ぐ電子写真特性を示
している。
ン結晶を用いた感光体は、特にキャリア生成効率および
移動度に優れ、近赤外領域において他のフタロシアニン
化合物を用いた感光体をはるかに凌ぐ電子写真特性を示
している。
【０００４】オキシチタニウムフタロシアニンの結晶型
には、Ｈｉｌｌｅｒら（Ｚ．Ｋｒｉｓｔ．、１５９、１
７３（１９８２））によって安定なβ型と準安定なα型
に対応するＰｈａｓｅ I、IIと呼ばれる結晶型が存在す
ることが示されており、そのどちらの結晶型が得られる
かは特に製造条件、詳しくは加熱条件、処理する溶剤の
種類、あるいは機械的歪によって決ってくることが、一
般に知られている。
には、Ｈｉｌｌｅｒら（Ｚ．Ｋｒｉｓｔ．、１５９、１
７３（１９８２））によって安定なβ型と準安定なα型
に対応するＰｈａｓｅ I、IIと呼ばれる結晶型が存在す
ることが示されており、そのどちらの結晶型が得られる
かは特に製造条件、詳しくは加熱条件、処理する溶剤の
種類、あるいは機械的歪によって決ってくることが、一
般に知られている。
【０００５】また、α型のオキシチタニウムフタロシア
ニンを水性懸濁液となし、これに芳香族炭化水素系溶剤
を添加し加熱処理することによって、Ｘ線回折スペクト
ルにおいてブラッグ角（２θ）２７．３゜に強いピーク
を示すα型にもβ型にも分類されない結晶型のオキシチ
タニウムフタロシアニンが得られることが特開昭６３−
２０３６５号公報に記載されている。
ニンを水性懸濁液となし、これに芳香族炭化水素系溶剤
を添加し加熱処理することによって、Ｘ線回折スペクト
ルにおいてブラッグ角（２θ）２７．３゜に強いピーク
を示すα型にもβ型にも分類されない結晶型のオキシチ
タニウムフタロシアニンが得られることが特開昭６３−
２０３６５号公報に記載されている。
【０００６】このようにオキシチタニウムフタロシアニ
ンには種々の結晶型があり、その結晶型の違いによって
電子写真用感光体の特性として帯電性、暗減衰、感度等
に大きな差があることが知られている。
ンには種々の結晶型があり、その結晶型の違いによって
電子写真用感光体の特性として帯電性、暗減衰、感度等
に大きな差があることが知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来知られて
いなかった新規な方法で、半導体レーザー等の長波長光
源に対して十分な感度を有する電子写真用感光体に適し
たオキシチタニウムフタロシアニン結晶を製造する工業
的に有利な製造法を提供することを目的とするものであ
る。
いなかった新規な方法で、半導体レーザー等の長波長光
源に対して十分な感度を有する電子写真用感光体に適し
たオキシチタニウムフタロシアニン結晶を製造する工業
的に有利な製造法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はオキシチタニウ
ムフタロシアニンを有機酸溶媒中、フェニルホスホン酸
と共に加熱処理、あるいは機械的摩砕処理をしてＸ線回
折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２゜）２
７．３゜に主たる回折ピークを示す結晶を得ることを特
徴とするオキシチタニウムフタロシアニン結晶の新規な
製造法である。
ムフタロシアニンを有機酸溶媒中、フェニルホスホン酸
と共に加熱処理、あるいは機械的摩砕処理をしてＸ線回
折スペクトルにおいてブラッグ角（２θ±０．２゜）２
７．３゜に主たる回折ピークを示す結晶を得ることを特
徴とするオキシチタニウムフタロシアニン結晶の新規な
製造法である。
【０００９】
【作用】以下本発明をさらに詳細に説明する。
【００１０】本発明方法の原料とするオキシチタニウム
フタロシアニンには好ましくは無定型のものが用いられ
る。有機酸溶媒としては、酢酸、プロピオン酸等の脂肪
族カルボン酸等が挙げられるが、好ましくは酢酸であ
り、その使用量は原料とするオキシチタニウムフタロシ
アニンに対し１０倍〜５０倍（重量比）が好ましい。ま
た、本発明に用いるフェニルホスホン酸の量はオキシチ
タニウムフタロシアニンに対し１倍モル〜２０倍モルで
あり、好ましくは３倍モル〜５倍モルである。
フタロシアニンには好ましくは無定型のものが用いられ
る。有機酸溶媒としては、酢酸、プロピオン酸等の脂肪
族カルボン酸等が挙げられるが、好ましくは酢酸であ
り、その使用量は原料とするオキシチタニウムフタロシ
アニンに対し１０倍〜５０倍（重量比）が好ましい。ま
た、本発明に用いるフェニルホスホン酸の量はオキシチ
タニウムフタロシアニンに対し１倍モル〜２０倍モルで
あり、好ましくは３倍モル〜５倍モルである。
【００１１】本発明方法においては、有機酸溶媒中での
加熱処理は、溶媒の沸点に近い温度で行うことが好まし
いが７０〜１３０℃で３時間〜１０時間加熱処理すれば
充分である。また、機械的摩砕処理のための装置として
は、ホモミキサー、ディスパーザー、ボールミル、サン
ドミル等を用いることができ、加熱処理を併用すること
もできる。
加熱処理は、溶媒の沸点に近い温度で行うことが好まし
いが７０〜１３０℃で３時間〜１０時間加熱処理すれば
充分である。また、機械的摩砕処理のための装置として
は、ホモミキサー、ディスパーザー、ボールミル、サン
ドミル等を用いることができ、加熱処理を併用すること
