JPH08298365A - コンデンサ付きセラミック基板 - Google Patents
コンデンサ付きセラミック基板Info
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- JPH08298365A JPH08298365A JP7127271A JP12727195A JPH08298365A JP H08298365 A JPH08298365 A JP H08298365A JP 7127271 A JP7127271 A JP 7127271A JP 12727195 A JP12727195 A JP 12727195A JP H08298365 A JPH08298365 A JP H08298365A
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- Japan
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- glass component
- dielectric
- capacitor
- ceramic
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
-
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】コンデンサ付セラミック基板において、ガラス
セラミックからなる絶縁体層中のガラス成分が、ペロブ
スカイト形セラミックからなる誘電体層に拡散して誘電
体の比誘電率が低下するのを防止する。 【構成】コンデンサ付セラミック基板１０において、絶
縁体層１１Ａ、Ｂと誘電体層１２との間に介在するＡｇ
等からなる電極層１３Ａ、Ｂに含有されるガラス成分
を、２ｗｔ％以下、好ましくは１ｗｔ％以下とする。更
に、電極層１３の厚みを２０μｍ以上とする。
セラミックからなる絶縁体層中のガラス成分が、ペロブ
スカイト形セラミックからなる誘電体層に拡散して誘電
体の比誘電率が低下するのを防止する。 【構成】コンデンサ付セラミック基板１０において、絶
縁体層１１Ａ、Ｂと誘電体層１２との間に介在するＡｇ
等からなる電極層１３Ａ、Ｂに含有されるガラス成分
を、２ｗｔ％以下、好ましくは１ｗｔ％以下とする。更
に、電極層１３の厚みを２０μｍ以上とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の表面または内部
にコンデンサを備えたセラミック基板に関し、特に、ガ
ラスセラミックを基板に用いたコンデンサ付きセラミッ
ク基板に関する。
にコンデンサを備えたセラミック基板に関し、特に、ガ
ラスセラミックを基板に用いたコンデンサ付きセラミッ
ク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路チップやその他の電子部品を装
着するためのセラミック基板には、通常アルミナ製基板
が用いられてきた。しかし、アルミナはおよそ１５００
℃以上の高温で焼成する必要があり、焼成費用が掛か
る。また、同時焼成によって回路配線を形成する場合に
は、比抵抗の高いＷ、Ｍｏ等の高融点金属を使用しなけ
ればならず、配線パターンが微細化するほど配線抵抗が
高くなり、高密度化、高周波駆動に限界があった。そこ
で、低抵抗のＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の導体が使用可能な低
温焼成基板として、アルミナ等のセラミック粉末とガラ
ス粉末を混合した複合材料（ガラス−セラミック）系や
結晶化ガラス系、非ガラス系等のガラスセラミックを絶
縁体層として用いた基板が開発されている。
着するためのセラミック基板には、通常アルミナ製基板
が用いられてきた。しかし、アルミナはおよそ１５００
℃以上の高温で焼成する必要があり、焼成費用が掛か
る。また、同時焼成によって回路配線を形成する場合に
は、比抵抗の高いＷ、Ｍｏ等の高融点金属を使用しなけ
ればならず、配線パターンが微細化するほど配線抵抗が
高くなり、高密度化、高周波駆動に限界があった。そこ
で、低抵抗のＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の導体が使用可能な低
温焼成基板として、アルミナ等のセラミック粉末とガラ
ス粉末を混合した複合材料（ガラス−セラミック）系や
結晶化ガラス系、非ガラス系等のガラスセラミックを絶
縁体層として用いた基板が開発されている。
【０００３】一方、集積回路の高周波駆動に伴って発生
するノイズを除去するため、セラミック基板の内部ある
いは表面にコンデンサを形成したものが開発されてい
る。このコンデンサの誘電体としては、窒化タンタル
（Ｔａ：Ｎ）やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等を用いるほか、
その高い誘電率によってコンデンサの高容量化あるいは
小面積化を目的として、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3等の
ペロブスカイト結晶構造を有するもの、特に鉛を含むペ
ロブスカイト型セラミック、例えばＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ
ＺｒＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3、ＰＭＮ等を用いたも
のが開発されている。
するノイズを除去するため、セラミック基板の内部ある
いは表面にコンデンサを形成したものが開発されてい
る。このコンデンサの誘電体としては、窒化タンタル
（Ｔａ：Ｎ）やアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等を用いるほか、
その高い誘電率によってコンデンサの高容量化あるいは
