JPH05314426A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH05314426A JPH05314426A JP4123110A JP12311092A JPH05314426A JP H05314426 A JPH05314426 A JP H05314426A JP 4123110 A JP4123110 A JP 4123110A JP 12311092 A JP12311092 A JP 12311092A JP H05314426 A JPH05314426 A JP H05314426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- film
- thin film
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜磁気ヘッドのバックギャップ部近傍で発
生する磁性層と絶縁層との剥離を低減し、製造歩留まり
を向上することを目的とする。 【構成】 バックギャップ部Ｂ近傍の３層よりなる下部
磁性層１０および上部磁性層２０において、その終端部
における下部上層磁性膜１３および上部上層磁性膜２３
の長さを他の２層（１１、１２、２１、２２）の長さよ
り短くするものである。 【効果】 磁性層と絶縁層との界面における引っ張り応
力に基づく剥離がなくなり、製造歩留まりが向上でき、
かつ信頼性が向上し、高品質の薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。
生する磁性層と絶縁層との剥離を低減し、製造歩留まり
を向上することを目的とする。 【構成】 バックギャップ部Ｂ近傍の３層よりなる下部
磁性層１０および上部磁性層２０において、その終端部
における下部上層磁性膜１３および上部上層磁性膜２３
の長さを他の２層（１１、１２、２１、２２）の長さよ
り短くするものである。 【効果】 磁性層と絶縁層との界面における引っ張り応
力に基づく剥離がなくなり、製造歩留まりが向上でき、
かつ信頼性が向上し、高品質の薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ハ−ドディスク装置に
使用する記録再生用の薄膜磁気ヘッドに関する。
使用する記録再生用の薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハ−ドディスク装置の小型化、高
密度化に伴い磁気ヘッドの小型化、高効率化、低インピ
−ダンス化が要求され、薄膜磁気ヘッドの利用が拡大し
つつある。
密度化に伴い磁気ヘッドの小型化、高効率化、低インピ
−ダンス化が要求され、薄膜磁気ヘッドの利用が拡大し
つつある。
【０００３】以下、従来の薄膜磁気ヘッドの構成を説明
する。図２は、従来の薄膜磁気ヘッドの側面から見た断
面図、また図３は図２におけるＡ部拡大図である。
する。図２は、従来の薄膜磁気ヘッドの側面から見た断
面図、また図３は図２におけるＡ部拡大図である。
【０００４】図２において、薄膜磁気ヘッドは３層の磁
性膜からなる２つの磁性層１０および磁性層２０、２層
に形成されたコイル層６およびコイル層７、これらのコ
イル層６、７を保持するとともにコイルの電気的絶縁を
行う絶縁層４および絶縁層５より構成されており、素子
中央部にはバックギャップ部Ｂがある。下部磁性層１０
および上部磁性層２０はそれぞれ上層、中層および下層
の３層構造をとり、下部下層磁性膜１１、下部中層磁性
膜１２、下部上層磁性膜１３および上部下層磁性膜２
１、上部中層磁性膜２２、上部上層磁性膜２３より構成
されている。
性膜からなる２つの磁性層１０および磁性層２０、２層
に形成されたコイル層６およびコイル層７、これらのコ
イル層６、７を保持するとともにコイルの電気的絶縁を
行う絶縁層４および絶縁層５より構成されており、素子
中央部にはバックギャップ部Ｂがある。下部磁性層１０
および上部磁性層２０はそれぞれ上層、中層および下層
の３層構造をとり、下部下層磁性膜１１、下部中層磁性
膜１２、下部上層磁性膜１３および上部下層磁性膜２
１、上部中層磁性膜２２、上部上層磁性膜２３より構成
されている。
【０００５】素子の製造方法は、Ａl2Ｏ3、ＴiＣなどよ
りなるセラミック基板１の上にＡl2Ｏ3 よりなる下地絶
縁層２をスパッタリングにより形成し、その上にスパッ
タリングなどにより下部下層磁性層１１となる下地パ−
マロイ層を形成する。次に、この下地パ−マロイ層の上
