JPH0530012B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、カラー陰極線管等の管体内に、電子
銃と共に組込まれる内蔵抵抗器に関する。

背景技術とその問題点 従来、カラーテレビジヨン受像機に用いられる
カラー陰極線管等において、陰極電圧以外に、例
えば、コンバージエンス電極やフオーカス電極等
に供給される高電圧が必要とさるものがある。斯
かる場合、管体内に電子銃と共に分圧用の抵抗器
を内蔵抵抗器として組込み、これによつて陽極電
圧を分圧して夫々の高電圧を得るようにすること
が提案されており、このように使用される従来の
内蔵抵抗器の一例として、第１図に及び第２図示
される如くのものが知られている。

第１図は外表部を形成する絶縁被膜上から透視
した状態の従来の内蔵抵抗器７を示し、第２図は
この従来の内蔵抵抗器７の全体の側面を示す。こ
の第１図及び第２図に示される内蔵抵抗器７にお
いては、セラミツク板等の絶縁基板１上に、導電
層が被着されて形成された端子部、即ち、高電圧
が供給される高圧電極端子２、コンバージエンス
電極用の高電圧、即ち、コンバージエンス電圧が
得られるコンバージエンス電極端子（以下、CV
電極端子という）３及びアース電極端子４が設け
られ、また、CV電極端子３とアース電極端子４
との間には所要の抵抗値を有するジグザグ状パタ
ーンとされた抵抗体層５ａが、高圧電極端子２と
CV電極端子３との間には同じく所要の抵抗値を
有する抵抗体層５ｂが、さらに、抵抗体層５ａ及
び５ｂとCV電極端子３の間に微調整用抵抗体層
５ｃが、夫々被着されて、分圧抵抗体層５が形成
されている。そして、第１図の斜視部分には、分
圧抵抗体層５を覆つて、鉛ガラス等からなる絶縁
被膜６が施されている。尚、微調整用抵抗体層５
ｃは、内蔵抵抗器７の製造工程においてその一部
を削除することにより、各端子間の抵抗体層５ａ
及び５ｂの抵抗値を調整することができるように
設けられている。

斯かる構成を有する内蔵抵抗器７がカラー陰極
線管に組込まれた状態を第３図に示す。ここで、
管体８のネツク部８ａ内に電子銃構体９が配置さ
れており、この電子銃構体９は、３個のカソード
Ｋに対して共通に第１グリツド電極Ｇ１、第２グ
リツド電極Ｇ２、第３グリツド電極Ｇ３、第４グ
リツド電極Ｇ４及び第５グリツド電極Ｇ５が順次
同軸上に配列されて形成されている。そして、第
５グリツド電極Ｇ５の後段には、コンバージエン
ス手段１０が配置されている。各電極Ｇ１，Ｇ
２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５、及びコンバージエンス手
段１０は、相互に所定の位置関係を保持して、ビ
ーデイングガラス１１によつて機械的に連結され
ており、第３グリツド電極Ｇ３と第５グリツド電
極Ｇ５とは、導線１３によつて、電気的に接続さ
れている。また、コンバージエンス手段１０は、
導電板１４を介して第５グリツド電極Ｇ５に電気
的に接続されて、相対向する内側偏向電極板１０
ａ及び１０ｂと、その外側にこれら電極板１０ａ
及び１０ｂと対向して配置される外側偏向電極板
１０ｃ及び１０ｄとを有して形成されている。

このような電子銃構体９に対して、第１図及び
第２図に示される如くの内蔵抵抗器７が取り付け
られており、この内蔵抵抗器７の高圧電極端子２
が第５グリツド電極Ｇ５に導電性取付け片１２を
介して連結されている。管体８のフアンネル部８
ｂの内壁には、ネツク部８ａの内壁にまで伸びる
グラフアイト導電膜１５が被着されており、フア
ンネル部８ｂに設けられた高圧供給ボタン、即
ち、陽極ボタン（図示しない）を通して陽極電圧
が供給される。そして、導電板１４には、導電ス
プリング１６が設けられていて、このスプリング
１６がグラフアイト導電膜１５に接触することに
より、第５グリツド電極Ｇ５、第３グリツド電極
Ｇ３、コンバージエンス手段１０の内側偏向電極
板１０ａ及び１０ｂ、及び、内蔵抵抗器７の高圧
電極端子２に陽極電圧が供給される。

