JPH05299846A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
配線基板の製造方法Info
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- JPH05299846A JPH05299846A JP4128186A JP12818692A JPH05299846A JP H05299846 A JPH05299846 A JP H05299846A JP 4128186 A JP4128186 A JP 4128186A JP 12818692 A JP12818692 A JP 12818692A JP H05299846 A JPH05299846 A JP H05299846A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- insulating layer
- layer
- wiring
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属配線を無電解メッキを施して形成するこ
とにより、安価で且つ小型の装置による簡単な操作で、
金属配線の寸法を精度良く形成する。 【構成】 Si基板本体上に、感光性ポリイミドの絶縁層
を積層する。次にプラズマ中にて絶縁層の表面を粗面化
する。その表面に第２層目の絶縁層を塗布し、配線パタ
ーンをＵＶ露光して現像及びエッチングを施す。次に、
無電解銅メッキ処理を行い、金属層を形成する。この後
洗浄により、第２層目の絶縁層の表面に付着した金属を
除去し、表面にアッシングを施して粗面化する。感光性
ポリイミドの絶縁膜を塗布し、ＵＶ露光を行いビアホー
ルパターンを形成する。現像，エッチングによりビアホ
ールを形成し、無電解銅メッキ処理を行ってビアホール
に金属層を形成する。その後アッシングを行って、絶縁
層表面及び金属層表面を粗面化する。この表面に、感光
性ポリイミドの絶縁層を積層する。以降、この工程を繰
り返し多層薄膜を形成する。
とにより、安価で且つ小型の装置による簡単な操作で、
金属配線の寸法を精度良く形成する。 【構成】 Si基板本体上に、感光性ポリイミドの絶縁層
を積層する。次にプラズマ中にて絶縁層の表面を粗面化
する。その表面に第２層目の絶縁層を塗布し、配線パタ
ーンをＵＶ露光して現像及びエッチングを施す。次に、
無電解銅メッキ処理を行い、金属層を形成する。この後
洗浄により、第２層目の絶縁層の表面に付着した金属を
除去し、表面にアッシングを施して粗面化する。感光性
ポリイミドの絶縁膜を塗布し、ＵＶ露光を行いビアホー
ルパターンを形成する。現像，エッチングによりビアホ
ールを形成し、無電解銅メッキ処理を行ってビアホール
に金属層を形成する。その後アッシングを行って、絶縁
層表面及び金属層表面を粗面化する。この表面に、感光
性ポリイミドの絶縁層を積層する。以降、この工程を繰
り返し多層薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線基板、より詳細には
パソコン，ワープロ等、電子機器に搭載される電子部品
の多層配線基板の製造方法に関する。
パソコン，ワープロ等、電子機器に搭載される電子部品
の多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多層配線基板を製造するには、セ
ラミック又はSi基板上に絶縁層を積層し、その表面に蒸
着・スパッタ法等により金属薄膜を形成して、更にその
上にレジストを塗布し、マスクを用いて露光現像して不
必要な部分をエッチングにより除去した後、レジストを
剥離して第１層目の金属配線を形成する。そしてその表
面に絶縁層を積層してビアホールを形成してから、再び
金属薄膜を形成し、エッチングにより第２層目の金属配
線を形成する、という工程を繰り返す。
ラミック又はSi基板上に絶縁層を積層し、その表面に蒸
着・スパッタ法等により金属薄膜を形成して、更にその
上にレジストを塗布し、マスクを用いて露光現像して不
必要な部分をエッチングにより除去した後、レジストを
剥離して第１層目の金属配線を形成する。そしてその表
面に絶縁層を積層してビアホールを形成してから、再び
