JPH0532903B2 - - Google Patents
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- JPH0532903B2 JPH0532903B2 JP63132640A JP13264088A JPH0532903B2 JP H0532903 B2 JPH0532903 B2 JP H0532903B2 JP 63132640 A JP63132640 A JP 63132640A JP 13264088 A JP13264088 A JP 13264088A JP H0532903 B2 JPH0532903 B2 JP H0532903B2
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- Japan
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- hole
- resin
- semiconductor chip
- circuit board
- wire
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野）
本発明は、混成集積回路（ハイブリツドIC）
の回路基板上に実装される半導体チツプの樹脂モ
ールド方法の改良に関するものである。
の回路基板上に実装される半導体チツプの樹脂モ
ールド方法の改良に関するものである。
（従来技術とその問題点）
近年、電子機器の高機能化・小形化・経済化の
要求に対応して、膜回路集積化、混成集積回路化
が進められてきた。この混成集積回路において
は、回路基板上に集積された膜素子のほかに、受
動素子としてリード付部品や面実装部品（チツプ
部品）並びに能動素子として半導体ベアチツプ等
がその基板上に実装される。この半導体ベアチツ
プを回路基板上に直接実装する方法として、ワイ
ヤボンデイング、TAB（Tape Automated
Bonding）、フリツプチツプボンデイングなどが
実用化されている。すなわち半導体ベアチツプを
例えばAu−Si共晶、接着剤、はんだ付けなどに
より基板上にダイボンデイングした後、ベアチツ
プのアルミニウム（Al）電極と基板の導体配線
の電極とが金（Au）またはAlの細線（ワイヤ）
で熱圧着や超音波などによりボンデイングされ
る。
要求に対応して、膜回路集積化、混成集積回路化
が進められてきた。この混成集積回路において
は、回路基板上に集積された膜素子のほかに、受
動素子としてリード付部品や面実装部品（チツプ
部品）並びに能動素子として半導体ベアチツプ等
がその基板上に実装される。この半導体ベアチツ
プを回路基板上に直接実装する方法として、ワイ
ヤボンデイング、TAB（Tape Automated
Bonding）、フリツプチツプボンデイングなどが
実用化されている。すなわち半導体ベアチツプを
例えばAu−Si共晶、接着剤、はんだ付けなどに
より基板上にダイボンデイングした後、ベアチツ
プのアルミニウム（Al）電極と基板の導体配線
の電極とが金（Au）またはAlの細線（ワイヤ）
で熱圧着や超音波などによりボンデイングされ
る。
このようなワイヤボンデイングの後、裸状の半
導体とワイヤを保護するために、その上からペー
スト状樹脂を塗布し、加熱硬化させるモールドが
なされる。この樹脂モールドの方法には、（）
第５図ａ，ｂに示すように、モールド樹脂５を直
接塗布し硬化する方法や、（）第５図ｃ，ｄに
示すように回転基板１上にペースト状樹脂が流れ
て広がらないように樹脂枠６を設けてその内側へ
モールド樹脂５を塗布して硬化する方法が実施さ
れているが、これらは次のような問題点がある。
（）の方法ではペースト状モールド樹脂５を塗
布した後、加熱硬化時に樹脂が一旦柔らかくなつ
てモールド部分の周囲に流れ広がりワイヤ４が露
出する場合が多く、それを防ぐために塗布量を多
くするため出来上がつた樹脂モールドの底面積が
大きくなる。
導体とワイヤを保護するために、その上からペー
スト状樹脂を塗布し、加熱硬化させるモールドが
なされる。この樹脂モールドの方法には、（）
第５図ａ，ｂに示すように、モールド樹脂５を直
接塗布し硬化する方法や、（）第５図ｃ，ｄに
示すように回転基板１上にペースト状樹脂が流れ
て広がらないように樹脂枠６を設けてその内側へ
モールド樹脂５を塗布して硬化する方法が実施さ
