JPH05326788A - リードフレーム素材及びこれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレーム素材及びこれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JPH05326788A JPH05326788A JP4132717A JP13271792A JPH05326788A JP H05326788 A JPH05326788 A JP H05326788A JP 4132717 A JP4132717 A JP 4132717A JP 13271792 A JP13271792 A JP 13271792A JP H05326788 A JPH05326788 A JP H05326788A
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- Japan
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- lead frame
- lead
- thin
- frame material
- semiconductor device
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、リードフレームの先端部分（イン
ナーリード部分）を薄肉にし、リード成形後における断
面形状が均一になると共に一層の多ピン構造に適合し得
るリードフレーム素材、及び該素材を加工して制作した
リードフレームを用いる半導体装置を提供する。 【構成】 製品厚さにしたリードフレーム素材板に、あ
らかじめ定めたリードフレーム採寸ピッチ内で、リード
フレームの少なくともインナーリード先端となる部分を
プレス加工等の手段でで薄肉化したことを特徴とすると
するリードフレーム素材。及び該素材を公知の手段で加
工して薄肉インナーリード部を有するリードフレームに
成形し、ダイパッドに搭載した半導体素子と、前記薄肉
インナーリードを細線で連結した構成体を樹脂封止した
ことを特徴とする半導体装置である。
ナーリード部分）を薄肉にし、リード成形後における断
面形状が均一になると共に一層の多ピン構造に適合し得
るリードフレーム素材、及び該素材を加工して制作した
リードフレームを用いる半導体装置を提供する。 【構成】 製品厚さにしたリードフレーム素材板に、あ
らかじめ定めたリードフレーム採寸ピッチ内で、リード
フレームの少なくともインナーリード先端となる部分を
プレス加工等の手段でで薄肉化したことを特徴とすると
するリードフレーム素材。及び該素材を公知の手段で加
工して薄肉インナーリード部を有するリードフレームに
成形し、ダイパッドに搭載した半導体素子と、前記薄肉
インナーリードを細線で連結した構成体を樹脂封止した
ことを特徴とする半導体装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特殊加工したインナーリ
ード用素材及びこの素材を利用した半導体装置に関する
ものである。
ード用素材及びこの素材を利用した半導体装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子に形成される集積回路は、年
を追うごとに高集積、高機能化されており、これに伴っ
て接続回路も著しい多ピン構造となっている。この多ピ
ン構造にするために必然的に要求されるのが、リードフ
レームのファインピッチ化である。
を追うごとに高集積、高機能化されており、これに伴っ
て接続回路も著しい多ピン構造となっている。この多ピ
ン構造にするために必然的に要求されるのが、リードフ
レームのファインピッチ化である。
【０００３】従来、リードフレームを加工する方法に
は、マスキングした素材を腐食液中でエッチングしてリ
ード等を成形するエッチング法、或いはプレス打抜きで
成形するプレス加工法がある。プレス加工法は比較的簡
易にリードフレームを成形できるが、多ピン化傾向に対
応して数百オーダーのリードを加工するのは困難とされ
ている。一方、エチィング法ではプレス加工法に較べて
加工工数が多くコストも高いが、比較的高精度のファイ
ンピッチ化が可能となる。
は、マスキングした素材を腐食液中でエッチングしてリ
ード等を成形するエッチング法、或いはプレス打抜きで
成形するプレス加工法がある。プレス加工法は比較的簡
易にリードフレームを成形できるが、多ピン化傾向に対
応して数百オーダーのリードを加工するのは困難とされ
ている。一方、エチィング法ではプレス加工法に較べて
加工工数が多くコストも高いが、比較的高精度のファイ
ンピッチ化が可能となる。
【０００４】通常、リードフレームをファインピッチ化
する場合に、リード幅の限界は板厚の７〜８割程度とい
われている。従って、更にファインピッチ化するために
リード幅を狭くするには板厚を薄くする必要がある。し
かし、板厚を薄くすることは強度不足を招くことにな
り、ハンドリングや接合等においてリードが曲ったり、
折れたりする不都合が起りやすい。
する場合に、リード幅の限界は板厚の７〜８割程度とい
われている。従って、更にファインピッチ化するために
リード幅を狭くするには板厚を薄くする必要がある。し
かし、板厚を薄くすることは強度不足を招くことにな
り、ハンドリングや接合等においてリードが曲ったり、
折れたりする不都合が起りやすい。
【０００５】また、従来のリードフレーム素材は厚さが
均等であるが、エッチングでリードフレームを制作する
際に均一に腐食されない場合があり、特に幅が狭くなる
リードフレーム先端部分は、その断面を図８に示すよう
に腐食が局部的に進行し、均一な断面にならないことが
