JPH0532975B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 技術分野 本発明はノイズフイルタと、それに用いるイン
ダクタ用磁心に関する。さらに詳しくは、電源ラ
インに挿入してコモンモードおよびノーマルモー
ドのノイズを除去する電源ラインフイルタとして
用いるノイズフイルタと、それに用いるインダク
タ用磁心に関する。 先行技術とその問題点 一般に、ノイズを除去する場合、信号線相互間
のノイズ対称成分（ノーマルモード）と、信号線
−アース間のノイズ非対称成分（コモンモード）
との双方を考慮する必要がある。 従来のノイズフイルタは、信号線−アース間に
容量の大きいコンデンサを挿入するとともに、信
号線にインダクタを直列に挿入することによりノ
イズを除去する構成となつている。 第１図には、このような従来のノイズフイルタ
の一例が示される。 第１図において１，２はインダクタ、３，４は
ノイズをアースに短絡させるコンデンサ、５はノ
イズ対称成分にのみ効果があるコンデンサであ
る。コンデンサの容量は一般に0.1μF〜5μFが使
用される。 ところで第１図のような構成であると、100V
または200Vの電源線路に挿入して電源ラインフ
イルタとして使用する場合、数mA〜数10mAの
リーク電流が流れ、欧米や日本における安全規格
を上回つてしまう不都合を生じる。また、アース
が不十分である場合には、フイルタに触れたとき
に電撃を感じたりする等の欠点を生ずる。 このような欠点を防止するためには、信号線−
アース間のコンデンサの容量を小さくして安全規
格内にすることが考えられる。 しかしながら、このようにするとノイズフイル
タとしての減衰効果が悪くなる。このため、減衰
効果を向上させるためには、インダクタ１，２の
インダクタンスを大きくするとともに、電源電流
で飽和しないようにする必要がある。ところが、
このような要求を満たそうとすると、インダクタ
１，２の寸法が非常に大きくなりまた価格が大幅
に上昇する等の欠点を生ずる。 このような実状に鑑み、この出願の出願人は、
この出願の先願として、磁心に磁束が互いに打ち
消しあうように往復巻線を施してなるコモンモー
ドチヨークコイルと、コンデンサと、コモンモー
ドチヨークコイルの各巻線に直列にそれぞれ接続
した、磁心に巻線を施してなるインダクタとを有
するノイズフイルタを提案している（実開昭59−
56829号公報）。 第２図にはこのようなノイズフイルタの１例が
示される。 第２図において、８はフエライト、非晶質磁性
合金等の高透磁率の磁心を用いたチヨークコイル
であり、磁束が互いに打ち消しあうように往復巻
線が施されている。そして、１線あたりのインダ
クタンスは１〜10mH程度のものとされる。 また、９，１０は非対称成分のためのコンデン
サで、容量は0.01〜0.001μF程度である。さらに、
１１は対称成分の減衰量不足のときにその減衰量
不足をカバーするためのコンデンサである。 そして、コモンモードチヨークコイルの各巻線
には、それぞれ、直列にインダクタ６，７が接続
される。このインダクタは、非晶質磁性合金やケ
イ素鋼板等の高い飽和磁束密度の材料からなる磁
心をもつものである。 このような構成のノイズフイルタによると、信
号線−アース間のコンデンサ９，１０の容量を小
さくしてもノイズ対称成分に対して十分な減衰効
果を得ることができる。従つて、欧米や日本にお
ける安全規格を満足するごとくリーク電流を押さ
えることが可能となる。 また、コモンモードチヨークコイルに使用され
る磁心は往復線路により電源電流が打ち消される
ように構成されているため、フエライト磁心のよ
うに飽和しやすいものも使用でき、第１図の従来
回路においてインダクタ１，２のインダクタンス
を増加させるよりもはるかに安く製作することが
でき、原価低減を図ることが可能である。 ところで、このような構成のノイズフイルタに
おけるインダクタ６，７の磁心として、通常の非
晶質磁性合金を例えば巻回したものを用いると、