れているが、これらは次のような問題点がある。
（）の方法ではペースト状モールド樹脂５を塗
布した後、加熱硬化時に樹脂が一旦柔らかくなつ
てモールド部分の周囲に流れ広がりワイヤ４が露
出する場合が多く、それを防ぐために塗布量を多
くするため出来上がつた樹脂モールドの底面積が
大きくなる。
また、（）の方法では、
樹脂枠６を設けるためのスペースが必要とな
る。
る。
樹脂枠６は、流動性のあるレジスト樹脂を硬
化して形成するため、そのとき用いる有機溶剤
が残査となつてワイヤ４のポンタビリテイ（ボ
ンデイングの確実さ）が劣化するという品質上
の問題がある。
化して形成するため、そのとき用いる有機溶剤
が残査となつてワイヤ４のポンタビリテイ（ボ
ンデイングの確実さ）が劣化するという品質上
の問題がある。
樹脂枠６とモールド樹脂５の熱膨張係数の差
により急激な温度変化によつてモールド樹脂５
に機械的歪みが発生して品質を低下させる危険
性があるなど、耐熱衝撃性に問題がある。
により急激な温度変化によつてモールド樹脂５
に機械的歪みが発生して品質を低下させる危険
性があるなど、耐熱衝撃性に問題がある。
樹脂枠６を形成した後、ワイヤボンデイング
するとき枠の高さが装置の正常な動作の障害と
ならないように、樹脂枠６を広げて作られるた
め、仕上がつたモールド部分はモールドがなさ
れるべき面積より広い面積を占有することにな
る。
するとき枠の高さが装置の正常な動作の障害と
ならないように、樹脂枠６を広げて作られるた
め、仕上がつたモールド部分はモールドがなさ
れるべき面積より広い面積を占有することにな
る。
上記樹脂モールドの方法（）、（）の改良
方法として、封止用マスクを用いる方法があ
る。これは、回路基板のモールド所要部分に対
応する位置に穴が設けられた平板状封止用マス
クを回路基板に載置し、その穴の上から半液状
樹脂を滴下あるいはクリーム状樹脂をスキージ
によつて充填し、加熱硬化処理後、封止用マス
クを取り外す方法である。しかし、この方法で
は、マスクが薄い平板状のため、加熱処理によ
り軟化した樹脂がマスクと回路基板の〓間へ流
れ込む、あるいはスキージによつてクリーム状
樹脂がマスクと回路基板の〓間へ圧入されると
いう難点があり、マスクを外したときモールド
立ち上がり部分に「はみ出し」ができるという
欠点がある。
方法として、封止用マスクを用いる方法があ
る。これは、回路基板のモールド所要部分に対
応する位置に穴が設けられた平板状封止用マス
クを回路基板に載置し、その穴の上から半液状
樹脂を滴下あるいはクリーム状樹脂をスキージ
によつて充填し、加熱硬化処理後、封止用マス
クを取り外す方法である。しかし、この方法で
は、マスクが薄い平板状のため、加熱処理によ
り軟化した樹脂がマスクと回路基板の〓間へ流
れ込む、あるいはスキージによつてクリーム状
樹脂がマスクと回路基板の〓間へ圧入されると
いう難点があり、マスクを外したときモールド
立ち上がり部分に「はみ出し」ができるという
欠点がある。
以上の樹脂モールドの方法以外の保護方法とし
て、セラミツク等により形成された底部のない箱
状の保護キヤツプを接着剤で回路基板に接合する
方法が知られている。しかし、この場合次のよう
な欠点がある。
て、セラミツク等により形成された底部のない箱
状の保護キヤツプを接着剤で回路基板に接合する
方法が知られている。しかし、この場合次のよう
な欠点がある。
１ 回路基板上に保護キヤツプの肉厚のスペース
が必要であり、さらに、接着剤を保護キヤツプ
の接合部分に塗布して回路基板に圧接するとき
の接着剤がはみ出す分の余裕のスペースが必要
である。
が必要であり、さらに、接着剤を保護キヤツプ
の接合部分に塗布して回路基板に圧接するとき
の接着剤がはみ出す分の余裕のスペースが必要
である。
２ 回路基板と接着剤と保護キヤツプの熱膨張係
数に差があるため、熱衝撃性に問題がある。
数に差があるため、熱衝撃性に問題がある。
３ 保護キヤツプの厚さによつて占める回路基板
上の面積および高さが実装密度を上げるための
問題点となる。
上の面積および高さが実装密度を上げるための
問題点となる。
４ 保護キヤツプを取付ける際にワイヤを破損す
る恐れがある。
る恐れがある。
以上説明したように、混成集積回路の部品実装
密度は、回路基板上に占める搭載される実装部品
の底面積の大小の如何にかかつており、上述のよ
うな、半導体チツプの樹脂モールドを形成する従