ある。従って、強度低下を生じることがあると共に特に
表面部にも腐食が及ぶと接合面積が不足し、ワイヤボン
ディングが不可能となることがある。
均等であるが、エッチングでリードフレームを制作する
際に均一に腐食されない場合があり、特に幅が狭くなる
リードフレーム先端部分は、その断面を図８に示すよう
に腐食が局部的に進行し、均一な断面にならないことが
ある。従って、強度低下を生じることがあると共に特に
表面部にも腐食が及ぶと接合面積が不足し、ワイヤボン
ディングが不可能となることがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、現状では
多ピン化に伴うリード先端幅とピッチの加工は限界に入
っているといえる。本発明は上記したような現状の問題
点を解消するものであって、リードフレームの先端部分
（インナーリード部分）を薄肉にし、リード成形後にお
ける断面形状が均一になると共に一層の多ピン構造に適
合し得るリードフレーム素材、及び該素材を加工して制
作したリードフレームを用いる半導体装置を提供するこ
とを目的とするものである。
多ピン化に伴うリード先端幅とピッチの加工は限界に入
っているといえる。本発明は上記したような現状の問題
点を解消するものであって、リードフレームの先端部分
（インナーリード部分）を薄肉にし、リード成形後にお
ける断面形状が均一になると共に一層の多ピン構造に適
合し得るリードフレーム素材、及び該素材を加工して制
作したリードフレームを用いる半導体装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は以下の構成を要旨とする。すなわち、 (1)製品厚さにしたリードフレーム素材板に、あらかじ
め定めたリードフレーム採寸ピッチ内で、リードフレー
ムの少なくともインナーリード先端となる部分を薄肉化
したことを特徴とするとするリードフレーム素材。 (2)前記インナーリード先端となる部分を、プレス加工
で薄肉凹部に形成してなることを特徴とするリードフレ
ーム素材。 (3)前記リードフレームの少なくともインナーリード先
端となる部分を素材より除去し、この除去した部分に薄
肉板を接合したことを特徴とするとするリードフレーム
素材。 (4)前各項のリードフレーム素材をエッチング、プレス
等公知の手段で薄肉インナーリード部を有するリードフ
レームに成形し、ダイパッドに搭載した半導体素子と、
前記薄肉インナーリードを細線で連結した構成体を樹脂
封止したことを特徴とする半導体装置である。
に本発明は以下の構成を要旨とする。すなわち、 (1)製品厚さにしたリードフレーム素材板に、あらかじ
め定めたリードフレーム採寸ピッチ内で、リードフレー
ムの少なくともインナーリード先端となる部分を薄肉化
したことを特徴とするとするリードフレーム素材。 (2)前記インナーリード先端となる部分を、プレス加工
で薄肉凹部に形成してなることを特徴とするリードフレ
ーム素材。 (3)前記リードフレームの少なくともインナーリード先
端となる部分を素材より除去し、この除去した部分に薄
肉板を接合したことを特徴とするとするリードフレーム
素材。 (4)前各項のリードフレーム素材をエッチング、プレス
等公知の手段で薄肉インナーリード部を有するリードフ
レームに成形し、ダイパッドに搭載した半導体素子と、
前記薄肉インナーリードを細線で連結した構成体を樹脂
封止したことを特徴とする半導体装置である。
【０００８】以下に本発明を詳細に説明する。図１は本
発明のリードフレーム素材１の一例を示す。この素材は
従来使用されている４２Ｎｉ合金或いはＣｕ等からなる
合金や金属であり、圧延で製造された板（帯）から切り
出されたものである。素材の厚さは種々あるが、現状で
多ピン限界とされる厚さは１００〜１５０μｍであり、
本発明はこの様な素材をベースにしても、現状以上の一
層の多ピン化傾向に対応できる。
発明のリードフレーム素材１の一例を示す。この素材は
従来使用されている４２Ｎｉ合金或いはＣｕ等からなる
合金や金属であり、圧延で製造された板（帯）から切り
出されたものである。素材の厚さは種々あるが、現状で
多ピン限界とされる厚さは１００〜１５０μｍであり、
本発明はこの様な素材をベースにしても、現状以上の一
層の多ピン化傾向に対応できる。
【０００９】本発明は上記した材質の素材１から、リー
ドフレームを従来より行われているエッチング法を用い
て採取するのであるが、それに先立って、エッチングパ
ターンに基づき、素材表面に予め定めたリードフレーム
採取位置決めをし、そのリード先端部分、即ちインナー
リード部分或いは最小限インナーリードの先端となる部
分に、薄肉化した凹部２（２ａ〜２ｎ）を形成する。採
取すべきリードフレームの一例をＢ部（点線）に示し
た。
ドフレームを従来より行われているエッチング法を用い
て採取するのであるが、それに先立って、エッチングパ
ターンに基づき、素材表面に予め定めたリードフレーム
採取位置決めをし、そのリード先端部分、即ちインナー
リード部分或いは最小限インナーリードの先端となる部
分に、薄肉化した凹部２（２ａ〜２ｎ）を形成する。採
取すべきリードフレームの一例をＢ部（点線）に示し
た。
【００１０】凹部２の形成は、凹部２成形用の凸部を有
する押型（図示せず）でプレスする方法を採用すること
が好ましい。これにより圧下成形される薄肉部３は元の
厚さより最低でも１／６は減厚される。減厚度合はピン
数や材質によっても異なるが、あまり薄くするとハンド
リング等に不便を来すので元の厚さの２／３を超えない
ようにすることが望ましい。しかもこの様な減厚部分は
プレスにより強度が上昇する。図２に図１のＡ−Ａ線断
面、即ち凹部２断面の一例を拡大して示しているよう
