JPH05308121A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH05308121A JPH05308121A JP11171192A JP11171192A JPH05308121A JP H05308121 A JPH05308121 A JP H05308121A JP 11171192 A JP11171192 A JP 11171192A JP 11171192 A JP11171192 A JP 11171192A JP H05308121 A JPH05308121 A JP H05308121A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 19
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信号の干渉を確実に防止し、半導体基板に配
置した機能回路ブロック回路群を安定に動作させる。 【構成】 半導体集積回路装置は、半導体基板1上に機
能回路ブロック100を搭載または埋め込み、この機能
回路ブロック100の外側をリング状の導体部2で囲ん
だものである。機能回路ブロック100と導体部2との
間には複数のボンディングパッド3〜22を配置してあ
る。なお、導体部2は半導体基板1および機能回路ブロ
ック100と電気的に絶縁されている。 【効果】 リング状の導電部2により静電しゃへいさ
れ、各機能回路ブロック間の干渉や半導体基板1の外部
から飛び込もうとする信号の影響を防ぐことができる。
置した機能回路ブロック回路群を安定に動作させる。 【構成】 半導体集積回路装置は、半導体基板1上に機
能回路ブロック100を搭載または埋め込み、この機能
回路ブロック100の外側をリング状の導体部2で囲ん
だものである。機能回路ブロック100と導体部2との
間には複数のボンディングパッド3〜22を配置してあ
る。なお、導体部2は半導体基板1および機能回路ブロ
ック100と電気的に絶縁されている。 【効果】 リング状の導電部2により静電しゃへいさ
れ、各機能回路ブロック間の干渉や半導体基板1の外部
から飛び込もうとする信号の影響を防ぐことができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路装置に
関するものである。
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置は、高集積
化,高周波化および微細化の傾向にある。従来、半導体
集積回路装置として高周波回路を実現する場合、高周波
回路と他回路との信号の干渉を防止するために、1つの
機能を有する電子回路で構成される機能回路ブロック別
に半導体基板を分割したり、高周波回路から信号の入出
力端子をなるべく遠ざけたり、高周波回路を低インピー
ダンスの配線領域に配置したりしていた。
化,高周波化および微細化の傾向にある。従来、半導体
集積回路装置として高周波回路を実現する場合、高周波
回路と他回路との信号の干渉を防止するために、1つの
機能を有する電子回路で構成される機能回路ブロック別
に半導体基板を分割したり、高周波回路から信号の入出
力端子をなるべく遠ざけたり、高周波回路を低インピー
ダンスの配線領域に配置したりしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体集積回路装置では、回路間,素子間および配線領
域間の信号の干渉を十分に防止することができず、各機
能回路ブロック(高周波増幅回路等)を安定に動作させ
ることが困難であるという問題があった。この発明の目
的は、上記従来の問題点を解決するもので、信号の干渉
を確実に防止し、機能回路ブロック回路群を安定に動作
させることができる半導体集積回路装置を提供すること
である。
半導体集積回路装置では、回路間,素子間および配線領
域間の信号の干渉を十分に防止することができず、各機
能回路ブロック(高周波増幅回路等)を安定に動作させ
ることが困難であるという問題があった。この発明の目
的は、上記従来の問題点を解決するもので、信号の干渉
を確実に防止し、機能回路ブロック回路群を安定に動作
させることができる半導体集積回路装置を提供すること
である。
【0004】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の半導体集
積回路装置は、半導体基板に配置した1または2以上の
機能回路ブロックの外側をリング状の導体部で囲んだも
のである。請求項2記載の半導体集積回路装置は、請求
項1記載の半導体集積回路装置において、1または2以
上の機能回路ブロックのうち少なくとも1つ以上が高周
波回路を構成することを特徴とする。
積回路装置は、半導体基板に配置した1または2以上の
機能回路ブロックの外側をリング状の導体部で囲んだも
のである。請求項2記載の半導体集積回路装置は、請求
項1記載の半導体集積回路装置において、1または2以
上の機能回路ブロックのうち少なくとも1つ以上が高周
波回路を構成することを特徴とする。
【0005】請求項3記載の半導体集積回路装置は、半
導体基板に配置した複数の機能回路ブロックのうち高周
波回路を構成する機能回路ブロックの外周をリング状の
導体部で囲んだものである。
導体基板に配置した複数の機能回路ブロックのうち高周
波回路を構成する機能回路ブロックの外周をリング状の
導体部で囲んだものである。
【0006】
【作用】この発明の構成によれば、1または2以上の機
能回路ブロックの外側をリング状の導体部で囲むことに