一定以上の減衰率（40dB以上）で除去できるノ
イズの周波数帯域巾が狭いという欠点がある。 また、磁心単位体積あたりのノイズ減衰量が小
さく、磁心の小型化が要求される。 さらには、これらの特性が、長期に亘るくりか
えし動作や保存によつて経時的に劣化するという
不都合もある。 なお、本発明者らは、先に、非晶質磁性合金中
に、部分的に微結晶を析出させて、これにより磁
気特性を向上させる旨の提案を行つており、この
ようなものを用いると上記の特性は改善される
が、未だ不十分なものでしかない。 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたもの
であつて、その主たる目的は、上記した先の提案
におけるコモンモードチヨークコイルと、コンデ
ンサと、コモンモードチヨークコイルの各巻線に
直列に接続された非晶質磁性合金磁心を有するイ
ンダクタからなるノイズフイルタにおいて、一定
以上の減衰率で除去するノイズの周波数帯域巾を
広帯域化し、インダクタ自身の単位体積あたりの
ノイズ減衰量を増大し、インダクタの経時劣化を
減少せんとするものである。 このような目的は、以下の本発明によつて達成
される。 すなわち本発明は、磁心に磁束が互いに打ち消
しあうように往復巻線を施してなるコモンモード
チヨークコイルと、 このコモンモードチヨークコイルの各巻線とア
ースとの間にそれぞれ接続した一対のコンデンサ
と、 前記コモンモードチヨークコイルの各巻線に直
列にそれぞれ接続した一対のインダクタとを有す
るノイズフイルタにおいて、 前記インダクタは、非晶質磁性合金薄板の巻回
体から構成された磁心に巻線を施して形成されて
おり、 前記非晶質磁性合金薄板が、部分的に結晶質を
含み、下記式で示される組成を有することを特徴
とするノイズフイルタである。 式 Fe_xMn_y（Si_pB_qP_rC_s）_z ｛上記式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100at％であり、こ
のうち、ｙは0.01〜10at％、ｚは21〜25.5at％で
ある。 ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝100at％であり、このうち、
ｐは40〜75at％、ｒは0.01〜5at％、ｓ／ｑは0.03
以上0.05未満である。 また、 ｚ≦0.5p＋１、 ｚ≦0.1p＋19、 ｚ≧0.3p＋２、かつ ｚ≧0.13p＋13.7である。｝ また、第２の発明は、部分的に結晶質を含み、
上記式で示される組成を有する非晶質磁性合金の
薄帯を巻回してなる巻回体から構成されることを
特徴とするインダクタ用磁心である。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明のノイズフイルタのインダクタ６，７の
磁心に用いる非晶質磁性合金の薄板は、部分的に
結晶質を含むものである。 薄板内において、非晶質中に部分的に含まれる
結晶質は、一般に、微結晶が析出して、非晶質中
に混在しているものである。 従つて、薄板のＸ線解析を行うと、回析スペク
トルは、非晶質特有のハローの上に、結晶質の存
在を示すピークが重畳されたパターンを示し、ま
た回析像にはハロー上にスポツトが重畳され、所
定の還径と還幅をもつデバイーシエーラー還が現
れる。 そして、回析スペクトルのハローとピークとの
面積比をとれば、薄帯中の結晶質と非晶質との存
在比が求められるものであるが、このように得ら
れる結晶質／非晶質は、通常、0.1〜50％程度で
あることが好ましい。 また、析出した微結晶は、通常、デバイーシエ
ーラー環の環径と環幅とから、概ね10〜1000オン
グストローム程度の平均粒径をもつものと考えら
れるものである。 そして、このように部分的に存在する微結晶に
より、薄板からインダクタ磁心を形成したとき、
除去されるノイズの帯域が広くなり、単位体積あ
たりの減衰量が増大し、経時劣化が減少する。 次に、非晶質磁性合金の組成について説明する
ならば、Mnの含有量ｙは、0.01〜10at％、好ま