もできる。
【００１２】なお、本発明において「主たる回折ピー
ク」とは、そのＸ線回折スペクトルにおける強度が一番
強いピークを指す。また、本発明の方法によって得られ
たオキシチタニウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線スペ
クトルの例を図１に示す。電子写真用感光体に用いるに
は、得られたオキシチタニウムフタロシアニンを適当な
溶媒、バインダー樹脂と共に分散処理して得られる分散
液を用いて、例えば積層構成の場合は電荷発生層を形成
するための塗液として調整される。
ク」とは、そのＸ線回折スペクトルにおける強度が一番
強いピークを指す。また、本発明の方法によって得られ
たオキシチタニウムフタロシアニン結晶の粉末Ｘ線スペ
クトルの例を図１に示す。電子写真用感光体に用いるに
は、得られたオキシチタニウムフタロシアニンを適当な
溶媒、バインダー樹脂と共に分散処理して得られる分散
液を用いて、例えば積層構成の場合は電荷発生層を形成
するための塗液として調整される。
【００１３】
【実施例】以下に本発明を実施例と応用例により更に具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００１４】（実施例１）アモルファス（無定型）オキ
シチタニウムフタロシアニン３ｇにフェニルホスホン酸
０．１モル（１５．８ｇ）および酢酸１５０ｍｌを加
え、１０時間加熱還流させた。放冷後濾別し、濾別物を
水１００ｍｌにて１時間熱水懸濁で洗浄し、続いてエタ
ノール１００ｍｌにて１時間熱懸濁で洗浄した後真空乾
燥をおこなった。得られたオキシチタニウムフタロシア
ニン（収量２．６ｇ）のＸ線回折スペクトル（図１）
は、α型およびβ型オキシチタニウムフタロシアニン
（図２、図３）のスペクトルとは異なり、ブラッグ角
（２θ±０．２゜）２７．３゜に主たる回折ピークを示
すものであった。
シチタニウムフタロシアニン３ｇにフェニルホスホン酸
０．１モル（１５．８ｇ）および酢酸１５０ｍｌを加
え、１０時間加熱還流させた。放冷後濾別し、濾別物を
水１００ｍｌにて１時間熱水懸濁で洗浄し、続いてエタ
ノール１００ｍｌにて１時間熱懸濁で洗浄した後真空乾
燥をおこなった。得られたオキシチタニウムフタロシア
ニン（収量２．６ｇ）のＸ線回折スペクトル（図１）
は、α型およびβ型オキシチタニウムフタロシアニン
（図２、図３）のスペクトルとは異なり、ブラッグ角
（２θ±０．２゜）２７．３゜に主たる回折ピークを示
すものであった。
【００１５】（応用例１）実施例１で作製したオキシチ
タニウムフタロシアニン結晶１ｇとポリビニルブチラー
ル樹脂１ｇを３％含水テトラヒドロフラン９８ｇと共に
サンドグラインドミルにて分散し、この分散液をアルミ
板上に、乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように塗布し
て電荷発生層を形成した。
タニウムフタロシアニン結晶１ｇとポリビニルブチラー
ル樹脂１ｇを３％含水テトラヒドロフラン９８ｇと共に
サンドグラインドミルにて分散し、この分散液をアルミ
板上に、乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように塗布し
て電荷発生層を形成した。
【００１６】この電荷発生層の上に１、１−ビス（Ｐ−
ジエチルアミノフェニル）−４、４−ジフェニルブタジ
エン５ｇ、ポリカーボネート樹脂（バイエル社製、商品
名マクロホール）５ｇおよびジクロロメタン５０ｇより
なる塗液を、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように塗布
し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を得た。
ジエチルアミノフェニル）−４、４−ジフェニルブタジ
エン５ｇ、ポリカーボネート樹脂（バイエル社製、商品
名マクロホール）５ｇおよびジクロロメタン５０ｇより
なる塗液を、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように塗布
し、積層型の感光層を有する電子写真感光体を得た。
【００１７】この感光体の静電気特性を静電複写紙試験
装置（川口電機製作所製モデルＥＰＡ−８１００）を用
いて測定した。測定条件は、暗所でコロナ電流が−３０
μＡになる様に設定した印加電圧のコロナ放電により感
光体を負帯電し、続いて８００ｎｍにピークをもつ２．
１μＪ／ｃｍ2・ｓｅｃのエネルギーの単色光を照射し
た。この時表面電位が−７００Ｖから−３５０Ｖに半減
するのに要した露光量（半減露光量Ｅ１／２）は０．５
μＪ／ｃｍ2で、帯電後１秒後の電荷保持率は９６．５
％、露光後２秒後の残留電位は−１１Ｖであった。
装置（川口電機製作所製モデルＥＰＡ−８１００）を用
いて測定した。測定条件は、暗所でコロナ電流が−３０
μＡになる様に設定した印加電圧のコロナ放電により感
光体を負帯電し、続いて８００ｎｍにピークをもつ２．
１μＪ／ｃｍ2・ｓｅｃのエネルギーの単色光を照射し
た。この時表面電位が−７００Ｖから−３５０Ｖに半減
するのに要した露光量（半減露光量Ｅ１／２）は０．５
μＪ／ｃｍ2で、帯電後１秒後の電荷保持率は９６．５
％、露光後２秒後の残留電位は−１１Ｖであった。
