JPH05306477A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH05306477A JPH05306477A JP13606492A JP13606492A JPH05306477A JP H05306477 A JPH05306477 A JP H05306477A JP 13606492 A JP13606492 A JP 13606492A JP 13606492 A JP13606492 A JP 13606492A JP H05306477 A JPH05306477 A JP H05306477A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- film
- photoresist film
- resin coating
- coating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクト露光を行った場合にマスクやガラ
ス乾板へのフォトレジストの付着を防止でき、またフォ
トレジストの酸素との接触を遮断して感光性の低下を防
止できるエッチング方法を提供する。 【構成】 エッチングすべき基材上に光重合系のフォト
レジスト皮膜を形成し、該フォトレジスト皮膜を感光、
現像して所定のパターンに形成し、該所定のパターンに
形成されたフォトレジスト皮膜をマスクとして基材をエ
ッチングするエッチング方法において、前記基材１０に
前記フォトレジスト皮膜１２を形成した後、フォトレジ
スト皮膜１２上に光透過性を有し、かつ酸素遮断性を有
する素材からなる樹脂塗膜１４を形成し、しかる後感
光、現像すると共に、樹脂塗膜１４を除去してフォトレ
ジスト皮膜１２の所定パターンを形成し、基材１０のエ
ッチングを行うことを特徴としている。
ス乾板へのフォトレジストの付着を防止でき、またフォ
トレジストの酸素との接触を遮断して感光性の低下を防
止できるエッチング方法を提供する。 【構成】 エッチングすべき基材上に光重合系のフォト
レジスト皮膜を形成し、該フォトレジスト皮膜を感光、
現像して所定のパターンに形成し、該所定のパターンに
形成されたフォトレジスト皮膜をマスクとして基材をエ
ッチングするエッチング方法において、前記基材１０に
前記フォトレジスト皮膜１２を形成した後、フォトレジ
スト皮膜１２上に光透過性を有し、かつ酸素遮断性を有
する素材からなる樹脂塗膜１４を形成し、しかる後感
光、現像すると共に、樹脂塗膜１４を除去してフォトレ
ジスト皮膜１２の所定パターンを形成し、基材１０のエ
ッチングを行うことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム等の電子
部品のエッチング加工に用いて好適なエッチング方法に
関する。
部品のエッチング加工に用いて好適なエッチング方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレーム等の電子部品はプレス加
工の他化学的エッチングによる加工方法により、複雑な
回路パターンの形成が行われる。このエッチング加工で
は、金属帯状体等の基材上に光重合系のフォトレジスト
を塗布し、フォトレジストの皮膜上に所定パターンに形
成されたマスクをあてがい、マスク上から紫外線を照射
してフォトレジスト皮膜を感光させ、次いで現像処理し
て未感光部分のフォトレジストを除去して、まずフォト
レジスト皮膜の所定のパターンを形成し、このフォトレ
ジスト皮膜をマスクとして基材をエッチング液によりエ
ッチングし、最後にフォトレジスト皮膜を除去して行っ
ている。
工の他化学的エッチングによる加工方法により、複雑な
回路パターンの形成が行われる。このエッチング加工で
は、金属帯状体等の基材上に光重合系のフォトレジスト
を塗布し、フォトレジストの皮膜上に所定パターンに形
成されたマスクをあてがい、マスク上から紫外線を照射
してフォトレジスト皮膜を感光させ、次いで現像処理し
て未感光部分のフォトレジストを除去して、まずフォト
レジスト皮膜の所定のパターンを形成し、このフォトレ
ジスト皮膜をマスクとして基材をエッチング液によりエ
ッチングし、最後にフォトレジスト皮膜を除去して行っ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この種の光重合系のフ
ォトレジストは、感光性樹脂を有機溶剤にて溶解してペ
ースト状に調製されており、基材上に塗布可能にしてい