に、インナーリード及びパッド部分を凹部としている。
凹部２はこの様な断面形状に限らず、例えば図３に示す
ように半導体素子を載置するダイパッド４部分は圧下を
せず、インナーリードとなる部分のみに圧下を加えて凹
部２を形成してもよい。凹部２の裏側にはプレスにより
材料が突出することもあるが、この場合はグラインダー
等によって除去すればよい。
する押型（図示せず）でプレスする方法を採用すること
が好ましい。これにより圧下成形される薄肉部３は元の
厚さより最低でも１／６は減厚される。減厚度合はピン
数や材質によっても異なるが、あまり薄くするとハンド
リング等に不便を来すので元の厚さの２／３を超えない
ようにすることが望ましい。しかもこの様な減厚部分は
プレスにより強度が上昇する。図２に図１のＡ−Ａ線断
面、即ち凹部２断面の一例を拡大して示しているよう
に、インナーリード及びパッド部分を凹部としている。
凹部２はこの様な断面形状に限らず、例えば図３に示す
ように半導体素子を載置するダイパッド４部分は圧下を
せず、インナーリードとなる部分のみに圧下を加えて凹
部２を形成してもよい。凹部２の裏側にはプレスにより
材料が突出することもあるが、この場合はグラインダー
等によって除去すればよい。
【００１１】また、凹部２の形成方法は上記に限らず、
例えば図４に示すように、先ずインナーリードとなる部
分を打抜き、この打抜いた部分に別の薄肉部材５をロウ
付け、溶接等の公知の接合手段で一体的に強固に接続６
する方法を採用できる。
例えば図４に示すように、先ずインナーリードとなる部
分を打抜き、この打抜いた部分に別の薄肉部材５をロウ
付け、溶接等の公知の接合手段で一体的に強固に接続６
する方法を採用できる。
【００１２】この様に凹部２を形成した素材は、その凹
部を含む表面にホトレジストでエッチングパターンを形
成し、公知の手段でエッチングを行うことにより、図５
に断面パターンを示すように、通常の肉厚を持つアウタ
ーリード部７とアウターリード部７のほぼ２／３以下の
厚さを有するインナーリード８及びダイパッド４からな
るリードフレーム９を得ることができる。また、この際
得られる薄肉インナーリード８は、図６に示すように表
面が浸蝕されることなく所定のボンディングエリヤを確
保する巾（min.９０μｍ）を有し、かつ表裏がほぼ等し
い均一な断面形状となっている。
部を含む表面にホトレジストでエッチングパターンを形
成し、公知の手段でエッチングを行うことにより、図５
に断面パターンを示すように、通常の肉厚を持つアウタ
ーリード部７とアウターリード部７のほぼ２／３以下の
厚さを有するインナーリード８及びダイパッド４からな
るリードフレーム９を得ることができる。また、この際
得られる薄肉インナーリード８は、図６に示すように表
面が浸蝕されることなく所定のボンディングエリヤを確
保する巾（min.９０μｍ）を有し、かつ表裏がほぼ等し
い均一な断面形状となっている。
【００１３】図７は上記した素材より得られたリードフ
レーム９を使用した半導体装置である。即ち、薄肉化さ
れたパッド４には半導体素子１０をＡｇペーストで接合
し、同様に薄肉化されたインナーリード８にはＡｇメッ
キ１１を施して電極を設け、前記半導体素子１０と電極
１１とをＡｕ細線１２で接合した構成体を、樹脂封止１
３して半導体装置を構成している。図中１４はプリント
基盤である。
レーム９を使用した半導体装置である。即ち、薄肉化さ
れたパッド４には半導体素子１０をＡｇペーストで接合
し、同様に薄肉化されたインナーリード８にはＡｇメッ
キ１１を施して電極を設け、前記半導体素子１０と電極
１１とをＡｕ細線１２で接合した構成体を、樹脂封止１
３して半導体装置を構成している。図中１４はプリント
基盤である。
【００１４】上記装置において、薄肉化されたインナー
リード８は従来製品に見られるような不均一さは無く、
強度も低下しておらず、むしろ組織的に強化されている
ため、ハンドリングやワイヤ接合時は勿論のこと、樹脂
封止等の実装時にもトラブルの発生はなかった。
リード８は従来製品に見られるような不均一さは無く、
強度も低下しておらず、むしろ組織的に強化されている
ため、ハンドリングやワイヤ接合時は勿論のこと、樹脂
封止等の実装時にもトラブルの発生はなかった。
【００１５】
【発明の効果】以上のように本発明は、インナーリード
部分の板厚を薄くしたため現状の限界を打ち破るファイ
ンピッチの多ピンリードフレームの制作が容易にでき、
しかもリード先端に所定のボンディング幅を確保でき
る。また、パッド部分をも薄肉成形することにより薄型
パッケージとすることができると共にアウターリードは
従来通りに厚く成形できるのでリード変形に対しても十
分に耐えらる。このように本発明は、ますます多ピン化
する趨勢に合致する極めて有用な半導体装置を提供で来
る。
部分の板厚を薄くしたため現状の限界を打ち破るファイ
ンピッチの多ピンリードフレームの制作が容易にでき、
しかもリード先端に所定のボンディング幅を確保でき
る。また、パッド部分をも薄肉成形することにより薄型
パッケージとすることができると共にアウターリードは
従来通りに厚く成形できるのでリード変形に対しても十
分に耐えらる。このように本発明は、ますます多ピン化
する趨勢に合致する極めて有用な半導体装置を提供で来
る。
【図１】本発明リードフレーム素材の一態様を示す斜視
図。
図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。
【図３】本発明素材の他の凹部を示す断面図
【図４】本発明素材凹部の別の実施態様を示す断面図。
【図５】本発明におけるリードフレームの態様を示す断
面説明図。
面説明図。
【図６】本発明の薄肉リード部の断面図。
