JPH0533057Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0533057Y2 JPH0533057Y2 JP3879687U JP3879687U JPH0533057Y2 JP H0533057 Y2 JPH0533057 Y2 JP H0533057Y2 JP 3879687 U JP3879687 U JP 3879687U JP 3879687 U JP3879687 U JP 3879687U JP H0533057 Y2 JPH0533057 Y2 JP H0533057Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- diode
- transistor
- emitter
- modulation
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本考案は、例えばFM波等を利用する遠隔操作
に用いられる送信機等に変調回路に関するもので
ある。 〔考案の背景〕 従来のFM変調回路としては、例えば第５図に
示すようなものがある。 このFM変調回路は、変調入力側に、送信コー
ドに応じたパルス信号が入力されると、バリキヤ
ツプダイオードVDに印加される電圧が該パルス
信号に応じてオン，オフされてこのバリキヤツプ
ダイオードVD自体の静電容量Cνが変化し、これ
により発振周波数の偏移をもたらしてFM変調を
行うようにしたものである。つまり、第６図に示
すコルピツ発振回路およびその等価回路を例にし
て説明すれば、バリキヤツプダイオードVDの静
電容量の変化は、コンデンサCBの静電容量CBが
変化したことになり、Xtaの等価インダクタン
スをLeとすると、発振回路周波数は、 となり、FM変調ができることとなる。 しかしながら、このような従来のFM変調回路
にあつては、バリキヤツプダイオードVDの静電
容量Cνの変化により発振周波数を偏移させFM変
調を行う方式となつていたため、発振周波数の偏
移量はバリキヤツプダイオードVDの静電容量Cν
の変化量により決定されることとなり、偏移量を
大きくしたい場合にはCνの変化比（印加電圧に
対する静電容量変化の割合）の大きいバリキヤツ
プダイオードVDを用いなればならず、バリキヤ
ツプダイオードは静電容量が大きいほど高価にな
るという問題点があつた。 〔考案の目的〕 本考案は、このような従来の問題点を解決する
ためになされたもので、高価なバリキヤツプダイ
オードを用いることなく、入力信号に応じて発振
周波数を偏移させて周波数変調ができる変調回路
を提供することを目的とするものである。 〔考案の実施例〕 以下本考案を図面に示す実施例に基づいて詳細
に説明する。 第１図は本考案による変調回路の一実施例を示
し、第１トランジスタTr1のベース側に抵抗R1を
介してパルス信号が入力され、第２トランジスタ
Tr2のコレツタ側から該パルス信号に応じて変調
された周波数変調信号おが出力されるようになつ
ている。第１トランジスタTr1のコレクタ側は、
抵抗R4を介して電源＋VCCに接続されるととも
に、ダイドードＤのカソード側と接続され、さら
にコンデンサC1を介して接地されている。ダイ
ドードＤのアノード側は、抵抗R5を介して電源
＋VCCに接続されるとともに、コンデンサC2を介
して第２トランジスタTr2のベース側に接続され
ている。 第２トランジスタTr2は、そのベース側とコレ
クタ側とが水晶振動子Xtaを介して接続され、
またコレクタ側はチヨークコイルRFCを介して
電源＋Vccに接続され、さらにコンデンサC3を介
して接地されている。なお、コンデンサC1の容
量C1とコンデンサC2の容量C2はC1≫C2なる関係
にあり、またCBEは第２トランジスタTr2のベー
ス・エミツタ間容量を示している。 以上が本実施例の回路構成であるが、以下にそ
の作用を第２図および、第６図を参照しながら説
明する。 変調入力のパルスがハイレベルの時には第１ト
ランジスタTr1は導通するため、ダイオードＤに
は順バイアスがかかり、ダイオードＤは第２図イ
に示すようにスイツチがONの状態に見なせるの
で、第６図に示した基本回路と対比すればコンデ
ンサCBの容量CBは第２トランジスタTr2のベー
ス・エミツタ間容量CBEとコンデンサC2の和の
（並列接続）と見なすことができる。〔C1≫C2の
時〕この時の発振周波数1は、 と表わすことができる。 一方、変調入力のパルスがローレベルの時には
