JPH0529772A - 高速信号伝送用回路基板 - Google Patents

高速信号伝送用回路基板

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JPH0529772A
JPH0529772A JP3179237A JP17923791A JPH0529772A JP H0529772 A JPH0529772 A JP H0529772A JP 3179237 A JP3179237 A JP 3179237A JP 17923791 A JP17923791 A JP 17923791A JP H0529772 A JPH0529772 A JP H0529772A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 パッド部のみグランドまでの誘電体の厚さを
変えることにより、インピーダンス整合を図り、反射の
少ない高速信号伝送用回路基板を得る。 【構成】 インピーダンス整合されている伝送ライン1
1よりも幅の広いパッド14に対して、そのパッド14
の下のグランド/電源プレーン12aを部分的に取り除
いたくり抜き部15を形成し、パッド14からグランド
/電源プレーン12aまでの誘電体層13aの厚さを厚
くすることにより、パッド14の幅を変更することな
く、インピーダンス整合を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高速信号を伝送する回
路基板の構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3はかかる従来の高速信号伝送用回路
基板の上面及び断面図である。この図に示すように、第
1層(表面)は高速信号伝送用ライン(以下、伝送ライ
ンという)であり、伝送ライン1、部品搭載用パッド4
及び接続用パッド(以下、総称してパッドという)、誘
電体層3aからなる。第2層はグランド/電源プレーン
であり、グランド/電源プレーン2a、誘電体層3bか
らなる。第3層は中層の伝送ライン用信号層であり、中
層の伝送ライン7、誘電体層3cからなる。第4層はグ
ランド/電源プレーンであり、グランド/電源プレーン
2b、誘電体層3dからなる。
【0003】上記したように、高速信号を伝送させるた
めに、伝送ライン(パッドを含む)とグランド/電源プ
レーン間を均一な厚さの誘電体で挟む構造となってお
り、伝送ラインのみ誘電体の厚さと伝送ラインの幅によ
り、インピーダンス整合がなされていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
高速信号伝送用回路基板の構造では、伝送ラインの幅と
異なるパッドに対しては、インピーダンス整合を行なっ
てはいなかった。また、伝送ラインをインピーダンス整
合させているため、誘電体の厚さが先に決まっており、
パッドとグランド間の誘電体の厚さが一定となっている
ことから、パッドに対してインピーダンス整合させよう
とした場合、パッドの幅を調節するより方法がないが、
実際には部品搭載用であったり、接続用であったり、そ
のパッドの幅はまちまちであり、インピーダンス整合は
困難であった。
【0005】従って、伝送ラインのパッド部で反射が起
こり、高速信号の伝送特性を劣化させていた。本発明
は、以上述べた高速信号の伝送ラインのパッド部におけ
る反射の問題を除去するため、パッド部のみグランドま
での誘電体の厚さを変えることにより、インピーダンス
整合を図り、反射の少ない高速信号伝送用回路基板を提
供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 (A)信号伝送用導体層と中層に形成したグランド/電
源プレーンとの間に誘電体層を形成することによりイン
ピーダンス整合を図る高速信号伝送用回路基板におい
て、表面に形成される第1の信号伝送用導体層と、該第
1の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介して形成さ
れる第1のグランド/電源プレーン層と、該第1のグラ
ンド/電源プレーン層の下方に誘電体層を介して形成さ
れる第2の信号伝送用導体層と、該第2の信号伝送用導
体層の下方に形成される第2のグランド/電源プレーン
層と、前記第1の信号伝送用導体層のパッド部のインピ
ーダンス整合を前記第1のグランド/電源プレーン層と
誘電体層で行なうために介在する前記パッド部の直下に
該パッド部より若干大きいくり抜き部と、前記第2の信
号伝送用導体層に前記パッド部直下に該パッド部より若
干大きめの配線禁止領域とを設けるようにしたものであ
る。
【0007】(B)また、上記高速信号伝送用回路基板
において、表面に形成される第1の信号伝送用導体層