内蔵抵抗器７のCV電極端子３は、導電性取付
け片１７を介してコンバージエンス手段１０の外
側偏向電極板１０ｃ及び１０ｄに連結され、CV
電極端子３に、陽極電圧が抵抗体層５ａ及び５ｂ
により分圧されて得られるコンバージエンス電圧
が、外側偏向電極板１０ｃ及び１０ｄに供給され
る。また、内蔵抵抗器７のアース電極端子４が、
管体８のネツク部８ａの基部におけるシステム１
８に貫通埋設されたアース電極端子ピン１９に連
結され、直接もしくは調整用外付け抵抗を介して
接地される。

斯かる陰極線管にあつて、例えば、電子銃構体
９の各部に尖鋭な突起部分等があると、実際の使
用にあたつて不所望な放電を生じることになる。
そこで、陽極線管の製造過程において、電子銃構
体９における尖鋭突起部分等の放電を生じ易い部
分については、予め放電を生じさせて溶解成型す
ること等により、完成品とされた後の実際の使用
時の動作を安定化することを目的としたノツキン
グ処理が行われる。このようなノツキング処理工
程においては、例えば、陰極線管の実働時に比し
て２〜３倍とされた高電圧（ノツキング電圧）
が、第３グリツド電極Ｇ３、第５グリツド電極Ｇ
５及び内蔵抵抗器７の高圧電極端子２に印加さ
れ、また、第１、第２及び第４の各グリツド電極
Ｇ１，Ｇ２及びＧ４は接地状態とされる。このノ
ツキング処理時には、内蔵抵抗器７の絶縁被膜６
の表面は、一部を除いて、比較的高い電位に帯電
せしめられ、この絶縁被膜６には、特に、分圧抵
抗体層５を形成する抵抗体層５ａの低圧側で、実
働時に比して大なる電位差がかかることになる。
第４図は、横軸に内蔵抵抗器７の絶縁基板１上に
おける、低圧側とされるアース電極端子４からの
高圧側とされるCV電極端子３側への距離Ｌをと
り、縦軸に電位Ｖをとつて、ノツキング処理時に
おける内蔵抵抗器７の絶縁被膜６の表面電位（曲
線ａ）、アース電極端子４とCV電極端子３との間
に配された抵抗体層５ａの各部の電位（曲線ｂ）
及び両電位の差（曲線ｃ）を示す。これから明ら
かなようの、絶縁基板１上に、高電圧が印加され
る第３グリツド電極Ｇ３に近接した位置Ｐにおけ
る、比較的低電位とされる抵抗体層５ａの部分で
の、抵抗体層５ａと絶縁被膜６の表面との間の電
位差が最大となり、従つて、この位置（最大電位
差位置）Ｐで絶縁被膜６に最大の電位差がかかる
ことになる。このため、第３グリツド電極Ｇ３付
近で、絶縁被膜６の耐圧を越える電位がかかつて
絶縁被膜６の絶縁劣化もしくは破壊を生じ、その
結果、抵抗体層５ａが被害を受けてその抵抗値が
著しく変化してしまう虞れがある。

斯かる絶縁劣化もしくは破壊による抵抗体層５
ａの抵抗値変化に関しては、絶縁被膜６の厚さを
大として、耐圧を高めることが有利となる。即
ち、絶縁被膜６の膜厚を大に形成することで、絶
縁被膜６の絶縁劣化もしくは破壊を阻止し、抵抗
体層５ａの抵抗値の変化を抑えることが可能とな
るが、内蔵抵抗器７にとつて絶縁被膜６の膜厚が
無闇に大とされることはコストの面で不利とな
り、また、絶縁基板１と絶縁被膜６との膨張係数
の差に起因する内蔵抵抗器７の全体の反りを生
じ、使用時の昇温及び不使用時の降温のの熱サイ
クルによつて絶縁被膜６が絶縁基板１から剥離す
る、あるいは亀裂を生じる等の信頼性の低下につ
ながる問題を伴うことになる。