小面積化を目的として、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3等の
ペロブスカイト結晶構造を有するもの、特に鉛を含むペ
ロブスカイト型セラミック、例えばＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ
ＺｒＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3、ＰＭＮ等を用いたも
のが開発されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、かかるＢａＴ
ｉＯ3等を誘電体として用いたコンデンサ付きセラミッ
ク基板において、誘電体層、電極層およびガラスセラミ
ックからなる絶縁体層を同時焼成によって形成する場合
には、誘電体層を挟む電極層に接する絶縁体層から、ガ
ラスセラミックに含有されるＳｉＯ2、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2０3等のガラス成分が、電極層を通じ
て拡散し誘電体層の組成を変動させ、誘電体層の持つ誘
電率を著しく低下させる問題があった。
ｉＯ3等を誘電体として用いたコンデンサ付きセラミッ
ク基板において、誘電体層、電極層およびガラスセラミ
ックからなる絶縁体層を同時焼成によって形成する場合
には、誘電体層を挟む電極層に接する絶縁体層から、ガ
ラスセラミックに含有されるＳｉＯ2、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2０3等のガラス成分が、電極層を通じ
て拡散し誘電体層の組成を変動させ、誘電体層の持つ誘
電率を著しく低下させる問題があった。
【０００５】かかる問題に対して、例えば特開昭６２−
１３９３９４号公報においては、コンデンサを形成する
誘電体層とこれを挟む２つの電極層の外側に更に誘電体
層を設け、この外側の誘電体層と絶縁体層との間に金属
体層を設ける複合積層セラミック部品が開示されてい
る。かかる金属体層により、絶縁体層と外側誘電体層と
の間で、ガラス成分の拡散を防止するためである。ま
た、特開昭６２−１３９３９３号公報においては、上記
特開昭６２−１３９３９４号公報の複合積層セラミック
部品における金属体層を、誘電体材と絶縁体材の混合物
からなる中間体層に置き換えたものが開示されている。
かかる中間体層の存在により絶縁体層と誘電体層の間の
ガラス成分の濃度変化を緩和して、ガラス成分の拡散を
少なくするためである。更に、特開昭６２−１７７９０
６号公報においては、上記特開昭６２−１３９３９４号
公報の複合積層セラミック部品における金属体層を、誘
電体材料と絶縁体材料の混合物を添加した金属体層とし
たものが開示されている。かかる金属体層により、同様
に絶縁体層と誘電体層の間のガラス成分の濃度変化を緩
和して、ガラス成分の拡散を少なくするためである。
１３９３９４号公報においては、コンデンサを形成する
誘電体層とこれを挟む２つの電極層の外側に更に誘電体
層を設け、この外側の誘電体層と絶縁体層との間に金属
体層を設ける複合積層セラミック部品が開示されてい
る。かかる金属体層により、絶縁体層と外側誘電体層と
の間で、ガラス成分の拡散を防止するためである。ま
た、特開昭６２−１３９３９３号公報においては、上記
特開昭６２−１３９３９４号公報の複合積層セラミック
部品における金属体層を、誘電体材と絶縁体材の混合物
からなる中間体層に置き換えたものが開示されている。
かかる中間体層の存在により絶縁体層と誘電体層の間の
ガラス成分の濃度変化を緩和して、ガラス成分の拡散を
少なくするためである。更に、特開昭６２−１７７９０
６号公報においては、上記特開昭６２−１３９３９４号
公報の複合積層セラミック部品における金属体層を、誘
電体材料と絶縁体材料の混合物を添加した金属体層とし
たものが開示されている。かかる金属体層により、同様
に絶縁体層と誘電体層の間のガラス成分の濃度変化を緩
和して、ガラス成分の拡散を少なくするためである。
【０００６】しかし、これらの技術においては、絶縁体
層と誘電体層の間に金属体層や中間体層を介在させてい
る。このため、焼成時において、金属体層や中間体層に
含まれ液相化したガラス成分を通じて、液相化した絶縁
体層のガラス成分が、誘電体層に拡散することを避ける
ことができなかった。また、上述した金属体層や中間体
層はグリーンシート成形したものから構成されるため、
これらのグリーンシートを製造する手間が掛かり、コス
トアップとなっていた。更に、外側に誘電体層を設ける
場合には、コンデンサとしても絶縁体層としても活用で
きない層が介在することとなり、必然的に厚みが厚くな
り、製作にも手間が掛かっていた。
層と誘電体層の間に金属体層や中間体層を介在させてい
る。このため、焼成時において、金属体層や中間体層に
含まれ液相化したガラス成分を通じて、液相化した絶縁
体層のガラス成分が、誘電体層に拡散することを避ける
ことができなかった。また、上述した金属体層や中間体
層はグリーンシート成形したものから構成されるため、
これらのグリーンシートを製造する手間が掛かり、コス
トアップとなっていた。更に、外側に誘電体層を設ける
場合には、コンデンサとしても絶縁体層としても活用で
きない層が介在することとなり、必然的に厚みが厚くな
り、製作にも手間が掛かっていた。
【０００７】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであって、ガラス成分を多く含むセラミック基板に
同時焼成でコンデンサを設けるにあたり、簡易な方法で
誘電体層へのガラス成分の拡散を低減し、高い誘電率を
有するコンデンサ付きセラミック基板を提供することを
目的とする。
ものであって、ガラス成分を多く含むセラミック基板に
同時焼成でコンデンサを設けるにあたり、簡易な方法で
誘電体層へのガラス成分の拡散を低減し、高い誘電率を