より、導体部の内側で電界が発生すると、この電界を打
ち消すような電流が導体部内に流れて導体部の内側での
電界の発生を阻止し、また導体部の外側で発生した電界
が導体部の内側に与える影響を防止することができる。
これにより、各機能回路ブロック間での信号の干渉およ
び導体部の外部から飛び込もうとする信号による導体部
の内側への影響を確実に防止することができる。
能回路ブロックの外側をリング状の導体部で囲むことに
より、導体部の内側で電界が発生すると、この電界を打
ち消すような電流が導体部内に流れて導体部の内側での
電界の発生を阻止し、また導体部の外側で発生した電界
が導体部の内側に与える影響を防止することができる。
これにより、各機能回路ブロック間での信号の干渉およ
び導体部の外部から飛び込もうとする信号による導体部
の内側への影響を確実に防止することができる。
【0007】
【実施例】図1はこの発明の第1の実施例の半導体集積
回路装置の構成を示す平面図である。図1において、1
は半導体基板、2は導体部、3〜22は外部回路(図示
せず)との信号の入出力に用いられる端子であるボンデ
ィングパッド、100は機能回路ブロックであり、各機
能回路ブロックは1つの機能を達成する電子回路を構成
したものである。
回路装置の構成を示す平面図である。図1において、1
は半導体基板、2は導体部、3〜22は外部回路(図示
せず)との信号の入出力に用いられる端子であるボンデ
ィングパッド、100は機能回路ブロックであり、各機
能回路ブロックは1つの機能を達成する電子回路を構成
したものである。
【0008】図1に示すように、半導体集積回路装置
は、半導体基板1上に機能回路ブロック100を搭載ま
たは埋め込み、この機能回路ブロック100の外側をリ
ング状の導体部2で囲んだものである。機能回路ブロッ
ク100と導体部2との間には複数のボンディングパッ
ド3〜22を配置してある。なお、導体部2は半導体基
板1および機能回路ブロック100と電気的に絶縁され
ている。
は、半導体基板1上に機能回路ブロック100を搭載ま
たは埋め込み、この機能回路ブロック100の外側をリ
ング状の導体部2で囲んだものである。機能回路ブロッ
ク100と導体部2との間には複数のボンディングパッ
ド3〜22を配置してある。なお、導体部2は半導体基
板1および機能回路ブロック100と電気的に絶縁され
ている。
【0009】このように構成した半導体集積回路装置を
FMフロントエンド回路に適用した場合について説明す
る。この場合、機能回路ブロック100を構成する各機
能回路ブロックは、高周波増幅回路23,局部発振回路
24,電源回路25,ミキサ回路26および中間周波増
幅回路27である。高周波増幅回路23,局部発振回路
24およびミキサ回路26は高周波信号を取扱う高周波
回路である。
FMフロントエンド回路に適用した場合について説明す
る。この場合、機能回路ブロック100を構成する各機
能回路ブロックは、高周波増幅回路23,局部発振回路
24,電源回路25,ミキサ回路26および中間周波増
幅回路27である。高周波増幅回路23,局部発振回路
24およびミキサ回路26は高周波信号を取扱う高周波
回路である。
【0010】FMフロントエンド回路は、受信した信号
を増幅する高周波増幅回路23と、受信した信号から中
間周波数分だけ高い(または低い)信号を発振させる局
部発振回路24と、高周波増幅回路23により増幅した
受信信号と局部発振回路24により発生させた発振信号
とを掛け合せて中間周波信号を取り出すミキサ回路26
と、中間周波信号を増幅する中間周波増幅回路27と、
これら各回路に電気エネルギーを供給する電源回路25
とから構成したものである。
を増幅する高周波増幅回路23と、受信した信号から中
間周波数分だけ高い(または低い)信号を発振させる局
部発振回路24と、高周波増幅回路23により増幅した
受信信号と局部発振回路24により発生させた発振信号
とを掛け合せて中間周波信号を取り出すミキサ回路26
と、中間周波信号を増幅する中間周波増幅回路27と、
これら各回路に電気エネルギーを供給する電源回路25
とから構成したものである。
【0011】このように構成したFMフロントエンド回
路では、アンテナ(図示せず)および同調回路(図示せ
ず)により受信した信号を高周波増幅回路23により増
幅してミキサ回路26に入力する。また、局部発振回路
24では、受信した信号から中間周波数分だけ高い(ま
たは低い)信号を発生させてミキサ回路26に入力す
る。そして、ミキサ回路26では入力された受信信号お
よび発振信号により中間周波信号を取り出す。
路では、アンテナ(図示せず)および同調回路(図示せ
ず)により受信した信号を高周波増幅回路23により増
幅してミキサ回路26に入力する。また、局部発振回路
24では、受信した信号から中間周波数分だけ高い(ま
たは低い)信号を発生させてミキサ回路26に入力す
る。そして、ミキサ回路26では入力された受信信号お
よび発振信号により中間周波信号を取り出す。
【0012】このようなFMフロントエンド回路を動作
させた場合、高周波回路である高周波増幅回路23,局
部発振回路24およびミキサ回路26は、取り扱う信号
の周波数が高いために、何の配慮もなく同一の半導体基
板1上に構成すると各回路相互間で信号が飛び交って信
号の干渉が生じたり、半導体基板1の外部から直接飛び
込んでくる信号の干渉を受けたりすることにより、各回
路を安定に動作させることができない。
させた場合、高周波回路である高周波増幅回路23,局
部発振回路24およびミキサ回路26は、取り扱う信号
の周波数が高いために、何の配慮もなく同一の半導体基
