JPH053277A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH053277A
JPH053277A JP3152881A JP15288191A JPH053277A JP H053277 A JPH053277 A JP H053277A JP 3152881 A JP3152881 A JP 3152881A JP 15288191 A JP15288191 A JP 15288191A JP H053277 A JPH053277 A JP H053277A
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semiconductor device
lead
region
face
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Takahiro Naito
孝洋 内藤
Shigeki Tanaka
茂樹 田中
Kenji Akeyama
健二 明山
Kenichi Otsuka
憲一 大塚
Masachika Masuda
正親 増田
Hiromichi Suzuki
博通 鈴木
Ryosuke Kimoto
良輔 木本
Kazuhiro Terada
和弘 寺田
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
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Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ガルウィング形状又はフラット形状のアウター
リード２Ｄの表面に最先端の端面を除き半田メッキ層７
が形成される半導体装置１において、前記アウターリー
ドの最先端の端面の濡れ性を向上する。また、前記半導
体装置を実装基板に実装した際の接合強度を向上する。
また、前記半導体装置を実装基板に実装した後に行われ
る外観不良検査の自動化において、外観不良検査の精度
を向上する。 【構成】ガルウィング形状又はフラット形状のアウター
リード２Ｄの最先端の端面の断面積を他の領域に比べて
小さくする。具体的にはアウターリード２Ｄの最先端の
板厚を薄くする。また、アウターリード２Ｄの最先端の
板厚を薄くし、かつ曲げる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガルウィング形状又は
フラット形状のアウターリードを有する半導体装置、そ
の組立技術、その実装技術及びその検査技術に適用して
有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ガルウィング形状のアウターリードを有
する樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレットの外部端
子とインナーリードの一端とがワイヤで電気的に接続さ
れ、この半導体ペレット、インナーリード及びワイヤが
樹脂封止体で封止される。前記インナーリードの他端は
アウターリードに一体に構成されかつ電気的に接続され
る。
【０００３】前記樹脂封止型半導体装置のアウターリー
ド、インナーリードの夫々は、同一リードフレームから
切断されかつ成型され、同一材料具体的には現在主流と
して使用されるＦｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕのいずれかで形成
される。樹脂封止型半導体装置は、ＰＣＢ基板等の実装
基板の実装面の端子に半田ペーストを介在してアウター
リードを電気的かつ機械的に接続し、この実装基板への
実装がなされる。基本的に、前述の材料で形成されるア
ウターリードは、半田ペーストとの濡れ性（接着性）が
低いので、この濡れ性を高めことを目的として、半田メ
ッキ層が形成される。
【０００４】前記半田メッキ層は、一般的に、樹脂封止
型半導体装置の組立プロセス中、樹脂封止体の成型後、
リードフレームの切断成型前において形成される。ま
た、半田メッキ層は、所謂半田先付け方法と称され、エ
ッチング加工若しくはプレス加工でリードフレームを形
成した後、樹脂封止体の成型前に形成される。いずれの