るのが一般的である。ところで、基材上に塗布されたフ
ォトレジスト皮膜を時間をかけて加熱して有機溶剤を飛
散させるようにしているが、有機溶剤を完全には飛散さ
せることはできない。そのため、フォトレジスト皮膜の
表面状態は多少べたつきがある状態となっており、マス
クを接触させて用いるコンタクト露光では、マスクにフ
ォトレジスト皮膜がくっつき、マスクを外した際にフォ
トレジスト皮膜にピンホールが生じる問題点がある。ま
たガラス乾板の場合にはガラス乾板が白濁し、正確なパ
ターンの露光が行えなくなる問題点がある。さらに、光
重合系のフォトレジストは酸素の存在により感光度が減
少する。上記のように基材表面に塗布した際、フォトレ
ジスト皮膜表面側は大気に露出しているので、酸素が感
光性樹脂と結合し、紫外線照射による露光の際の重合性
を妨げる結果、必要にして十分な感光が得られず、特に
パターンの縁部の感光が不十分であると、現像の際にシ
ャープなパターンが得られず、解像度がおちるという問
題点がある。
ォトレジストは、感光性樹脂を有機溶剤にて溶解してペ
ースト状に調製されており、基材上に塗布可能にしてい
るのが一般的である。ところで、基材上に塗布されたフ
ォトレジスト皮膜を時間をかけて加熱して有機溶剤を飛
散させるようにしているが、有機溶剤を完全には飛散さ
せることはできない。そのため、フォトレジスト皮膜の
表面状態は多少べたつきがある状態となっており、マス
クを接触させて用いるコンタクト露光では、マスクにフ
ォトレジスト皮膜がくっつき、マスクを外した際にフォ
トレジスト皮膜にピンホールが生じる問題点がある。ま
たガラス乾板の場合にはガラス乾板が白濁し、正確なパ
ターンの露光が行えなくなる問題点がある。さらに、光
重合系のフォトレジストは酸素の存在により感光度が減
少する。上記のように基材表面に塗布した際、フォトレ
ジスト皮膜表面側は大気に露出しているので、酸素が感
光性樹脂と結合し、紫外線照射による露光の際の重合性
を妨げる結果、必要にして十分な感光が得られず、特に
パターンの縁部の感光が不十分であると、現像の際にシ
ャープなパターンが得られず、解像度がおちるという問
題点がある。
【０００４】そこで、本発明は上記問題点を解決すべく
なされたものであり、その目的とするところは、いわゆ
るコンタクト露光を行った場合にマスクやガラス乾板へ
のフォトレジストの付着を防止でき、またフォトレジス
トの酸素との接触を遮断して感光性の低下を防止できる
エッチング方法を提供するにある。
なされたものであり、その目的とするところは、いわゆ
るコンタクト露光を行った場合にマスクやガラス乾板へ
のフォトレジストの付着を防止でき、またフォトレジス
トの酸素との接触を遮断して感光性の低下を防止できる
エッチング方法を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、エッチングすべ
き基材上に光重合系のフォトレジスト皮膜を形成し、該
フォトレジスト皮膜を感光、現像して所定のパターンに
形成し、該所定のパターンに形成されたフォトレジスト
皮膜をマスクとして基材をエッチングするエッチング方
法において、前記基材に前記フォトレジスト皮膜を形成
した後、該フォトレジスト皮膜上に光透過性を有し、か
つ酸素遮断性を有する素材からなる樹脂塗膜を形成し、
しかる後感光、現像すると共に、該樹脂塗膜を除去して
前記フォトレジスト皮膜の所定パターンを形成し、前記
基材のエッチングを行うことを特徴としている。
するため次の構成を備える。すなわち、エッチングすべ
き基材上に光重合系のフォトレジスト皮膜を形成し、該
フォトレジスト皮膜を感光、現像して所定のパターンに
形成し、該所定のパターンに形成されたフォトレジスト
皮膜をマスクとして基材をエッチングするエッチング方
法において、前記基材に前記フォトレジスト皮膜を形成
した後、該フォトレジスト皮膜上に光透過性を有し、か
つ酸素遮断性を有する素材からなる樹脂塗膜を形成し、
しかる後感光、現像すると共に、該樹脂塗膜を除去して
前記フォトレジスト皮膜の所定パターンを形成し、前記
基材のエッチングを行うことを特徴としている。
【０００６】
【作用】マスク１６を樹脂塗膜１４上にあてがうコンタ
クト露光の際、樹脂塗膜１４は乾燥状態にあってべたつ
きがなく、マスク１６へのフォトレジスト皮膜１２、樹
脂塗膜１４のくっつきを防止できる。樹脂塗膜１４は光
透過性であるので、フォトレジスト皮膜１２の露光を妨