来の方法、及び保護キヤツプを用いる方法では、
底面積を小さくすることができないので、実装密
度を上げるための大きい問題点であつた。
密度は、回路基板上に占める搭載される実装部品
の底面積の大小の如何にかかつており、上述のよ
うな、半導体チツプの樹脂モールドを形成する従
来の方法、及び保護キヤツプを用いる方法では、
底面積を小さくすることができないので、実装密
度を上げるための大きい問題点であつた。
（発明の目的）
本発明の目的は、上述のような従来方法の問題
点を解決し、ワイヤの露出を確実に防止し、耐熱
衝撃性に優れ、かつ、樹脂モールドの占める底面
積を小さくし、かつ、モールド立ち上がり部分に
「はみ出し」がなく、高密度実装に適した形状の
樹脂モールドを形成させることのできる混成集積
回路における半導体チツプの樹脂モールド方法を
提供することにある。
点を解決し、ワイヤの露出を確実に防止し、耐熱
衝撃性に優れ、かつ、樹脂モールドの占める底面
積を小さくし、かつ、モールド立ち上がり部分に
「はみ出し」がなく、高密度実装に適した形状の
樹脂モールドを形成させることのできる混成集積
回路における半導体チツプの樹脂モールド方法を
提供することにある。
（発明の構成）
本発明による混成集積回路における半導体チツ
プの樹脂モールド方法は、混成集積回路の回路基
板上の所定の位置に接着されワイヤボンデイング
された少なくとも１つの半導体チツプと前記ワイ
ヤボンデイングのワイヤとを保護する樹脂モール
ドを形成するために、 前記半導体チツプがワイヤボンデイングされた
回路基板を水平基台上に載置し、該回路基板上の
前記半導体チツプとワイヤとが収容される容積の
穴が設けられ該容積の高さに等しい厚さの封止用
マスクを前記回路基板の上から前記半導体チツプ
と前記穴との位置が合うように載せた後、半液状
の樹脂を前記穴の上から前記半導体チツプと前記
ワイヤとが被われるまで滴下注入し、室温あるい
は高温で前記樹脂を硬化させた後、前記封止用マ
スクを取り外すことにより前記半導体チツプと前
記ワイヤとを保護する樹脂モールドを形成する混
成集積回路における半導体チツプの樹脂モールド
方法において、 前記封止用マスクをシート状弾性体とし該シー
ト状弾性体を前記回路基板の上から前記半導体チ
ツプと前記シート状弾性体に設けられた穴との位
置が合うように載せた後、前記シート状弾性体の
前記穴よりやや大きく該穴の周辺部分を上から押
さえる凸部を有する穴部が設けられた押さえ板を
前記穴と前記穴部の位置が合うように載せて前記
穴が変形しないような力で加圧して前記シート状
弾性体を前記回路基板に圧接し、前記半液状の樹
脂を前記押さえ板の穴部の上から前記半導体チツ
プと前記ワイヤとが被われるまで滴下注入し、室
温あるいは高温で前記樹脂を硬化させた後、前記
シート状弾性体と前記押さえ板を取り外すことに
より前記半導体チツプと前記ワイヤとを保護する
樹脂モールドを形成するようにしたことを特徴と
するものである。
プの樹脂モールド方法は、混成集積回路の回路基
板上の所定の位置に接着されワイヤボンデイング
された少なくとも１つの半導体チツプと前記ワイ
ヤボンデイングのワイヤとを保護する樹脂モール
ドを形成するために、 前記半導体チツプがワイヤボンデイングされた
回路基板を水平基台上に載置し、該回路基板上の
前記半導体チツプとワイヤとが収容される容積の
穴が設けられ該容積の高さに等しい厚さの封止用
マスクを前記回路基板の上から前記半導体チツプ
と前記穴との位置が合うように載せた後、半液状
の樹脂を前記穴の上から前記半導体チツプと前記
ワイヤとが被われるまで滴下注入し、室温あるい
は高温で前記樹脂を硬化させた後、前記封止用マ
スクを取り外すことにより前記半導体チツプと前
記ワイヤとを保護する樹脂モールドを形成する混
成集積回路における半導体チツプの樹脂モールド
方法において、 前記封止用マスクをシート状弾性体とし該シー
ト状弾性体を前記回路基板の上から前記半導体チ
ツプと前記シート状弾性体に設けられた穴との位
置が合うように載せた後、前記シート状弾性体の
前記穴よりやや大きく該穴の周辺部分を上から押
さえる凸部を有する穴部が設けられた押さえ板を
前記穴と前記穴部の位置が合うように載せて前記
穴が変形しないような力で加圧して前記シート状
弾性体を前記回路基板に圧接し、前記半液状の樹
脂を前記押さえ板の穴部の上から前記半導体チツ
プと前記ワイヤとが被われるまで滴下注入し、室