場合においても、半田メッキ層はリードフレームの切断
成型（すなわち、リードフレームからアウターリード等
を切り離し、このアウターリードをガルウィング形状に
成型する）前に形成される。
【０００５】前記樹脂封止体は、トランスファモールド
法で成型され、例えばエポキシ系樹脂が使用される。
【０００６】なお、樹脂封止型半導体装置の実装基板へ
の実装技術については、例えば、日経エレクトロニク
ス、「別冊マイクロデバイセズ」Ｎo.２、１９８４年６
月１１日、第１８７頁乃至第２０５頁において論じらて
いる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、前述のガルウィング形状のアウターリードを有す
る半導体装置を実装基板に実装後、半田ペーストの濡れ
性を検査する外観不良検査において、下記の問題点を見
出した。
【０００８】樹脂封止型半導体装置のアウターリードの
ファインピッチ化に基づき、実装基板上でのアウターリ
ードと端子との接続部分が微細でしかも接続部分の個数
が多くなる傾向にあり、これに比例して実装技術、外観
不良検査技術のいずれもが進展する傾向にある。この結
果、前述の半田ペーストの濡れ性を検査する外観不良検
査に自動化が導入されてきた。
【０００９】樹脂封止型半導体装置のアウターリードの
表面には半田ペーストとの濡れ性を確保する半田メッキ
層が形成されるが、半田メッキ層を形成した後にアウタ
ーリードがリードフレームから切断されるので、この切
断面に相当する、アウターリードの最先端の端面は半田
メッキ層が形成されておらず母体が露出する。このた
め、樹脂封止型半導体装置は、アウターリードの最先端
の端面に半田ペーストが付着しないので、半田ペースト
量の絶対量が低下し、実装基板への実装に際し、機械的
強度が低下するばかりか、断線などの電気的信頼性が劣
化する。
【００１０】また、自動化される外観不良検査におい
て、樹脂封止型半導体装置のアウターリードと実装基板
の端子との接続状態を検査する方向が、アウターリード
の最先端側から樹脂封止体に向う方向に限定される。つ
まり、樹脂封止型半導体装置が実装基板に実装される
と、樹脂封止体からアウターリードの最先端側に向う方
向には樹脂封止体が存在するので検査が難しく、又アウ
ターリードの配列方向においてはファインピッチ化など
でアウターリードの間隔が狭いので同様に検査が難し
い。
【００１１】このため、外観不良検査においては、前述
のアウターリードの最先端の端面つまり半田ペーストが
付着しない部分の半田ペーストの付着状態を検査するの
で、アウターリードと端子との間が確実に接続されてい
ても、接続していない誤った結果が出力されるなど、外
観不良検査の精度が低下する。場合によっては、検査し
たすべての樹脂封止型半導体装置が、確実に接続されて
いるにもかかわらず、外観不良検査において濡れ性不良
という結果にもなる。
【００１２】本発明の目的は、以下のとおりである。
【００１３】（Ａ）ガルウィング形状又はフラット形状
のアウターリードの表面に最先端の端面を除き半田メッ
キ層が形成される半導体装置において、前記アウターリ
ードの最先端の端面の濡れ性を向上する。
【００１４】（Ｂ）前記目的（Ａ）を達成するととも
に、前記半導体装置を実装基板に実装した際の接合強度
を向上する。
【００１５】（Ｃ）前記目的（Ａ）の半導体装置を実装
基板に実装した後に行われる外観不良検査の自動化にお
いて、誤検査を低減し、外観不良検査の精度を向上す
る。
【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【００１８】（１）ガルウィング形状又はフラット形状
のアウターリードの表面にこのアウターリードが実装基
板の端子に接続される側の最先端の端面の領域を除き半
田メッキ層が形成される半導体装置において、前記アウ
ターリードの最先端の端面の半田メッキ層が形成されて
いない領域の断面積がそれ以外の領域のアウターリード
の断面積に比べて小さく構成される。前記アウターリー
ドの最先端の端面は、それ以外の領域のアウターリード
の板厚に比べて薄く構成され、又はそれ以外の領域のア
ウターリードのリード幅寸法に比べて小さく構成され、
断面積が小さく構成される。