【００１８】（応用例２）応用例１と同じサンプルを用
い同様の方法で１０００回の繰り返し試験を行ったとこ
ろ、表面電位、半減露光量、暗減衰、残留電位等何れも
変動の少ない安定したものであった。
い同様の方法で１０００回の繰り返し試験を行ったとこ
ろ、表面電位、半減露光量、暗減衰、残留電位等何れも
変動の少ない安定したものであった。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ブラッグ
角（２θ±０．２゜）２７．３゜に主たる回折ピークを
有するオキシチタニウムフタロシアニン結晶を有機酸溶
媒中で短時間加熱あるいは機械的摩砕という容易な処理
方法で収率よく製造することができる。
角（２θ±０．２゜）２７．３゜に主たる回折ピークを
有するオキシチタニウムフタロシアニン結晶を有機酸溶
媒中で短時間加熱あるいは機械的摩砕という容易な処理
方法で収率よく製造することができる。
【００２０】このようにして得られるオキシチタニウム
フタロシアニン結晶を電荷発生材料として用いた電子写
真用感光体は、高感度で帯電性や電荷保持率も良好で残
留電位も低く、また繰り返しによる変動も少なく非常に
安定であるため高耐久性感光体として用いられる。また
７５０〜８００ｎｍの領域に高感度を示すことから、近
年要求の高まる半導体レーザープリンター用感光体とし
て適している。
フタロシアニン結晶を電荷発生材料として用いた電子写
真用感光体は、高感度で帯電性や電荷保持率も良好で残
留電位も低く、また繰り返しによる変動も少なく非常に
安定であるため高耐久性感光体として用いられる。また
７５０〜８００ｎｍの領域に高感度を示すことから、近
年要求の高まる半導体レーザープリンター用感光体とし
て適している。
【図１】本発明の第１の実施例で得られた結晶型オキシ
チタニウムフタロシアニンのＸ線回折スペクトルを示す
図
チタニウムフタロシアニンのＸ線回折スペクトルを示す
図
【図２】公知のα型オキシチタニウムフタロシアニンの
回折スペクトルを示す図
回折スペクトルを示す図
【図３】公知のβ型オキシチタニウムフタロシアニンの
回折スペクトルを示す図
回折スペクトルを示す図
Claims (1)
- 【請求項１】オキシチタニウムフタロシアニンを有機酸
溶媒中でフェニルホスホン酸と共に加熱処理、あるいは
機械的摩砕処理をしてＸ線回折スペクトルにおいてブラ
ッグ角（２θ±０．２゜）２７．３゜に主たる回折ピー
クを示す結晶を得ることを特徴とするオキシチタニウム
フタロシアニン結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4099236A JPH05295293A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4099236A JPH05295293A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05295293A true JPH05295293A (ja) | 1993-11-09 |
Family
ID=14242054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4099236A Pending JPH05295293A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | オキシチタニウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05295293A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007508410A (ja) * | 2003-10-08 | 2007-04-05 | フタロス カンパニー リミテッド | オキシチタンフタロシアニン電荷発生材料を製造する方法及びこの方法からの新型オキシチタンフタロシアニン電荷発生材料 |
| JP2008174753A (ja) * | 2008-02-14 | 2008-07-31 | Mitsubishi Chemicals Corp | チタニルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体 |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP4099236A patent/JPH05295293A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007508410A (ja) * | 2003-10-08 | 2007-04-05 | フタロス カンパニー リミテッド | オキシチタンフタロシアニン電荷発生材料を製造する方法及びこの方法からの新型オキシチタンフタロシアニン電荷発生材料 |
| JP2008174753A (ja) * | 2008-02-14 | 2008-07-31 | Mitsubishi Chemicals Corp | チタニルフタロシアニン化合物及びそれを用いた電子写真感光体 |
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