有するコンデンサ付きセラミック基板を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】しかしてその解決手段
は、ペロブスカイト型セラミックからなる誘電体層と、
ガラスセラミックからなる絶縁体層と、該誘電体層と該
絶縁体層の間に介在し、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ
及びＮｉのうち少なくとも１種以上を主成分とする電極
層とを有し、該誘電体層、該電極層および該絶縁体層を
同時焼成によって形成してなるコンデンサ付きセラミッ
ク基板において、該電極層のガラス成分含有量が２ｗｔ
％以下であることを特徴とするコンデンサ付きセラミッ
ク基板とすることにある。ここで、前記電極層における
ガラス成分の含有量が１ｗｔ％以下であると、さらにガ
ラス成分の誘電体層への拡散が低減できて好ましい。ま
た、前記電極層の厚みが２０μｍ以上であると、さらに
ガラス成分の誘電体層への拡散が低減できて好ましい。
は、ペロブスカイト型セラミックからなる誘電体層と、
ガラスセラミックからなる絶縁体層と、該誘電体層と該
絶縁体層の間に介在し、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ
及びＮｉのうち少なくとも１種以上を主成分とする電極
層とを有し、該誘電体層、該電極層および該絶縁体層を
同時焼成によって形成してなるコンデンサ付きセラミッ
ク基板において、該電極層のガラス成分含有量が２ｗｔ
％以下であることを特徴とするコンデンサ付きセラミッ
ク基板とすることにある。ここで、前記電極層における
ガラス成分の含有量が１ｗｔ％以下であると、さらにガ
ラス成分の誘電体層への拡散が低減できて好ましい。ま
た、前記電極層の厚みが２０μｍ以上であると、さらに
ガラス成分の誘電体層への拡散が低減できて好ましい。
【０００９】さらに、他の解決手段は、焼成後にガラス
セラミックからなる絶縁体層となる絶縁体グリーンシー
トと、焼成後に誘電体層となる未焼成誘電体層との間
に、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ及びＮｉのうち少な
くとも１種以上を主成分とし、ガラス成分の含有量が２
ｗｔ％以下であり、焼成後に電極層となる導電ペースト
層を介在させてなる未焼成セラミック積層体を焼成して
なるコンデンサ付きセラミック基板である。ここで、前
記導電ペースト層におけるガラス成分の含有量が、１ｗ
ｔ％以下であると、さらにガラス成分の誘電体層への拡
散が低減できて好ましい。また、前記導電ペースト層
が、焼成後の前記電極層の厚みが２０μｍ以上となる厚
みである場合も、さらにガラス成分の誘電体層への拡散
が低減できて好ましい。
セラミックからなる絶縁体層となる絶縁体グリーンシー
トと、焼成後に誘電体層となる未焼成誘電体層との間
に、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ及びＮｉのうち少な
くとも１種以上を主成分とし、ガラス成分の含有量が２
ｗｔ％以下であり、焼成後に電極層となる導電ペースト
層を介在させてなる未焼成セラミック積層体を焼成して
なるコンデンサ付きセラミック基板である。ここで、前
記導電ペースト層におけるガラス成分の含有量が、１ｗ
ｔ％以下であると、さらにガラス成分の誘電体層への拡
散が低減できて好ましい。また、前記導電ペースト層
が、焼成後の前記電極層の厚みが２０μｍ以上となる厚
みである場合も、さらにガラス成分の誘電体層への拡散
が低減できて好ましい。
【００１０】
【作用】ガラスセラミックからなる絶縁体層では、ガラ
ス成分の量が多い。一方、誘電体層ではガラス成分は少
ない。従って、絶縁体層と誘電体層間にはガラス成分の
濃度差を生じる。この状態において、焼成時には、ガラ
ス成分は液相状態となるから、絶縁体層から誘電体層に
向かってガラス成分が拡散しようとする。ところで、誘
電体層では、ガラス成分が拡散すると、結晶粒界にガラ
ス成分が蓄積するほか、結晶組成や結晶構造をも変動す
ることとなる。即ち、誘電体としての特性が変動し、誘
電率が低下する。
ス成分の量が多い。一方、誘電体層ではガラス成分は少
ない。従って、絶縁体層と誘電体層間にはガラス成分の
濃度差を生じる。この状態において、焼成時には、ガラ
ス成分は液相状態となるから、絶縁体層から誘電体層に
向かってガラス成分が拡散しようとする。ところで、誘
電体層では、ガラス成分が拡散すると、結晶粒界にガラ
ス成分が蓄積するほか、結晶組成や結晶構造をも変動す
ることとなる。即ち、誘電体としての特性が変動し、誘
電率が低下する。
【００１１】ここで、ガラス成分の移動経路を考察す
る。絶縁体層と誘電体層の間には電極層があり、電極層
に含まれるガラス成分も焼成時には液相化し、絶縁体層
および誘電体層と接触する。従って、絶縁体層中のガラ
ス成分は、液相化した電極層中のガラス成分を経由して
誘電体層へ拡散すると考えられる。
る。絶縁体層と誘電体層の間には電極層があり、電極層
に含まれるガラス成分も焼成時には液相化し、絶縁体層
および誘電体層と接触する。従って、絶縁体層中のガラ
ス成分は、液相化した電極層中のガラス成分を経由して
誘電体層へ拡散すると考えられる。
【００１２】そこで、コンデンサを形成するために絶縁
体層と誘電体層の間に介在させる電極層として、ガラス
成分の含有量の少ないものを使用する。すると、焼成時
に、この電極層にはガラス成分による液相状態の移動経
路はほとんど形成されないこととなる。従って、この移
動経路を通じて絶縁体層から誘電体層にガラス成分が拡
散することが抑制される。この電極層に含有されるガラ
ス成分の量は、２ｗｔ％以下、特に１ｗｔ％以下が適当
である。誘電体として用いられるペロブスカイト型セラ
ミックでは、ガラス成分の拡散により誘電率が急激に低
下するから、ガラス成分の拡散を極力抑えることが必要
となるからである。
体層と誘電体層の間に介在させる電極層として、ガラス
