JPH0530282B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、角形チツプ状の正特性サーミスタの
製造方法に関する。

＜従来の技術＞ 従来、角形チツプ状の正特性サーミスタは、第
５図の断面図に示すように、角形チツプ状の素体
１₀の両端部の一方の主表面（図において上面）
にそれぞれ、ニツケル等の銀を含まないオーム性
材料により接触電極２₀，２₀を形成し、各接触電
極２₀，２₀の上から銀ペーストにより素体１₀の
両端部を覆う表面電極３₀，３₀を形成したもの
で、素体１₀の上記一方の主表面側においては、
接触電極２₀，２₀どうしの対向縁が、表面電極３
_０，３₀どうしの対向縁よりも突出している。

この従来のチツプ型正特性サーミスタを製造す
るに当たつては、通常、多数の素体の単体１₀，
…が縦横に連続する板状の素体連続体を用意し、
この素体連続体の一方の主表面において素体単体
１₀の端部に相当する個所に接触電極２₀，…を連
続して形成したのち、素体連続体を多数の素体単
体１₀，…に分割することによつて、両端部の一
方の主表面に接触電極２₀，２₀を有する素体単体
１₀を得、こののち、各素体単体１₀毎に、その両
端部にそれぞれ表面電極３₀，３₀を形成する方法
が採用されている。

＜発明が解決しようとする問題点＞ 上記の製造方法によれば、多数の素体単体１₀，
…に対して一挙に接触電極２₀，…が形成される
ので、生産効率がよいが、それにより得られるチ
ツプ型正特性サーミスタには、次のような問題が
あつた。

すなわち、接触電極２₀が素体１₀端部の各面の
うち、一方の主表面にのみ形成されていて接触電
極２₀の面積が小さいので、回路基板４₀等への半
田付け５₀時に表面電極３₀に半田くわれが生じた
場合、接触電極２₀と回路基板４₀のランド６₀と
の間の電気的接続が不良になることがあり、信頼
性に乏しい。これに対しては、表面電極３₀の厚
みを充分に厚くすればよいが、その場合は高価な
電極材料の使用量が増大し、コストアツプを招来
する。

また、素体１₀の一方の主表面（図において上
面）側においては、表面電極３₀よりも突出して
いる接触電極２₀の対向縁に電荷が集中するので、
表面電極３₀，３₀間にマイグレーシヨンが発生し
ないが、素体１₀の他方の主表面（図において下
面）側においては、表面電極３₀の内側に接触電
極がなく、表面電極３₀，３₀どうしが直接対向し
ているので、この対向縁間にはマイグレーシヨン
が生じやすい。

さらに、従来のチツプ型正特性サーミスタで
は、接触電極２₀が存在する一方の主表面側が主
たる発熱部位となるので、回路基板４₀等への実
装の際、表裏を区別する必要があり、取り扱いが
面倒である。

これに対しては、素体単体毎に接触電極と表面
電極とを順次形成して、接触電極および表面電極
の形状を、接続不良やマイグレーシヨンが発生し
ない形状にする方法が考えられるが、それでは生
産効率が低下する。

本発明は、上記の問題点に鑑み、半田付け時の
接続不良やマイグレーシヨンが発生せず、しかも
実装時の取り扱いが容易なチツプ型正特性サーミ
スタを効率よく製造しうる方法を提供することを
目的とする。

＜問題点を解決するための手段＞ 本発明は、上記の目的を達成するために、チツ
プ型正特性サーミスタの単体に対応する角形チツ
プ状の素体単体の多数が互いに幅方向に連続する
素体連続体を用意する工程と、この素体連続体の
長手方向に沿つて各素体単体の両主表面の電極不
要部に相当する個所にメツキレジスト膜を形成す
る工程と、メツキレジスト膜を有する素体連続体
に銀を含まないオーム性材料のメツキを施して各
素体単体における端部の両主表面および端面が接
触電極となるメツキ膜で被覆されている素体連続
体を得る工程と、メツキ膜を有する素体連続体に
おいて互いに連続する素体単体の両端部、もしく
はこの素体連続体から分割された素体単体の両端
部を、銀を主成分とする材料からなるペースト中
に浸漬して、前記接触電極が所定の寸法だけ突出
するように、少なくともメツキ膜の表面に前記ペ
ーストを付着させ、その後乾燥、焼成することに
よつて、表面電極を形成する工程とにより、チツ
プ型正特性サーミスタを製造することにした。