しくは0.1〜5at％である。0.01％未満では、経時
劣化が大きい。また、結晶化温度が低く、後述の
微結晶析出のための熱処理に必要な温度、時間の
制限が厳しくなり、上記のように結晶質を部分的
に含有させることが困難となる。 これに対し、ｙが10at％を超えると、経時劣化
が大きくなり、薄板が作りにくくなる。また、飽
和磁化が減少し、ノイズの減衰率も低くなる。 他方、Si，Ｂ，ＰおよびＣからなるガラス化元
素の含有量ｚは21.0〜25.5at％である。 ｚが25.5at％を超えると、飽和磁化が減少し、
大きな磁心体積が必要となるため、巻線が大とな
り、銅損が増加し、発熱量が増大してしまう。 これに対し、ｚが21.0at％未満となると、薄板
化しにくくなり、構造歩留りが悪くなり、薄板の
表面性が悪くなる。また、結晶化温度が低下し、
微結晶析出のための熱処理に必要な温度、時間の
制限が厳しくなり、上記のように結晶質を部分的
に含有させることが困難となる。さらに、耐食性
が悪くなり、また耐久性も劣つてくる。 本発明における薄板は、上記のように0.01〜
10at％のMnと、Si，Ｂ，ＰおよびＣを含有する
ガラス化元素21.0〜25.5at％とを含み、残部は、
64.5〜78.9at％、より好ましくは、69.5〜78.9at％
のFeからなる。 この場合、ガラス化元素は、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝
100at％の条件下で、pat％のSiと、qat％のＢと、
rat％のＰと、sat％のＣとからなる。 ガラス化元素中のケイ素Si含有比ｐは、40〜
70at％である。 ｐが40at％未満となると、特に透磁率等の磁気
特性が悪くなり、経時劣化も大きい。 他方、75at％より大では、磁気特性の点で満足
できない。 加えて、ガラス化元素の総計の含有量zat％と、
ガラス化元素中のSi含有比pat％との間には、 ｚ≦0.5p＋１、かつ ｚ≦0.1p＋19、かつ ｚ≦0.3p＋２、かつ ｚ≦0.13p＋13.7の関係が満足されなければな
らない。 すなわち、これらの条件を第３図に基づき説明
するならば、（ｚ，ｐ）の座標で表わしたとき、
点Ａ（40，21.0）、Ｂ（45，23.5）、Ｃ（65，25.5）、
Ｄ（75，25.5）、Ｅ（75，24.5）、Ｆ（70，23.0）、Ｇ
（55，21.0）およびＡを順次直線で結び、これら
の直線で囲まれる領域が、本発明における薄板
の、ｚとｐとが満足すべき条件である。 そして、この領域内のみにおいて、所定のノイ
ズ減衰率が得られる磁心体積が小さくなるもので
ある。 なお、図示Ｃ−Ｄ線（ｚ＝25.5）上方およびＧ
−Ａ線（ｚ＝21.0）下方における不都合について
は上述したとおりであるが、図示Ａ−Ｂ線（ｚ＝
0.5p＋１）およびＢ−Ｃ線（ｚ＝0.1p＋19）上方
では、所定のノイズ減衰率が得られる磁心体積が
大きくなるとともに、磁気特性が悪く、経時劣化
が大きい。 また、Ｅ−Ｆ線（ｚ＝0.3p＋２）およびＦ−Ｇ
線（ｚ＝0.13p＋13.7）下方では、高速急冷法に
より非晶質の薄板が得られにくくなるという欠点
がある。また、微結晶析出のための熱処理条件が
厳しく、結晶質を部分的に存在させることが難し
い。 一方、ガラス化元素中のリンＰ含有比rat％は、
0.01〜5at％、より好ましくは、0.01〜2at％であ
る。 0.01at％未満では、経時劣化が大きくなつてし
まい、また5at％より大では発熱量が増大する。 また、ガラス化元素中の炭素Ｃ含有比ｓを、ホ
ウ酸Ｂ含有比ｑで除した値は0.03〜0.05である。 0.03より大となつてはじめて、経時変化が十分
小さくなり、0.05〜0.4と同等の経時変化が得ら
れる。 なお、上記した組成中には、さらに、Feおよ
びMn以外の他の遷移金属元素（Sc〜Zn，Ｙ〜
Cd，La〜Hg，Ac〜）が含まれていてもよい。
そして、その好ましい具体例としては、Co，Ni，
Cr，Cu，Mo，Nb，Ti，Ｗ，Ｖ，Zr，Ta，Ｙあ