【図７】本発明の半導体装置の一例を示す断面説明図。
【図８】従来のリード部の一例を示す断面説明図。
１：素材 ２：凹部 ３：薄肉部材 ４：ダイパッド ５：別の薄肉部材 ６：接合部 ７：アウターリード ８：インナーリード ９：リードフレーム １０：半導体素子 １１：Ａｇメッキ １２：Ａｕ細線 １３：樹脂封止 １４：プリント基盤
Claims (4)
- 【請求項１】 製品厚さにしたリードフレーム素材板
に、あらかじめ定めたリードフレーム採寸ピッチ内で、
リードフレームの少なくともインナーリード先端となる
部分を薄肉化したことを特徴とするとするリードフレー
ム素材。 - 【請求項２】 プレス加工で薄肉凹部を形成してなるこ
とを特徴とするとする請求項１記載のリードフレーム素
材。 - 【請求項３】 リードフレームの少なくともインナーリ
ード先端となる部分を素材より除去し、この除去した部
分に薄肉板を接合したことを特徴とするとする請求項１
記載のリードフレーム素材。 - 【請求項４】 請求項１のリードフレーム素材をエッチ
ング、プレス等公知の手段で薄肉インナーリード部を有
するリードフレームに成形し、ダイパッドに搭載した半
導体素子と、前記薄肉インナーリードを細線で連結した
構成体を樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4132717A JPH05326788A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | リードフレーム素材及びこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4132717A JPH05326788A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | リードフレーム素材及びこれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326788A true JPH05326788A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15087935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4132717A Withdrawn JPH05326788A (ja) | 1992-05-25 | 1992-05-25 | リードフレーム素材及びこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326788A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000349219A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 引き出し端子、電力用半導体装置用ケース及び電力用半導体装置 |
| US6501156B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame which includes a die pad, a support lead, and inner leads |
| US7102216B1 (en) * | 2001-08-17 | 2006-09-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making |
| JP2008034830A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびリードフレームとその製造方法 |
| JP2017028333A (ja) * | 1999-06-30 | 2017-02-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-05-25 JP JP4132717A patent/JPH05326788A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000349219A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 引き出し端子、電力用半導体装置用ケース及び電力用半導体装置 |
| JP2017028333A (ja) * | 1999-06-30 | 2017-02-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6501156B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-12-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Lead frame which includes a die pad, a support lead, and inner leads |
| US7102216B1 (en) * | 2001-08-17 | 2006-09-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making |
| JP2008034830A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-02-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置およびリードフレームとその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |