JPH05315475A - 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH05315475A JPH05315475A JP4120554A JP12055492A JPH05315475A JP H05315475 A JPH05315475 A JP H05315475A JP 4120554 A JP4120554 A JP 4120554A JP 12055492 A JP12055492 A JP 12055492A JP H05315475 A JPH05315475 A JP H05315475A
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- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームを用いた二重樹脂封止構造の
樹脂封止半導体装置において、半導体装置を各種応力か
ら保護し、しかも機械的強度を向上するものである。 【構成】 半導体素子３などの周辺部を液状または柔軟
性のある未硬化の状態の部分９ａとこれらの周囲の硬化
した部分で封止した内部樹脂９と、この内部樹脂９の外
側に形成した機械的強度に優れた外部樹脂１０で封止す
るものである。
樹脂封止半導体装置において、半導体装置を各種応力か
ら保護し、しかも機械的強度を向上するものである。 【構成】 半導体素子３などの周辺部を液状または柔軟
性のある未硬化の状態の部分９ａとこれらの周囲の硬化
した部分で封止した内部樹脂９と、この内部樹脂９の外
側に形成した機械的強度に優れた外部樹脂１０で封止す
るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液状、柔軟性を有する樹
脂によって封止される樹脂封止半導体装置およびその製
造方法に関するものである。
脂によって封止される樹脂封止半導体装置およびその製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の樹脂封止半導体装置は、
例えば特開昭６３−８０５５４号公報に開示され、その
構造を図３に示すように二重（二層）樹脂封止構造とな
っている。
例えば特開昭６３−８０５５４号公報に開示され、その
構造を図３に示すように二重（二層）樹脂封止構造とな
っている。
【０００３】この樹脂封止半導体装置の構成は、アイラ
ンド１の上にＡｇペースト２等によって固着搭載された
半導体素子３、ボンディングヘッド４とリード５との間
を電気的に接続する金属細線６の全体をシリコーン樹脂
発泡体、もしくはエポキシ樹脂などの樹脂発泡体７で覆
ったのち、エポキシ樹脂成形材料などの封止樹脂８で成
形するものである。
ンド１の上にＡｇペースト２等によって固着搭載された
半導体素子３、ボンディングヘッド４とリード５との間
を電気的に接続する金属細線６の全体をシリコーン樹脂
発泡体、もしくはエポキシ樹脂などの樹脂発泡体７で覆
ったのち、エポキシ樹脂成形材料などの封止樹脂８で成
形するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の樹脂封止半導体装置では、硬化時の収縮応力、熱応
力、などにおいて、樹脂発泡体により、半導体素子への
各種応力の緩和を期待していたが、発泡体であるため、
内部中空部に水分が凝集し、半導体装置をプリント基板
等に搭載するにあたり、ベーパリフロー、赤外線リフロ
ーなどの半導体装置の全体を加熱する搭載手段によっ
て、半導体装置が加熱されると、水分が水蒸気化し、高
圧化により封止外殻にクラックが発生するという問題点
があった。
成の樹脂封止半導体装置では、硬化時の収縮応力、熱応
力、などにおいて、樹脂発泡体により、半導体素子への
各種応力の緩和を期待していたが、発泡体であるため、
内部中空部に水分が凝集し、半導体装置をプリント基板
等に搭載するにあたり、ベーパリフロー、赤外線リフロ
ーなどの半導体装置の全体を加熱する搭載手段によっ
て、半導体装置が加熱されると、水分が水蒸気化し、高
圧化により封止外殻にクラックが発生するという問題点
があった。
【０００５】本発明は、以上述べた樹脂発泡体の内部中
空部に水分が凝集してしまうという問題点を除去するた
め、応力を緩和することができる樹脂によって形成した
信頼性の優れた樹脂封止半導体装置およびその製造方法
を提供することを目的とする。
空部に水分が凝集してしまうという問題点を除去するた
め、応力を緩和することができる樹脂によって形成した
信頼性の優れた樹脂封止半導体装置およびその製造方法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【発明が解決するための手段】本発明に係る樹脂封止半
導体装置は、半導体素子などの周辺部を、液状または柔
軟性のある未硬化の状態の部分とこれらの周囲の硬化し
た部分で封止した内部樹脂と、この内部樹脂の外側に形
成した機械的強度に優れた外部樹脂で封止したものであ
る。
導体装置は、半導体素子などの周辺部を、液状または柔
軟性のある未硬化の状態の部分とこれらの周囲の硬化し
た部分で封止した内部樹脂と、この内部樹脂の外側に形
成した機械的強度に優れた外部樹脂で封止したものであ
る。
【０００７】本発明に係る樹脂封止半導体装置の製造方
法は、半導体素子などの周辺部を、金型、ポッティン
グ、あるいはスプレー等により、液状または柔軟性のあ
る未硬化の状態の内部樹脂で封止する第１の製造工程
と、この内部樹脂の表面部のみ硬化させる第２の製造工
程と、この硬化した内部樹脂の外側に、機械的強度に優
れた外部樹脂で封止する第３の製造工程とを備えたもの
である。
法は、半導体素子などの周辺部を、金型、ポッティン
グ、あるいはスプレー等により、液状または柔軟性のあ
る未硬化の状態の内部樹脂で封止する第１の製造工程
と、この内部樹脂の表面部のみ硬化させる第２の製造工
程と、この硬化した内部樹脂の外側に、機械的強度に優
