JPH0533457B2 - - Google Patents
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- JPH0533457B2 JPH0533457B2 JP60045544A JP4554485A JPH0533457B2 JP H0533457 B2 JPH0533457 B2 JP H0533457B2 JP 60045544 A JP60045544 A JP 60045544A JP 4554485 A JP4554485 A JP 4554485A JP H0533457 B2 JPH0533457 B2 JP H0533457B2
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- Japan
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- protective film
- magnetic
- film
- alloy
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気デイスク装置の如き磁気的記憶
装置の記憶媒体として用いられる磁気デイスクに
関し、詳細には耐久性等を向上するための保護膜
の改良に関する。 〔従来の技術〕 例えばコンピユータ等の記憶媒体としては、ラ
ンダムアクセスが可能な円板状の磁気デイスクが
広く用いられており、なかでも、応答性に優れる
こと、記憶容量が大きいこと、保存性が良好で信
頼性が高いこと等から、基至にAl合金板やガラ
ス板、プラスチツク板等の硬質材料を用いた磁気
デイスク、いわゆるハードデイスクが固定デイス
ク、あるいは外部デイスクとして使用されるよう
になつている。 上記ハードデイスクは、例えばAl合金基板上
に記録再生に関与する磁性層を形成したものであ
つて、高速で回転して同心円状の多数のトラツク
に情報の記録再生を行うものである。 ところで、上述のハードデイスクに対して記録
再生を行う場合には、操作開始時に磁気ヘツドと
磁性層面とを接触状態で装着した後、上記ハード
デイスクに所定の回転を与えることによりヘツド
と磁性層面との間に微小な空気層を形成し、この
状態で記録再生を行うCSS方式（コンタクト・ス
タート・ストツプ方式）によるのが一般的であ
る。 このようなCSS方式では、磁気ヘツドは、操作
開始時や操作終了時には磁性層面と接触摩擦状態
にあり、ヘツドと磁気デイスクの間に生じる摩擦
力は、これら磁気ヘツドや磁気デイスクを摩耗さ
せる原因となる。あるいは、磁気ヘツドに塵埃や
磁性層の剥離粉の付着があると、ヘツドクラツシ
ユ（磁気ヘツドの落下）が発生し易くなり、また
ヘツの跳躍等により記録再生中に突発的に磁気ヘ
ツドが磁気デイスクに接触する等、磁気デイスク
に大きな衝撃が加わることがあり、これら磁気デ
イスクや磁気ヘツドを破損する原因ともなつてい
る。 特に、磁性層がCo−Ni等の合金を真空蒸着や
スパツタリング等の真空薄膜形成技術により薄膜
化する方法や、Co−Ni−Ｐ等の合金を無電解メ
ツキ等の湿式法により薄膜化する方法等によつて
形成される連続薄膜である場合には、この傾向が
顕著である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このような磁気デイスクと磁気ヘツドの接触摺
動から発生する耐久性の劣化はノイズの発生を招
くので好ましいものではなく、また、磁気デイス
クに対する衝撃は、磁気ヘツドやデイスク面の傷
つき等をもたらし、良好な記録再生の妨げとな
る。 そこで従来、上述の磁気デイスクの表面に保護
膜を形成し、この磁気デイスクの耐久性を向上す
ることが検討されているが、耐久性、走行性、耐
衝撃性等の種々の要求を同時に満足するものは得
られていない。 かかる状況から、本発明は、機械的強度に優れ
良好な走行性を付与し得る保護膜を提供し、ノイ
ズが少なく耐久性に優れた磁気デイスクを提供す
ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、上述のような目的を達成せんも
のと鋭意研究の結果、カーボン保護膜と二酸化ケ
イ素保護膜を組み合わせることにより磁性層の耐
久性を相乗的に高めることができることを見出し
本発明を完成するに至つたものであり、基板上に
金属磁性薄膜を形成し、前記金属磁性薄膜上にカ