発明の目的 斯かる点に鑑み本発明は、絶縁基板上に所定の
パターンを有した抵抗体層が形成され、この抵抗
体層が絶縁被膜で覆われた構成を有し、陰極線管
のノツキング処理時等においても、絶縁被膜の絶
縁劣化もしくは破壊を効果的に回避でき、その結
果、ノツキング処理前後等での抵抗体層の抵抗値
の変化を最小限に抑えることができ、しかも、製
造コスト面や信頼性の面での不利をまねかないよ
うにされた陰極線管の内蔵抵抗器を提供すること
を目的とする。

発明の概要 本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器は、絶縁基
板上に複数の電極端子と、これら電極端子のうち
の低圧側とされる第１の端子と高圧側とされる第
２の端子との間おいて所定のパターンを有して配
される抵抗体層とが形成され、さらに、抵抗体層
を被覆する絶縁被膜が設けられて成り、絶縁基板
上における上述の第１の端子と第２の端子の端子
とを結ぶ方向の単位長当りの抵抗体層の抵抗値
が、絶縁基板上の絶縁被膜の表面電位と抵抗体層
の電位との間の電位差が大とされる高電位差部位
と第２の端子の部位との間におけるより、高電位
差部位と第１の端子の部位との間における方が大
となるようにされる。

このように構成されることにより、絶縁基板上
の低圧側とされる第１の端子の部位から高電位差
部位へかけての抵抗体層の電位上昇勾配が急峻な
ものとされて、抵抗体層の電位が高電位差部位を
中心にし、その両端部を除いて、全体的に高めら
れ、その結果、絶縁被膜の表面と抵抗体層との間
の電位差、即ち、絶縁被膜にかかる電位差が低減
されることになる。これにより、陰極線管のノツ
キング処理時等に特に大なる電位差がかかる部分
においても、絶縁被膜が絶縁劣化もしくは破壊を
生ずることがないようにでき、抵抗体層の抵抗値
の大幅な変化を防止することができる。

そして、上述の如くに、第１の端子と第２の端
子とを結ぶ方向の単位長当りの抵抗体層の抵抗値
が、高電位差部位と第２の端子の部位との間にお
けるより、高電位差差部位と第１の端子の部位と
の間における方が大となるよにされることは、例
えば、抵抗体層が均質抵抗材料により均一断面積
を有して、所定のパターンに形成される場合にそ
のパターンを工夫して、第１の端子と第２の端子
とを結ぶ方向の単位長内における抵抗体層の実効
長が、高電位差部位と第２の端子の部位との間に
おけるより、高電位差部位と第１の端子の部位と
の間における方が大となるようにする手法によつ
て、また、抵抗体層の断面積あるいはそれを形成
する抵抗材料を部分的にことならしめて、抵抗体
層自体の単位長当りの抵抗値が、高電位差部位と
第２の端子の部位との間におけるより、高電位差
部位と第１の端子の部位との間における方が大と
なるようにする手法によつて、さらには、これら
各手法の組合せにより達成される。

実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照して
詳述する。

第５図は本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の
一例を示す。この例の内蔵抵抗器は、第１図及び
第２図に示される内蔵抵抗器７と同様に、絶縁基
板１上に分圧抵抗体層とをこれを被覆する絶縁被
膜が設けられて形成され、第５図においては、外
表部を形成する絶縁基板被膜上から透視した状態
が示されている。なお、第５図において、第１図
及び第２図に示される各部に対応する部分には、
第１図及び第２図と共通の符号を付して示し、そ
れらについての詳細な重複説明を省略する。

第５図に示される本発明に係る内蔵抵抗器の一
例においては、絶縁基板１上に設けられ、かつ、
例えば、鉛ガラスからなる絶縁被膜（図示省略）
によつて被覆された分圧抵抗体層５が、CV電極
端子３とアース電極端子４との間にジグザグ状パ
ターンを有して配された抵抗体層５′ａと、高圧
電極端子２とCV電極端子３との間に配された、
第１図及び第２図に示されるものと同様の、抵抗
体層５ｂ及び微調整抵抗体層５ｃで形成されてい
る。