に磁気コア形状のレジスト膜よりなるマスクをパタ−ニ
ングする。このレジストをマスクとして下部中層磁性膜
１２および下部上層磁性膜１３を電解めっき法により膜
付けする。電解めっき法において下部下層磁性層１１は
めっき用の電極として用いられる。その後イオンミリン
グとケミカルエッチングにより、レジストマスクに覆わ
れていた下地パ−マロイ層を除去する。そのあと磁気ギ
ャップ９となるＡl2Ｏ3 膜３を磁気ギャップ部に堆積
し、続いてコイルに対する電気的な絶縁層４および絶縁
層５となるレジスト、第１コイル層６、絶縁層４および
絶縁層５の一部となるレジスト、第２コイル層７、絶縁
層４および絶縁層５のさらにその一部となるレジストの
各層を順次形成する。そののち上部下層磁性膜２１とな
る下地パ−マロイ層をスパッタリングにより全面に形成
する。
りなるセラミック基板１の上にＡl2Ｏ3 よりなる下地絶
縁層２をスパッタリングにより形成し、その上にスパッ
タリングなどにより下部下層磁性層１１となる下地パ−
マロイ層を形成する。次に、この下地パ−マロイ層の上
に磁気コア形状のレジスト膜よりなるマスクをパタ−ニ
ングする。このレジストをマスクとして下部中層磁性膜
１２および下部上層磁性膜１３を電解めっき法により膜
付けする。電解めっき法において下部下層磁性層１１は
めっき用の電極として用いられる。その後イオンミリン
グとケミカルエッチングにより、レジストマスクに覆わ
れていた下地パ−マロイ層を除去する。そのあと磁気ギ
ャップ９となるＡl2Ｏ3 膜３を磁気ギャップ部に堆積
し、続いてコイルに対する電気的な絶縁層４および絶縁
層５となるレジスト、第１コイル層６、絶縁層４および
絶縁層５の一部となるレジスト、第２コイル層７、絶縁
層４および絶縁層５のさらにその一部となるレジストの
各層を順次形成する。そののち上部下層磁性膜２１とな
る下地パ−マロイ層をスパッタリングにより全面に形成
する。
【０００６】上部磁性層２０は下部磁性層１０と同様
に、まず上部下層磁性膜２１となる下地パ−マロイ層の
上に磁気コア形状のレジストマスクをパタ−ニングし、
パ−マロイが露出している部分に上部磁性層２０を構成
する残りの２層、すなわち上部中層磁性膜２２および上
部上層磁性膜２３を順次めっきする。なお、レジストか
らなる絶縁層４および絶縁層５がパタ−ニングされてい
るため、下部磁性層１０と上部磁性層２０はバックギャ
ップ部Ｂにて磁気的に接続されている。最後にＡl2Ｏ3
からなる保護層８をスパッタリングにより形成したの
ち、表面を平坦にラッピング加工し、そののち磁気ギャ
ップ部を研磨して磁気記録媒体に対向する磁気ギャップ
の媒体走行面を形成する。
に、まず上部下層磁性膜２１となる下地パ−マロイ層の
上に磁気コア形状のレジストマスクをパタ−ニングし、
パ−マロイが露出している部分に上部磁性層２０を構成
する残りの２層、すなわち上部中層磁性膜２２および上
部上層磁性膜２３を順次めっきする。なお、レジストか
らなる絶縁層４および絶縁層５がパタ−ニングされてい
るため、下部磁性層１０と上部磁性層２０はバックギャ
ップ部Ｂにて磁気的に接続されている。最後にＡl2Ｏ3
からなる保護層８をスパッタリングにより形成したの
ち、表面を平坦にラッピング加工し、そののち磁気ギャ
ップ部を研磨して磁気記録媒体に対向する磁気ギャップ
の媒体走行面を形成する。
【０００７】このとき図３に示すように、従来の薄膜磁
気ヘッドの下部磁性層１０と上部磁性層２０はその３層
全ての終端部が同じ位置になるように形成されている。
気ヘッドの下部磁性層１０と上部磁性層２０はその３層
全ての終端部が同じ位置になるように形成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の薄膜磁気ヘ
ッドの構成では、Ａl2０3 よりりなる下地絶縁層２が下
部下層磁性膜１１から受ける引っ張り応力およびレジス
トよりなる絶縁層４が上部下層磁性膜２１から受ける引
っ張り応力は各磁性層の上層膜の厚みに比例する。ま
た、上部上層磁性膜２３と下部上層磁性膜１３の終端部
がそれぞれの中層膜および下層膜と同じ位置で終端する
場合、３層分の膜厚による応力が終端部の絶縁層との界
面に掛かることになる。この３層分の引っ張り応力は３
層よりなる磁性層とレジスト絶縁層またはＡl2Ｏ3 下地
絶縁層との界面に残留するため問題となる。
ッドの構成では、Ａl2０3 よりりなる下地絶縁層２が下
部下層磁性膜１１から受ける引っ張り応力およびレジス