げることはない。さらにフォトレジスト皮膜１２は樹脂
塗膜１４で覆われるので、大気と直接接触せず、大気中
の酸素が結合して、感光性が妨げられるという従前の問
題点は解消された。実際、感光性が妨げられないことか
ら、フォトレジスト皮膜１２のパターンニングがシャー
プになり、ファインなパターンであっても精度よくエッ
チングが行える。
クト露光の際、樹脂塗膜１４は乾燥状態にあってべたつ
きがなく、マスク１６へのフォトレジスト皮膜１２、樹
脂塗膜１４のくっつきを防止できる。樹脂塗膜１４は光
透過性であるので、フォトレジスト皮膜１２の露光を妨
げることはない。さらにフォトレジスト皮膜１２は樹脂
塗膜１４で覆われるので、大気と直接接触せず、大気中
の酸素が結合して、感光性が妨げられるという従前の問
題点は解消された。実際、感光性が妨げられないことか
ら、フォトレジスト皮膜１２のパターンニングがシャー
プになり、ファインなパターンであっても精度よくエッ
チングが行える。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。まず図１に示すように、加工す
べき金属帯状体等の基材１０上に、公知の光重合系のフ
ォトレジストを塗布して、フォトレジスト皮膜１２を形
成する。次いで図２に示すように、フォトレジスト皮膜
１２上にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）の樹脂塗膜１
４を形成する。樹脂塗膜１４を形成するにはＰＶＡ樹脂
液中に浸漬して引き上げるディップ法が、皮膜を均一厚
さに形成できて好適である。ＰＶＡ樹脂は水溶性である
ので、水に溶解して適当な粘度の液に調整することによ
って、ディップ法により薄くかつ均一厚さの樹脂塗膜１
４に形成できる。樹脂塗膜１４の厚さは、コンタクト露
光での解像度の点から、できる限り薄い方が好ましく、
１μｍ以下が好適である。また樹脂塗膜１４は無着色の
ＰＶＡ樹脂を用いることにより、紫外線を透過する光透
過性のものに調整できる。樹脂塗膜１４は６０〜７０℃
程度に加熱することで水分を飛散させて容易に乾燥させ
ることができる。この場合、樹脂塗膜１４で覆われてい
ることで、加熱の影響はフォトレジスト皮膜１２に及ば
ず、フォトレジスト皮膜１２の感光性を低下させること
はない。さらに樹脂塗膜１４で覆われることにより、フ
ォトレジスト皮膜１２の大気との接触が遮断され、フォ
トレジスト皮膜１２の酸素との結合を防止できる。
づいて詳細に説明する。まず図１に示すように、加工す
べき金属帯状体等の基材１０上に、公知の光重合系のフ
ォトレジストを塗布して、フォトレジスト皮膜１２を形
成する。次いで図２に示すように、フォトレジスト皮膜
１２上にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）の樹脂塗膜１
４を形成する。樹脂塗膜１４を形成するにはＰＶＡ樹脂
液中に浸漬して引き上げるディップ法が、皮膜を均一厚
さに形成できて好適である。ＰＶＡ樹脂は水溶性である
ので、水に溶解して適当な粘度の液に調整することによ
って、ディップ法により薄くかつ均一厚さの樹脂塗膜１
４に形成できる。樹脂塗膜１４の厚さは、コンタクト露
光での解像度の点から、できる限り薄い方が好ましく、
１μｍ以下が好適である。また樹脂塗膜１４は無着色の
ＰＶＡ樹脂を用いることにより、紫外線を透過する光透
過性のものに調整できる。樹脂塗膜１４は６０〜７０℃
程度に加熱することで水分を飛散させて容易に乾燥させ
ることができる。この場合、樹脂塗膜１４で覆われてい
ることで、加熱の影響はフォトレジスト皮膜１２に及ば
ず、フォトレジスト皮膜１２の感光性を低下させること
はない。さらに樹脂塗膜１４で覆われることにより、フ
ォトレジスト皮膜１２の大気との接触が遮断され、フォ
トレジスト皮膜１２の酸素との結合を防止できる。
【０００８】次に図３に示すように、樹脂塗膜１４上か
らマスク１６をあてがい、常法によって紫外線照射によ
る露光を行い、フォトレジスト皮膜１２を所定のパター
ンに感光させる。ＰＶＡの樹脂塗膜１４は水洗により容
易に除去できる。次いで現像処理を行って未露光のフォ
トレジスト皮膜部分を溶解除去し、これによってフォト
レジスト皮膜１２の所定のパターンを得ることができる
（図４）。この樹脂塗膜１４をマスクとして公知のエッ
チング液により基材１０をエッチングし、次いでフォト
レジスト皮膜１４を除去することによって所望のエッチ
ング加工が行える。マスク１６を樹脂塗膜１４上にあて