成分の含有量の少ないものを使用する。すると、焼成時
に、この電極層にはガラス成分による液相状態の移動経
路はほとんど形成されないこととなる。従って、この移
動経路を通じて絶縁体層から誘電体層にガラス成分が拡
散することが抑制される。この電極層に含有されるガラ
ス成分の量は、２ｗｔ％以下、特に１ｗｔ％以下が適当
である。誘電体として用いられるペロブスカイト型セラ
ミックでは、ガラス成分の拡散により誘電率が急激に低
下するから、ガラス成分の拡散を極力抑えることが必要
となるからである。
【００１３】また、移動経路を長くして拡散を抑制する
ことも有効であり、電極層の厚みは焼成後の厚みで２０
μｍ以上あることが好ましい。なお、この厚みは厚いほ
ど、コンデンサの電極抵抗を低下させることにもなるた
め、コンデンサの特性にも好ましい。但し、厚いほど材
料費用が掛かるほか、ペースト塗布回数を増やす等の工
程が増えるため、要求される電極抵抗を勘案して、適当
な厚みにすればよい。
ことも有効であり、電極層の厚みは焼成後の厚みで２０
μｍ以上あることが好ましい。なお、この厚みは厚いほ
ど、コンデンサの電極抵抗を低下させることにもなるた
め、コンデンサの特性にも好ましい。但し、厚いほど材
料費用が掛かるほか、ペースト塗布回数を増やす等の工
程が増えるため、要求される電極抵抗を勘案して、適当
な厚みにすればよい。
【００１４】一方、電極層の材質としては、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ等が用いられる。これらの
金属は、融点が、例えばＡｇで９６２℃、Ｃｕで１０８
４℃、Ａｕで１０６４℃と低い。従って、かかる融点に
近い焼成温度（９００〜９５０℃）でセラミック基板を
焼成すると、金属粒子同士が互いの接触点を介して熱拡
散し合うため、ガラス成分等がなくとも十分に緻密化さ
れる。従って、電極層（金属粒子）の焼結を促進させる
ために添加されるガラス成分は僅少で足り、また、絶縁
体層から拡散してくる僅かなガラス成分でも焼結でき
る。また材質においては、特に、Ａｇ、ＣｕおよびＡｇ
−Ｐｄ等の銀系合金が、比較的に安価であり、低抵抗率
である等の面から好ましい。
ｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ等が用いられる。これらの
金属は、融点が、例えばＡｇで９６２℃、Ｃｕで１０８
４℃、Ａｕで１０６４℃と低い。従って、かかる融点に
近い焼成温度（９００〜９５０℃）でセラミック基板を
焼成すると、金属粒子同士が互いの接触点を介して熱拡
散し合うため、ガラス成分等がなくとも十分に緻密化さ
れる。従って、電極層（金属粒子）の焼結を促進させる
ために添加されるガラス成分は僅少で足り、また、絶縁
体層から拡散してくる僅かなガラス成分でも焼結でき
る。また材質においては、特に、Ａｇ、ＣｕおよびＡｇ
−Ｐｄ等の銀系合金が、比較的に安価であり、低抵抗率
である等の面から好ましい。
【００１５】
【実施例】本発明の内容を、図面を参照しつつ実施例に
基づいて以下に説明する。ホウケイ酸系ガラス（SiO2-A
l2O3-CaO-MgO-B2O3）粉末６５ｗｔ％と、アルミナ（Al2
O3）粉末３５ｗｔ％に、有機バインダーおよび有機溶剤
を適宜加えて泥漿とし、周知のドクターブレード法によ
ってグリーンテープとし、これを打ち抜いて３５×３５
×０．５ｍｍの絶縁体グリーンシート１を成形する。一
方、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3系誘電体粉末を、有機バ
インダー及び有機溶剤と混合して泥漿とし、同様にドク
タブレード法によりグリーンテープとし、打ち抜いて３
５×３５×０．１ｍｍの誘電体グリーンシート２を形成
する。また、純度９９．９％、平均粒径３．０μｍのＡ
ｇ粉末に、転移温度Ｔｇ＝５６０℃のガラス成分（PbO-
BaO-SiO2）を０〜５ｗｔ％加え、更にアクリルバインダ
ー、可塑剤および有機溶剤と混合して導体ペーストを製
作した。
基づいて以下に説明する。ホウケイ酸系ガラス（SiO2-A
l2O3-CaO-MgO-B2O3）粉末６５ｗｔ％と、アルミナ（Al2
O3）粉末３５ｗｔ％に、有機バインダーおよび有機溶剤
を適宜加えて泥漿とし、周知のドクターブレード法によ
ってグリーンテープとし、これを打ち抜いて３５×３５
×０．５ｍｍの絶縁体グリーンシート１を成形する。一
方、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3系誘電体粉末を、有機バ
インダー及び有機溶剤と混合して泥漿とし、同様にドク
タブレード法によりグリーンテープとし、打ち抜いて３
５×３５×０．１ｍｍの誘電体グリーンシート２を形成
する。また、純度９９．９％、平均粒径３．０μｍのＡ
ｇ粉末に、転移温度Ｔｇ＝５６０℃のガラス成分（PbO-
BaO-SiO2）を０〜５ｗｔ％加え、更にアクリルバインダ
ー、可塑剤および有機溶剤と混合して導体ペーストを製
作した。
【００１６】次いで、図１および図２に示すように、絶
縁体グリーンシート１Ａの図中の上側表面１Ａ1に周囲
２．５ｍｍを除く全面（３０×３０ｍｍ）に、導体ペー
ストを塗布し乾燥して導体ペースト層３Ａを形成する。
また、誘電体グリーンシート２には、φ０．２５ｍｍの
ビアホール用孔を穿孔し、ここにＡｇからなるビアホー
ル用インクを充填してビアホール４Ａ1を形成する。さ
らに、このシート２の図中上側の表面２Ａに、周囲２．
５ｍｍおよびビアホール４Ａ1付近φ１ｍｍのみを除い
た全面（３０×３０ｍｍ）に導体ペーストを塗布し乾燥
して導体ペースト層３Ｂを形成する。更に、別の絶縁体
グリーンシート１Ｂに予め空けておいたφ０．２５ｍｍ
のビアホール用孔にＡｇからなるビアホール用インクを
充填してビアホール４Ａ2および４Ｂとし、更に上側表
面１Ｂ1にこれらのビアホールに接続するように静電容
量測定用のφ２．０ｍｍのパッド５Ａ、５Ｂを導体ペー