【００１９】（２）ガルウィング形状又はフラット形状
のアウターリードの表面にこのアウターリードが実装基
板の端子に接続される側の最先端の端面の領域を除き半
田メッキ層が形成される半導体装置において、前記アウ
ターリードの最先端の半田メッキ層が形成されていない
端面を含む領域の板厚がそれ以外の領域のアウターリー
ドの板厚に比べて薄く構成され、このアウターリードの
最先端の板厚の薄い領域が実装基板の端子に接続される
面から離れる方向に曲げられる。
【００２０】（３）前記手段（１）又は手段（２）のい
ずれかの半導体装置は、そのアウターリードの最先端の
領域と実装基板の端子との間を半田ペーストを介在して
電気的かつ機械的に接続した後に、前記アウターリード
の最先端の端面に半田ペーストが付着しているか否かを
自動的に検出する不良品検査が行われる。
【００２１】
【作用】上述した手段（１）によれば、前記半導体装置
のアウターリードを半田ペーストを介在して実装基板の
端子に電気的かつ機械的に接続する場合、半導体装置の
アウターリードの最先端側の表面の半田メッキ層に濡れ
た半田ペーストが、表面張力に基づき、アウターリード
の最先端の半田メッキ層が形成されていない端面を被覆
するので（周囲の半田ペーストがアウターリードの最先
端の端面において相互に連結されるので）、見かけ上、
アウターリードの最先端の端面に濡れ性を確保できる。
【００２２】また、前記アウターリードの最先端の端面
に半田ペーストを付着でき、アウターリードと端子との
間の半田ペースト量を増加できるので、このアウターリ
ードと端子との接合強度を向上できる。
【００２３】上述した手段（２）によれば、前記半導体
装置のアウターリードの最先端の領域の機械的剛性が他
の領域に比べて緩和され、このアウターリードの最先端
の領域を曲げ易くでき、しかも、前記半導体装置のアウ
ターリードを半田ペーストを介在して実装基板の端子に
電気的かつ機械的に接続する場合、半導体装置のアウタ
ーリードの最先端側の曲げられた部分の半田メッキ層と
実装基板の端子との間に隙間が形成され、この隙間に半
田ペーストが溜り易くなるので、見かけ上、アウターリ
ードの最先端の端面に濡れ性を確保できるとともに、ア
ウターリードの最先端の領域の板厚が薄い分、前記作用
効果（１）と同様に、アウターリードの最先端の半田メ
ッキ層が形成されていない端面を半田ペーストで被覆で
きるので、より一層、アウターリードの最先端の端面に
濡れ性を確保できる。また、前記作用効果（１）と同様
に、接合強度を向上できる。
【００２４】上述した手段（３）によれば、前記半導体
装置のアウターリードと実装基板の端子との間が半田ペ
ーストを介在して接続されていれば、アウターリードの
最先端の端面（半田メッキ層が形成されていない面）に
確実に半田ペーストが付着するので、接続されているに
もかかわらず、接続されていないと検出される、自動化
に基づく誤検査を低減できる。
【００２５】以下、本発明の構成について、ガルウィン
グ形状のアウターリードを有する半導体装置、組立技
術、実装技術及び外観検査技術に本発明を適用した一実
施例とともに説明する。
【００２６】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００２７】
【実施例】本発明の一実施例であるガルウィング形状の
アウターリードを有する樹脂封止型半導体装置及びそれ
を実装した実装基板の構成を図１（部分断面側面図）で
示す。
【００２８】図１に示すように、樹脂封止型半導体装置
１は、タブ２Ａ上に搭載された半導体ペレット４の外部
端子（ボンディングパッド）４Ｐとインナーリード２Ｃ
の一端とがボンディングワイヤ５で電気的に接続され、
このタブ２Ａ、インナーリード２Ｃ及び半導体ペレット
４が樹脂封止体９で封止される。
【００２９】前記半導体ペレット４は、その詳細な断面
構造を示していないが、例えば単結晶珪素基板で形成さ
れ、その素子形成面（図１中、上側表面）に所定の回路
システムが搭載される。外部端子４Ｐは、半導体ペレッ
ト４の素子形成面上に複数個配置され、例えば回路シス
テムを構成する半導体素子間を結線する配線（例えばア
ルミニウム合金）と同一層で形成される。
【００３０】半導体ペレット４、タブ２Ａの夫々は、両
