JPH05315528A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH05315528A JPH05315528A JP4118651A JP11865192A JPH05315528A JP H05315528 A JPH05315528 A JP H05315528A JP 4118651 A JP4118651 A JP 4118651A JP 11865192 A JP11865192 A JP 11865192A JP H05315528 A JPH05315528 A JP H05315528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- lead frame
- island portion
- semiconductor chip
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アイランド部に搭載する半導体チップの熱スト
レスに対する高信頼度化を実現するとともに、外部リー
ドの曲げ加工が容易なリードフレームを提供する。 【構成】アイランド部１１を半導体素子の材料とほぼ同
様な熱膨張係数のニッケル４２％の鉄ニッケル合金で形
成する。内部リード１２と外部リード１３とを整形性の
良好な銅合金で形成する。
レスに対する高信頼度化を実現するとともに、外部リー
ドの曲げ加工が容易なリードフレームを提供する。 【構成】アイランド部１１を半導体素子の材料とほぼ同
様な熱膨張係数のニッケル４２％の鉄ニッケル合金で形
成する。内部リード１２と外部リード１３とを整形性の
良好な銅合金で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレームに関し、
特に樹脂封止型の半導体装置に用いるリードフレームに
関する。
特に樹脂封止型の半導体装置に用いるリードフレームに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のリードフレームは、図３
に示すように、半導体チップ２を搭載するアイランド部
１４と、半導体チップ２とボンディングワイヤ３で接続
された封止樹脂４の内部の内部リード１５と、外部接続
用の外部リード１６とを備えて構成されていた。
に示すように、半導体チップ２を搭載するアイランド部
１４と、半導体チップ２とボンディングワイヤ３で接続
された封止樹脂４の内部の内部リード１５と、外部接続
用の外部リード１６とを備えて構成されていた。
【０００３】従来のリードフレームのアイランド部１４
と内部リード１５と外部リード１６とは、ニッケル４２
％の鉄ニッケル合金か、あるいは銅合金の板材からプレ
ス打抜き加工により形成され、したがって、一種類の材
料から構成されているというものであった。
と内部リード１５と外部リード１６とは、ニッケル４２
％の鉄ニッケル合金か、あるいは銅合金の板材からプレ
ス打抜き加工により形成され、したがって、一種類の材
料から構成されているというものであった。
【０００４】鉄ニッケル合金は、半導体素子の材料であ
るシリコンとほぼ同等の熱膨張係数を有しているので、
アイランド部１４に半導体チップを搭載したときの樹脂
封止工程や使用時における熱ストレスによる信頼性低下
を防止できるという利点があるが、外部リード１６等に
おける折曲げ加工が困難であるという欠点がある。一
方、銅合金は、整形性が優れているので、外部リード１
６等における折曲げ加工が容易にできるという利点があ
るが、熱膨張係数がシリコンと大幅に異なるのでアイラ
ンド部１４に半導体チップを搭載したときの樹脂封止工
程や使用時における熱ストレスによりクラックの発生等
の恐れがあるというものであった。
るシリコンとほぼ同等の熱膨張係数を有しているので、
アイランド部１４に半導体チップを搭載したときの樹脂
封止工程や使用時における熱ストレスによる信頼性低下
を防止できるという利点があるが、外部リード１６等に
おける折曲げ加工が困難であるという欠点がある。一
方、銅合金は、整形性が優れているので、外部リード１
６等における折曲げ加工が容易にできるという利点があ
るが、熱膨張係数がシリコンと大幅に異なるのでアイラ
ンド部１４に半導体チップを搭載したときの樹脂封止工
程や使用時における熱ストレスによりクラックの発生等
の恐れがあるというものであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のリード
フレームは、要求特性が異なるアイランド部と内部ある
いは外部リード部とに対し、同一の金属材料を用いてい
たため、アイランド部の要求特性であるシリコンと同等
の年膨張係数を満足するものを用いると、リード部の折
曲げ加工が困難となり、整形性の良いものを用いると、
半導体チップに対する熱ストレスによる信頼性低下が発
生するという欠点があった。
フレームは、要求特性が異なるアイランド部と内部ある
いは外部リード部とに対し、同一の金属材料を用いてい
たため、アイランド部の要求特性であるシリコンと同等
の年膨張係数を満足するものを用いると、リード部の折
曲げ加工が困難となり、整形性の良いものを用いると、
半導体チップに対する熱ストレスによる信頼性低下が発
生するという欠点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、半導体素子の材料とほぼ同様な熱膨張係数を有する
第一の金属材料から成るアイランド部と、整形性の良好
な第二の金属材料から成る内部リードおよび外部リード
とを備えて構成されている。
は、半導体素子の材料とほぼ同様な熱膨張係数を有する
第一の金属材料から成るアイランド部と、整形性の良好
な第二の金属材料から成る内部リードおよび外部リード
とを備えて構成されている。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【０００８】図１は本発明のリードフレームの一実施例
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
【０００９】本実施例のリードフレームは、図１に示す
ように、半導体チップ２を搭載するアイランド部１１
と、半導体チップ２とボンディングワイヤ３で接続され
た封止樹脂４の内部の内部リード１２と、外部接続用の
外部リード１３とを備えて構成されている。
ように、半導体チップ２を搭載するアイランド部１１
と、半導体チップ２とボンディングワイヤ３で接続され
た封止樹脂４の内部の内部リード１２と、外部接続用の
外部リード１３とを備えて構成されている。
【００１０】アイランド部１１は、シリコンとほぼ同等
の熱膨張係数を有するニッケル４２％の鉄ニッケル合金