と、該第1の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介し
て形成される第1のグランド/電源プレーン層と、該第
1のグランド/電源プレーン層の下方に誘電体層を介し
て形成される第2の信号伝送用導体層と、該第2の信号
伝送用導体層の下方に誘電体層を介して形成される第3
の信号伝送用導体層と、該第3の信号伝送用導体層の下
方に誘電体層を介して形成される第2のグランド/電源
プレーン層と、前記信号伝送用導体層のパッド部のイン
ピーダンス整合を前記第1のグランド/電源プレーン層
と誘電体層で行なうために介在する前記パッド部の直下
に該パッド部より若干大きいくり抜き部と、前記第2及
び第3の信号伝送用導体層にそれぞれ前記パッド部直下
に該パッド部より若干大きめの配線禁止領域とを設ける
ようにしたものである。
【0008】(C)更に、上記高速信号伝送用回路基板
において、表面に形成される第1の信号伝送用導体層
と、該第1の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介し
て形成される第1のグランド/電源プレーン層と、該第
1のグランド/電源プレーン層の下方に誘電体層を介し
て形成される第2の信号伝送用導体層と、該第2の信号
伝送用導体層の下方に誘電体層を介して形成される第2
のグランド/電源プレーン層と、該第2のグランド/電
源プレーン層の下方に誘電体層を介して形成される第3
の信号伝送用導体層と、該第3の信号伝送用導体層の下
方に誘電体層を介して形成される第3のグランド/電源
プレーン層と、該第3のグランド/電源プレーン層に下
方に形成される誘電体層と、前記第1の信号伝送用導体
層のパッド部のインピーダンス整合を前記第1のグラン
ド/電源プレーン層と誘電体層で行なうために介在する
前記パッド部の直下に該パッド部より若干大きい第1の
くり抜き部と、前記第2の信号伝送用導体層には前記第
1のくり抜き部直下に前記パッド部より若干大きめの第
1の配線禁止領域と、前記第3のグランド/電源プレー
ン層には前記第1の配線禁止領域の直下に前記パッド部
より若干大きい第2のくり抜き部と、前記第3の信号伝
送用導体層に前記第2のくり抜き部の直下に前記パッド
部より若干大きめの第2の配線禁止領域とを設けるよう
にしたものである。
【0009】
【作用】本発明によれば、上記したように、高速信号伝
送用回路基板において、インピーダンス整合されている
伝送ラインよりも幅の広いパッド部に対して、該パッド
の下のグランド/電源プレーンを部分的に取り除きくり
抜き部を形成し、前記パッドからグランド/電源プレー
ンまでの誘電体層の厚さを厚くすることにより、パッド
の幅を変更することなく、インピーダンス整合を図るこ
とができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施例を
示す高速信号伝送用回路基板の上面及び断面図、図2は
その高速信号伝送用回路基板の分解斜視図である。これ
らの図において、11は表層の伝送ライン、12a及び
12bはグランド/電源プレーン、13a〜13dは誘
電体層、14はパッド、15はくり抜き部、16は伝送
ラインとパッドの接続部、17は中層の伝送ライン、1
8は配線禁止領域である。
【0011】ここで、伝送ライン11は、その伝送ライ
ン11の幅とグランド/電源プレーン12aまでの高
さ、すなわち誘電体層13aの厚さによりインピーダン
ス整合されている。その伝送ライン11は、パッド14
に接続されている。そのパッド14の直下のグランド/
電源プレーン12aには部分的にくり抜き部15を設
け、パッド14からグランド/電源プレーン12aまで
の誘電体層の厚さを厚くしている。
【0012】ここで、くり抜き部15は電界の広がりを
考慮し、パッド14よりも若干大きめとするが、伝送ラ
イン11との接続方向のみ、伝送ライン11のインピー
ダンス整合を考慮して、両者の接続部16までのくり抜
きとする。また、グランド/電源プレーン12a及び1
2b間の中層の伝送ライン17信号層には、くり抜き部
15よりも若干広めの配線禁止領域18を設ける。
【0013】このように構成することにより、パッド1
4からグランド/電源プレーンまでの誘導体層の厚さ
は、グランド/電源プレーン12bまでとなり、くり抜
き部15を設ける前の3倍の誘導体層の厚さとなり、表
層の伝送ライン11の2〜4倍程度の幅のパッド14に
対して、インピーダンス整合性が向上し、反射が大幅に
少なくなる。
【0014】図4は本発明の第2実施例を示す高速信号
伝送用回路基板の上面及び断面図であり、図4(a)は
その高速信号伝送用回路基板の上面図、図4(b)はそ
の高速信号伝送用回路基板の上面図である。図中、21