るいは希土類元素等の１種以上を挙げることがで
きる。 ただ、これらの含有量は、通常Feの10at％、
特に5at％以下である。 他方、ガラス化元素として、Si，Ｂ，Ｐ，Ｃ以
外のものが含まれていてもよい。そしてその好ま
しい具体例としては、A1，Be，Ge，Sb，In等の
１種以上を挙げることができる。 ただ、その含有比は、ガラス化元素、Si，Ｂ，
Ｐ，Ｃの総計に対し、通常10at％以下、特に５％
以下である。 本発明における薄板は、以上詳述した条件さえ
満足すれば、他に特に制限はない。 ただ、薄板中に結晶質が部分的に導入された結
果、特に薄板面内の所定方向に磁気異方性が付与
されると、除去されるノイズの帯域が広がり、減
衰量が増大し、しかも各種磁気特性の調整が容易
となる点で好ましい。 この場合、磁気異方性は、薄板面内における所
定の一方向に、通常一軸異方性として導入される
ことが好ましい。 すなわち、ほぼ完全に非晶質の磁性合金の薄板
を、後述の巻回の前、あるいは場合によつては巻
回の後に無磁場中で熱処理することにより、微結
晶を析出させると、通常、薄板長手方向に一軸異
方性が付与され、このとき40dB以上の減衰率に
て除去できるノイズの帯域巾がきわめて広くな
る。また、薄板長手方向と所定の角度をなす方向
に、薄板巻回前、あるいは巻回後に磁場を印加し
て熱処理することにより、微結晶を析出させる
と、薄板長手方向と所定の角度をなす方向に、一
軸異方性が付与され、そのとき、異方性方向を所
定の方向とすることにより、角形比やＢ−Ｈルー
プの不飽和領域を所望のごとく調整することがで
き、また直流重畳特性が改善される。 このような磁気異方性の存在は、常法に従い、
トルク曲線を測定したりすることにより容易に検
証される。 このような薄板は、概ね10〜100μm程度の厚さ
と、概ね0.1〜50cm程度の巾をもち、通常長尺の
薄板である。 本発明におけるインダクタ磁心は、通常、この
ような薄板を巻回してなる巻回体から構成され
る。 すなわち、薄板を巻回してなる巻回体自体から
磁心が形成されてもよい。 また、巻回体を切断してＵ字、Ｃ字、Ｉ字、Ｌ
字状等の切断体とし、この切断体をカツトコアと
し、このカツトコア同士を突き合わせて磁心とし
てもよい。 このように、磁心をカツトコア形状とするとき
には、巻線作業が容易となる。 本発明におけるインダクタ磁心は、薄板の巻回
体から構成されるものであり、薄板を所定の形状
となして積層してなるものではない。これは以下
のような理由による。 すなわち、上記のように、薄板には微結晶の析
出により、薄板面内の所定方向に一軸性の磁気異
方性が付与されると好ましい結果を得る。そし
て、このような微結晶析出のための処理として
は、通常、巻回体形成前に施し、この後これから
巻回体を得ることになるが、得られる巻回体にお
ける容易軸の方向は、磁路方向に対し一定となる
ため、発熱量等の特性は高いものが得られる。 これに対し、積層構造とするときには、面内に
所定の異方性をもつ薄板を例えばエツチングした
り、打抜いて、これを積層するので、磁路と容易
軸の方向は、一定とはならず、発熱量等の特性と
して高いものが得られない。 さらには、巻回後微結晶析出のための処理を施
すときにも、磁路に対し、所望の任意の一定の角
度をもつ容易軸を容易に導入することができる。 反面、積層型では、両者のなす角度を、磁路中
一定の角度にて、任意の値とすることはできず、
できたとしても非常に困難である。 そして、本発明のインダクタ磁心は、巻回体自
体からなる場合はもとより、上記のように、種々
のカツトコア形状とするときでも、後述のように
ギヤツプを設けても、容易軸が磁路方向となす角
度は、常に一定でしかもそれを任意の角度となす
ことができる。 なお、コア加工時の特性劣化も、巻回体の方が
すぐれているので、このように巻回体から構成さ
れると、製造が容易となり、製造コストが低廉と
なる。 このように巻回体から磁心を構成する場合、巻
回体は、薄板を所定の巻枠、巻心等に巻回し、そ
の端部を固定して形成される。この場合、巻枠、