がうコンタクト露光の際、樹脂塗膜１４は乾燥状態にあ
ってべたつきがなく、マスク１６へのフォトレジスト皮
膜１２、樹脂塗膜１４のくっつきを防止できる。樹脂塗
膜１４は光透過性であるので、フォトレジスト皮膜１２
の露光を妨げることはない。さらに前記のごとく、フォ
トレジスト皮膜１２は樹脂塗膜１４で覆われるので、大
気と直接接触せず、大気中の酸素が結合して、感光性が
妨げられるという従前の問題点は解消された。実際、感
光性が妨げられないことから、フォトレジスト皮膜１２
のパターンニングがシャープになり、ファインなパター
ンであっても精度よくエッチングが行える。
らマスク１６をあてがい、常法によって紫外線照射によ
る露光を行い、フォトレジスト皮膜１２を所定のパター
ンに感光させる。ＰＶＡの樹脂塗膜１４は水洗により容
易に除去できる。次いで現像処理を行って未露光のフォ
トレジスト皮膜部分を溶解除去し、これによってフォト
レジスト皮膜１２の所定のパターンを得ることができる
（図４）。この樹脂塗膜１４をマスクとして公知のエッ
チング液により基材１０をエッチングし、次いでフォト
レジスト皮膜１４を除去することによって所望のエッチ
ング加工が行える。マスク１６を樹脂塗膜１４上にあて
がうコンタクト露光の際、樹脂塗膜１４は乾燥状態にあ
ってべたつきがなく、マスク１６へのフォトレジスト皮
膜１２、樹脂塗膜１４のくっつきを防止できる。樹脂塗
膜１４は光透過性であるので、フォトレジスト皮膜１２
の露光を妨げることはない。さらに前記のごとく、フォ
トレジスト皮膜１２は樹脂塗膜１４で覆われるので、大
気と直接接触せず、大気中の酸素が結合して、感光性が
妨げられるという従前の問題点は解消された。実際、感
光性が妨げられないことから、フォトレジスト皮膜１２
のパターンニングがシャープになり、ファインなパター
ンであっても精度よくエッチングが行える。
【０００９】上記実施例においては、樹脂塗膜１４をＰ
ＶＡ樹脂によって形成した例を示したが、これに限られ
ないことはもちろんであり、樹脂塗膜１４の素材として
は、光透過性を有し、かつ酸素遮断性を有する樹脂であ
り、また水洗、あるいは適当な溶剤で除去できるもので
あればよい。さらに上記実施例ではマスクを樹脂塗膜１
４に接触させるコンタクト露光の例で説明したが、マス
ク等を樹脂塗膜１４から離間して露光させる場合にも適
用できる。
ＶＡ樹脂によって形成した例を示したが、これに限られ
ないことはもちろんであり、樹脂塗膜１４の素材として
は、光透過性を有し、かつ酸素遮断性を有する樹脂であ
り、また水洗、あるいは適当な溶剤で除去できるもので
あればよい。さらに上記実施例ではマスクを樹脂塗膜１
４に接触させるコンタクト露光の例で説明したが、マス
ク等を樹脂塗膜１４から離間して露光させる場合にも適
用できる。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、コンタク
ト露光を行った場合にマスクやガラス乾板へのフォトレ
ジストの付着を防止でき、またフォトレジストの酸素と
の接触を遮断して感光性の低下を防止でき、シャープな
パターンニングを実現でき、ファインなパターンであっ
ても精度よくエッチングが行えるという著効を奏する。
ト露光を行った場合にマスクやガラス乾板へのフォトレ
ジストの付着を防止でき、またフォトレジストの酸素と
の接触を遮断して感光性の低下を防止でき、シャープな
パターンニングを実現でき、ファインなパターンであっ
ても精度よくエッチングが行えるという著効を奏する。
【図１】基材上にフォトレジスト皮膜を形成した説明図
である。
である。
【図２】フォトレジスト皮膜上に樹脂塗膜を形成した説
明図である。
明図である。
【図３】マスクをあてがった説明図である。
【図４】フォトレジスト皮膜のパターンニングの例を示
す説明図である。
す説明図である。
１０ 基材 １２ フォトレジスト皮膜 １４ 樹脂塗膜 １６ マスク
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年８月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。まず図１に示すように、加工す
べき金属帯状体等の基材１０上に、公知の光重合系のフ
ォトレジストを塗布して、フォトレジスト皮膜１２を形
成する。次いで図２に示すように、フォトレジスト皮膜
１２上にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）の樹脂塗膜１