は表層の伝送ライン、22a及び22bはグランド/電
源プレーン、23a〜23eは誘電体層、24はパッ
ド、25はくり抜き部、26は伝送ラインとパッドの接
続部、27,28は中層の伝送ライン、29a,29b
は配線禁止領域である。
【0015】この図に示すように、2つのグランド/電
源プレーン22a及び22bの間に2層分の伝送ライン
27,28用信号層を挟むようにしている。この場合も
第1の実施例と同様、電界の広がりを考慮して、くり抜
き部25及び配線禁止領域29a、29bを上層から下
層に行くにつれてパッド24より徐々に広くなるように
して、表層の伝送ライン21の3〜5倍の広さのパッド
に対応できるようにしている。
【0016】図5は本発明の第3実施例を示す高速信号
伝送用回路基板の上面及び断面図である。この図におい
て、31は表層の伝送ライン、32a,32b及び32
cはグランド/電源プレーン、33a〜33fは誘電体
層、34はパッド、35は1段目のくり抜き部、36は
伝送ラインとパッドの接続部、37は2段目のくり抜き
部、39a,39bは配線禁止領域、41,42は中層
の伝送ラインである。
【0017】この実施例は、表層の伝送ライン31の幅
に比べてパッド34の幅が極端に広い場合、例えば4〜
6倍の例である。この図に示すように、表面にパッド3
4を有する伝送ライン31が形成されており、誘電体層
33aを介してパッド34の直下にそのパッド34より
若干広めの1段目のくり抜き部35が形成されたグラン
ド/電源プレーン32aを設ける。この場合、1段目の
くり抜き部35は伝送ライン11とパッド34の接続部
36側は広がっていないが、その接続部36と反対側は
広くなるように形成されている。
【0018】更に、誘電体層33bを介して1段目のく
り抜き部35の直下にその1段目のくり抜き部35より
若干広めの配線禁止領域39aを有する伝送ライン41
を設ける。また、誘電体層33cを介して配線禁止領域
39aの直下にその配線禁止領域39aより若干広めの
2段目のくり抜き部37を有するグランド/電源プレー
ン32bを設ける。この場合には、2段目のくり抜き部
37は伝送ライン11とパッド34の接続部36及びそ
の接続部36の反対側ともに広くなるように形成する。
【0019】また、誘電体層33dを介して2段目のく
り抜き部37より若干広めの配線禁止領域39bを有す
る伝送ライン42を設ける。また、その下方には誘電体
層33eを介してベタ状のグランド/電源プレーン32
cを設ける。最下層には誘電体層33fを形成する。な
お、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これら
を本発明の範囲から排除するものではない。
【0020】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、高速伝送用回路基板の伝送ラインのパッド部で
パッド直下のグランド/電源プレーンに部分的にくり抜
き部を設けることにより、パッドからグランド/電源プ
レーンまでの誘電体層の高さを変化させることで、イン
ピーダンス整合を図り、反射を抑え、高速信号の伝送特
性の向上を図ることができる。
【0021】また、高速伝送用回路基板の表層の伝送ラ
インに対するパッドの広さに対応してグランド/電源プ
レーンのくり抜き部や中層の伝送ラインの配線禁止領域
の構成を変更して、的確なインピーダンス整合を図り、
反射を抑え、高速信号の伝送特性の向上を図ることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す高速信号伝送用回
路基板の上面及び断面図である。
【図2】本発明の第1の実施例を示す高速信号伝送用回
路基板の分解斜視図である。
【図3】従来の高速信号伝送用回路基板の上面及び断面
図である。
【図4】本発明の第2実施例を示す高速信号伝送用回路
基板の上面及び断面図である。
【図5】本発明の第3実施例を示す高速信号伝送用回路
基板の上面及び断面図である。
【符号の説明】
11,21,31 表層の伝送ライン 12a,12b,22a,22b,32a,32b,3
2c グランド/電源プレーン 13a〜13d,23a〜23e,33a〜33f
誘電体層 14,24,34 パッド 15,25,35,37 くり抜き部 16,26,36 伝送ラインとパッドの接続部 17,27,28,41,42 中層の伝送ライン 18,29a,29b,39a,39b 配線禁止領

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 信号伝送用導体層と中層に形成したグラ
    ンド/電源プレーンとの間に誘電体層を形成することに
    よりインピーダンス整合を図る高速信号伝送用回路基板