金属薄膜を形成し、エッチングにより第２層目の金属配
線を形成する、という工程を繰り返す。
【０００３】図５，図６，図７，図８は、従来方法によ
り、絶縁層上に多層配線を形成する段階における配線基
板の模式的断面図である。図５(a) に示すようにSi基板
本体11上に絶縁層となるポリイミド21を積層し、キュア
を行う。その上に配線となる金属層41を蒸着法又はスパ
ッタ法により形成し、そしてネガ型のレジスト層51をそ
の表面に積層する。次に図５(b) に示すように、マスク
61を用いて、この上方から１層目の配線パターンを露光
し、現像して、図５(c) に示すようにレジスト層４及び
金属層41にエッチングを施す。レジスト層51を剥離した
後、図５(d) に示すようにポリイミド21を積層し、１層
目の金属配線が形成される。
り、絶縁層上に多層配線を形成する段階における配線基
板の模式的断面図である。図５(a) に示すようにSi基板
本体11上に絶縁層となるポリイミド21を積層し、キュア
を行う。その上に配線となる金属層41を蒸着法又はスパ
ッタ法により形成し、そしてネガ型のレジスト層51をそ
の表面に積層する。次に図５(b) に示すように、マスク
61を用いて、この上方から１層目の配線パターンを露光
し、現像して、図５(c) に示すようにレジスト層４及び
金属層41にエッチングを施す。レジスト層51を剥離した
後、図５(d) に示すようにポリイミド21を積層し、１層
目の金属配線が形成される。
【０００４】図６(e) に示すようにポリイミド21の表面
に金属層41を蒸着法又はスパッタにより形成し、ポジ型
のレジスト層51を積層する。次に図６(f) に示すように
この上方からマスク62を用いて露光し、現像して、図６
(g) に示すようにレジスト層51及び金属層41にエッチン
グを施し、図６(h) に示すようにレジスト層51を剥離す
る。その後図７(i) に示すように金属層41をマスクとし
てポリイミド21をエッチングしてビアホール72,72 …を
形成し、図７(j) に示すようにマスクとして用いた金属
層41を剥離し、キュアを行って、メッキ工程にてビアホ
ール72,72 …に金属層41を埋める。
に金属層41を蒸着法又はスパッタにより形成し、ポジ型
のレジスト層51を積層する。次に図６(f) に示すように
この上方からマスク62を用いて露光し、現像して、図６
(g) に示すようにレジスト層51及び金属層41にエッチン
グを施し、図６(h) に示すようにレジスト層51を剥離す
る。その後図７(i) に示すように金属層41をマスクとし
てポリイミド21をエッチングしてビアホール72,72 …を
形成し、図７(j) に示すようにマスクとして用いた金属
層41を剥離し、キュアを行って、メッキ工程にてビアホ
ール72,72 …に金属層41を埋める。
【０００５】次に、図７(k) に示すように金属層41を蒸
着法又はスパッタ法により形成し、その表面にネガ型の
レジスト層51を積層し、図８(l) に示すようにマスク63
を用いてこの上方から２層目の配線パターンを露光し、
現像する。そして、図８(m)に示すようにレジスト層51
及び金属層41をエッチングして、２層目の金属配線を形
成する。そして図８(n) に示すようにレジスト層51を剥
離し、図８(o) に示すように、この上にポリイミド21を
積層して多層配線基板が製造される。
着法又はスパッタ法により形成し、その表面にネガ型の
レジスト層51を積層し、図８(l) に示すようにマスク63
を用いてこの上方から２層目の配線パターンを露光し、
現像する。そして、図８(m)に示すようにレジスト層51
及び金属層41をエッチングして、２層目の金属配線を形
成する。そして図８(n) に示すようにレジスト層51を剥
離し、図８(o) に示すように、この上にポリイミド21を
積層して多層配線基板が製造される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上の如く多層配線基
板における金属配線の形成は、蒸着法、スパッタ法が主
に用いられ、これらに使用される装置は大型且つ高価で
あり、またチャンバ内を真空状態にする等、その操作方
法が複雑である場合が多い。
板における金属配線の形成は、蒸着法、スパッタ法が主