者間に接着層３例えばＡｇペーストを介在し、固着され
る。ボンディングワイヤ５としては例えばＡｕワイヤが
使用される。
【００３１】樹脂封止体９は、トランスファモールド法
で成型され、例えばフェノール硬化型エポキシ系樹脂が
使用される。
【００３２】前記インナーリード２Ｃの他端は、図１及
び図４（組立プロセスの半導体ペレット４の搭載及びボ
ンディングワイヤ５がボンディングされた工程が完了し
た時点のリードフレームの平面図）に示すように、アウ
ターリード２Ｄの一端に一体に構成されかつ電気的に接
続される。インナーリード２Ｃ及びアウターリード２Ｄ
は、図４に示すように、リードフレームの切断成型工程
前において、タイバー２Ｆを介在して枠体２Ｇに連結さ
れており、結果的に同一リードフレームに連結され支持
される。アウターリード２Ｄは、リードフレームから切
断され切り離されるとともに、ガルウィング形状に成型
される。同様に、タブ２Ａはタブ吊りリード２Ｂを介在
してリードフレームに連結され支持される。
【００３３】リードフレームは、例えばＦｅ−Ｎｉ合金
（Ｎｉ含有量４２又は５０［％］）、Ｃｕ、Ｃｕ合金の
いずれかの板材で形成され、この板材にエッチング加工
又はプレス加工を施すことにより、インナーリード２Ｃ
等のパターンが形成される。
【００３４】リードフレームのうち少なくともインナー
リード２Ｃの一端側のボンディング領域（ボンディング
ワイヤ５がボンディングされる領域）は、図１に示すよ
うに、Ａｇメッキ層６が形成される。このＡｇメッキ層
６は、インナーリード２Ｃにボンディングワイヤ６をボ
ンディングする際に、ボンダビリティを向上できる。
【００３５】また、リードフレームのうち少なくともア
ウターリード２Ｄの表面には半田メッキ（例えばＰｂ−
Ｓｎ）層７が形成される。半田メッキ層７は、後述する
実装基板（１０）の実装面に配置された端子（１１）に
半田ペースト（８）を介在して電気的かつ機械的にアウ
ターリード２Ｄを接続する場合、アウターリード２Ｄの
表面の半田ペースト（８）の濡れ性を向上できる。半田
メッキ層７は、この数値に限定されないが、例えば １.
５〜１０［μｍ］の膜厚で形成される。
【００３６】この半田メッキ層７は、所謂半田後付け方
法を使用する本実施例の場合、樹脂封止体９による樹脂
封止工程が終了した後、リードフレームからアウターリ
ード２Ｄ等を切断し成型する工程前において形成され
る。結果的に、半田メッキ層７は樹脂封止体９の外部に
引出されるアウターリード２Ｄのすべての表面に形成さ
れる（基本的には実装基板１０側の一部の表面に形成さ
れてもよい）。また、半田メッキ層７は、半田先付け方
法を使用する場合、前述のエッチング加工、プレス加工
のいずれかでリードフレームを形成する工程の後、樹脂
封止体９による樹脂封止工程前において形成される。
【００３７】前記図１及び図２（アウターリードの実装
状態における要部拡大図）に示すように、アウターリー
ド２Ｄの他端すなわち実装基板（１０）の端子（１１）
に接続される側の最先端の領域２Ｅは、それ以外の他の
領域のアウターリード２Ｄ若しくはインナーリード２Ｃ
の板厚に比べて部分的に薄い板厚で構成される。例え
ば、リードフレームとしてＦｅ−Ｎｉ合金を使用し、リ
ードフレーム（アウターリード２Ｄの最先端の領域２Ｅ
以外）の板厚が ０.１５［μｍ］の場合、アウターリー
ド２Ｄの最先端の領域２Ｅは、約０.０７〜０.０８［μ
ｍ］の板厚で形成され、約半分の板厚に形成される。ま
た、アウターリード２Ｄの最先端の領域２Ｅは、リード
フレームから切り離す際の切断領域を兼ね、この切断領
域の寸法及び板厚の薄い領域を確保するため、リード長
方向に約０.１〜０.２［μｍ］の長さで構成される。ア
ウターリード２Ｄの最先端の領域２Ｅは、基本的に最先
端の端面の断面積が他の断面積に比べて小さくされれば
よく、実装時、最先端の端面の周囲に存在する半田ペー
スト（８）が表面張力などにより相互に連結され、この
最先端の端面を半田ペースト（８）で被覆する形状で構
成される。
【００３８】このように構成される樹脂封止型半導体装
置１は、図１及び図２に示すように、ＰＣＢ基板等の実
装基板１０に実装される。実装基板１０への樹脂封止型
半導体装置１の実装は実装基板１０の実装面に配置され