ここで、分圧抵抗体層５は、一様な断面積を有
して、均一な抵抗材料で形成されたものとなされ
ている。そして、抵抗体層５′ａは、全体的に、
一定の蛇行幅を有したジグザグ状パターンをもつ
ものとされ、低圧側であるアース電極端子４と第
１図、第２図及び第４図に示される内蔵抵抗器７
における最大電位差位置Ｐに対応する、例えば、
第３図に示される如くの陰極線管内に電子銃構体
９とともに組まれて電圧が印加されたとき、絶縁
被膜の表面電位と抵抗体層５′ａの電位との間の
差が最大となる位置である最大電位差位置P′との
間に配された、ジグザグ状パターンの蛇行ピツチ
を小ピツチｐ１とする部分５alと、これに続き、
最大電位差位置P′と高圧側であるCV電極端子３
との間に配された、ジグザグ状パターンの蛇行ピ
ツチを大ピツチｐ２（ｐ２＞ｐ１）とする部分
５′ahとで構成されている。

ここで、絶縁基板１上のアース電極端子４と最
大電位差位置P′との間の単位長内における小ピツ
チｐ１を有する部分５′alは実効長は、絶縁基板
１上の最大電位差位置P′とCV電極端子３との間
の単位長内における大ピツチｐ２を有する部分
５′ahの実効長よりも大となり、従つて、アース
電極端子４と最大電位差位置P′との間に単位長当
りの抵抗体層５′ａの抵抗値は、最大電位差位置
P′とCV電極端子３との間の単位長当りの抵抗体
層５′ａの抵抗値より大となる。

このため、斯かる第５図に示される内蔵抵抗器
が、第３図に示される如くの陰極線管の電子銃構
体９に、従来の内蔵抵抗器７と同様にして取り付
けられ、陰極線管のノツキング処理時において、
高圧電極端子２にノツキング電圧が印加される場
合には、横軸を絶縁基板１上におけるアース電極
端子４からのCV電極端子３への距離Ｌとし、縦
軸を電位Ｖとして表される第６図のグラフにおい
て曲線b′で示される如く、抵抗体層５′ａのアー
ス電極端子４と最大電位差位置P′との間の部分
５′alにおけるアース電極端子４から最大電位差
位置P′へかけての電位上昇勾配が急峻になり、ま
た、最大電位差位置P′とCV電極端子３との間の
部分５′ahにおける最大電位差位置P′からCV電
極端子３へかけての電位上昇勾配が緩やかにな
る。従つて、抵抗体層５′ａの各部の電位は、第
６図において破線ｂで示される従来の内蔵抵抗器
７の場合の電位に比して、最大電位差位置P′を中
心にして全体的に高められることになる。この結
果、第６図において曲線a′で示される第５図の内
蔵抵抗器の絶縁被膜の表面電位と抵抗体層５′ａ
の電位との差、即ち、絶縁被膜にかかる電位差
が、従来の内蔵抵抗器７の場合に比して低減され
る。

この場合、抵抗体層５′ａの部分５′al及び部分
５′ahの実効長を夫々Xl及びXh、CV電極端子３
の電位をVc及びアース電極端子４の電位をVeと
すると、最大電位差位置P′における抵抗体層５′
ａの電位V′pは、 V′p＝Ve＋（Vc−Ve）・Xl／Xl＋Xhとなり、 また、最大電位差位置P′における絶縁被膜の表
面電位をVsとすると、最大電位差位置P′におい
て絶縁被膜にかかる電位は、Vs−V′p＝Vs−Ve
−（Vc−Ve）・Xl／Xl＋Xhとなる。従つて、斯かる 電位差Vs−V′pが絶縁被膜の耐圧限界より小とな
るようにXl及びXhが設定される。

第７図は、本発明に係る内蔵抵抗器の低の例を
示す。この例においても、第５図の例と同様に、
絶縁基板１上のCV電極端子３とアース電極端子
４との間において、部分５′alと部分５′ahとで構
成される抵抗体層５ａが、均一な抵抗材料によ
り、一様な断面積を有し、ジグザグ状パターンを
もつものてして設けられているが、この例の場合
には、部分５′al５′ahも互いに等しい一定のジグ
ザグ状パターンの蛇行ピツチを有すものとされる
とともに、部分５′alのジグザグ状パターンの蛇
行幅ｈ１が部分５′ahのジグザグ状パターンの蛇
行幅ｈ２より大（ｈ１＞ｈ２）とされている。

このため、この例においても、絶縁基板１上の
アース電極端子４と最大電位差位置P′との間の単
位長内における部分５′alの実効長が、絶縁基板
１上の最大電位差位置P′とCV電極端子３との間
の単位長内における５′ahの実効長よりも大とな
り、第５図の例と同様の作用効果が得られる。