に用いられ、これらに使用される装置は大型且つ高価で
あり、またチャンバ内を真空状態にする等、その操作方
法が複雑である場合が多い。
【０００７】また、上述したように金属薄膜をエッチン
グすることにより金属配線を形成する場合は、その金属
配線の仕上がり幅寸法が所望する寸法よりも縮小される
傾向にあり、十数ミクロン幅以下の金属配線を形成する
ときには、断線する可能性があるという問題があった。
グすることにより金属配線を形成する場合は、その金属
配線の仕上がり幅寸法が所望する寸法よりも縮小される
傾向にあり、十数ミクロン幅以下の金属配線を形成する
ときには、断線する可能性があるという問題があった。
【０００８】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、金属配線を無電解メッキを施して形成するこ
とにより、小型で且つ安価な装置による簡単な操作で、
金属配線の寸法を精度良く形成する、配線基板の製造方
法を提供することを目的とする。
のであり、金属配線を無電解メッキを施して形成するこ
とにより、小型で且つ安価な装置による簡単な操作で、
金属配線の寸法を精度良く形成する、配線基板の製造方
法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る配線基板の
製造方法は、基板上に第１の感光性樹脂を積層し、該第
１の感光性樹脂の表面にプラズマ処理を施す工程と、前
記第１の感光性樹脂の上に第２の感光性樹脂を積層し、
配線パターンに基づいた開口部を前記第２の感光性樹脂
に、前記第１の感光性樹脂のプラズマ処理された面を露
出させて形成する工程と、無電解メッキにより前記開口
部に金属配線を形成する工程とを備えることを特徴とす
る。
製造方法は、基板上に第１の感光性樹脂を積層し、該第
１の感光性樹脂の表面にプラズマ処理を施す工程と、前
記第１の感光性樹脂の上に第２の感光性樹脂を積層し、
配線パターンに基づいた開口部を前記第２の感光性樹脂
に、前記第１の感光性樹脂のプラズマ処理された面を露
出させて形成する工程と、無電解メッキにより前記開口
部に金属配線を形成する工程とを備えることを特徴とす
る。
【００１０】
【作用】本発明の配線基板の製造方法では、無電解メッ
キにより金属配線を形成している。従来の金属薄膜をエ
ッチングして形成する方法に比較して、無電解メッキで
は、安価で且つ小型の装置で簡単な操作法により、寸法
精度良く金属配線が形成される。
キにより金属配線を形成している。従来の金属薄膜をエ
ッチングして形成する方法に比較して、無電解メッキで
は、安価で且つ小型の装置で簡単な操作法により、寸法
精度良く金属配線が形成される。
【００１１】また、無電解メッキにより金属配線を形成
する場合には、その接着性に問題があると考えられてい
る。通常の無電解メッキにより感光性薄膜表面にNi, C
u, Ag等の金属を析出させる場合には、この析出物の核
となる物質, 例えばNa+ 等が、未処理の感光性樹脂表面
に付着し難く、形成された金属薄膜が無電解メッキの洗
浄工程中に流されるほど接着力は小さい。しかしなが
ら、本発明では金属配線が形成される感光性樹脂の表面
がプラズマ処理により粗面化されているため、析出物の
核となる物質が付着し易くなり、接着力は大きくなる。
また、同様に感光性樹脂同士の接着力も大きくなる。
する場合には、その接着性に問題があると考えられてい
る。通常の無電解メッキにより感光性薄膜表面にNi, C
u, Ag等の金属を析出させる場合には、この析出物の核
となる物質, 例えばNa+ 等が、未処理の感光性樹脂表面
に付着し難く、形成された金属薄膜が無電解メッキの洗
浄工程中に流されるほど接着力は小さい。しかしなが
ら、本発明では金属配線が形成される感光性樹脂の表面
がプラズマ処理により粗面化されているため、析出物の
核となる物質が付着し易くなり、接着力は大きくなる。
また、同様に感光性樹脂同士の接着力も大きくなる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は本発明により、感光性樹脂
上に多層配線を形成する手順を示したフローチャートで
あり、図２，図３，図４はその段階における模式的断面
図である。なお、図２，図３，図４に示す(a) ，(b) …