温あるいは高温で前記樹脂を硬化させた後、前記
シート状弾性体と前記押さえ板を取り外すことに
より前記半導体チツプと前記ワイヤとを保護する
樹脂モールドを形成するようにしたことを特徴と
するものである。
以下図面により、本発明を詳細に説明する。
第１図ａ，ｂは、本発明の実施例を説明するた
めの部分断面図と平面図であり、ａはｂのＡ−Ａ
断面を示している。図において、半導体チツプ２
は混成集積回路の回路基板１の所定の位置に接着
され、金（Au）線などのワイヤ４で半導体チツ
プ２の電極と回路基板１に配設された配線導体電
極３とがワイヤボンデイングされている。第１図
ｂの平面図では回路基板１は図示を省略してあ
り、ワイヤボンデイングの数も４箇所の例を示し
てある。
めの部分断面図と平面図であり、ａはｂのＡ−Ａ
断面を示している。図において、半導体チツプ２
は混成集積回路の回路基板１の所定の位置に接着
され、金（Au）線などのワイヤ４で半導体チツ
プ２の電極と回路基板１に配設された配線導体電
極３とがワイヤボンデイングされている。第１図
ｂの平面図では回路基板１は図示を省略してあ
り、ワイヤボンデイングの数も４箇所の例を示し
てある。
７は本発明の第１の要部をなすシート状弾性体
で、モールド樹脂が付着したり、例えばエポキシ
樹脂やフエノール樹脂などの半液状モールド樹脂
と化学反応を起こさない材質、例えばシリコンシ
ートなどが用いられ、実装された半導体チツプ２
とワイヤ４とをモールドする部分に穴９があけら
れている。この穴９の横断面の大きさと形状は、
実装された半導体チツプ２とワイヤ４とを保護し
得る範囲で、できるだけ小さい底面積を有する形
成予定のモールドの横断面形状に一致する。この
穴９の横断面の形状は、第１図ｂでは角を落とし
た四角形の例を示してあるが、円形あるいは四角
形など、加工や作業が容易でモールド仕上りが良
くなるように任意に決定される。また、シート状
弾性体７の厚さは、半導体チツプ２とワイヤ４が
モールド樹脂で充分被われる高さ、例えば１mm程
度に設定されている。このようなシート状弾性体
７を水平に保持された回路基板１の上にモールド
部分と穴９の位置を合わせて載せられる。
で、モールド樹脂が付着したり、例えばエポキシ
樹脂やフエノール樹脂などの半液状モールド樹脂
と化学反応を起こさない材質、例えばシリコンシ
ートなどが用いられ、実装された半導体チツプ２
とワイヤ４とをモールドする部分に穴９があけら
れている。この穴９の横断面の大きさと形状は、
実装された半導体チツプ２とワイヤ４とを保護し
得る範囲で、できるだけ小さい底面積を有する形
成予定のモールドの横断面形状に一致する。この
穴９の横断面の形状は、第１図ｂでは角を落とし
た四角形の例を示してあるが、円形あるいは四角
形など、加工や作業が容易でモールド仕上りが良
くなるように任意に決定される。また、シート状
弾性体７の厚さは、半導体チツプ２とワイヤ４が
モールド樹脂で充分被われる高さ、例えば１mm程
度に設定されている。このようなシート状弾性体
７を水平に保持された回路基板１の上にモールド
部分と穴９の位置を合わせて載せられる。
８は、シート状弾性体７の上から圧力Ｐで回路
基板１に圧接するための押さえ板であり、本発明
の第２の要部をなすものである。押さえ板８に
は、シート状弾性体７に設けられた穴９よりやや
大きく、しかも穴９の周囲が均一な圧力がかかる
ような形状、例えば第１図ａの凸部１１のような
形状を有する穴１０が設けられている。この押さ
え板８は、シート状弾性体７の上から穴９，１０
の位置が互いにずれないように載せられ、穴９が
変形しないような圧力Ｐで上から押さえられる。
しかも、シート状弾性体７は、回路基板１上に圧
接されたとき回路基板１との間にペースト状モー
ルド樹脂が入り込む隙間があかないように例え
ば、硬さが30〜35（JIS）程度の弾力性を有してい
る。
基板１に圧接するための押さえ板であり、本発明
の第２の要部をなすものである。押さえ板８に
は、シート状弾性体７に設けられた穴９よりやや
大きく、しかも穴９の周囲が均一な圧力がかかる
ような形状、例えば第１図ａの凸部１１のような
形状を有する穴１０が設けられている。この押さ
え板８は、シート状弾性体７の上から穴９，１０
の位置が互いにずれないように載せられ、穴９が
変形しないような圧力Ｐで上から押さえられる。
しかも、シート状弾性体７は、回路基板１上に圧