ーボン保護膜及び二酸化ケイ素保護膜を順次形成
してなり、前記カーボン保護膜と二酸化ケイ素保
護膜の合計膜厚が500Å以下であることを特徴と
するものである。 すなわち、本発明の磁気デイスクにおいては、
保護膜をカーボン保護膜と二酸化ケイ素保護膜の
２層構造とし、これらの相乗効果により耐久性や
耐衝撃性、走行性、耐蝕性等を向上する。 上記カーボン保護膜は、潤滑性や耐蝕性等に優
れたものであり、通常、真空蒸着やスパツタリン
グ等の手法により形成される。例えば、真空蒸着
による場合は、圧力５×10-5Torr以下の真空度、
基板温度50〜250℃の条件であればよく、加熱方
法としては電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、誘導
加熱法やアーム放電法等の手法が用いられる。こ
こで、基板温度が高すぎると、例えば基板面上に
下地膜として形成されるNi−Ｐメツキ層が結晶
化する等の不具合が生ずる虞れがある。また、ス
パツタリングによる場合には、Ar等の不活性ガ
スを導入し、圧力１×10-2〜１×10-3Torrの真
空度、基板温度50〜250℃の条件で、ターゲツト
としてカーボン板（厚さ１〜４mm程度）を用い、
RF電力１〜10KwあるいはDC電力500w〜10Kw
を印加すればよい。このカーボン保護膜の膜厚
は、100〜300Åの範囲内であることが好ましい。 一方、このカーボン保護膜の上に形成される二
酸化ケイ素保護膜は、耐ヘツドクラツシユ性に優
れるものであつて、例えば酸化ケイ素をターゲツ
トとし、酸素を含む不活性ガス雰囲気中でスパツ
タリングすること等により形成される。 ここでターゲツトとして使用される酸化ケイ素
としては、SiO2あるいはSiO等の任意のケイ素酸
化物であつてもよい。不活性ガスとしてはアルゴ
ンより原子量の大きいガスが好ましいが、通常は
アルゴンが使用される。この不活性ガスに酸素を
混入してスパツタリングを行うことにより、得ら
れる膜の耐摩耗性は大幅に改善される。 なお、これらカーボン保護膜と二酸化ケイ素保
護膜の合計した膜厚は、500Å程度以下に設定す
ることが好ましい。これ以上の厚さになると、ヘ
ツドクラツシユ性が極端に発生し易くなる。 本発明が適用される磁気デイスクは、デイスク
基板上に磁性層として強磁性金属の連続膜を設け
たものであるが、ここでデイスク基板の素材とし
ては、アルミニウム合金、チタン合金等の軽合
金、ポリスチレン、ABS樹脂等の熱可塑性樹脂、
アルミナガラス等のセラミツクス、単結晶シリコ
ン等が使用可能である。 ここで、上記デイスク基板として比較的軟らか
い材質のものを使用する場合には、表面を硬くす
る非磁性金属下地層を形成しておくことが好まし
い。上記非磁性金属下地層の材質としては、Ni
−Ｐ合金、Cu、Cr、Zn、ステンレス等が好まし
い。これらをメツキ、スパツタリング、蒸着等の
手法により基板表面に４〜20μｍ程度の膜厚で披
着する。例えば、Al−Mg合金基板の表面にNi−
Ｐメツキを施すと、その硬度は400程度になり、
この基板上に形成した磁性層の磁気特性が優れた
ものとなる。 また、上記磁性層は、メツキやスパツタリン
グ、真空蒸着等の手法により連続膜として形成さ
れる。 例えばCo−Ｐ、Co−Ni−Ｐ等をメツキするこ
とにより金属磁性薄膜が磁性層として形成され
る。 あるいは、真空蒸着法やイオンプレーテイング
法、スパツタリング法等の真空薄膜形成技術によ
つてもよい。 上記真空蒸着法は、10-4〜10-8Torrの真空下
で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子
ビーム加熱等により蒸発させ、デイスク基板上に
蒸発金属（強磁性金属材料）を沈着するというも
のであり、斜方蒸着法及び垂直蒸着法に大別され
る。上記斜方蒸着法は、高い抗磁力を得るため基
板に対して上記強磁性金属材料を斜めに蒸着する
ものであつて、より高い抗磁力を得るために酸素
雰囲気中で上記蒸着を行うものも含まれる。上記
垂直蒸着法は、蒸着効率や生産性を向上し、かつ
高い抗磁力を得るために基板上にあらかじめBi、
Sb、Pb、Sn、Ga、In、Ｃ、Ge、Si、Tl等の下
地金属層上に上記強磁性金属材料を垂直に蒸着す
るというものである。 上記イオンプレーテイング法も真空蒸着法の一
種であり、10-4〜10-3Torrの不活性ガス雰囲気
中でDCグロー放電、RF、グロー放電を起こし