＜作用＞ 上記製造方法によれば、角形チツプ状の素体の
両端部において接触電極と表面電極とが素体の両
主表面と端面とを覆い、かつ素体の両主表面で接
触電極どうしの対向縁の方が表面電極どうしの対
向縁よりも突出しているチツプ型正特性サーミス
タが得られる。

このチツプ型正特性サーミスタにおいては、両
電極間に電圧を印加した場合、素体の両主表面で
電荷が接触電極の対向縁に集中することになり、
いずれの主表面でもマイグレーシヨンが発生しな
い。また、接触電極の面積が広いから、回路基板
等への半田付けの際、表面電極に多少半田くわれ
が生じても、回路基板のランドと接触電極との接
続が充分に確保され、接続不良を生じない。さら
に、接触電極および表面電極の形状が、素体の表
裏、左右に関して対称で、発熱部位が対称とな
る。

しかも、多数の素体単体に対して一挙に接触電
極が形成されることとなり、生産効率が高い。

＜実施例＞ 以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳
細に説明する。

第１図および第２図はいずれも、本発明製造方
法により得られる角形のチツプ型正特性サーミス
タの斜視図である。

第１図に示したチツプ型正特性サーミスタは、
後述する本発明製造方法の第１実施例により得ら
れるもので、角形チツプ状の素体１と、１対の接
触電極２，２と、１対の表面電極３，３とを備え
ている。

前記素体１は、たとえばチタン酸バリウム等の
半導体セラミツクスで構成されている。接触電極
２は、ニツケルやアルミニウム等の銀を含まない
オーム性材料で構成されており、素体１端部の両
主表面（図において上面および下面）と端面とを
側面視でコ字形状に覆つている。したがつて、こ
の接触電極２は、２つの主表面被覆部２ａ，２ａ
と、端面被覆部２ｂとからなる。また、前記表面
電極３は、銀を主成分とするもので、素体１の両
端において接触電極２の上から素体１の両主表面
と端面とを側面視でコ字形状に覆つている。した
がつて、この表面電極３も、２つの主表面被覆部
３ａ，３ａと、端面被覆部３ｂとからなる。そし
て、素体の各主表面において、接触電極２，２の
主表面被覆部２ａ，２ａどうしの対向縁が、表面
電極３，３の主表面被覆部３ａ，３ａどうしの対
向縁よりも突出している。

第２図に示したチツプ型正特性サーミスタは、
本発明製造方法の第２実施例により得られるもの
で、このサーミスタでは、表面電極３が接触電極
２の上から素体１の端部全体を覆つている。した
がつて、この表面電極３は、２つの主表面被覆部
３ａ，３ａと、端面被覆部３ｂと、２つの側面被
覆部３ｃ，３ｃとからなる。素体１の各主表面に
おいて、表面電極３，３の主表面被覆部３ａ，３
ａどうし対向縁が接触電極２，２の主表面被覆部
２ａ，２ａどうしの対向縁よりも所定の寸法ｓだ
け素体１の端部側に後退している点は、第１図に
図示のサーミスタと同様である。その他の部分の
構成も、第１図のものと同様であるので、対応す
る部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略
する。

次に、上記構成のチツプ型正特性サーミスタの
製造方法を工程順に説明する。

第３図のＡ〜Ｆは、本発明の第１実施例に係
り、第１図に示したチツプ型正特性サーミスタの
製造工程の説明図である。このサーミスタの製造
方法は、次の各工程を含んでいる。

第１工程； まず、第３図Ａに示すように、半導体セラミツ
クス製の素体連続体１０を用意する。この素体連
続体１０は、短冊状で、チツプ型正特性サーミス
タの単体に対応する角形チツプ状の素体単体１の
多数が互いに素体１の幅方向（第１図および第２
図の矢印イの方向）に連続しているものである。