巻心等の構造、形状等は、種々のものとすること
ができる。また、その材質は、磁気、ガラス、樹
脂等の他、金属であつてもよく、さらに、端部の
固定は、接着剤、溶接、テープ等によつたり、あ
るいは、巻枠等に設けられたかしめ爪によつてか
しめる等によつてもよい。 なお、巻回される薄板間には、絶縁材料を介在
させることもできる。また、上記と異なり、巻
枠、巻心等を用いず、例えば樹脂等を含浸させる
等して、その形状を固定することもできる。加え
て、巻回形状は、円輪状、角輪状等種々変更可能
である。 これに対し、このような巻回体を切断して、切
断体を得て、それをＩ字状、Ｃ字状等のカツトコ
アになすには、巻回体の特に切断部を樹脂等で含
浸させ固定したり、かしめ爪等で固定したりし
て、切断すればよい。そして、このような各種カ
ツトコアから、Ｕ−Ｕ，Ｃ−Ｃ，Ｌ−Ｌ，Ｃ−Ｉ
等の種々のカツトコア形状の磁心が構成される。 さらに、このような磁心の磁路中には、その一
部分にギヤツプが形成されている。 ギヤツプの存在により、Ｂ−Ｈループの不飽和
領域が広くなり、直流重畳特性が向上するからで
ある。 このように、磁路の一部分にギヤツプを設ける
には、上記切断体を形成するのと同様、切断部分
を固定して、所定ギヤツプ巾にて巻回体を切断し
てもよく、あるいは、上記カツトコアのつきあわ
せに際し、所定のギヤツプを設けてもよい。 なおギヤツプ巾は、通常、磁路長の0.001〜
0.05程度とすればよい。 また、ギヤツプ内には、各種絶縁性材料、例え
ば、絶縁紙、ポリエチレンテレフタレート
（PET）等の樹脂などを装填してもよい。 本発明のインダクタ磁心は、通常、以下のよう
にして作製される。 まず、対応する組成の母合金から、公知の高速
急冷法に従い、ほぼ完全に非晶質の薄板を得る。 次いで、通常は、この薄板に、微結晶析出のた
めの処理を施す。 このような処理は、通常、無磁場中にて、結晶
化温度付近の温度で適当な時間過熱し、これを冷
却、例えば空冷することによつて行う。過熱温
度、過熱時間、冷却速度等は、必要とする特性値
に応じ、容易に実験的に求めることができる。な
お、このような熱処理の雰囲気は、空気中、真空
中、不活性ガス中、非酸化性ガス中等いずれであ
つてもよい。 あるいは、この他、上記のような熱処理を、静
磁場中で行うこともできる。この場合、印加磁場
は、例えば1000e程度とする。そして、このとき、
薄帯面内の長手方向と所定の角度をなす異方性が
付与される。また、熱処理を張力を印加しながら
行つたり、さらには場合によつては回転磁場中で
行うこともできる。 次いで、上記したようにこの薄板を巻回し、巻
回体を得、これから各種カツトコアを形成し、ギ
ヤツプを介してつきあわせて磁心としたり、巻回
体に所定のギヤツプを設けたりして、本発明のイ
ンダクタ磁心が形成される。 なお、薄板に予め微結晶析出のための処理を施
さず、巻回体作製後、カツトコア形成後、あるい
はギヤツプ形成後のいずれかに、処理を施すこと
もできる。また薄板に予め微結晶析出のための処
理を施して、その後巻回体を得るときには、巻回
体作製後等に、別途歪除去のため熱処理を施すこ
ともできる。 そして、以上のような磁心に所定の巻線を施
し、その他所定の加工を施し、インダクタが形成
される。 なお、このようなインダクタのＬは、10μH〜
1mH程度とされる。 そして、インダクタ６，７は、それぞれ、上記
したように、コモンモードチヨークコイル８の各
巻線に接続され、コンデンサ９，１０，１１と組
み合わされて、ノイズフイルタとされる。 発明の具体的効果 本発明のノイズフイルタは、所定の非晶質磁性
合金からなる磁心を用いたインダクタを用いるの
で、一定の減衰率（例えば40dB以上）にて除去
されるノイズの周波数帯域巾が格段と広帯域化す
る。 また、他の非晶質磁性合金を用いて同一寸法の
磁心を形成したときと比較して、ノイズの減衰量
が格段と向上する。 さらに、長期使用ないし長期保存を行つても、
除去されるノイズの周波数帯域巾やノイズ減衰量