４を形成する。樹脂塗膜１４を形成するにはＰＶＡ樹脂
液中に浸漬して引き上げるディップ法が、皮膜を均一厚
さに形成できて好適である。ＰＶＡ樹脂は水溶性である
ので、水に溶解して適当な粘度の液に調整することによ
って、ディップ法により薄くかつ均一厚さの樹脂塗膜１
４に形成できる。樹脂塗膜１４の厚さは、コンタクト露
光での解像度の点から、できる限り薄い方が好ましく、
１μｍ以下が好適である。また樹脂塗膜１４は無着色の
ＰＶＡ樹脂を用いることにより、紫外線を透過する光透
過性のものに調整できる。樹脂塗膜１４は、加熱するこ
とで水分を飛散させて容易に乾燥させることができる。
この場合、加熱温度をフォトレジスト皮膜１２の乾燥温
度範囲内に抑えることで、加熱の影響はフォトレジスト
皮膜１２に及ばず、フォトレジスト皮膜１２の感光性を
低下させることはない。さらに樹脂塗膜１４で覆われる
ことにより、フォトレジスト皮膜１２の大気との接触が
遮断され、フォトレジスト皮膜１２の酸素との結合を防
止できる。
づいて詳細に説明する。まず図１に示すように、加工す
べき金属帯状体等の基材１０上に、公知の光重合系のフ
ォトレジストを塗布して、フォトレジスト皮膜１２を形
成する。次いで図２に示すように、フォトレジスト皮膜
１２上にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）の樹脂塗膜１
４を形成する。樹脂塗膜１４を形成するにはＰＶＡ樹脂
液中に浸漬して引き上げるディップ法が、皮膜を均一厚
さに形成できて好適である。ＰＶＡ樹脂は水溶性である
ので、水に溶解して適当な粘度の液に調整することによ
って、ディップ法により薄くかつ均一厚さの樹脂塗膜１
４に形成できる。樹脂塗膜１４の厚さは、コンタクト露
光での解像度の点から、できる限り薄い方が好ましく、
１μｍ以下が好適である。また樹脂塗膜１４は無着色の
ＰＶＡ樹脂を用いることにより、紫外線を透過する光透
過性のものに調整できる。樹脂塗膜１４は、加熱するこ
とで水分を飛散させて容易に乾燥させることができる。
この場合、加熱温度をフォトレジスト皮膜１２の乾燥温
度範囲内に抑えることで、加熱の影響はフォトレジスト
皮膜１２に及ばず、フォトレジスト皮膜１２の感光性を
低下させることはない。さらに樹脂塗膜１４で覆われる
ことにより、フォトレジスト皮膜１２の大気との接触が
遮断され、フォトレジスト皮膜１２の酸素との結合を防
止できる。
Claims (1)
- 【請求項１】 エッチングすべき基材上に光重合系のフ
ォトレジスト皮膜を形成し、該フォトレジスト皮膜を感
光、現像して所定のパターンに形成し、該所定のパター
ンに形成されたフォトレジスト皮膜をマスクとして基材
をエッチングするエッチング方法において、 前記基材に前記フォトレジスト皮膜を形成した後、該フ
ォトレジスト皮膜上に光透過性を有し、かつ酸素遮断性
を有する素材からなる樹脂塗膜を形成し、しかる後感
光、現像すると共に、該樹脂塗膜を除去して前記フォト
レジスト皮膜の所定パターンを形成し、前記基材のエッ
チングを行うことを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13606492A JPH05306477A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13606492A JPH05306477A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05306477A true JPH05306477A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=15166369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13606492A Pending JPH05306477A (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05306477A (ja) |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP13606492A patent/JPH05306477A/ja active Pending
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