したがつて、この素体連続体１０において各素
体単体１は側面で他の素体単体１に連続してい
る。

第２工程； 第３図Ｂに示すように、前記素体連続体１０の
両主表面の中央部分に、素体連続体１０の長手方
向に沿つてメツキレジスト液をスクリーン印刷に
より塗布したのち、乾燥させ、素体連続体１０の
両主表面に、所定幅でかつ素体連続体１０の長手
方向に連続したメツキレジスト膜４を形成する。
このメツキレジスト膜４が形成される部分は、各
素体単体１の両主表面において接触電極２が形成
されない部位に相当する。

第３工程； 第３図Ｃに示すように、所要個所にメツキレジ
スト膜４が形成された素体連続体１０に、ニツケ
ル等の銀を含まないオーム性材料の無電解メツキ
を施す。これにより、素体連続体１０の長手方向
に沿つた両縁部に接触電極２となるメツキ銀２０
が連続して形成される。この素体連続体１０にお
いて各素体単体１の端部は、両主表面と端面とが
接触電極２に覆われることになる。

第４工程； 無電解メツキが施された素体連続体１０からメ
ツキレジスト膜４を除去する。この除去は、溶剤
中でメツキレジスト膜４に超音波を当てる等の手
段により行なう。これによつて、第３図Ｄに示す
ように、素体連続体１０の両縁部、すなわち各素
体単体１における端部の両主表面と端面とに相当
する個所に、接触電極２となるメツキ膜２０が残
存した素体連続体１０が得られる。

第５工程； 次に、第３図Ｅに示すように、メツキ膜２０を
有する素体連続体１０の各縁部を、一定深さの銀
ペースト３０Ｌ中に浸漬し、メツキ膜２の表面に
銀ペースト３０Ｌを付着される。ここで、銀ペー
スト３０Ｌの液深さｕは、メツキ膜２の形成幅ｖ
より所定寸法ｓだけ少なく設定されている。

この付着した銀ペースト３０Ｌを乾燥、焼成す
ることによつて、第３図Ｆに示すように、メツキ
膜２０をほぼ覆う状態で、素体連続体１０の両縁
部に表面電極３となる導電膜３０が形成される。
そして、この素体連続体１０の各素体単体１にお
いては、両主表面で接触電極２が表面電極３より
所定寸法ｓだけ突出することになる。

第６工程； メツキ膜２０と導電膜３０とが形成された素体
連続体１０を、各素体単体１の側面に相当する位
置（第３図Ｆのｔの位置）で分割する。これによ
つて、第１図に示したように、素体１の両端部に
それぞれコ字形に接触電極２と表面電極３とが形
成され、かつ両主表面で接触電極２が表面電極３
より所定寸法ｓだけ突出しているチツプ型正特性
サーミスタが得られる。

第４図のＡ，Ｂは、本発明の第２実施例に係
り、第２図に示したチツプ型正特性サーミスタの
製造工程の一部を示す説明図である。

このサーミスタの製造方法の各工程のうち、素
体連続体１０に接触電極２となるメツキ膜２０を
形成するまでの各工程は、第３図に示した各工程
と同様で、メツキ膜２０を形成したのちの工程が
第３図に示した工程と異なつている。

すなわち、この第２の実施例の製造方法は、第
１実施例のように、多数の素体単体１が幅方向
に連続した素体連続体１０を用意する第１工程
と、素体連続体１０にメツキレジスト膜４を形
成する第２工程と、メツキレジスト膜４を有す
る素体連続体１０に無電解メツキを施す第３工程
と、無電解メツキを施した素体連続体１０から
メツキレジスト膜４を除去する第４工程とを経た
のち、次の第５工程と第６工程とを行なう。

第５工程； メツキ膜２０を有する素体連続体１０を、第４
図Ａに示すように、各素体単体１の側面に相当す
る位置（符号ｔの位置）で分割して、各端部の両
主表面および端面に接触電極２が形成された素体
単体１を得る。

第６工程； 次に、第４図Ｂに示すように、接触電極２を有
する素体単体１の各端部を、一定深さの銀ペース
ト３０Ｌ中に浸漬し、接触電極２の表面に銀ペー
スト３０Ｌを付着させる。ここで、銀ペースト３
０Ｌの液深さｕは、接触電極２の形成幅ｖより所
定寸法ｓだけ少なく設定されている。この付着し
た銀ペースト３０Ｌを乾燥、焼成することによつ
て、接触電極２をほぼ覆う状態で素体単体１の両
端部の表面全体に表面電極３が形成される。この
素体単体１の両主表面においては、接触電極２が
表面電極３より所定寸法ｓだけ突出することにな
る。