第８図から第１１図は、本発明に係る内蔵抵抗
器のさらに他の例を示す。これらの例は、いずれ
も、第５図の例と同様に、絶縁基板１上のCV電
極端子３とアース電極端子４との間において、部
分５′alと部分５′ahとで構成される抵抗体層５′
ａがジグザグ状パターンをもつて設けられ、部分
５′alと部分５′ahとは、ジグザグ状パターンの蛇
行ピツチ及び蛇行幅が、夫々、互いに等しい一定
のものとされるとともに、部分５′al自体の単位
長当りの抵抗値が部分５′ah自体の単位長当りの
抵抗値より大となるようにされたものとなされて
いる。これにより、第８図から第１１図に示され
るいずれの例も、絶縁基板１上のアース電極端子
４と最大電位差位置P′との間の単位長当りの抵抗
体層５′ａの抵抗値が、絶縁基板１上の最大電位
差位置P′とCV電極端子３との間の単位長当りの
抵抗体層５′ａの抵抗値より大となり、第５図に
示される例と同等の作用効果が得られるものとな
る。

第８図に示される例においては、抵抗体層５′
ａが均質な抵抗材料で形成され、その部分５′al
における抵抗体幅ｗ１が部分５′ahにおける抵抗
体幅ｗ２より小とされて、部分５′alにおける抵
抗体断面積が部分５′ahにおける抵抗体断面積に
比して小とされている。

第９図に示される例においては、抵抗体層５′
ａの部分５′alと部分５′ahとが異なる抵抗材料で
形成され、部分５′alを形成する抵抗材料の比抵
抗ｍ１が部分５′ahを形成する抵抗材料の比抵抗
ｍ２より大とされている。

さらに、第１０図及び第１０図におけるXI−XI
線にそう断面をあらわす第１１図に示される例に
おいては、抵抗体層５′ａが均質な抵抗材料で形
成され、その部分５′alにおける抵抗体厚ｔ１が
部分５′ahにおける抵抗体厚ｔ２より小とされ
て、部分５′alにおける抵抗体断面積が部分５′ah
における抵抗体断面積に比して小とされている。

このように、第８図から第１１図に示される例
においては、アース電極端子４と最大電位差位置
P′との間に単位長当りの抵抗体層５′ａの抵抗値
が、最大電位差位置P′とCV電極端子３との間の
単位長当りの抵抗体層５′ａの抵抗値より大とさ
れ、これらが、第３図に示される如く陰極線管の
電子銃構体９に、従来の内蔵抵抗器７と同様にし
て取り付けられ、陰極線管のノツキング処理時に
おいて、高圧電極端子２にノツキング電圧が印加
される場合には、抵抗体層５′ａの各部の電位は、
従来の内蔵抵抗器７の場合の電位に比して、最大
電位差位置P′を中心にして全体的に高められるこ
とになる。この結果、これらの内蔵抵抗器の絶縁
被膜の表面電位と抵抗体層５′ａの電位との差、
即ち、絶縁被膜にかかる電位差が、従来の内蔵抵
抗器７の場合に比して低減される。

この場合、抵抗体層５′ａの部分５′al及び部分
５′alの抵抗値を夫々Rl及びRh、CV電極端子３
の電位をVc及びアース電極端子４の電位をVeと
すると、最大電位差位置P′における抵抗体層５′
ａの電位V′pは、V′p＝Ve＋（Vc−Ve）・
Rl／Rl＋Rhとなり、また、最大電位差位置P′におけ る絶縁被膜の表面電位をVsとすると、最大電位
差位置P′において絶縁被膜にかかる電位は、Vs
−V′p＝Vs−Ve（Vc−Ve）・Rl／Rl＋Rhとなる。従 つて、この電位差Vs−V′pが絶縁被膜の耐圧限界
より小となるようにRl及びRhが設定される。