トよりなる絶縁層４が上部下層磁性膜２１から受ける引
っ張り応力は各磁性層の上層膜の厚みに比例する。ま
た、上部上層磁性膜２３と下部上層磁性膜１３の終端部
がそれぞれの中層膜および下層膜と同じ位置で終端する
場合、３層分の膜厚による応力が終端部の絶縁層との界
面に掛かることになる。この３層分の引っ張り応力は３
層よりなる磁性層とレジスト絶縁層またはＡl2Ｏ3 下地
絶縁層との界面に残留するため問題となる。
【０００９】そのため絶縁層および下地絶縁層が上部と
下部それぞれの磁性層より受ける引っ張り応力により、
３層よりなる磁性層との界面において剥離が生じやすい
という課題があった。これは薄膜磁気ヘッドの製造歩留
まりを低下させるものであった。
下部それぞれの磁性層より受ける引っ張り応力により、
３層よりなる磁性層との界面において剥離が生じやすい
という課題があった。これは薄膜磁気ヘッドの製造歩留
まりを低下させるものであった。
【００１０】本発明は上記従来の問題を解決し、磁性層
と絶縁層との間において剥離の生じない薄膜磁気ヘッド
を提供することを目的とするものである。
と絶縁層との間において剥離の生じない薄膜磁気ヘッド
を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の薄膜磁気ヘッドでは、上部と下部それぞれの
３層からなる磁性層の上層終端部の長さを残る２層の終
端部の長さより短くすることにより、絶縁層との界面で
の引っ張り応力を低減し、界面における剥離を抑制する
ものである。
に本発明の薄膜磁気ヘッドでは、上部と下部それぞれの
３層からなる磁性層の上層終端部の長さを残る２層の終
端部の長さより短くすることにより、絶縁層との界面で
の引っ張り応力を低減し、界面における剥離を抑制する
ものである。
【００１２】
【作用】上記した薄膜磁気ヘッドの構成によれば、３層
からなる磁性層の上層終端部の長さを下層終端部の長さ
より短くするため、下部磁性層と下地絶縁層および上部
磁性層と絶縁層との界面における終端部における引っ張
り応力が小さくなり、剥離は発生しなくなるため、信頼
性と歩留まりが高まるものである。
からなる磁性層の上層終端部の長さを下層終端部の長さ
より短くするため、下部磁性層と下地絶縁層および上部
磁性層と絶縁層との界面における終端部における引っ張
り応力が小さくなり、剥離は発生しなくなるため、信頼
性と歩留まりが高まるものである。
【００１３】
【実施例】以下本発明の実施例を薄膜磁気ヘッドの断面
図である図１を参照しながら説明する。なお、図１にお
いては、従来例の説明に用いた薄膜磁気ヘッドのバック
ギャップ部近傍の拡大図（図３）に対応しており、構成
する各部分には同じ番号を付すとともに従来例と同じ説
明は省略する。
図である図１を参照しながら説明する。なお、図１にお
いては、従来例の説明に用いた薄膜磁気ヘッドのバック
ギャップ部近傍の拡大図（図３）に対応しており、構成
する各部分には同じ番号を付すとともに従来例と同じ説
明は省略する。
【００１４】図１において図３と異なる点は、３層から
なる上下の磁性層のうち上部膜の終端部の長さを短くし
ているだけである。この短くした長さを上部磁性層につ
いてはＬ1 、下部磁性層についてはＬ2 で示したが、こ
の長さは上下それぞれの磁性層の上層膜の厚み以上のと
きに効果的である。すなわち、それぞれ３μｍ以上とな
ることが必要である。
なる上下の磁性層のうち上部膜の終端部の長さを短くし
ているだけである。この短くした長さを上部磁性層につ
いてはＬ1 、下部磁性層についてはＬ2 で示したが、こ
の長さは上下それぞれの磁性層の上層膜の厚み以上のと
きに効果的である。すなわち、それぞれ３μｍ以上とな
ることが必要である。
【００１５】なお、長さＬ1 およびＬ2 を設定するには
各磁性層の中層膜をめっきしたあとレジストによりパタ
−ニングを行う工程を入れることにより行う。
各磁性層の中層膜をめっきしたあとレジストによりパタ
−ニングを行う工程を入れることにより行う。
【００１６】この構成により各磁性層の下層膜１１およ
び２１と下地絶縁層（図示せず）および絶縁層５との界
面における引っ張り応力が減少するため、剥離の最も発
生しやすい終端部においても剥離がなくなる。
び２１と下地絶縁層（図示せず）および絶縁層５との界
面における引っ張り応力が減少するため、剥離の最も発
生しやすい終端部においても剥離がなくなる。
【００１７】なお、一般に薄膜磁気ヘッドに使用する磁