接されたとき回路基板１との間にペースト状モー
ルド樹脂が入り込む隙間があかないように例え
ば、硬さが30〜35（JIS）程度の弾力性を有してい
る。
この状態で、穴９，１０の上から半液状のモー
ルド樹脂をシート状弾性体７の厚さにほぼ等しく
なるまで滴下注入する。次に、その状態のまま室
温あるいは高温でモールド用樹脂を硬化させた
後、シート状弾性体７と押さえ板８とを取り去
る。
ルド樹脂をシート状弾性体７の厚さにほぼ等しく
なるまで滴下注入する。次に、その状態のまま室
温あるいは高温でモールド用樹脂を硬化させた
後、シート状弾性体７と押さえ板８とを取り去
る。
第２図ｂは、このようにして形成された樹脂モ
ールドの状態を示す平面図であり、ａはそのＡ−
Ａ断面図である。５は硬化の完了したモールド樹
脂であり、本発明の方法によつて、側面が回路基
板１の面に対して垂直に近い立方形のモールド形
状が得られる。しかも、封止用マスクをシート状
弾性体にしたことと、このシート状弾性体の穴の
周辺部分を小さい加重で確実に抑える押さえ板の
凸部の効果とにより、回路基板１とシート状弾性
体７との〓間に高温でゲル化した樹脂が流れ込む
ことがないので、モールドの立ち上がり部分に
「はみ出し」がなく所望の床面積内に仕上げるこ
とができる。
ールドの状態を示す平面図であり、ａはそのＡ−
Ａ断面図である。５は硬化の完了したモールド樹
脂であり、本発明の方法によつて、側面が回路基
板１の面に対して垂直に近い立方形のモールド形
状が得られる。しかも、封止用マスクをシート状
弾性体にしたことと、このシート状弾性体の穴の
周辺部分を小さい加重で確実に抑える押さえ板の
凸部の効果とにより、回路基板１とシート状弾性
体７との〓間に高温でゲル化した樹脂が流れ込む
ことがないので、モールドの立ち上がり部分に
「はみ出し」がなく所望の床面積内に仕上げるこ
とができる。
一般の混成集積回路では、半導体チツプ７が複
数個搭載される場合が多く、第２図ｃは、２個の
半導体チツプ２が隣接して実装された場合の樹脂
モールド５の形状を示す断面図である。
数個搭載される場合が多く、第２図ｃは、２個の
半導体チツプ２が隣接して実装された場合の樹脂
モールド５の形状を示す断面図である。
第３図ａ，ｂは本発明の方法で多数のワイヤ４
を有する半導体チツプ２が実装された混成集積回
路の例を示す斜視図である。第３図ａは、隣接す
る３個の半導体チツプ２が他の電子部品と同一面
に実装された完成品の斜視図を示し、第３図ｂは
隣接する２個の半導体チツプ２が上面に実装さ
れ、他の電子部品は裏面（図示省略）に実装され
た完成品の斜視図である。
を有する半導体チツプ２が実装された混成集積回
路の例を示す斜視図である。第３図ａは、隣接す
る３個の半導体チツプ２が他の電子部品と同一面
に実装された完成品の斜視図を示し、第３図ｂは
隣接する２個の半導体チツプ２が上面に実装さ
れ、他の電子部品は裏面（図示省略）に実装され
た完成品の斜視図である。
第４図は、本発明による方法が実際の生産に適
用される場合の概要を示す斜視図である。
用される場合の概要を示す斜視図である。
一般に、混成集積回路は、品種毎に量産される
場合が多いので、約50mm平方のアルミナ回路基板
上に同一品種の単位基板を複数個、例えば５〜10
個同時に作業ができるように配置して生産能率を
上げ、工程の後半で個別加工、例えばリード付け
工程に至る直前で、単位基板に分割されている。
場合が多いので、約50mm平方のアルミナ回路基板
上に同一品種の単位基板を複数個、例えば５〜10
個同時に作業ができるように配置して生産能率を
上げ、工程の後半で個別加工、例えばリード付け
工程に至る直前で、単位基板に分割されている。
第４図では、水平に置かれた基台１５の上に、
上述の回路基板１が固設される。この例では、８
個の単位基板が配置されている。各単位基板に半
導体チツプ２が２個ずつ隣接して実装されてい
る。図ではボンデイングワイヤ、配線導体などは
省略してある。この回路基板１の上から、シート
状弾性体７と押さえ板８を矢印の方向に載せて圧
接し、位置合わせされたそれぞれの穴９，１０内
に半液状モールド樹脂が滴下注入される。図で
は、８個の単位基板毎に実装された２個の半導体
チツプを一つの樹脂モールドで固めるために、シ
ート状弾性体７と押さえ板８には単位基板の数に
対応してそれぞれ８個の穴９および１０が設けら
れている。押さえ板８の穴１０の下側周辺部には