た端子１１に半田ペースト８を介在してアウターリード
２Ｄを電気的かつ機械的に接続することで行われる。こ
のとき、アウターリード２Ｄの最先端の領域２Ｅが薄い
板厚で形成され、このアウターリード２Ｄの最先端の端
面の断面積が小さくされているので、この最先端の端面
の周囲の半田メッキ層７で濡れた半田ペースト８が表面
張力などで相互に連結され、アウターリード２Ｄの最先
端の端面に半田ペースト８が付着する。つまり、アウタ
ーリード２Ｄの最先端の端面は、見かけ上、濡れ性が確
保される。この結果、アウターリード２Ｄと端子１１と
の接続部分での半田ペースト８の量が、アウターリード
２Ｄの最先端の端面に半田ペースト８が付着する分、増
加できるので、アウターリード２Ｄと端子１１との接続
強度が向上できる。
【００３９】一方、前記アウターリード２Ｄと端子１１
との接続部分において、アウターリード２Ｄの最先端の
端面に半田ペースト８が付着されるので、外観不良検査
を自動的に行う場合に、アウターリード２Ｄと端子１１
とが確実に接続されていれば、アウターリード２Ｄの最
先端の端面に半田ペースト８が付着し、誤った検査結果
の出力が低減できる。
【００４０】また、図３（アウターリードの実装状態に
おける要部拡大図）に示すように、樹脂封止型半導体装
置１において、アウターリード２Ｄの最先端の領域２Ｅ
の板厚を薄くし、この最先端の領域２Ｅを端子１１との
接続面から離れる方向に曲げてもよい。この場合、アウ
ターリード２Ｄの最先端の領域２Ｅと端子１１との間に
隙間が形成され、この隙間に半田ペースト８を溜めるこ
とができるので、アウターリード２Ｄと端子１１との接
続強度が向上でき、さらに、前述と同様に、アウターリ
ード２Ｄの最先端の領域２Ｅの板厚が薄いので、最先端
の端面などに半田ペースト８が付着し、より接続強度を
向上できる。
【００４１】この図３に示すアウターリード２Ｄの最先
端の領域２Ｅの加工は、図５、図６（切断成型装置での
切断工程、成型工程毎に示す概略図）の夫々に示す以下
の順序で行われる。
【００４２】まず、図５に示すように、樹脂封止体９を
形成した後の樹脂封止型半導体装置１をダイ２０に装着
し、併せてリードフレームをダイ２１及びストッパ２２
で挟持する。リードフレームの挟持はダイ２１及びスト
ッパ２２の外部にアウターリード２Ｄの最先端の領域２
Ｅを突出して（この領域が切断個所となる）行う。
【００４３】次に、前記アウターリード２Ｄの最先端の
領域２Ｅの一部をパンチ２４で切断する。このパンチ２
４の先端の切断刃は図５に示すように傾斜面が構成さ
れ、この切断刃の傾斜面の形状は前述の図３に示すアウ
ターリード２Ｄの最先端の領域２Ｅの曲げられた形状に
相当する。つまり、アウターリード２Ｄの最先端の領域
２Ｅを切断する工程において、このアウターリード２Ｄ
の最先端の領域２Ｅを曲げることができる。
【００４４】次に、図６に示すように、切断されたアウ
ターリード２Ｄは、ノックアウト２３で押し下げられる
とともに、ダイ２０の金型に沿って成型され、ガルウィ
ング形状に形成される。
【００４５】このように、本実施例によれば、以下の作
用効果が得られる。
【００４６】（１）ガルウィング形状のアウターリード
２Ｄの表面にこのアウターリード２Ｄが実装基板１０の
端子１１に接続される側の最先端の端面の領域を除き半
田メッキ層７が形成される樹脂封止型半導体装置１にお
いて、前記アウターリード２Ｄの最先端の端面の半田メ
ッキ層７が形成されていない領域の断面積がそれ以外の
領域のアウターリード２Ｄの断面積に比べて小さく構成
される。前記アウターリード２Ｄの最先端の端面は、そ
れ以外の領域のアウターリード２Ｄの板厚に比べて薄く
構成され、断面積が小さく構成される。この構成によ
り、前記樹脂封止型半導体装置１のアウターリード２Ｄ
を半田ペースト８を介在して実装基板１０の端子１１に
電気的かつ機械的に接続する場合、樹脂封止型半導体装
置１のアウターリード２Ｄの最先端側の表面の半田メッ
キ層７に濡れた半田ペースト８が、表面張力に基づき、
アウターリード２Ｄの最先端の半田メッキ層７が形成さ
れていない端面を被覆するので（周囲の半田ペースト８
がアウターリード２Ｄの最先端の端面において相互に連
結されるので）、見かけ上、アウターリード２Ｄの最先