性材料は、本発明にて用いる絶縁材料に比べて熱膨張率
が大きく、上記のように界面には引っ張り応力が発生し
やすい。したがって、本発明の終端部の構成は使用する
磁性材料の種類を変えた場合においても同様の効果を示
すものであり、他のタイプの薄膜磁気ヘッドにも適応す
ることが可能である。
性材料は、本発明にて用いる絶縁材料に比べて熱膨張率
が大きく、上記のように界面には引っ張り応力が発生し
やすい。したがって、本発明の終端部の構成は使用する
磁性材料の種類を変えた場合においても同様の効果を示
すものであり、他のタイプの薄膜磁気ヘッドにも適応す
ることが可能である。
【００１８】また、上記の磁性層を構成する下層磁性
膜、中層磁性膜、上層磁性膜それぞれの材料としてはパ
−マロイ、ＦeＡlＳi系、Ｃo系、ＣoＦe系、ＣoＦeＮi
系などのいずれの組み合わせを使用しても同様の効果を
示すものであり、それ以外の材料においても絶縁材料と
の界面にて引っ張り応力が発生する材料の組み合わせに
おいて適応することができる。さらに、同じ材料による
３層の形成においても全く同じ効果が得られるものであ
る。
膜、中層磁性膜、上層磁性膜それぞれの材料としてはパ
−マロイ、ＦeＡlＳi系、Ｃo系、ＣoＦe系、ＣoＦeＮi
系などのいずれの組み合わせを使用しても同様の効果を
示すものであり、それ以外の材料においても絶縁材料と
の界面にて引っ張り応力が発生する材料の組み合わせに
おいて適応することができる。さらに、同じ材料による
３層の形成においても全く同じ効果が得られるものであ
る。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明の薄
膜磁気ヘッドではバックギャップ部近傍において、３層
からなる各磁性層の上層膜の終端部における長さを他の
２層の終端部より短くすることにより、絶縁層または下
地絶縁層との界面において生じていた剥離の防止に有効
であり、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを高い歩留まりで
実現するものである。
膜磁気ヘッドではバックギャップ部近傍において、３層
からなる各磁性層の上層膜の終端部における長さを他の
２層の終端部より短くすることにより、絶縁層または下
地絶縁層との界面において生じていた剥離の防止に有効
であり、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを高い歩留まりで
実現するものである。
【図１】本発明の実施例における薄膜磁気ヘッドのバッ
クギャップ部近傍の拡大断面図
クギャップ部近傍の拡大断面図
【図２】従来の薄膜磁気ヘッドの要部側面断面図
【図３】図２におけるＡ部拡大図
４、５ 絶縁層 １０ 下部磁性層 １１ 下部下層磁性膜 １２ 下部中層磁性膜 １３ 下部上層磁性膜 ２０ 上部磁性層 ２１ 上部下層磁性膜 ２２ 上部中層磁性膜 ２３ 上部上層磁性膜 Ｂ バックギャップ部
Claims (1)
- 【請求項１】 磁性体コアを構成する各３層よりなる上
部磁性層および下部磁性層のうちバックギャップ部近傍
における絶縁層と接する終端部において、それぞれの上
層磁性膜の長さを他の２層の磁性膜の長さより短くした
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4123110A JPH05314426A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4123110A JPH05314426A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314426A true JPH05314426A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14852427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4123110A Pending JPH05314426A (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05314426A (ja) |
-
1992
- 1992-05-15 JP JP4123110A patent/JPH05314426A/ja active Pending
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