ストを用いて印刷・形成する。
縁体グリーンシート１Ａの図中の上側表面１Ａ1に周囲
２．５ｍｍを除く全面（３０×３０ｍｍ）に、導体ペー
ストを塗布し乾燥して導体ペースト層３Ａを形成する。
また、誘電体グリーンシート２には、φ０．２５ｍｍの
ビアホール用孔を穿孔し、ここにＡｇからなるビアホー
ル用インクを充填してビアホール４Ａ1を形成する。さ
らに、このシート２の図中上側の表面２Ａに、周囲２．
５ｍｍおよびビアホール４Ａ1付近φ１ｍｍのみを除い
た全面（３０×３０ｍｍ）に導体ペーストを塗布し乾燥
して導体ペースト層３Ｂを形成する。更に、別の絶縁体
グリーンシート１Ｂに予め空けておいたφ０．２５ｍｍ
のビアホール用孔にＡｇからなるビアホール用インクを
充填してビアホール４Ａ2および４Ｂとし、更に上側表
面１Ｂ1にこれらのビアホールに接続するように静電容
量測定用のφ２．０ｍｍのパッド５Ａ、５Ｂを導体ペー
ストを用いて印刷・形成する。
【００１７】この３枚のグリーンシートを積層し、３０
ｋｇｆ／ｍｍ2の圧力で圧着して、図２に示すような断
面を有する未焼成セラミック成形体６を形成する。更に
この未焼成セラミック成形体６を、大気雰囲気中で、９
３０℃、２時間焼成し、およそ２９×２９×０．９ｍｍ
のコンデンサ付きセラミック基板を製作した。
ｋｇｆ／ｍｍ2の圧力で圧着して、図２に示すような断
面を有する未焼成セラミック成形体６を形成する。更に
この未焼成セラミック成形体６を、大気雰囲気中で、９
３０℃、２時間焼成し、およそ２９×２９×０．９ｍｍ
のコンデンサ付きセラミック基板を製作した。
【００１８】これにより、中央に誘電体層１２を有し、
その上下面には電極層１３Ａ、１３Ｂを備えることによ
りコンデンサＣを構成し、このコンデンサＣを挟むよう
に絶縁体層１１Ａ、１１Ｂを備え、絶縁体層１１Ｂの上
側表面１１Ｂ1上のパッド１５Ａから電極層１３Ａに接
続するビアホール１４Ａ、および表面１１Ｂ1のパッド
１５Ｂから電極層１３Ｂに接続するビアホール１４Ｂを
備えたコンデンサ付きセラミック基板１０を得た。コン
デンサＣの静電容量は、このパッド１５Ａおよび１５Ｂ
に静電容量計の端子を接続することで測定される。な
お、静電容量の測定周波数は、セラミック基板の実際の
使用周波数に近い５００ｋＨｚで測定した。
その上下面には電極層１３Ａ、１３Ｂを備えることによ
りコンデンサＣを構成し、このコンデンサＣを挟むよう
に絶縁体層１１Ａ、１１Ｂを備え、絶縁体層１１Ｂの上
側表面１１Ｂ1上のパッド１５Ａから電極層１３Ａに接
続するビアホール１４Ａ、および表面１１Ｂ1のパッド
１５Ｂから電極層１３Ｂに接続するビアホール１４Ｂを
備えたコンデンサ付きセラミック基板１０を得た。コン
デンサＣの静電容量は、このパッド１５Ａおよび１５Ｂ
に静電容量計の端子を接続することで測定される。な
お、静電容量の測定周波数は、セラミック基板の実際の
使用周波数に近い５００ｋＨｚで測定した。
【００１９】ここで、上記導体ペーストの組成と電極層
１３Ａ、Ｂの厚みを変化した場合について、コンデンサ
Ｃの静電容量から算出した誘電体層１２の持つ比誘電率
εの変化を表１に示す。なお、本実施例において誘電体
層に使用したＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3系誘電体は、単
体で焼成した場合には、比誘電率εが１６６０を示す材
質である。
１３Ａ、Ｂの厚みを変化した場合について、コンデンサ
Ｃの静電容量から算出した誘電体層１２の持つ比誘電率
εの変化を表１に示す。なお、本実施例において誘電体
層に使用したＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3系誘電体は、単
体で焼成した場合には、比誘電率εが１６６０を示す材
質である。
【００２０】 注）１．本実施例で使用した誘電体を単独で焼成したときの比誘電率は、 １６６０であった。 ２．添加物の内、Ｓｉ（０Ｅｔ）4とは、Ｓｉ（０−Ｃ2Ｈ5）4を示し、 焼成後にＳｉＯ2となるものである。
【００２１】表１から判るように、電極層の厚みが同じ
２０μｍの場合（試料番号３、６、７、８）には、導体
ペーストのガラス成分の少ない方が誘電体層の比誘電率
が高く、Ａｇが１００％の場合では、比誘電率εは最も
高い値である１２９０を示す。これは、前述したよう
に、導体ペースト従って電極層に含まれるガラス成分が
少ないと、絶縁体層１１Ａ、Ｂから電極層１３Ａ、Ｂを
経由して誘電体層１２へ拡散するガラス成分が少なくな
るためであると考えられる。一方、Ａｇが１００％、即
ちガラス成分を含有しない場合（試料番号１〜５）にお
いて、電極層の厚みの影響を比較すると、電極層の厚み
の厚いほど誘電体層の比誘電率が増加することが判る。
これも前述したように、電極層１３Ａ、Ｂが厚くなるこ
とにより、絶縁体層１１Ａ、Ｂから誘電体層１２へガラ
ス成分が拡散する移動経路が長くなるので、結果として
誘電体層１２へのガラス成分の拡散が少なくなったため
と考えられる。この場合において、電極層１３Ａおよび
Ｂの厚みが１５μｍ〜２０μｍの範囲で、誘電体層１２
の比誘電率が急激に変化していることが判る。従って、
電極層１３Ａ、Ｂは、それぞれ２０μｍ以上の厚みとす
るのが良いことが判る。
２０μｍの場合（試料番号３、６、７、８）には、導体
ペーストのガラス成分の少ない方が誘電体層の比誘電率
が高く、Ａｇが１００％の場合では、比誘電率εは最も
高い値である１２９０を示す。これは、前述したよう
に、導体ペースト従って電極層に含まれるガラス成分が
少ないと、絶縁体層１１Ａ、Ｂから電極層１３Ａ、Ｂを
経由して誘電体層１２へ拡散するガラス成分が少なくな
るためであると考えられる。一方、Ａｇが１００％、即
ちガラス成分を含有しない場合（試料番号１〜５）にお
いて、電極層の厚みの影響を比較すると、電極層の厚み
の厚いほど誘電体層の比誘電率が増加することが判る。
これも前述したように、電極層１３Ａ、Ｂが厚くなるこ