て、放電中デイスク上記強磁性金属材料を蒸発さ
せるというものである。 上記スパツタリング法は、10-3〜10-1Torrの
アルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放
電を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲ
ツト表面の原子をたたき出すというものであり、
グロー放電の方法により直流２極、３極スパツタ
法や、高周波スパツタ法、またはマグネトロン放
電を利用したマグネトロンスパツタ法等がある。
このスパツタリング法による場合には、CrやＷ、
Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。 このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄
膜を形成する際に、使用される強磁性金属材料と
しては、Fe、Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni
合金、Co−Pt合金、Co−Ni−Pt合金、Fe−Co
合金、Fe−ni合金、Fe−Co−Ni合金、Fe−Co
−Ｂ合金、Co−Ni−Fe−Ｂ合金、Co−Cr合金あ
るいはこれらにCr、Al等の金属が含有されたも
の等が挙げられる。特に、Co−Cr合金を使用し
た場合には、垂直磁化膜が形成される。 このような手法により形成される磁性層の膜厚
は、0.04〜1μｍである。 〔作用〕 このように、磁性層表面にカーボン保護膜と二
酸化ケイ素保護膜の２層構造からなる保護膜を形
成することにより、これら２層の保護膜が相乗的
に作用し、耐摩耗性、耐衝撃性、耐蝕性、走行性
等に優れた効果が発揮される。 〔実施例〕 以下、本発明の具体的な実施例について説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでな
いことは言うまでもない。 先ず、第１図に示すように、非磁性金属下地層
として厚さ15μｍのNi−Ｐメツキ層２を形成した
Al合金基板１（厚さ約1.5mm、外径95mm、内径25
mm）を用意し、このメツキ層２上に圧力１×
10-5Torr、基板温度150℃の条件でBiを電子ビー
ム蒸着して膜厚200Åの低融点金属下地膜３を形
成した。 次いで、この下地膜３上に、同様に圧力１×
10-5Torr、基板温度150℃の条件で、Coを電子ビ
ーム蒸着し、膜厚1000Åの金属磁性薄膜４を形成
した。 さらに、蒸着法によりこの金属磁性薄膜４上に
カーボン保護膜５を形成し、続いてこのカーボン
保護膜５上に、酸素ケイ素をターゲツトとし酸素
を含むアルゴンガス雰囲気中でスパツタリング施
し、二酸化ケイ素保護膜６を形成した。 上記カーボン保護膜５及び二酸化ケイ素保護膜
６の膜厚を次表に示すように変え、一般に知られ
ているコンタクトスタートストツプ（CSS）試験
によりCSS特性を調べた。また、同時に保護膜の
剥離についても調べた。結果を次表に示す。
装置の記憶媒体として用いられる磁気デイスクに
関し、詳細には耐久性等を向上するための保護膜
の改良に関する。 〔従来の技術〕 例えばコンピユータ等の記憶媒体としては、ラ
ンダムアクセスが可能な円板状の磁気デイスクが
広く用いられており、なかでも、応答性に優れる
こと、記憶容量が大きいこと、保存性が良好で信
頼性が高いこと等から、基至にAl合金板やガラ
ス板、プラスチツク板等の硬質材料を用いた磁気
デイスク、いわゆるハードデイスクが固定デイス
ク、あるいは外部デイスクとして使用されるよう
になつている。 上記ハードデイスクは、例えばAl合金基板上
に記録再生に関与する磁性層を形成したものであ
つて、高速で回転して同心円状の多数のトラツク
に情報の記録再生を行うものである。 ところで、上述のハードデイスクに対して記録
再生を行う場合には、操作開始時に磁気ヘツドと
磁性層面とを接触状態で装着した後、上記ハード
デイスクに所定の回転を与えることによりヘツド
と磁性層面との間に微小な空気層を形成し、この
状態で記録再生を行うCSS方式（コンタクト・ス
タート・ストツプ方式）によるのが一般的であ
る。 このようなCSS方式では、磁気ヘツドは、操作
開始時や操作終了時には磁性層面と接触摩擦状態
にあり、ヘツドと磁気デイスクの間に生じる摩擦
力は、これら磁気ヘツドや磁気デイスクを摩耗さ
せる原因となる。あるいは、磁気ヘツドに塵埃や