第１２図は、実験により得られた、陰極線管の
ノツキング処理時におけるノツキング電圧Vnと、
斯かるノツキング電圧のもとにおける陰極線管に
組込まれた従来の内蔵抵抗器７の抵抗体層５ａ及
び本発明に係る内蔵抵抗器の抵抗体層５′ａの抵
抗値変化率ΔRとの関係の具体的一例を示す。こ
こで、曲線ｃが従来の内蔵抵抗器７の場合を表
し、曲線ｄが本発明に係る内蔵抵抗器７の場合を
表し、これよりして、本発明に係る内蔵抵抗器が
用いられる場合には、従来の内蔵抵抗器７が用い
られる場合と同等の実用的ノツキング電圧条件の
もとでは、内蔵抵抗器の抵抗体層５′ａの抵抗値
変化が認められず、また、従来の内蔵抵抗器７が
用いられる場合に比して、著しく高いノツキング
電圧のもとでのノツキング処理が行われても、内
蔵抵抗器の抵抗体層５′ａの抵抗値変化が極めて
小なる範囲に抑えられることがわかる。

なお、本発明に係る内蔵抵抗器は、上述の各例
にみられる抵抗体層５′ａに関しての工夫が、い
くつか組合わされて得られる抵抗体層５′ａを備
えるものとして構成されてもよい。

また、上述の本発明にかかる内蔵抵抗器の例に
おいては、抵抗体層５′ａを構成する部分５′alと
部分５′ahとの境界が、絶縁基板１上の最大電位
差位置P′に一致するようにされているが、この部
分５′alと部分５′ahとの境界は、必ずしも最大電
位差位置P′に一致せしめられる必要はなく、絶縁
基板１上における最大電位差位置P′の近傍の、絶
縁被膜の表面電位と抵抗体層の電位との間の差が
比較的大とされる位置におかれるようにされるこ
ともできる。

発明の効果 以上の説明から明らかな如く、本発明に係る陰
極線管の内蔵抵抗器は、陰極線管内に電子銃と共
に組込まれて電圧印加状態とされるとき、その絶
縁基板上に配された抵抗体層を被覆する絶縁被膜
の表面電位と抵抗体層の電位との間の電位差が、
特に、それが大とされる部位において顕著に、低
減せしめられるので、陰極線管のノツキング処理
に際して高電圧が印加される状況下においても、
絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊が生じることが
なく、また、抵抗体層の抵抗値の変化を最小限に
抑制することができる優れた特性を示すものとな
る。しかも、絶縁被膜の絶縁劣化もしくは破壊を
防ぐべく、その膜厚を増大するという手法がとら
れるものではないので、絶縁基板と絶縁被膜との
熱膨張係数の差に起因する全体の反りや絶縁被膜
の絶縁基板からの剥離等が生じる欠点を伴わず、
さらに、安価に製造することができるものとなる
利点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来の陰極線管の内蔵抵抗
器を示す平面図及び側面図、第３図は第１図及び
第２図に示される内蔵抵抗器が組込まれた陰極線
管の要部を示す概略構成図、第４図は第３図に示
される陰極線管内における内蔵抵抗器の各部にお
ける電位関係の説明に供される特性図、第５図は
本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例を示す
平面図、第６図は第５図に示される例が陰極線管
に組込まれた場合の各部における電位関係の説明
に供される特性図、第７図、第８図、第９図、第
１０図及び第１１図は、本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗器の他の例を示す平面図及び断面図、第
１２図は従来の、及び、本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗器における抵抗値変化の説明に供される
特性図である。 図中、１は絶縁基板、２は高圧電極端子、３は
コンバージエンス電極端子、４はアース電極端
子、５は分圧抵抗体層、５′ａは分圧抵抗体層５
を構成する抵抗体層、５′al及び５′ahは夫々抵抗
体層５′ａの部分、９は電子銃構体である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 絶縁基板上に、複数の電極端子と、該電極端
   子のうちの低圧側とされる第１の端子と高圧側と
   される第２の端子との間において所定のパターン
   を有して配される抵抗体層とが形成されるととも
   に、上記抵抗体層を被膜する絶縁被膜が設けら
   れ、上記絶縁基板上における上記第１の端子と上
   記第２の端子とを結ぶ方向の単位長当りの上記抵
   抗体層の抵抗値が、上記絶縁基板上の上記絶縁被
   膜の表面電位と上記抵抗体層の電位との間の差が
   大とされる高電位差部位と上記第２の端子の部位
   との間におけるより、上記高電位差部位と上記第
   １の端子の部位との間における方が大となるよう
   にされた陰極線管の内蔵抵抗器。