    において、 (a)表面に形成される第1の信号伝送用導体層と、 (b)該第1の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介
    して形成される第1のグランド/電源プレーン層と、 (c)該第1のグランド/電源プレーン層の下方に誘電
    体層を介して形成される第2の信号伝送用導体層と、 (d)該第2の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介
    して形成される第2のグランド/電源プレーン層と、 (e)前記第1の信号伝送用導体層のパッド部のインピ
    ーダンス整合を前記第1のグランド/電源プレーン層と
    誘電体層で行なうために介在する前記パッド部の直下に
    該パッド部より若干大きいくり抜き部と、 (f)前記第2の信号伝送用導体層に、前記パッド部直
    下に該パッド部より若干大きめの配線禁止領域とを設け
    ることを特徴とする高速信号伝送用回路基板。
  2. 【請求項2】 信号伝送用導体層と中層に形成したグラ
    ンド/電源プレーンとの間に誘電体層を形成することに
    よりインピーダンス整合を図る高速信号伝送用回路基板
    において、 (a)表面に形成される第1の信号伝送用導体層と、 (b)該第1の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介
    して形成される第1のグランド/電源プレーン層と、 (c)該第1のグランド/電源プレーン層の下方に誘電
    体層を介して形成される第2の信号伝送用導体層と、 (d)該第2の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介
    して形成される第3の信号伝送用導体層と、 (e)該第3の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介
    して形成される第2のグランド/電源プレーン層と、 (f)前記信号伝送用導体層のパッド部のインピーダン
    ス整合を前記第1のグランド/電源プレーン層と誘電体
    層で行なうために介在する前記パッド部の直下に該パッ
    ド部より若干大きいくり抜き部と、 (g)前記第2及び第3の信号伝送用導体層にそれぞれ
    前記パッド部直下に該パッド部より若干大きめの配線禁
    止領域とを設けることを特徴とする高速信号伝送用回路
    基板。
  3. 【請求項3】 信号伝送用導体層と中層に形成したグラ
    ンド/電源プレーンとの間に誘電体層を形成することに
    よりインピーダンス整合を図る高速信号伝送用回路基板
    において、 (a)表面に形成される第1の信号伝送用導体層と、 (b)該第1の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介
    して形成される第1のグランド/電源プレーン層と、 (c)該第1のグランド/電源プレーン層の下方に誘電
    体層を介して形成される第2の信号伝送用導体層と、 (d)該第2の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介
    して形成される第2のグランド/電源プレーン層と、 (e)該第2のグランド/電源プレーン層の下方に誘電
    体層を介して形成される第3の信号伝送用導体層と、 (f)該第3の信号伝送用導体層の下方に誘電体層を介
    して形成される第3のグランド/電源プレーン層と、 (g)該第3のグランド/電源プレーン層に下方に形成
    される誘電体層と、 (h)前記第1の信号伝送用導体層のパッド部のインピ
    ーダンス整合を前記第1のグランド/電源プレーン層と
    誘電体層で行なうために介在する前記パッド部の直下に
    該パッド部より若干大きい第1のくり抜き部と、 (i)前記第2の信号伝送用導体層には前記第1のくり
    抜き部直下に前記パッド部より若干大きめの第1の配線
    禁止領域と、 (j)前記第3のグランド/電源プレーン層には前記第
    1の配線禁止領域の直下に前記パッド部より若干大きい
    第2のくり抜き部と、 (k)前記第3の信号伝送用導体層に前記第2のくり抜
    き部の直下に前記パッド部より若干大きめの第2の配線
    禁止領域とを設けることを特徴とする高速信号伝送用回
    路基板。
  4. 【請求項4】 前記くり抜き部と前記配線禁止領域を基
    板表面から下方に向かい、徐々に大きくしていくことを
    特徴とする請求項1、2又は3記載の高速信号伝送用回
    路基板。
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