磁性層の剥離粉の付着があると、ヘツドクラツシ
ユ（磁気ヘツドの落下）が発生し易くなり、また
ヘツの跳躍等により記録再生中に突発的に磁気ヘ
ツドが磁気デイスクに接触する等、磁気デイスク
に大きな衝撃が加わることがあり、これら磁気デ
イスクや磁気ヘツドを破損する原因ともなつてい
る。 特に、磁性層がCo−Ni等の合金を真空蒸着や
スパツタリング等の真空薄膜形成技術により薄膜
化する方法や、Co−Ni−Ｐ等の合金を無電解メ
ツキ等の湿式法により薄膜化する方法等によつて
形成される連続薄膜である場合には、この傾向が
顕著である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このような磁気デイスクと磁気ヘツドの接触摺
動から発生する耐久性の劣化はノイズの発生を招
くので好ましいものではなく、また、磁気デイス
クに対する衝撃は、磁気ヘツドやデイスク面の傷
つき等をもたらし、良好な記録再生の妨げとな
る。 そこで従来、上述の磁気デイスクの表面に保護
膜を形成し、この磁気デイスクの耐久性を向上す
ることが検討されているが、耐久性、走行性、耐
衝撃性等の種々の要求を同時に満足するものは得
られていない。 かかる状況から、本発明は、機械的強度に優れ
良好な走行性を付与し得る保護膜を提供し、ノイ
ズが少なく耐久性に優れた磁気デイスクを提供す
ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、上述のような目的を達成せんも
のと鋭意研究の結果、カーボン保護膜と二酸化ケ
イ素保護膜を組み合わせることにより磁性層の耐
久性を相乗的に高めることができることを見出し
本発明を完成するに至つたものであり、基板上に
金属磁性薄膜を形成し、前記金属磁性薄膜上にカ
ーボン保護膜及び二酸化ケイ素保護膜を順次形成
してなり、前記カーボン保護膜と二酸化ケイ素保
護膜の合計膜厚が500Å以下であることを特徴と
するものである。 すなわち、本発明の磁気デイスクにおいては、
保護膜をカーボン保護膜と二酸化ケイ素保護膜の
２層構造とし、これらの相乗効果により耐久性や
耐衝撃性、走行性、耐蝕性等を向上する。 上記カーボン保護膜は、潤滑性や耐蝕性等に優
れたものであり、通常、真空蒸着やスパツタリン
グ等の手法により形成される。例えば、真空蒸着
による場合は、圧力５×10-5Torr以下の真空度、
基板温度50〜250℃の条件であればよく、加熱方
法としては電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、誘導
加熱法やアーム放電法等の手法が用いられる。こ
こで、基板温度が高すぎると、例えば基板面上に
下地膜として形成されるNi−Ｐメツキ層が結晶
化する等の不具合が生ずる虞れがある。また、ス
パツタリングによる場合には、Ar等の不活性ガ
スを導入し、圧力１×10-2〜１×10-3Torrの真
空度、基板温度50〜250℃の条件で、ターゲツト
としてカーボン板（厚さ１〜４mm程度）を用い、
RF電力１〜10KwあるいはDC電力500w〜10Kw
を印加すればよい。このカーボン保護膜の膜厚
は、100〜300Åの範囲内であることが好ましい。 一方、このカーボン保護膜の上に形成される二
酸化ケイ素保護膜は、耐ヘツドクラツシユ性に優
れるものであつて、例えば酸化ケイ素をターゲツ
トとし、酸素を含む不活性ガス雰囲気中でスパツ
タリングすること等により形成される。 ここでターゲツトとして使用される酸化ケイ素
としては、SiO2あるいはSiO等の任意のケイ素酸
化物であつてもよい。不活性ガスとしてはアルゴ
ンより原子量の大きいガスが好ましいが、通常は
アルゴンが使用される。この不活性ガスに酸素を
混入してスパツタリングを行うことにより、得ら
れる膜の耐摩耗性は大幅に改善される。 なお、これらカーボン保護膜と二酸化ケイ素保
護膜の合計した膜厚は、500Å程度以下に設定す
ることが好ましい。これ以上の厚さになると、ヘ
ツドクラツシユ性が極端に発生し易くなる。 本発明が適用される磁気デイスクは、デイスク
基板上に磁性層として強磁性金属の連続膜を設け
たものであるが、ここでデイスク基板の素材とし
ては、アルミニウム合金、チタン合金等の軽合
金、ポリスチレン、ABS樹脂等の熱可塑性樹脂、
アルミナガラス等のセラミツクス、単結晶シリコ
ン等が使用可能である。 ここで、上記デイスク基板として比較的軟らか