れた外部樹脂で封止する第３の製造工程とを備えたもの
である。
【０００８】
【作用】本発明は、半導体素子およびその周辺を、各種
応力から保護することができ、しかも機械的強度を向上
することができる。
応力から保護することができ、しかも機械的強度を向上
することができる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明に係る樹脂封止半導体装置の一
実施例を示す断面図である。図において、９は硬化反応
が行なわれない未硬化の状態では液状または柔軟性を保
持し、熱（特定の温度）、光（特定の波長）によって硬
化反応を開始する樹脂、例えばポリエステルアクリレー
ト、エポキシアクリレートなどのＵＶ硬化樹脂などの内
部樹脂であり、外表部のみ硬化反応を進行させ、内部９
ａは未硬化の状態とすることにより、半導体素子３、リ
ードフレーム５のインナーリード５ａ、金線細線６の周
辺はこの未硬化の状態の樹脂である。１０はトランスフ
ァー成形等の封止技術によって内部樹脂９上に封止した
例えばエポキシ樹脂などの外部樹脂である。
実施例を示す断面図である。図において、９は硬化反応
が行なわれない未硬化の状態では液状または柔軟性を保
持し、熱（特定の温度）、光（特定の波長）によって硬
化反応を開始する樹脂、例えばポリエステルアクリレー
ト、エポキシアクリレートなどのＵＶ硬化樹脂などの内
部樹脂であり、外表部のみ硬化反応を進行させ、内部９
ａは未硬化の状態とすることにより、半導体素子３、リ
ードフレーム５のインナーリード５ａ、金線細線６の周
辺はこの未硬化の状態の樹脂である。１０はトランスフ
ァー成形等の封止技術によって内部樹脂９上に封止した
例えばエポキシ樹脂などの外部樹脂である。
【００１０】この場合、前記ＵＶ樹脂は、無溶剤型なの
で、溶剤の放出がないので、内部樹脂９や外部樹脂１０
中に、ボイドの発生が無く、水分等の凝集が低減される
ので、耐熱性の向上が期待できるうえ、内部樹脂９は液
状または柔軟性を保持した樹脂状態なので、外部応力に
対しても好適である。
で、溶剤の放出がないので、内部樹脂９や外部樹脂１０
中に、ボイドの発生が無く、水分等の凝集が低減される
ので、耐熱性の向上が期待できるうえ、内部樹脂９は液
状または柔軟性を保持した樹脂状態なので、外部応力に
対しても好適である。
【００１１】図２は本発明に係る樹脂封止半導体装置の
製造方法の一実施例を示す要部断面図である。図におい
て、１１および１２は例えば石英等のＵＶ透過性が良好
な材料で作られた上金型および下金型、１３はこの上金
型１１と下金型１２によって形成された金型中空部、１
４はランナー、１５はゲート、１６はＵＶランプであ
る。
製造方法の一実施例を示す要部断面図である。図におい
て、１１および１２は例えば石英等のＵＶ透過性が良好
な材料で作られた上金型および下金型、１３はこの上金
型１１と下金型１２によって形成された金型中空部、１
４はランナー、１５はゲート、１６はＵＶランプであ
る。
【００１２】まず、半導体素子３をＡｇペースト２など
によって、アイランド１に固着搭載する。そして、金属
薄板をエッチングあるいはプレスなどによって所定のパ
ターンに加工したリードフレーム５と半導体素子３の電
極（図示せず）とを金属細線６によって電気的に導通配
線する。そして、このリードフレーム５を上金型１１と
下金型１２によって挟持する。そして、ＵＶ硬化樹脂を
ランナー１４を介してゲート１５から圧入して金型中空
部１３に注入する。この充填後、ＵＶランプ１６を照射
すると、金型中空部１３の金型表面部に接触するＵＶ硬
化樹脂が硬化反応し、内部樹脂９の外表部が形成され
る。そして、金型から取り出して、トランスファー成形
等の封止技術によって、外部樹脂１０を形成する。そし
て、不要リード部を除去したのち、プレス等の技術によ
って折り曲げ加工し、リード５を形成する。
によって、アイランド１に固着搭載する。そして、金属
薄板をエッチングあるいはプレスなどによって所定のパ
ターンに加工したリードフレーム５と半導体素子３の電
極（図示せず）とを金属細線６によって電気的に導通配
線する。そして、このリードフレーム５を上金型１１と
下金型１２によって挟持する。そして、ＵＶ硬化樹脂を
ランナー１４を介してゲート１５から圧入して金型中空
部１３に注入する。この充填後、ＵＶランプ１６を照射
すると、金型中空部１３の金型表面部に接触するＵＶ硬
化樹脂が硬化反応し、内部樹脂９の外表部が形成され
る。そして、金型から取り出して、トランスファー成形
等の封止技術によって、外部樹脂１０を形成する。そし
て、不要リード部を除去したのち、プレス等の技術によ
って折り曲げ加工し、リード５を形成する。
【００１３】なお、樹脂封止半導体装置の外形について
は、これに限定せず、例えばＤＩＰ、ＰＬＣＣ、ＴＳＯ
Ｐ等の形状の樹脂封止半導体装置であってもよいことは
もちろんである。
は、これに限定せず、例えばＤＩＰ、ＰＬＣＣ、ＴＳＯ
Ｐ等の形状の樹脂封止半導体装置であってもよいことは
もちろんである。
【００１４】また、上述の実施例では、トランスファ成
形技術を用いたが、これに限定せず、ポッティングある
いは要部にスプレー等によって要部に熱あるいは光硬化
性樹脂を形成し、樹脂封止してもよいことはもちろんで
ある。
形技術を用いたが、これに限定せず、ポッティングある
いは要部にスプレー等によって要部に熱あるいは光硬化
性樹脂を形成し、樹脂封止してもよいことはもちろんで
ある。
【００１５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る樹脂封止半導体装置およびその製造方法によれば、半
導体素子周辺部が液状または柔軟性のある部分とそれら
の周囲は硬化が促進された部分からなる内部樹脂で形成
し、さらにその外側に、機械的強度に優れた外部樹脂を
封止したので、半導体素子の周辺を各種応力から保護す
ることができ、しかも水分等の凝集を低減することがで
きるなどの効果がある。
る樹脂封止半導体装置およびその製造方法によれば、半
