JPH0533459B2 - - Google Patents
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- JPH0533459B2 JPH0533459B2 JP60049572A JP4957285A JPH0533459B2 JP H0533459 B2 JPH0533459 B2 JP H0533459B2 JP 60049572 A JP60049572 A JP 60049572A JP 4957285 A JP4957285 A JP 4957285A JP H0533459 B2 JPH0533459 B2 JP H0533459B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- protective film
- higher fatty
- fatty acid
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気デイスク装置の如き磁気的記憶
装置の記憶媒体として用いられる磁気デイスクに
関し、詳細には耐久性等を向上するための保護膜
の改良に関する。 〔従来の技術〕 例えばコンピユータ等の記憶媒体としては、ラ
ンダムアクセスが可能な円板状の磁気デイスクが
広く用いられており、なかでも、応答性に優れる
こと、記憶容量が大きいこと、保存性が良好で信
頼性が高いこと等から、基板にAl合金板やガラ
ス板、プラスチツク板等の硬質材料を用いた磁気
デイスク、いわゆるハードデイスクが固定デイス
ク、あるいは外部デイスクとして使用されるよう
になつている。 上記ハードデイスクは、例えばAl合金基板上
に記録再生に関与する磁性層を形成したものであ
つて、高速で回転して同心円状の多数のトラツク
に情報の記録再生を行うものである。 ところで、上述のハードデイスクに対して記録
再生を行う場合には、操作開始時に磁気ヘツドと
磁性層面とを接触状態で装着した後、上記ハード
デイスクに所定の回転を与えることによりヘツド
と磁性層面との間に微小な空気層を形成し、この
状態で記録再生を行うCCS方式（コンタクト・ス
タート・ストツプ方式）によるのが一般的であ
る。 このようなCSS方式では、磁気ヘツドは、操作
開始時や操作終了時には磁性層面と接触摩擦状態
にあり、ヘツドと磁気デイスクの間に生じる摩擦
力は、これら磁気ヘツドや磁気デイスクを摩耗さ
せる原因となる。あるいは、磁気ヘツドに塵埃や
磁性層の剥離粉の付着があると、ヘツドクラツシ
ユ（磁気ヘツドの落下）が発生し易くなり、また
ヘツドの跳躍等により記録再生中に突発的に磁気
ヘツドが磁気デイスクに接触する等、磁気デイス
クに大きな衝撃が加わることがあり、これら磁気
デイスクや磁気ヘツドを破損する原因ともなつて
いる。 特に、磁性層がCo−Ni等の合金を真空蒸着や
スパツタリング等の真空薄膜形成技術により薄膜
化する方法や、Co−Ni−Ｐ等の合金を無電解メ
ツキ等の湿式法により薄膜化する方法等によつて
形成される連続薄膜である場合には、この傾向が
顕著である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このような磁気デイスクと磁気ヘツドの接触摺
動から発生する耐久性の劣化はノイズの発生を招
くので好ましいものではなく、また、磁気デイス
クに対する衝撃は、磁気ヘツドやデイスク面の傷
つき等をもたらし、良好な記録再生の妨げとな
る。 そこで従来、上述の磁気デイスクの表面に保護
膜を形成し、この磁気デイスクの耐久性を向上す
ることが検討されているが、耐久性、走行性、耐
衝撃性等の種々の要求を同時に満足するものは得
られていない。 かかる状況から、本発明は、機械的強度に優れ
良好な走行性を付与し得る保護膜を提供し、ノイ
ズが少なく耐久性に優れた磁気デイスクを提供す
ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、上述のような目的を達成せんも
のと鋭意研究の結果、カーボン保護膜と高級脂肪
酸系潤滑剤よりなる薄膜を組み合わせることによ
り磁性層の耐久性を相乗的に高めることができる
ことを見出し本発明を完成するに至つたものであ
り、基板上に金属磁性薄膜を形成し、前記金属磁
性薄膜上にカーボン保護膜及び高級脂肪酸系潤滑
剤よりなる薄膜を順次形成してなり、前記カーボ
ン保護膜と高級脂肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の合
計膜厚が500Å以下であることを特徴とするもの
である。 すなわち、本発明の磁気デイスクにおいては、
保護膜をカーボン保護膜と高級脂肪酸系潤滑剤よ
りなる薄膜の２層構造とし、これらの相乗効果に
より耐久性や耐衝撃性、走行性、耐蝕性等を向上
する。 上記カーボン保護膜は、潤滑性や耐蝕性等に優
れたものであり、通常、真空蒸着やスパツタリン
グ等の手法により形成される。例えば、真空蒸着
による場合には、圧力５×10-5Torr以下の真空
度、基板温度50〜250℃の条件であればよく、加
熱方法としては電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、
誘導加熱法やアーク放電法等の手法が用いられ