い材質のものを使用する場合には、表面を硬くす
る非磁性金属下地層を形成しておくことが好まし
い。上記非磁性金属下地層の材質としては、Ni
−Ｐ合金、Cu、Cr、Zn、ステンレス等が好まし
い。これらをメツキ、スパツタリング、蒸着等の
手法により基板表面に４〜20μｍ程度の膜厚で披
着する。例えば、Al−Mg合金基板の表面にNi−
Ｐメツキを施すと、その硬度は400程度になり、
この基板上に形成した磁性層の磁気特性が優れた
ものとなる。 また、上記磁性層は、メツキやスパツタリン
グ、真空蒸着等の手法により連続膜として形成さ
れる。 例えばCo−Ｐ、Co−Ni−Ｐ等をメツキするこ
とにより金属磁性薄膜が磁性層として形成され
る。 あるいは、真空蒸着法やイオンプレーテイング
法、スパツタリング法等の真空薄膜形成技術によ
つてもよい。 上記真空蒸着法は、10-4〜10-8Torrの真空下
で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子
ビーム加熱等により蒸発させ、デイスク基板上に
蒸発金属（強磁性金属材料）を沈着するというも
のであり、斜方蒸着法及び垂直蒸着法に大別され
る。上記斜方蒸着法は、高い抗磁力を得るため基
板に対して上記強磁性金属材料を斜めに蒸着する
ものであつて、より高い抗磁力を得るために酸素
雰囲気中で上記蒸着を行うものも含まれる。上記
垂直蒸着法は、蒸着効率や生産性を向上し、かつ
高い抗磁力を得るために基板上にあらかじめBi、
Sb、Pb、Sn、Ga、In、Ｃ、Ge、Si、Tl等の下
地金属層上に上記強磁性金属材料を垂直に蒸着す
るというものである。 上記イオンプレーテイング法も真空蒸着法の一
種であり、10-4〜10-3Torrの不活性ガス雰囲気
中でDCグロー放電、RF、グロー放電を起こし
て、放電中デイスク上記強磁性金属材料を蒸発さ
せるというものである。 上記スパツタリング法は、10-3〜10-1Torrの
アルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放
電を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲ
ツト表面の原子をたたき出すというものであり、
グロー放電の方法により直流２極、３極スパツタ
法や、高周波スパツタ法、またはマグネトロン放
電を利用したマグネトロンスパツタ法等がある。
このスパツタリング法による場合には、CrやＷ、
Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。 このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄
膜を形成する際に、使用される強磁性金属材料と
しては、Fe、Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni
合金、Co−Pt合金、Co−Ni−Pt合金、Fe−Co
合金、Fe−ni合金、Fe−Co−Ni合金、Fe−Co
−Ｂ合金、Co−Ni−Fe−Ｂ合金、Co−Cr合金あ
るいはこれらにCr、Al等の金属が含有されたも
の等が挙げられる。特に、Co−Cr合金を使用し
た場合には、垂直磁化膜が形成される。 このような手法により形成される磁性層の膜厚
は、0.04〜1μｍである。 〔作用〕 このように、磁性層表面にカーボン保護膜と二
酸化ケイ素保護膜の２層構造からなる保護膜を形
成することにより、これら２層の保護膜が相乗的
に作用し、耐摩耗性、耐衝撃性、耐蝕性、走行性
等に優れた効果が発揮される。 〔実施例〕 以下、本発明の具体的な実施例について説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでな
いことは言うまでもない。 先ず、第１図に示すように、非磁性金属下地層
として厚さ15μｍのNi−Ｐメツキ層２を形成した
Al合金基板１（厚さ約1.5mm、外径95mm、内径25
mm）を用意し、このメツキ層２上に圧力１×
10-5Torr、基板温度150℃の条件でBiを電子ビー
ム蒸着して膜厚200Åの低融点金属下地膜３を形
成した。 次いで、この下地膜３上に、同様に圧力１×
10-5Torr、基板温度150℃の条件で、Coを電子ビ
ーム蒸着し、膜厚1000Åの金属磁性薄膜４を形成
した。 さらに、蒸着法によりこの金属磁性薄膜４上に
カーボン保護膜５を形成し、続いてこのカーボン