第１トランジスタTr1は、導通しないため、ダイ
オードＤには順バイアスがかからず、ダイオード
Ｄは、第５図ロのようにスイツチがOFFの状態
に見なせるので、スイツチダイードＤの接合容量
を無視すれば基本回路中のコンデンサCBの容量
CBはCBEのみとなる。この時の発振周波数2は、
に用いられる送信機等に変調回路に関するもので
ある。 〔考案の背景〕 従来のFM変調回路としては、例えば第５図に
示すようなものがある。 このFM変調回路は、変調入力側に、送信コー
ドに応じたパルス信号が入力されると、バリキヤ
ツプダイオードVDに印加される電圧が該パルス
信号に応じてオン，オフされてこのバリキヤツプ
ダイオードVD自体の静電容量Cνが変化し、これ
により発振周波数の偏移をもたらしてFM変調を
行うようにしたものである。つまり、第６図に示
すコルピツ発振回路およびその等価回路を例にし
て説明すれば、バリキヤツプダイオードVDの静
電容量の変化は、コンデンサCBの静電容量CBが
変化したことになり、Xtaの等価インダクタン
スをLeとすると、発振回路周波数は、 となり、FM変調ができることとなる。 しかしながら、このような従来のFM変調回路
にあつては、バリキヤツプダイオードVDの静電
容量Cνの変化により発振周波数を偏移させFM変
調を行う方式となつていたため、発振周波数の偏
移量はバリキヤツプダイオードVDの静電容量Cν
の変化量により決定されることとなり、偏移量を
大きくしたい場合にはCνの変化比（印加電圧に
対する静電容量変化の割合）の大きいバリキヤツ
プダイオードVDを用いなればならず、バリキヤ
ツプダイオードは静電容量が大きいほど高価にな
るという問題点があつた。 〔考案の目的〕 本考案は、このような従来の問題点を解決する
ためになされたもので、高価なバリキヤツプダイ
オードを用いることなく、入力信号に応じて発振
周波数を偏移させて周波数変調ができる変調回路
を提供することを目的とするものである。 〔考案の実施例〕 以下本考案を図面に示す実施例に基づいて詳細
に説明する。 第１図は本考案による変調回路の一実施例を示
し、第１トランジスタTr1のベース側に抵抗R1を
介してパルス信号が入力され、第２トランジスタ
Tr2のコレツタ側から該パルス信号に応じて変調
された周波数変調信号おが出力されるようになつ
ている。第１トランジスタTr1のコレクタ側は、
抵抗R4を介して電源＋VCCに接続されるととも
に、ダイドードＤのカソード側と接続され、さら
にコンデンサC1を介して接地されている。ダイ
ドードＤのアノード側は、抵抗R5を介して電源
＋VCCに接続されるとともに、コンデンサC2を介
して第２トランジスタTr2のベース側に接続され
ている。 第２トランジスタTr2は、そのベース側とコレ
クタ側とが水晶振動子Xtaを介して接続され、
またコレクタ側はチヨークコイルRFCを介して
電源＋Vccに接続され、さらにコンデンサC3を介
して接地されている。なお、コンデンサC1の容
量C1とコンデンサC2の容量C2はC1≫C2なる関係
にあり、またCBEは第２トランジスタTr2のベー
ス・エミツタ間容量を示している。 以上が本実施例の回路構成であるが、以下にそ
の作用を第２図および、第６図を参照しながら説
明する。 変調入力のパルスがハイレベルの時には第１ト
ランジスタTr1は導通するため、ダイオードＤに
は順バイアスがかかり、ダイオードＤは第２図イ
に示すようにスイツチがONの状態に見なせるの
で、第６図に示した基本回路と対比すればコンデ
ンサCBの容量CBは第２トランジスタTr2のベー
ス・エミツタ間容量CBEとコンデンサC2の和の
（並列接続）と見なすことができる。〔C1≫C2の
時〕この時の発振周波数1は、 と表わすことができる。 一方、変調入力のパルスがローレベルの時には
第１トランジスタTr1は、導通しないため、ダイ
オードＤには順バイアスがかからず、ダイオード
Ｄは、第５図ロのようにスイツチがOFFの状態
に見なせるので、スイツチダイードＤの接合容量
を無視すれば基本回路中のコンデンサCBの容量
CBはCBEのみとなる。この時の発振周波数2は、
以上説明してきたように本考案は、トランジス
タTr2のベース・コレツタ間に水晶振動子ta
と、ベース・エミツタ間に第１のコンデンサC2
と、コレクタ・エミツタ間に第２のコンデンサ
C3とが接続されてなる変調回路において、前記
第１のコンデンサC2のエミツタ側端子を抵抗R5
を介して電源ラインに接続するとともに、該第１
のコンデンサC2のエミツタ側端子と前記トラン