とにより、絶縁体層１１Ａ、Ｂから誘電体層１２へガラ
ス成分が拡散する移動経路が長くなるので、結果として
誘電体層１２へのガラス成分の拡散が少なくなったため
と考えられる。この場合において、電極層１３Ａおよび
Ｂの厚みが１５μｍ〜２０μｍの範囲で、誘電体層１２
の比誘電率が急激に変化していることが判る。従って、
電極層１３Ａ、Ｂは、それぞれ２０μｍ以上の厚みとす
るのが良いことが判る。
【００２２】なお、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3系誘電体
に、ガラス成分であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ等が拡散すると、結晶粒界にガラス成分が偏析する
ほか、例えば、ＰｂＴｉＯ3＋ＳｉＯ2→ＰｂＴｉ2Ｏ7＋
Ｐｂ4ＳｉＯ6や、ＰｂＺｒＯ3＋ＳｉＯ2→Ｐｂ4ＳｉＯ6
＋ＺｒＯ2等の反応が生じてペロブスカイト系の結晶系
が崩れ、誘電率が低下すると考えられる。これは、誘電
体層のＸ線回折分析において、比誘電率εの低い試料ほ
ど、ＰｂＴｉＯ3やＰｂＺｒＯ3の結晶の存在を示すピー
クが低くなっていることからも裏付けられた。
に、ガラス成分であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ等が拡散すると、結晶粒界にガラス成分が偏析する
ほか、例えば、ＰｂＴｉＯ3＋ＳｉＯ2→ＰｂＴｉ2Ｏ7＋
Ｐｂ4ＳｉＯ6や、ＰｂＺｒＯ3＋ＳｉＯ2→Ｐｂ4ＳｉＯ6
＋ＺｒＯ2等の反応が生じてペロブスカイト系の結晶系
が崩れ、誘電率が低下すると考えられる。これは、誘電
体層のＸ線回折分析において、比誘電率εの低い試料ほ
ど、ＰｂＴｉＯ3やＰｂＺｒＯ3の結晶の存在を示すピー
クが低くなっていることからも裏付けられた。
【００２３】また、試料番号９では、有機金属であるＳ
ｉ（０Ｅｔ）4を導体ペーストに添加した場合について
示した。ここで、Ｓｉ（０Ｅｔ）4とは、Ｓｉ（０−Ｃ2
Ｈ5）4を示し、焼成後にＳｉＯ2となるものである。表
１によれば、Ｓｉ（０Ｅｔ）4を２ｗｔ％（ＳｉＯ2に換
算して０．５８ｗｔ％）添加した場合でも、比誘電率の
低下を示す。これは、焼成により、ＳｉＯ2が誘電体層
に拡散し、ＳｉもしくはＳｉＯ2がＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺ
ｒＯ3系誘電体と反応したため、誘電体層の比誘電率が
低下したものと考えられる。即ち、この試料の結果から
も、試料番号１〜８の場合における比誘電率εの低下
は、ガラス成分の拡散による誘電体の結晶組成の変化に
起因することを裏付けている。
ｉ（０Ｅｔ）4を導体ペーストに添加した場合について
示した。ここで、Ｓｉ（０Ｅｔ）4とは、Ｓｉ（０−Ｃ2
Ｈ5）4を示し、焼成後にＳｉＯ2となるものである。表
１によれば、Ｓｉ（０Ｅｔ）4を２ｗｔ％（ＳｉＯ2に換
算して０．５８ｗｔ％）添加した場合でも、比誘電率の
低下を示す。これは、焼成により、ＳｉＯ2が誘電体層
に拡散し、ＳｉもしくはＳｉＯ2がＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺ
ｒＯ3系誘電体と反応したため、誘電体層の比誘電率が
低下したものと考えられる。即ち、この試料の結果から
も、試料番号１〜８の場合における比誘電率εの低下
は、ガラス成分の拡散による誘電体の結晶組成の変化に
起因することを裏付けている。
【００２４】（参考例）更に、ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒ
Ｏ3系誘電体にガラス成分を添加した場合の比誘電率ε
の変化を調査する事により、ガラス成分が拡散した場合
の影響を考察する。上記実施例で用いたＰｂＴｉＯ3−
ＰｂＺｒＯ3系誘電体粉末に、同様に実施例で用いたホ
ウケイ酸系ガラス（SiO2-Al2O3-CaO-MgO-B2O3）粉末を
０〜７ｗｔ％添加した。この粉末をプレス成形（φ１１
×２ｍｍ）後、９３０℃で２時間焼成した。この焼成体
の上下面にＡｇ−エポキシペーストを電極として塗布・
乾燥後、この焼成体の５００ｋＨｚにおける比誘電率ε
を測定した。
Ｏ3系誘電体にガラス成分を添加した場合の比誘電率ε
の変化を調査する事により、ガラス成分が拡散した場合
の影響を考察する。上記実施例で用いたＰｂＴｉＯ3−
ＰｂＺｒＯ3系誘電体粉末に、同様に実施例で用いたホ
ウケイ酸系ガラス（SiO2-Al2O3-CaO-MgO-B2O3）粉末を
０〜７ｗｔ％添加した。この粉末をプレス成形（φ１１
×２ｍｍ）後、９３０℃で２時間焼成した。この焼成体
の上下面にＡｇ−エポキシペーストを電極として塗布・
乾燥後、この焼成体の５００ｋＨｚにおける比誘電率ε
を測定した。
【００２５】測定結果のグラフを図４に示す。このグラ
フより、焼成体へのガラス添加量が増加するに従って、
比誘電率εが低下していることが判る。これは、ガラス
成分の存在が、誘電体の結晶組成を変動させることを示
しており、上記実施例の結果を裏付けるものである。こ
こで、ガラス成分の添加量が２ｗｔ％を越えると特に比
誘電率εの低下が著しい。従って、焼成後に誘電体層１
２に存在するガラス成分は最大でも２ｗｔ％以下に抑制
する必要があることが判る。とすると、ガラス成分の濃
度差により、電極層１３Ａ、Ｂから誘電体層１２にガラ
ス成分が拡散するのであるから、電極層１３Ａ、Ｂに含
まれるガラス成分を２ｗｔ％以下にすれば、誘電体層１
２のガラス成分は最大でも２ｗｔ％に抑制することがで
きる。
フより、焼成体へのガラス添加量が増加するに従って、
比誘電率εが低下していることが判る。これは、ガラス
成分の存在が、誘電体の結晶組成を変動させることを示
しており、上記実施例の結果を裏付けるものである。こ
こで、ガラス成分の添加量が２ｗｔ％を越えると特に比
誘電率εの低下が著しい。従って、焼成後に誘電体層１