第１図に示したような凸部１１がそれぞれ設けら
れているが図示を省略してある。このようにして
能率よく本発明による方法が実施される。
上述の回路基板１が固設される。この例では、８
個の単位基板が配置されている。各単位基板に半
導体チツプ２が２個ずつ隣接して実装されてい
る。図ではボンデイングワイヤ、配線導体などは
省略してある。この回路基板１の上から、シート
状弾性体７と押さえ板８を矢印の方向に載せて圧
接し、位置合わせされたそれぞれの穴９，１０内
に半液状モールド樹脂が滴下注入される。図で
は、８個の単位基板毎に実装された２個の半導体
チツプを一つの樹脂モールドで固めるために、シ
ート状弾性体７と押さえ板８には単位基板の数に
対応してそれぞれ８個の穴９および１０が設けら
れている。押さえ板８の穴１０の下側周辺部には
第１図に示したような凸部１１がそれぞれ設けら
れているが図示を省略してある。このようにして
能率よく本発明による方法が実施される。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明の樹脂モー
ルド方法を実施することにより、次のような大き
い効果がある。
ルド方法を実施することにより、次のような大き
い効果がある。
１ 樹脂モールドの側面が基板の面に対して垂直
に近い形状になり、しかも、「はみ出し」部分
がないため、ワイヤが露出する危険が少ない上
にモールドの底面積が小さいので混成集積回路
の実装密度をさらに高めることができる。
に近い形状になり、しかも、「はみ出し」部分
がないため、ワイヤが露出する危険が少ない上
にモールドの底面積が小さいので混成集積回路
の実装密度をさらに高めることができる。
２ 肉厚の樹脂モールドを従来のような枠を設け
ることなく実現できるため、枠を形成する他の
樹脂との熱膨張係数の差による機械的歪が発生
する恐れは全くなく、熱衝撃に強い製品を提供
することができる。
ることなく実現できるため、枠を形成する他の
樹脂との熱膨張係数の差による機械的歪が発生
する恐れは全くなく、熱衝撃に強い製品を提供
することができる。
３ 保護キヤツプを用いる方法に比べて、実装密
度をさらに上げることができ、熱衝撃性に優れ
ている。
度をさらに上げることができ、熱衝撃性に優れ
ている。
４ 本発明に用いられるシート状弾性体、押さえ
板のいずれも安価であり、繰り返し使用できる
ので、金型を用いるトランスフアーモールドに
比べて極めて経済的である。
板のいずれも安価であり、繰り返し使用できる
ので、金型を用いるトランスフアーモールドに
比べて極めて経済的である。
第１図は本発明の実施例を説明するための部分
断面図と部分平面図、第２図は第１図により説明
された実施例によつて形成された製品の部分断面
図と部分平面図、第３図は本発明により形成され
た製品の斜視図、第４図は本発明を生産に適用し
た場合の概要を示す斜視図、第５図は従来の方法
により形成された製品の部分断面図と部分平面図
である。 １……回路基板、２……半導体チツプ、３……
配線導体、４……ワイヤ、５……樹脂モールド、
６……樹脂枠、７……シート状弾性体、８……押
さえ板、９，１０……穴、１１……凸部、１５…
…基台。
断面図と部分平面図、第２図は第１図により説明
された実施例によつて形成された製品の部分断面
図と部分平面図、第３図は本発明により形成され
た製品の斜視図、第４図は本発明を生産に適用し
た場合の概要を示す斜視図、第５図は従来の方法
により形成された製品の部分断面図と部分平面図
である。 １……回路基板、２……半導体チツプ、３……
配線導体、４……ワイヤ、５……樹脂モールド、
６……樹脂枠、７……シート状弾性体、８……押
さえ板、９，１０……穴、１１……凸部、１５…
…基台。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 混成集積回路の回路基板上の所定の位置に接
着されワイヤボンデイングされた少なくとも１つ
の半導体チツプと前記ワイヤボンデイングのワイ
ヤとを保護する樹脂モールドを形成するために、 前記半導体チツプがワイヤボンデイングされた
回路基板を水平基台上に載置し、該回路基板上の
前記半導体チツプとワイヤとが収容される容積の
穴が設けられ該容積の高さに等しい厚さの封止用
マスクを前記回路基板の上から前記半導体チツプ
と前記穴との位置が合うように載せた後、半液状
の樹脂を前記穴の上から前記半導体チツプと前記