このようにして、第２図に示したように素体１
の両端部にそれぞれ接触電極２と表面電極３とが
形成され、かつ素体１の両主表面において接触電
極２が表面電極３より突出したチツプ型正特性サ
ーミスタが得られる。

なお、この第２実施例により得られるチツプ型
正特性サーミスタでは、表面電極３が素体１の両
側面を被覆し、この側面で表面電極３，３どうし
が直接対向することになるが、マイグレーシヨン
の発生の懸念はない。

＜発明の効果＞ 以上のように、本発明によれば、角形チツプ状
の素体の両主表面で接触電極どうしの対向縁の方
が表面電極どうしの対向縁よりも突出しているチ
ツプ型正特性サーミスタが得られ、このチツプ型
正特性サーミスタにおいては、素体のいずれの主
表面においてもマイグレーシヨンが発生せず、マ
イグレーシヨンの発生を確実に防止することがで
きる。

ちなみに、第１図に示した構成の本発明による
チツプ型正特性サーミスタと、第５図に示した従
来例のものとについて、マイグレーシヨンの比較
テスト（条件：試料数各30個、温度40℃で湿度95
％の雰囲気、印加電圧3V、テスト時間3000時間）
を行なつたところ、従来品では３個にマイグレー
シヨンが発生したが、本発明品では発生が皆無で
あつた。

また、本発明の方法により得られたチツプ型正
特性サーミスタにおいては、接触電極が素体端部
の両主表面と端面とに形成されており、従来のチ
ツプ型正特性サーミスタに比べ、接触電極の面積
が広いから、回路基板等への半田付けの際、表面
電極に多少半田くわれが生じても、回路基板のラ
ンドと接触電極との接続が充分に確保され、接続
不良を生じない。さらに、接触電極および表面電
極の形状が素体の表裏や左右に関して対称で、発
熱部位も対称となるから、回路基板等への実装の
際、表裏等の向きを考慮する必要がなくなり、取
り扱いが容易になる。

しかも、本発明方法においては、多数の素体単
体に対して一挙に接触電極が形成されるから、効
率がよく、従来のチツプ型サーミスタの製造方法
と変わらない効率で製造することができる。

さらに、接触電極どうし間の間隔は、スクリー
ン印刷により形成されるメツキレジスト膜の幅で
決まるから、該間隔を精度よく設定することがで
き、そのため特性が安定したサーミスタが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図は本発明に係り、第１図お
よび第２図はいずれも本発明方法により得られる
チツプ型正特性サーミスタの斜視図、第３図は本
発明の第１実施例の各工程を示す説明図、第４図
は本発明の第２実施例の各工程の一部を示す説明
図である。第５図は従来のチツプ型正特性サーミ
スタの断面図である。 １……素体（単体）、１０……素体連続体、２
……接触電極、２０……メツキ膜、３……表面電
極、３０……導電膜、４……メツキレジスト膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ チツプ型正特性サーミスタの単体に対応する
   角型チツプ状の素体単体の多数が互いに幅方向に
   連続する素体連続体を用意する工程と、 この素体連続体の長手方向に沿つて各素体単体
   の両主表面の電極不要部に相当する個所にメツキ
   レジスト膜を形成する工程と、 メツキレジスト膜を有する素体連続体に銀膜を
   含まないオーム性材料のメツキを施して各素体単
   体における端部の両主表面および端面が接触電極
   となるメツキ膜で被覆されている素体連続体を得
   る工程と、 メツキ膜を有する素体連続体において互いに連
   続する素体単体の両端部、もしくはこの素体連続
   体から分割された素体単体の両端部を、銀を主成
   分とする材料からなるペースト中に浸漬して、前
   記接触電極が所定の寸法だけ突出するように、少
   なくともメツキ膜の表面に前記ペーストを付着さ
   せ、その後乾燥、焼成することによつて、表面電
   極を形成する工程と、 を含むことを特徴とするチツプ型正特性サーミス
   タの製造方法。