の経時劣化は格段と減少する。 そして、微結晶析出のための熱処理条件も容易
であるため、磁心の製造が容易となる。 さらに、耐食性等も高い。 これにより、コンデンサ９，１０の容量を小さ
くできる等の先の提案の長所が十分に活かされる
ことになる。 このような効果は、上記の式においてｓ／ｑが
0.05〜0.4のときと同等である。 発明の具体的実施例、比較例 次に、本発明の実施例、比較例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。 実施例 １ 下記表１に示される、ｓ／ｑが異なるが、その
他は上記式に含まれる組成の５種の組成の非晶質
磁性合金薄板を得た。 これらはほぼ完全に非晶質であり、ともに厚さ
30μmである。

【表】 この５種の薄板を用い、内径15mm、外径27mm、
巾10mmのトロイダル状の巻回帯を得た。 これら５種の巻回体Ａ−１〜Ａ−５につき、
400℃、30分の熱処理を行つた後、巻回体にエポ
キシ系樹脂を含浸させ、樹脂硬化させ、しかる後
に、巻回体を切断して、磁路中に、巾１mmのギヤ
ツプを形成しPETを挿入し、インダクタ磁心Ａ
−１〜Ａ−５を得た。各磁心Ａ−１〜Ａ−５の薄
板には、Ｘ線回析により、ハローとピークが存在
していた。 このようにして得たインダクタ磁心Ａ−１〜Ａ
−５につき、Ｌ＝200μHとなるように巻線を施
し、これを第２図に示されるノイズフイルタ中に
組み込んだ。 この場合、コモンモードチヨークコイル８のＬ
は、2.5mH、コンデンサ９，１０は4700pF、コ
ンデンサ１１は0.22μFである。 このようなノイズフイルタにて、定格15Aにて
ｆ＝150kHzの減衰率（dB）を測定した。結果を
表２に示す。 また、これらの各インダクタを120℃の恒温槽
中に1000時間保存し、その後前記ノイズフイルタ
を作製し、上記の減衰率の経時変化を測定した。 結果を表２に併記する。表中、×は大きな変化
があつたこと、△は変化があつたこと、〇は変化
がなかつたことを表わす。

【表】 表２の結果から、ｓ／ｑが0.03〜0.4となると
減衰率が40dB以上となり、経時劣化が減少する
ことがわかる。また、ｓ／ｑ＝0.03〜0.4で40dB
以上の減衰率で除去できるノイズの帯域巾もきわ
めて大きかつた。すなわち、0.03以上0.05未満で
あつても、本発明者らが先に提案した特開昭57−
193005号公報におけるｓ／ｑ＝0.05〜0.4と同等
の効果を示している。 なお、ｓ／ｑ≧0.4の薄板を用いたインダクタ
Ａ−５は、発熱が多く、インダクタ６，７として
適さないことが確認された。 比較例 １ Fe₇₄Si₁₃B₁₃の組成につき同様の実験を行つた。

【表】 結果は表４に示されるとおりである。

【表】 実施例 ２ 上記式において、Mn含有量ｙを0.5at％、ガラ
ス化元素成分中のＰ含有比ｒを0.1at％、ＣとＢ
との含有比ｓ／ｑを0.037にそれぞれ固定し、ガ
ラス化元素成分量ｚと、ガラス化元素成分中のSi
含有比ｐとをそれぞれ変化させて、各種薄板を作
製した。 次いで、各薄板を内径15mm、外径27mm、巾10mm
のトロイダル状に巻回した後、各巻回体に440℃、
40分間の無磁場中熱処理を施し、エポキシ系樹脂
を含浸させ、固定し、磁路中に１mmのギヤツプを
設け、各種磁心を得た。 このように行つた熱処理の結果、各薄板のＸ線
回析スペクトルには、いずれもハローとピークと
が存在していた。 次に、このようにして得た各磁心につき、実施
例１と同様にして、インダクタおよびノイズフイ
ルタを作製し、定格15Aでの、ｆ＝150kHzの減衰
率を測定したところ、Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−
Ｇ−Ａで囲まれる領域内の組成をもつ薄板から得
られるインダクタは、40dB以上の減衰率であつ
たが、この範囲外では40dBより小さかつた。 また、各種インダクタにつき、経時変化を測定
したところ、Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ａで