ジスタTr2のエミツタとの間にダイオードＤ又は
電界効果トランジスタFETと、制御信号によつ
て開閉成されて該ダイオードＤ又は電界効果トラ
ンジスタFETをオン、オフするスイツチ手段Tr1
とを直列に介挿したことを特徴とする変調回路で
ある。 〔考案の効果〕 したがつて本考案によれば、周波数偏移量をダ
イオード又は電界効果トランジスタを用いて容易
に大きくすることができ、しかも小信号の変調入
力で容易に周波数変調が行えるといつた効果が得
られる。
タTr2のベース・コレツタ間に水晶振動子ta
と、ベース・エミツタ間に第１のコンデンサC2
と、コレクタ・エミツタ間に第２のコンデンサ
C3とが接続されてなる変調回路において、前記
第１のコンデンサC2のエミツタ側端子を抵抗R5
を介して電源ラインに接続するとともに、該第１
のコンデンサC2のエミツタ側端子と前記トラン
ジスタTr2のエミツタとの間にダイオードＤ又は
電界効果トランジスタFETと、制御信号によつ
て開閉成されて該ダイオードＤ又は電界効果トラ
ンジスタFETをオン、オフするスイツチ手段Tr1
とを直列に介挿したことを特徴とする変調回路で
ある。 〔考案の効果〕 したがつて本考案によれば、周波数偏移量をダ
イオード又は電界効果トランジスタを用いて容易
に大きくすることができ、しかも小信号の変調入
力で容易に周波数変調が行えるといつた効果が得
られる。
第１図は本考案による変調回路の一実施例を示
す回路図、第２図イ，ロはダイオードの等価回路
図、第３図は他の実施の回路図、第４図は電界効
果トランジスタのゲート電圧VGSとソース・ドレ
イン抵抗rdsとの関係を示す図、第５図は従来の
変調回路を示す回路図、第６図イはコルピツツ発
振回路を示す回路図、第６図ロは水晶振動子等価
回路図を示している。 Ｄ……ダイオード、FET……電界効果トラン
ジスタ、CB……コンデンサ。
す回路図、第２図イ，ロはダイオードの等価回路
図、第３図は他の実施の回路図、第４図は電界効
果トランジスタのゲート電圧VGSとソース・ドレ
イン抵抗rdsとの関係を示す図、第５図は従来の
変調回路を示す回路図、第６図イはコルピツツ発
振回路を示す回路図、第６図ロは水晶振動子等価
回路図を示している。 Ｄ……ダイオード、FET……電界効果トラン
ジスタ、CB……コンデンサ。
Claims (1)
- トランジスタTr2のベース・コレクタ間に水晶
振動子Xtaと、ベース・エミツタ間に第１のコ
ンデンサC2と、コレクタ・エミツタ間に第２の
コンデンサC3とが接続されてなる変調回路にお
いて、前記第１のコンデンサC2のエミツタ側端
子を抵抗R5を介して電源ラインに接続するとと
もに、該第１のコンデンサC2のエミツタ側端子
と前記トランジスタTr2のエミツタとの間にダイ
オードＤ又は電界効果トランジスタFETと、制
御信号によつて開閉成されて該ダイオードＤ又は
電界効果トランジスタFETをオン、オフするス
イツチ手段Tr1とを直列に介挿したことを特徴と
する変調回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3879687U JPH0533057Y2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3879687U JPH0533057Y2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63147039U JPS63147039U (ja) | 1988-09-28 |
| JPH0533057Y2 true JPH0533057Y2 (ja) | 1993-08-24 |
Family
ID=30851378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3879687U Expired - Lifetime JPH0533057Y2 (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0533057Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP3879687U patent/JPH0533057Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63147039U (ja) | 1988-09-28 |
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