２に存在するガラス成分は最大でも２ｗｔ％以下に抑制
する必要があることが判る。とすると、ガラス成分の濃
度差により、電極層１３Ａ、Ｂから誘電体層１２にガラ
ス成分が拡散するのであるから、電極層１３Ａ、Ｂに含
まれるガラス成分を２ｗｔ％以下にすれば、誘電体層１
２のガラス成分は最大でも２ｗｔ％に抑制することがで
きる。
【００２６】なお、前記実施例においては、絶縁体層と
してホウケイ酸系ガラスとアルミナ粉末との複合材料系
ガラスセラミックを使用したが、結晶化ガラス系、非ガ
ラス系のガラスセラミックを用いても良い。更に、絶縁
体層としてガラス成分を多量（およそ３０ｗｔ％以上）
に含有するセラミック材料（広義のガラスセラミック材
料）であればこれに限らず本発明が適用できる。
してホウケイ酸系ガラスとアルミナ粉末との複合材料系
ガラスセラミックを使用したが、結晶化ガラス系、非ガ
ラス系のガラスセラミックを用いても良い。更に、絶縁
体層としてガラス成分を多量（およそ３０ｗｔ％以上）
に含有するセラミック材料（広義のガラスセラミック材
料）であればこれに限らず本発明が適用できる。
【００２７】また、前記実施例では、導体ペースト用の
金属粉末にＡｇを使用して電極層としたが、これに限ら
ず、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ及びＮｉでも良く、またこ
れらの合金であるＡｇ−ＰｄやＡｇ−Ｐｔ等これらの金
属のうち少なくとも１種以上を主成分するものであれば
良い。これらの金属粉末は、低温（９００〜１０００℃
程度）において、ガラス成分を添加しないあるいは微量
の添加で、焼結でき電極層を形成できるからである。
金属粉末にＡｇを使用して電極層としたが、これに限ら
ず、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ及びＮｉでも良く、またこ
れらの合金であるＡｇ−ＰｄやＡｇ−Ｐｔ等これらの金
属のうち少なくとも１種以上を主成分するものであれば
良い。これらの金属粉末は、低温（９００〜１０００℃
程度）において、ガラス成分を添加しないあるいは微量
の添加で、焼結でき電極層を形成できるからである。
【００２８】また、前記実施例では、誘電体層にＰｂＴ
ｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3系誘電体を用いたが、ＢａＴｉＯ3
等のペロブスカイト型誘電体材料、特に鉛系ペロブスカ
イト型誘電体材料等の高誘電率材料を用いて誘電体とし
た場合にも適用できる。これらは、ガラス成分の拡散に
より、容易にその結晶組成を変え誘電率が変動・低下す
るからである。
ｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3系誘電体を用いたが、ＢａＴｉＯ3
等のペロブスカイト型誘電体材料、特に鉛系ペロブスカ
イト型誘電体材料等の高誘電率材料を用いて誘電体とし
た場合にも適用できる。これらは、ガラス成分の拡散に
より、容易にその結晶組成を変え誘電率が変動・低下す
るからである。
【００２９】
【効果】以上により明らかなように、本発明によれば、
誘電体層に絶縁体層からのガラス成分が拡散しないよう
にするために、絶縁体層と誘電体層の間に介在する電極
層のガラス成分の含有量を２ｗｔ％以下、特に好ましく
はガラス成分を１ｗｔ％以下にすればよい。あるいは、
ガラス成分の含有量が２ｗｔ％以下の導体ペーストを塗
布し焼成して電極層とすれば良い。かかる簡便な手法に
よって、絶縁体層から誘電体層へのガラス成分の拡散が
抑制され、従って誘電体層の非誘電率εは十分高く保持
され、高い静電容量を有するコンデンサが形成できる。
誘電体層に絶縁体層からのガラス成分が拡散しないよう
にするために、絶縁体層と誘電体層の間に介在する電極
層のガラス成分の含有量を２ｗｔ％以下、特に好ましく
はガラス成分を１ｗｔ％以下にすればよい。あるいは、
ガラス成分の含有量が２ｗｔ％以下の導体ペーストを塗
布し焼成して電極層とすれば良い。かかる簡便な手法に
よって、絶縁体層から誘電体層へのガラス成分の拡散が
抑制され、従って誘電体層の非誘電率εは十分高く保持
され、高い静電容量を有するコンデンサが形成できる。
【００３０】本発明により、ガラスセラミック等の比誘
電率が低い絶縁体層と、Ａｇ等の低抵抗の配線材料を用
いた配線を備える低温焼成セラミック基板中に、同時焼
成により、高い誘電率を有するペロブスカイト系誘電体
を使用したコンデンサを形成することができるので、信
号の伝送速度を速く、かつノイズ除去能力を高くでき
る。従って、より高い駆動周波数に対応したコンデンサ
付きセラミック基板を形成することができる。
電率が低い絶縁体層と、Ａｇ等の低抵抗の配線材料を用
いた配線を備える低温焼成セラミック基板中に、同時焼
成により、高い誘電率を有するペロブスカイト系誘電体
を使用したコンデンサを形成することができるので、信
号の伝送速度を速く、かつノイズ除去能力を高くでき
る。従って、より高い駆動周波数に対応したコンデンサ
付きセラミック基板を形成することができる。
【図１】未焼成セラミック成形体を構成する各シートの
状態を示す斜視図である。
状態を示す斜視図である。
【図２】未焼成セラミック成形体の断面図である。
【図３】コンデンサ付きセラミック基板の断面図であ
る。
る。
【図４】ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3系誘電体にガラス成
分を添加し焼成たものの、ガラス添加量と比誘電率εの
関係を示すグラフである。
分を添加し焼成たものの、ガラス添加量と比誘電率εの
関係を示すグラフである。
１：絶縁体グリーンシート ２：誘電体グリーンシート ３：導体ペースト層 ４：ビアホール ５：パッド ６：未焼成セラミック成形体 １０：コンデンサ付きセラミック基板 １１：絶縁体層 １２：誘電体層 １３：電極層 １４：ビアホール １５：パッド
Claims (6)