導体素子周辺部が液状または柔軟性のある部分とそれら
の周囲は硬化が促進された部分からなる内部樹脂で形成
し、さらにその外側に、機械的強度に優れた外部樹脂を
封止したので、半導体素子の周辺を各種応力から保護す
ることができ、しかも水分等の凝集を低減することがで
きるなどの効果がある。
【図１】本発明に係る樹脂封止半導体装置の一実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明に係る樹脂封止半導体装置の製造方法の
一実施例を示す要部断面図である。
一実施例を示す要部断面図である。
【図３】従来の樹脂封止半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
９ 内部樹脂 ９ａ 内部樹脂の内部 １０ 外部樹脂 １１ 上金型 １２ 下金型 １３ 金型中空部 １４ ランナー １５ ゲート １６ ＵＶランプ
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレームを用いた二重樹脂封止構
造の樹脂封止半導体装置において、 半導体素子などの周辺部を液状または柔軟性のある未硬
化の状態の部分とこれらの周囲の硬化した部分で封止し
た内部樹脂と、 この内部樹脂の外側に形成した機械的強度に優れた外部
樹脂で封止したことを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項２】 半導体素子などの周辺部を、金型、ポッ
ティング、あるいはスプレー等により、液状または柔軟
性のある未硬化の状態の内部樹脂で封止する第１の製造
工程と、 この内部樹脂の表面部のみ硬化させる第２の製造工程
と、 この硬化した内部樹脂の外側に、機械的強度に優れた外
部樹脂で封止する第３の製造工程とを備えたことを特徴
とする樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記内部樹脂はＵＶ硬化樹脂であること
を特徴とする請求項１記載の樹脂封止半導体装置。 - 【請求項４】 前記金型はＵＶ透過性部材で形成するこ
とを特徴とする請求項２記載の樹脂封止半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120554A JPH05315475A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4120554A JPH05315475A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315475A true JPH05315475A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14789185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4120554A Pending JPH05315475A (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315475A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260567A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2001332663A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Mitsui High Tec Inc | フリップ・チップ実装用バインダー及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2019171923A1 (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | オムロン株式会社 | 樹脂構造体の製造方法および樹脂構造体 |
| CN114695281A (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-01 | 美光科技公司 | 增强半导体装置封装以及相关系统和方法 |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP4120554A patent/JPH05315475A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260567A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2001332663A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Mitsui High Tec Inc | フリップ・チップ実装用バインダー及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
| WO2019171923A1 (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | オムロン株式会社 | 樹脂構造体の製造方法および樹脂構造体 |
| JPWO2019171923A1 (ja) * | 2018-03-09 | 2021-03-18 | オムロン株式会社 | 樹脂構造体の製造方法および樹脂構造体 |
| CN114695281A (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-01 | 美光科技公司 | 增强半导体装置封装以及相关系统和方法 |
| CN114695281B (zh) * | 2020-12-31 | 2026-02-13 | 美光科技公司 | 增强半导体装置封装以及相关系统和方法 |
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