端の端面に濡れ性を確保できる。また、前記アウターリ
ード２Ｄの最先端の端面に半田ペースト８を付着でき、
アウターリード２Ｄと端子１１との間の半田ペースト８
量を増加できるので、このアウターリード２Ｄと端子１
１との接合強度を向上できる。
【００４７】（２）ガルウィング形状のアウターリード
２Ｄの表面にこのアウターリード２Ｄが実装基板１０の
端子１１に接続される側の最先端の端面の領域を除き半
田メッキ層７が形成される樹脂封止型半導体装置１にお
いて、前記アウターリード２Ｄの最先端の半田メッキ層
７が形成されていない端面を含む領域（２Ｅに相当す
る）の板厚がそれ以外の領域のアウターリード２Ｄの板
厚に比べて薄く構成され、このアウターリード２Ｄの最
先端の板厚の薄い領域が実装基板１０の端子１１に接続
される面から離れる方向に曲げられる。この構成によ
り、前記樹脂封止型半導体装置１のアウターリード２Ｄ
の最先端の領域の機械的剛性が他の領域に比べて緩和さ
れ、このアウターリード２Ｄの最先端の領域を曲げ易く
でき、しかも、前記樹脂封止型半導体装置１のアウター
リード２Ｄを半田ペースト８を介在して実装基板１０の
端子１１に電気的かつ機械的に接続する場合、樹脂封止
型半導体装置１のアウターリード２Ｄの最先端側の曲げ
られた部分の半田メッキ層７と実装基板１０の端子１１
との間に隙間が形成され、この隙間に半田ペースト８が
溜り易くなるので、見かけ上、アウターリード２Ｄの最
先端の端面に濡れ性を確保できるとともに、アウターリ
ード２Ｄの最先端の領域の板厚が薄い分、前記作用効果
（１）と同様に、アウターリード２Ｄの最先端の半田メ
ッキ層７が形成されていない端面を半田ペースト８で被
覆できるので、より一層、アウターリード２Ｄの最先端
の端面に濡れ性を確保できる。また、前記作用効果
（１）と同様に、接合強度を向上できる。
【００４８】（３）前記樹脂封止型半導体装置１は、そ
のアウターリード２Ｄの最先端の領域と実装基板１０の
端子１１との間を半田ペースト８を介在して電気的かつ
機械的に接続した後に、前記アウターリード２Ｄの最先
端の端面に半田ペースト８が付着しているか否かを自動
的に検出する不良品検査が行われる。この構成により、
前記樹脂封止型半導体装置１のアウターリード２Ｄと実
装基板１０の端子１１との間が半田ペースト８を介在し
て接続されていれば、アウターリード２Ｄの最先端の端
面（半田メッキ層７が形成されていない面）に確実に半
田ペースト８が付着するので、接続されているにもかか
わらず、接続されていないと検出される、自動化に基づ
く誤った検査結果を低減できる。
【００４９】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００５０】例えば、本発明は、前記樹脂封止型半導体
装置１のアウターリード２Ｄの最先端の領域の角部を面
取りし、部分的にリード幅寸法を小さくしてもよい。
【００５１】また、本発明は、フラット形状のアウター
リードを有する樹脂封止型半導体装置に適用できる。
【００５２】また、本発明は、樹脂封止型半導体装置に
限らず、ガルウィング形状、フラット形状等所謂面実装
タイプのセラミック封止型（ガラス封止型）半導体装置
に適用できる。
【００５３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００５４】（Ａ）ガルウィング形状又はフラット形状
のアウターリードの表面に最先端の端面を除き半田メッ
キ層が形成される半導体装置において、前記アウターリ
ードの最先端の端面の濡れ性を向上できる。
【００５５】（Ｂ）前記半導体装置を実装基板に実装し
た際の接合強度を向上できる。
【００５６】（Ｃ）前記半導体装置を実装基板に実装し
た後に行われる外観不良検査の自動化において、誤検査
を低減し、外観不良検査の精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるガルウィング形状のア
ウターリードを有する樹脂封止型半導体装置及びそれを
実装した実装基板の構成を示す部分断面側面図。
【図２】前記樹脂封止型半導体装置のアウターリードの
実装状態における要部拡大図。
【図３】前記アウターリードの実装状態における他の例