の模式的断面図は、図１(a) ，(b) …の工程に対応させ
ている。
き具体的に説明する。図１は本発明により、感光性樹脂
上に多層配線を形成する手順を示したフローチャートで
あり、図２，図３，図４はその段階における模式的断面
図である。なお、図２，図３，図４に示す(a) ，(b) …
の模式的断面図は、図１(a) ，(b) …の工程に対応させ
ている。
【００１３】図２(a) に示すように、40×40×0.4mm の
サイズのSi基板本体11上に、感光性ポリイミドの絶縁層
31を積層する。この感光性ポリイミドはネガ型であるフ
ォトニース“ＵＲ−3840”（東レ株式会社製）を使用
し、1.5cm3のフォトニース“ＵＲ−3840”はスピンコー
ト（ 500r.p.m.×30min.続いて 4000r.p.m. ×30min.以
下同条件）により、５μｍ厚に塗布される。そして、プ
リキュア工程（Ｎ2 雰囲気，80℃×２hour，以下同条
件），ＵＶ露光（ｇ線：波長405nm ×30sec.，以下同条
件），キュア工程（ 140℃×30min.続いて 300℃×30mi
n., 以下同条件）を行い、絶縁層31を硬化する。
サイズのSi基板本体11上に、感光性ポリイミドの絶縁層
31を積層する。この感光性ポリイミドはネガ型であるフ
ォトニース“ＵＲ−3840”（東レ株式会社製）を使用
し、1.5cm3のフォトニース“ＵＲ−3840”はスピンコー
ト（ 500r.p.m.×30min.続いて 4000r.p.m. ×30min.以
下同条件）により、５μｍ厚に塗布される。そして、プ
リキュア工程（Ｎ2 雰囲気，80℃×２hour，以下同条
件），ＵＶ露光（ｇ線：波長405nm ×30sec.，以下同条
件），キュア工程（ 140℃×30min.続いて 300℃×30mi
n., 以下同条件）を行い、絶縁層31を硬化する。
【００１４】次に、アッシング（ 600mtorr, 2.1 l/mi
n. Ｏ2 雰囲気，RF 400Ｗ，30min.，以下同条件）を行
い、ＣＯ2 プラズマ中にて、図２(b) に示すように絶縁
層31の表面を粗面化する。アッシング工程では、絶縁層
31表面から 0.2〜0.7 μｍの深さで凹凸を形成する。こ
れより浅い場合は金属配線が付着し難く、またこれより
深い場合は付着させた金属配線が断線又はショートする
恐れがあるためである。そして図２(c) に示すように、
粗面化した絶縁層21の表面に、スピンコートにより同じ
感光性ポリイミド，フォトニース“ＵＲ−3840”（東レ
株式会社製）の第２層目の絶縁層32を５μm 塗布し、プ
リキュアを行う。
n. Ｏ2 雰囲気，RF 400Ｗ，30min.，以下同条件）を行
い、ＣＯ2 プラズマ中にて、図２(b) に示すように絶縁
層31の表面を粗面化する。アッシング工程では、絶縁層
31表面から 0.2〜0.7 μｍの深さで凹凸を形成する。こ
れより浅い場合は金属配線が付着し難く、またこれより
深い場合は付着させた金属配線が断線又はショートする
恐れがあるためである。そして図２(c) に示すように、
粗面化した絶縁層21の表面に、スピンコートにより同じ
感光性ポリイミド，フォトニース“ＵＲ−3840”（東レ
株式会社製）の第２層目の絶縁層32を５μm 塗布し、プ
リキュアを行う。
【００１５】このように形成した絶縁層32に、図３(d)
に示すように、その上方からマスク64を用いて配線パタ
ーンをＵＶ露光し、図３(e) に示すように現像及びエッ
チング（25℃×３min.）を施す。更にキュアを行って、
絶縁層32を硬化する。このようにして形成された開口部
71,71 …の底面部には、図２(b) に示すアッシング工程
により粗面化された表面が露出している。
に示すように、その上方からマスク64を用いて配線パタ
ーンをＵＶ露光し、図３(e) に示すように現像及びエッ
チング（25℃×３min.）を施す。更にキュアを行って、
絶縁層32を硬化する。このようにして形成された開口部
71,71 …の底面部には、図２(b) に示すアッシング工程
により粗面化された表面が露出している。
【００１６】次に、無電解銅メッキ処理を行い、図３
(f) に示すように、開口部71,71 …に金属層42,42 …を
形成する。無電解銅メッキ処理は表１に示す条件にて行