囲まれる領域の組成をもつ薄板から得られたイン
ダクタは、いずれも実施例１におけるインダクタ
Ａ−２〜Ａ−４と同等のすぐれた特性を示した。 さらに、各組成ごとに、40分間の熱処理にて、
減衰率および経時変化の点で、良好な特性を得る
ための熱処理温度Tanの熱処理温度巾△Tanを求
めた。 この結果、Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ａで
囲まれる領域内の組成をもつ薄板は、20℃以上の
熱処理温度巾△Tanを示していた。 なお、Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ−Ａで囲ま
れる領域内の組成をもつ薄板は、いずれもすぐれ
た耐食性を示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のノイズフイルタを示す回路図
である。第２図は、本発明のノイズフイルタを示
す回路図である。第３図は、本発明のノイズフイ
ルタのインダクタ磁心に用いる非晶質磁性合金薄
板の組成、特にガラス化元素成分中のSi含有比ｐ
（％）と、ガラス化元素成分量ｚ（at％）との関係
を説明するためのグラフである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁心に磁束が互いに打ち消しあうように往復
   巻線を施してなるコモンモードチヨークコイル
   と、 このコモンモードチヨークコイルの各巻線とア
   ースとの間にそれぞれ接続した一対のコンデンサ
   と、 前記コモンモードチヨークコイルの各巻線に直
   列にそれぞれ接続した一対のインダクタとを有す
   るノイズフイルタにおいて、 前記インダクタは、非晶質磁性合金薄板の巻回
   体から構成された磁心に巻線を施して形成されて
   おり、 前記非晶質磁性合金薄板が、部分的に結晶質を
   含み、下記式で示される組成を有することを特徴
   とするノイズフイルタ。 式 Fe_xMn_y（Si_pB_qP_rC_s）_z ｛上記式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100at％であり、こ
   のうち、ｙは0.01〜10at％、ｚは21〜25.5at％で
   ある。 ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝100at％であり、このうち、
   ｐは40〜75at％、ｒは0.01〜5at％、ｓ／ｑは0.03
   以上0.05未満である。 また、 ｚ≦0.5p＋１、 ｚ≦0.1p＋19、 ｚ≧0.3p＋２、かつ ｚ≧0.13p＋13.7である。｝ ２ 前記インダクタの磁心が、前記非晶質磁性合
   金薄板の巻回体からなり、磁路の一部にギヤツプ
   を有する特許請求の範囲第１項に記載のノイズフ
   イルタ。 ３ 前記インダクタの磁心が、前記非晶質磁性合
   金薄板の巻回体を切断したカツトコアをギヤツプ
   を介してつきあわせてなる特許請求の範囲第１項
   に記載のノイズフイルタ。 ４ 部分的に結晶質を含み、下記式で示される組
   成を有する非晶質磁性合金の薄帯を巻回してなる
   巻回体から構成されることを特徴とするインダク
   タ用磁心。 式 Fe_xMn_y（Si_pB_qP_rC_s）_z ｛上記式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100at％であり、こ
   のうち、ｙは0.01〜10at％、ｚは21〜25.5at％で
   ある。 ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＝100％であり、このうち、ｐ
   は40〜75at％、ｒは0.01〜5at％、ｓ／ｑは0.03以
   上0.05未満である。 また、 ｚ≦0.5p＋１、 ｚ≦0.1p＋19、 ｚ≧0.3p＋２、かつ ｚ≧0.13p＋13.7である。｝