を示す要部拡大図。
【図４】前記樹脂封止型半導体装置で使用されるリード
フレームの平面図。
【図５】前記リードフレームの切断工程を示す概略図。
【図６】前記リードフレームの成型工程を示す概略図。
【符号の説明】
１…樹脂封止型半導体装置、２Ａ…タブ、２Ｃ…インナ
ーリード、２Ｄ…アウターリード、２Ｅ…最先端の領
域、４…半導体ペレット、７…半田メッキ層、８…半田
ペースト、９…樹脂封止体、１０…実装基板、１１…端
子、２０，２１…ダイ、２２…ストッパ、２３…ノック
アウト、２４…パンチ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 茂樹 北海道亀田郡七飯町字中島145番地 日立 北海セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 明山 健二 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 大塚 憲一 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 増田 正親 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 鈴木 博通 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 木本 良輔 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 寺田 和弘 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガルウィング形状又はフラット形状のア
    ウターリードの表面にこのアウターリードが実装基板の
    端子に接続される側の最先端の端面の領域を除き半田メ
    ッキ層が形成される半導体装置において、前記アウター
    リードの最先端の端面の半田メッキ層が形成されていな
    い領域の断面積がそれ以外の領域のアウターリードの断
    面積に比べて小さく構成されたことを特徴とする半導体
    装置。
  2. 【請求項２】 前記請求項１に記載のアウターリードの
    最先端の端面は、それ以外の領域のアウターリードの板
    厚に比べて薄く構成され、又はそれ以外の領域のアウタ
    ーリードのリード幅寸法に比べて小さく構成され、断面
    積が小さく構成されたことを特徴とする。
  3. 【請求項３】 ガルウィング形状又はフラット形状のア
    ウターリードの表面にこのアウターリードが実装基板の
    端子に接続される側の最先端の端面の領域を除き半田メ
    ッキ層が形成される半導体装置において、前記アウター
    リードの最先端の半田メッキ層が形成されていない端面
    を含む領域の板厚がそれ以外の領域のアウターリードの
    板厚に比べて薄く構成され、このアウターリードの最先
    端の板厚の薄い領域が実装基板の端子に接続される面か
    ら離れる方向に曲げられたことを特徴とする半導体装
    置。
  4. 【請求項４】 前記請求項１乃至請求項３のいずれかに
    記載の半導体装置は、そのアウターリードの最先端の領
    域と実装基板の端子との間を半田ペーストを介在して電
    気的かつ機械的に接続した後に、前記アウターリードの
    最先端の端面に半田ペーストが付着しているか否かを自
    動的に検出する不良品検査が行われることを特徴とす
    る。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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EP4124678A1 (en) 2021-07-28 2023-02-01 Mitsui High-Tec, Inc. Metal component
EP4403674A1 (en) 2023-01-18 2024-07-24 Mitsui High-Tec, Inc. Metal component

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