われる。この後洗浄により、第２層目の絶縁層32,32 …
の表面に付着した金属を除去し、絶縁層32,32 …の表
面及び金属層42,42 …の表面にアッシングを施して粗面
化し、第１層目配線が形成される。
(f) に示すように、開口部71,71 …に金属層42,42 …を
形成する。無電解銅メッキ処理は表１に示す条件にて行
われる。この後洗浄により、第２層目の絶縁層32,32 …
の表面に付着した金属を除去し、絶縁層32,32 …の表
面及び金属層42,42 …の表面にアッシングを施して粗面
化し、第１層目配線が形成される。
【００１７】
【表１】
【００１８】図３(g) に示すように、更にこの表面に、
感光性ポリイミドの絶縁膜33を塗布する。この感光性ポ
リイミドはポジ型であるフォトニース“ＤＶ−505 ”
（東レ株式会社製）を使用する。そしてその上方からマ
スク65を用いてＵＶ露光を行いビアホールパターンを形
成する。次に現像，エッチングにより図４(h) に示すよ
うに、ビアホール72,72 …を形成する。
感光性ポリイミドの絶縁膜33を塗布する。この感光性ポ
リイミドはポジ型であるフォトニース“ＤＶ−505 ”
（東レ株式会社製）を使用する。そしてその上方からマ
スク65を用いてＵＶ露光を行いビアホールパターンを形
成する。次に現像，エッチングにより図４(h) に示すよ
うに、ビアホール72,72 …を形成する。
【００１９】図４(i) に示すように、無電解銅メッキ処
理を行ってビアホール72,72 …に金属層43,43 …を形成
し、洗浄により絶縁層33,33 …表面の金属を除去する。
その後アッシングを行って、絶縁層33,33 …表面及び金
属層43,43 …表面を粗面化する。この表面に、図４(j)
に示すように感光性ポリイミドの絶縁層34を積層する。
理を行ってビアホール72,72 …に金属層43,43 …を形成
し、洗浄により絶縁層33,33 …表面の金属を除去する。
その後アッシングを行って、絶縁層33,33 …表面及び金
属層43,43 …表面を粗面化する。この表面に、図４(j)
に示すように感光性ポリイミドの絶縁層34を積層する。
【００２０】以降、図３(d) ，図３(e) ，図３(f) と同
工程を施す。即ち配線パターンの露光を行い、開口部を
形成し、ここに無電解銅メッキ処理により第２層目配線
を形成して、その表面にアッシングを施す。そして図４
(k) に示すように感光性ポリイミドの絶縁層35を積層
し、多層配線基板が製造される。
工程を施す。即ち配線パターンの露光を行い、開口部を
形成し、ここに無電解銅メッキ処理により第２層目配線
を形成して、その表面にアッシングを施す。そして図４
(k) に示すように感光性ポリイミドの絶縁層35を積層
し、多層配線基板が製造される。
【００２１】このようにして形成された多層配線基板に
ついて、同層間及び異層間配線の導通チェックを行い、
断線又はショートを起こさないことが確認できた。
ついて、同層間及び異層間配線の導通チェックを行い、
断線又はショートを起こさないことが確認できた。
【００２２】なお、本実施例においては、感光性樹脂に
フォトニース“ＵＲ−3840"(東レ株式会社製) を使用し
ているが、" プロミド412 "(チバガイキ株式会社製) 又
は“ＰＬ1045"(日立化成工業株式会社製) 等を使用して
も良い。
フォトニース“ＵＲ−3840"(東レ株式会社製) を使用し
ているが、" プロミド412 "(チバガイキ株式会社製) 又
は“ＰＬ1045"(日立化成工業株式会社製) 等を使用して
も良い。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明の配線基板の製造
方法においては、無電解メッキにより金属配線を形成す
るため、寸法精度良く、小型で且つ安価な装置にて簡易
な操作で形成できる。また、プラズマ処理を施した感光
性樹脂表面に金属配線を形成しているので、感光性樹脂
及び金属配線の接着力が大きい等、本発明は優れた効果
を奏する。
方法においては、無電解メッキにより金属配線を形成す
るため、寸法精度良く、小型で且つ安価な装置にて簡易
な操作で形成できる。また、プラズマ処理を施した感光
性樹脂表面に金属配線を形成しているので、感光性樹脂