板1上に構成すると各回路相互間で信号が飛び交って信
号の干渉が生じたり、半導体基板1の外部から直接飛び
込んでくる信号の干渉を受けたりすることにより、各回
路を安定に動作させることができない。
【0013】そこで、図1に示すように、機能回路ブロ
ック100の外側をリング状の導体部2で囲むことで、
導体部2の内側で電界が生じると、この電界を打ち消す
ような電流が導体部2内に流れて導体部2の内側での電
界の発生を阻止し、また導体部2の外側で発生した電界
に対しても同様な働きがあり外部電界を遮蔽する。これ
により、高周波増幅回路23および局部発振回路24等
の各機能回路ブロック間での信号の干渉および半導体基
板1の外部から飛び込もうとする信号の影響を防止する
ことができる。
ック100の外側をリング状の導体部2で囲むことで、
導体部2の内側で電界が生じると、この電界を打ち消す
ような電流が導体部2内に流れて導体部2の内側での電
界の発生を阻止し、また導体部2の外側で発生した電界
に対しても同様な働きがあり外部電界を遮蔽する。これ
により、高周波増幅回路23および局部発振回路24等
の各機能回路ブロック間での信号の干渉および半導体基
板1の外部から飛び込もうとする信号の影響を防止する
ことができる。
【0014】このように第1の実施例によれば、機能回
路ブロックの外側をリング状の導体部2で囲むことによ
り、導体部2の内側での電界の発生を阻止し、導体部2
の外側で発生した電界が導体部2の内側に与える影響を
防止することができる。これにより、各機能回路ブロッ
ク間での信号の干渉および半導体基板1の外部から飛び
込もうとする信号の影響を確実に防止することができ
る。
路ブロックの外側をリング状の導体部2で囲むことによ
り、導体部2の内側での電界の発生を阻止し、導体部2
の外側で発生した電界が導体部2の内側に与える影響を
防止することができる。これにより、各機能回路ブロッ
ク間での信号の干渉および半導体基板1の外部から飛び
込もうとする信号の影響を確実に防止することができ
る。
【0015】したがって、半導体基板1に配置した高周
波増幅回路23等を構成する機能回路ブロック100を
安定に動作させることができる。次に、この発明の第2
の実施例について図面を参照しながら説明する。図2は
この発明の第2の実施例の半導体集積回路装置の構成を
示す部分平面図である。
波増幅回路23等を構成する機能回路ブロック100を
安定に動作させることができる。次に、この発明の第2
の実施例について図面を参照しながら説明する。図2は
この発明の第2の実施例の半導体集積回路装置の構成を
示す部分平面図である。
【0016】図2において、28は導体部であり、図1
と同一符号は同一部分を示すため説明を省略する。図2
に示すように、半導体集積回路装置は、半導体基板1上
に配置した高周波増幅回路23の外周をリング状の導体
部28で囲んだものである。導体部28は、半導体基板
1および他の機能回路ブロックすなわち局部発振回路2
4および電源回路25等とは電気的に絶縁されている。
と同一符号は同一部分を示すため説明を省略する。図2
に示すように、半導体集積回路装置は、半導体基板1上
に配置した高周波増幅回路23の外周をリング状の導体
部28で囲んだものである。導体部28は、半導体基板
1および他の機能回路ブロックすなわち局部発振回路2
4および電源回路25等とは電気的に絶縁されている。
【0017】このように構成した半導体集積回路装置に
よれば、高周波増幅回路23の外周をリング状の導体部
28で囲んだことにより、第1の実施例と同様に、導体
部28の内側で電界が発生すると、この電界を打ち消す
ような電流が導体部28内に流れて導体部28の内側で
の電界の発生を阻止し、また導体部28の外側で発生し
た電界に対しても同様な働きがあり外部電界を遮蔽す
る。
よれば、高周波増幅回路23の外周をリング状の導体部
28で囲んだことにより、第1の実施例と同様に、導体
部28の内側で電界が発生すると、この電界を打ち消す
ような電流が導体部28内に流れて導体部28の内側で
の電界の発生を阻止し、また導体部28の外側で発生し
た電界に対しても同様な働きがあり外部電界を遮蔽す
る。
【0018】これにより、導体部28の内側に配置した
高周波増幅回路23で取り扱う信号が他の回路の信号に
干渉することがなく、また、高周波増幅回路23の信号
が他の回路の信号の干渉を受けることがない。したがっ
て、半導体基板1に配置した高周波増幅回路23等を構
成した各機能回路ブロックを安定に動作させることがで
きる。
高周波増幅回路23で取り扱う信号が他の回路の信号に
干渉することがなく、また、高周波増幅回路23の信号
が他の回路の信号の干渉を受けることがない。したがっ
て、半導体基板1に配置した高周波増幅回路23等を構
成した各機能回路ブロックを安定に動作させることがで
きる。
【0019】なお、この第1の実施例では、半導体基板
1上に機能回路ブロックとして高周波増幅回路23およ
び局部発振回路24等の複数の高周波回路を有した場合
について述べたが、半導体基板1上に1つの高周波回路
を有した場合でも同様の効果が得られる。また、半導体
基板1上に高周波回路を構成した機能回路ブロックがな
い場合には、導電部2は半導体基板1の外部から飛び込
む信号による電界の発生を防止することとなる。また、
FMフロントエンド回路を構成する高周波回路を高周波
増幅回路,ミキサ回路および局部発振回路としたが、高
周波回路として周波数弁別回路等を含んでもよい。
1上に機能回路ブロックとして高周波増幅回路23およ