ワイヤとが被われるまで滴下注入し、室温あるい
は高温で前記樹脂を硬化させた後、前記封止用マ
スクを取り外すことにより前記半導体チツプと前
記ワイヤとを保護する樹脂モールドを形成する混
成集積回路における半導体チツプの樹脂モールド
方法において、 前記封止用マスクをシート状弾性体とし該シー
ト状弾性体を前記回路基板の上から前記半導体チ
ツプと前記シート状弾性体に設けられた穴との位
置が合うように載せた後、前記シート状弾性体の
前記穴よりやや大きく該穴の周辺部分を上から押
さえる凸部を有する穴部が設けられた押さえ板を
前記穴と前記穴部の位置が合うように載せて前記
穴が変形しないような力で加圧して前記シート状
弾性体を前記回路基板に圧接し、前記半液状の樹
脂を前記押さえ板の穴部の上から前記半導体チツ
プと前記ワイヤとが被われるまで滴下注入し、室
温あるいは高温で前記樹脂を硬化させた後、前記
シート状弾性体と前記押さえ板を取り外すことに
より前記半導体チツプと前記ワイヤとを保護する
樹脂モールドを形成するようにしたことを特徴と
する混成集積回路における半導体チツプの樹脂モ
ールド方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132640A JPH01303729A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 混成集積回路における半導体チップの樹脂モールド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63132640A JPH01303729A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 混成集積回路における半導体チップの樹脂モールド方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303729A JPH01303729A (ja) | 1989-12-07 |
| JPH0532903B2 true JPH0532903B2 (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=15086056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63132640A Granted JPH01303729A (ja) | 1988-06-01 | 1988-06-01 | 混成集積回路における半導体チップの樹脂モールド方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01303729A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08327071A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-12-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 電子レンジの照明装置およびその制御方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS548680U (ja) * | 1977-06-21 | 1979-01-20 | ||
| JPS6352428A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
-
1988
- 1988-06-01 JP JP63132640A patent/JPH01303729A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08327071A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-12-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 電子レンジの照明装置およびその制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01303729A (ja) | 1989-12-07 |
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