及び金属配線の接着力が大きい等、本発明は優れた効果
を奏する。
【図１】本発明により、感光性樹脂上に多層配線を形成
する手順を示したフローチャートである。
する手順を示したフローチャートである。
【図２】本発明により、感光性樹脂上に多層配線を形成
する段階における配線基板の模式的断面図である。
する段階における配線基板の模式的断面図である。
【図３】本発明により、感光性樹脂上に多層配線を形成
する段階における配線基板の模式的断面図である。
する段階における配線基板の模式的断面図である。
【図４】本発明により、感光性樹脂上に多層配線を形成
する段階における配線基板の模式的断面図である。
する段階における配線基板の模式的断面図である。
【図５】従来方法により、絶縁層上に多層配線を形成す
る段階における配線基板の模式的断面図である。
る段階における配線基板の模式的断面図である。
【図６】従来方法により、絶縁層上に多層配線を形成す
る段階における配線基板の模式的断面図である。
る段階における配線基板の模式的断面図である。
【図７】従来方法により、絶縁層上に多層配線を形成す
る段階における配線基板の模式的断面図である。
る段階における配線基板の模式的断面図である。
【図８】従来方法により、絶縁層上に多層配線を形成す
る段階における配線基板の模式的断面図である。
る段階における配線基板の模式的断面図である。
11 基板本体 21,33,34,35 絶縁層 31 第１の絶縁層 32 第２の絶縁層 41,42,43 金属層 51 レジスト層 61,62,63,64,65 マスク 71 開口部 72 ビアホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｄ 7511−4Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に第１の感光性樹脂を積層し、該
第１の感光性樹脂の表面にプラズマ処理を施す工程と、
前記第１の感光性樹脂の上に第２の感光性樹脂を積層
し、配線パターンに基づいた開口部を前記第２の感光性
樹脂に、前記第１の感光性樹脂のプラズマ処理された面
を露出させて形成する工程と、無電解メッキにより前記
開口部に金属配線を形成する工程とを備えることを特徴
とする配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128186A JPH05299846A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4128186A JPH05299846A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299846A true JPH05299846A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14978572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4128186A Pending JPH05299846A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299846A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE44251E1 (en) | 1996-09-12 | 2013-06-04 | Ibiden Co., Ltd. | Circuit board for mounting electronic parts |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP4128186A patent/JPH05299846A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE44251E1 (en) | 1996-09-12 | 2013-06-04 | Ibiden Co., Ltd. | Circuit board for mounting electronic parts |
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