保護膜５上に、酸素ケイ素をターゲツトとし酸素
を含むアルゴンガス雰囲気中でスパツタリング施
し、二酸化ケイ素保護膜６を形成した。 上記カーボン保護膜５及び二酸化ケイ素保護膜
６の膜厚を次表に示すように変え、一般に知られ
ているコンタクトスタートストツプ（CSS）試験
によりCSS特性を調べた。また、同時に保護膜の
剥離についても調べた。結果を次表に示す。
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁
気デイスクにおいては、カーボン保護膜と二酸化
ケイ素保護膜の２層構造から成る保護膜を有して
いるので、耐久性、走行性、耐衝撃性、耐蝕性が
大幅に向上し、機械的強度に優れ、かつノイズの
少ないものとなつている。 また、本発明においては、カーボン保護膜と二
酸化ケイ素保護膜の合計膜厚を500Å以下として
いるので、ヘツドクラツシユを抑制することがで
きる。
気デイスクにおいては、カーボン保護膜と二酸化
ケイ素保護膜の２層構造から成る保護膜を有して
いるので、耐久性、走行性、耐衝撃性、耐蝕性が
大幅に向上し、機械的強度に優れ、かつノイズの
少ないものとなつている。 また、本発明においては、カーボン保護膜と二
酸化ケイ素保護膜の合計膜厚を500Å以下として
いるので、ヘツドクラツシユを抑制することがで
きる。
第１図は本発明を適用した磁気デイスクの一例
を示す要部拡大断面図である。 １……Al合金基板、４……金属磁性薄膜、５
……カーボン保護膜、６……に酸化ケイ素保護
膜。
を示す要部拡大断面図である。 １……Al合金基板、４……金属磁性薄膜、５
……カーボン保護膜、６……に酸化ケイ素保護
膜。
Claims (1)
- １ 基板上に金属磁性薄膜を形成し、前記金属磁
性薄膜上にカーボン保護膜及び二酸化ケイ素保護
膜を順次形成してなり、前記カーボン保護膜と二
酸化ケイ素保護膜の合計膜厚が500Å以下である
ことを特徴とする磁気デイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4554485A JPS61204834A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4554485A JPS61204834A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204834A JPS61204834A (ja) | 1986-09-10 |
| JPH0533457B2 true JPH0533457B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=12722305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4554485A Granted JPS61204834A (ja) | 1985-03-07 | 1985-03-07 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204834A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5140902A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Fujitsu Ltd | Jikikirokubaitainohogomaku |
| JPS5156203A (ja) * | 1974-11-12 | 1976-05-17 | Hitachi Maxell | Jikikirokutai |
| JPS5730124A (en) * | 1980-07-29 | 1982-02-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Protective film for magnetic recording medium |
-
1985
- 1985-03-07 JP JP4554485A patent/JPS61204834A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61204834A (ja) | 1986-09-10 |
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