- 【請求項１】ペロブスカイト型セラミックからなる誘電
体層と、ガラスセラミックからなる絶縁体層と、該誘電
体層と該絶縁体層の間に介在し、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐ
ｔ、Ｃｕ及びＮｉのうち少なくとも１種以上を主成分と
する電極層とを有し、該誘電体層、該電極層および該絶
縁体層を同時焼成によって形成してなるコンデンサ付き
セラミック基板において、該電極層のガラス成分含有量
が２ｗｔ％以下であることを特徴とするコンデンサ付き
セラミック基板。 - 【請求項２】前記電極層におけるガラス成分の含有量が
１ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の
コンデンサ付きセラミック基板 - 【請求項３】前記電極層の厚みが２０μｍ以上であるこ
とを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のコ
ンデンサ付きセラミック基板。 - 【請求項４】焼成後にガラスセラミックからなる絶縁体
層となる絶縁体グリーンシートと、焼成後にペロブスカ
イト形セラミックからなる誘電体層となる未焼成誘電体
層との間に、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ及びＮｉの
うち少なくとも１種以上を主成分とし、ガラス成分の含
有量が２ｗｔ％以下であり、焼成後に電極層となる導電
ペースト層を介在させてなる未焼成セラミック積層体を
焼成してなるコンデンサ付きセラミック基板。 - 【請求項５】前記導電ペースト層におけるガラス成分の
含有量が１ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項３
に記載のコンデンサ付きセラミック基板。 - 【請求項６】前記導電ペースト層が、焼成後の前記電極
層の厚みが２０μｍ以上となる厚みであることを特徴と
する請求項３または４のいずれかに記載のコンデンサ付
きセラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7127271A JPH08298365A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | コンデンサ付きセラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7127271A JPH08298365A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | コンデンサ付きセラミック基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08298365A true JPH08298365A (ja) | 1996-11-12 |
Family
ID=14955875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7127271A Pending JPH08298365A (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | コンデンサ付きセラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08298365A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5948536A (en) * | 1996-05-10 | 1999-09-07 | Tdk Corporation | Glass composition for substrates with a built-in lead base dielectric material, and multilayer substrate with a built-in capacitor |
| JP2005285968A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
| JP2007184369A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Kyocera Corp | 配線基板とその製造方法 |
| JPWO2013084334A1 (ja) * | 2011-12-08 | 2015-04-27 | 日本碍子株式会社 | 大容量モジュール用基板、及び当該基板の製造方法 |
-
1995
- 1995-04-26 JP JP7127271A patent/JPH08298365A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5948536A (en) * | 1996-05-10 | 1999-09-07 | Tdk Corporation | Glass composition for substrates with a built-in lead base dielectric material, and multilayer substrate with a built-in capacitor |
| JP2005285968A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
| JP2007184369A (ja) * | 2006-01-05 | 2007-07-19 | Kyocera Corp | 配線基板とその製造方法 |
| JPWO2013084334A1 (ja) * | 2011-12-08 | 2015-04-27 | 日本碍子株式会社 | 大容量モジュール用基板、及び当該基板の製造方法 |
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