により形成されている。内部リード１２と外部リード１
３とは、整形性がよい銅合金により形成されている。
の熱膨張係数を有するニッケル４２％の鉄ニッケル合金
により形成されている。内部リード１２と外部リード１
３とは、整形性がよい銅合金により形成されている。
【００１１】このような構成とすることにより、アイラ
ンド部１１と半導体チップ２との熱膨張係数の差による
熱ストレスの発生を防止し、半導体チップ２のクラック
発生等の事故を防止することができるとともに、外部リ
ードの曲げ加工が容易なリードフレームを実現すること
ができる。
ンド部１１と半導体チップ２との熱膨張係数の差による
熱ストレスの発生を防止し、半導体チップ２のクラック
発生等の事故を防止することができるとともに、外部リ
ードの曲げ加工が容易なリードフレームを実現すること
ができる。
【００１２】図２は、本実施例のリードフレームの製造
方法の一例を示す図である。
方法の一例を示す図である。
【００１３】帯状の銅合金板５のアイランド部１１を形
成する位置にニッケル４２％の鉄ニッケル合金板６を張
合わせた板材のプレス打抜き加工またはエッチング加工
により容易に形成することが可能である。
成する位置にニッケル４２％の鉄ニッケル合金板６を張
合わせた板材のプレス打抜き加工またはエッチング加工
により容易に形成することが可能である。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のリードフ
レームは、アイランド部を半導体素子の材料とほぼ同様
な熱膨張係数の金属材料で形成し、内部リードおよび外
部リードを整形性の良好な金属材料で形成しているの
で、アイランド部に搭載する半導体チップの熱ストレス
に対する高信頼度化を実現するとともに、外部リードの
曲げ加工が容易なリードフレームを実現することができ
るという効果がある。
レームは、アイランド部を半導体素子の材料とほぼ同様
な熱膨張係数の金属材料で形成し、内部リードおよび外
部リードを整形性の良好な金属材料で形成しているの
で、アイランド部に搭載する半導体チップの熱ストレス
に対する高信頼度化を実現するとともに、外部リードの
曲げ加工が容易なリードフレームを実現することができ
るという効果がある。
【図１】本発明のリードフレームの一実施例を示す模式
断面図である。
断面図である。
【図２】本実施例のリードフレームの製造法の一例を示
す図である。
す図である。
【図３】従来のリードフレームの一例を示す模式断面図
である。
である。
２ 半導体チップ ３ ボンディングワイヤ ４ 封止樹脂 １１，１４ アイランド部 １２，１５ 内部リード １３，１６ 外部リード
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子の材料とほぼ同様な熱膨張係数
を有する第一の金属材料から成るアイランド部と、 整形性の良好な第二の金属材料から成る内部リードおよ
び外部リードとを備えることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】 前記第一の金属材料がニッケルを４２％
含む鉄ニッケル合金であり、前記第二の合金が銅合金で
あることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118651A JPH05315528A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118651A JPH05315528A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315528A true JPH05315528A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14741841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4118651A Pending JPH05315528A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315528A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8125063B2 (en) * | 2010-03-08 | 2012-02-28 | Powertech Technology, Inc. | COL package having small chip hidden between leads |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213270A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPH02152267A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Hitachi Cable Ltd | Ｃｕ合金／Ｆｅ−Ｎｉ合金並接型リードフレーム |
| JPH03290957A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | プラスチックスパッケージ用リードフレーム材料 |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP4118651A patent/JPH05315528A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62213270A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPH02152267A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Hitachi Cable Ltd | Ｃｕ合金／Ｆｅ−Ｎｉ合金並接型リードフレーム |
| JPH03290957A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | プラスチックスパッケージ用リードフレーム材料 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8125063B2 (en) * | 2010-03-08 | 2012-02-28 | Powertech Technology, Inc. | COL package having small chip hidden between leads |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971111 |