び局部発振回路24等の複数の高周波回路を有した場合
について述べたが、半導体基板1上に1つの高周波回路
を有した場合でも同様の効果が得られる。また、半導体
基板1上に高周波回路を構成した機能回路ブロックがな
い場合には、導電部2は半導体基板1の外部から飛び込
む信号による電界の発生を防止することとなる。また、
FMフロントエンド回路を構成する高周波回路を高周波
増幅回路,ミキサ回路および局部発振回路としたが、高
周波回路として周波数弁別回路等を含んでもよい。
【0020】また、第1および第2の実施例では受信機
用の高周波回路に適用した場合を説明したが、送信機用
の高周波回路に適用しても良く、上述実施例と同様の効
果を得ることができる。
用の高周波回路に適用した場合を説明したが、送信機用
の高周波回路に適用しても良く、上述実施例と同様の効
果を得ることができる。
【0021】
【発明の効果】この発明の半導体集積回路装置によれ
ば、1または2以上の機能回路ブロックの外側をリング
状の導体部で囲むことにより、導体部の内側での電界の
発生を阻止し、導体部の外側で発生した電界が導体部の
内側に与える影響を防止することができる。これによ
り、各機能回路ブロック間での信号の干渉および導体部
の外部から飛び込もうとする信号による導体部の内側へ
の影響を確実に防止することができる。
ば、1または2以上の機能回路ブロックの外側をリング
状の導体部で囲むことにより、導体部の内側での電界の
発生を阻止し、導体部の外側で発生した電界が導体部の
内側に与える影響を防止することができる。これによ
り、各機能回路ブロック間での信号の干渉および導体部
の外部から飛び込もうとする信号による導体部の内側へ
の影響を確実に防止することができる。
【0022】その結果、半導体基板に配置した機能回路
ブロックを安定に動作させることができる。
ブロックを安定に動作させることができる。
【図1】この発明の第1の実施例の半導体集積回路装置
の構成を示す平面図である。
の構成を示す平面図である。
【図2】この発明の第2の実施例の半導体集積回路装置
の構成を示す部分平面図である。
の構成を示す部分平面図である。
1 半導体基板 2 導体部 28 導体部 23 高周波増幅回路(高周波回路) 100 機能回路ブロック
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体基板に配置した1または2以上の
機能回路ブロックの外側をリング状の導体部で囲んだ半
導体集積回路装置。 - 【請求項2】 1または2以上の機能回路ブロックのう
ち少なくとも1つ以上が高周波回路を構成することを特
徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項3】 半導体基板に配置した複数の機能回路ブ
ロックのうち高周波回路を構成する機能回路ブロックの
外周をリング状の導体部で囲んだ半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11171192A JPH05308121A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11171192A JPH05308121A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05308121A true JPH05308121A (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14568229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11171192A Pending JPH05308121A (ja) | 1992-04-30 | 1992-04-30 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05308121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015274A1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-02-21 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Semiconductor device for communication |
| JP2016072297A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体回路、発振器、電子機器及び移動体 |
-
1992
- 1992-04-30 JP JP11171192A patent/JPH05308121A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015274A1 (en) * | 2000-08-14 | 2002-02-21 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Semiconductor device for communication |
| JP2016072297A (ja) * | 2014-09-26 | 2016-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体回路、発振器、電子機器及び移動体 |
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