る。ここで、基板温度が高すぎると、例えば基板
面上に下地膜として形成されるNi−Ｐメツキ層
が結晶化する等の不具合が生ずる虞れがある。ま
た、スパツタリングによる場合には、Ar等の不
活性ガスを導入し、圧力１×10-2〜１×
10-3Torrの真空度、基板温度50〜250℃の条件
で、ターゲツトとしてカーボン板（厚さ１〜４mm
程度）を用い、RF電力１〜10KwあるいはDC電
力500w〜10Kwを印加すればよい。このカーボン
保護膜の膜厚は、100〜300Åの範囲内であること
が好ましい。 一方、このカーボン保護膜の上には、高級脂肪
酸やその金属塩、高級脂肪酸アミド、高級脂肪酸
エステル、あるいはこれらの誘導体等の高級脂肪
酸系潤滑剤よりなる薄膜が形成される。 この高級脂肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の形成
は、蒸着法等の手段によればよい。例えば、真空
容器内を１×10-5Torr以下程度に排気し、筒状
加熱器内の高級脂肪酸系潤滑剤を加熱蒸発せしめ
ることにより、カーボン保護膜表面には均一な蒸
着被膜が形成される。この際、デイスク基板は、
50℃以上に加熱しておくことが好ましい。 また、使用可能な高級脂肪酸としては、ラウリ
ン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレ
ン酸、セロチン酸等の酸素数が12以上のものが挙
げられる。 高級脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミ
ド、カプリン酸アミド、ラウリン酸アミド、パル
ミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸
アミド、オレイン酸アミド、リノール酸アミド、
メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビス
ステアリン酸アミド等が使用できる。 高級脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エ
チル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸アミ
ル、ステアリン酸モノグリセリド、オレイン酸モ
ノグリセリド等が使用できる。 なお、これらカーボン保護膜と高級脂肪酸系潤
滑剤よりなる薄膜の合計した膜厚は、500Å程度
以下に設定することが好ましい。これ以上の厚さ
になると、ヘツドクラツシユが発生し易くなり、
保護膜の剥離も生じる虞れがある。 本発明が適用される磁気デイスクは、デイスク
基板上に磁性層として強磁性金属の連続膜を設け
たものであるが、ここでデイスク基板の素材とし
ては、アルミニウム合金、チタン合金等の軽合
金、ポリスチレン、ABS樹脂等の熱可塑性樹脂、
アルミナガラス等のセラミツクス、単結晶シリコ
ン等が使用可能である。 ここで、上記デイスク基板として比較的軟らか
い材質のものを使用する場合には、表面を硬くす
る非磁性金属下地層を形成しておくことが好まし
い。上記非磁性金属下地層の材質としては、Ni
−Ｐ合金、Cu、Cr、Zn、ステンレス等が好まし
い。これらをメツキ、スパツタリング、蒸着等の
手法により基板表面に４〜20μｍ程度の膜厚で被
着する。例えば、Al−Mg合金基板の表面にNi−
Ｐメツキを施すと、その硬度は400程度になり、
この基板上に形成した磁性層の磁気特性が優れた
ものとなる。 また、上記磁性層は、メツキやスパツタリン
グ、真空蒸着等の手法により連続膜として形成さ
れる。 例えばCo−Ｐ、Co−Ni−Ｐ等をメツキするこ
とにより金属磁性薄膜が磁性層として形成され
る。 あるいは、真空蒸着法やイオンプレーテイング
法、スパツタリング法等の真空薄膜形成技術によ
つてもよい。 上記真空蒸着法は10-4〜10-8Torrの真空下で
強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビ
ーム加熱等により蒸発させ、デイスク基板上に蒸
発金属（強磁性金属材料）を沈着するというもの
であり、斜方蒸着法及び垂直蒸着法に大別され
る。上記斜方蒸着法は、高い抗磁力を得るため基
板に対して上記強磁性金属材料を斜めに蒸着する
ものであつて、より高い抗磁力を得るために酸素
雰囲気中で上記蒸着を行うものも含まれる。上記
垂直蒸着法は、蒸着効率や生産性を向上し、かつ
高い抗磁力を得るために基板上にあらかじめBi、
Sb、Pb、Sn、Ga、In、Ｃ、Ge、Si、Tl等の下
地金属層上に上記強磁性金属材料を垂直に蒸着す
るというものである。 上記イオンプレーテイング法も真空蒸着法の一
種であり、10-4〜10-3Torrの不活性ガス雰囲気
中でDCグロー放電、RFグロー放電を起こして、
放電中デイスク上記強磁性金属材料を蒸発させる
というものである。 上記スパツタリング法は、10-3〜10-1Torrの
アルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放
電を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲ
ツト表面の原子をたたき出すというものであり、
グロー放電の方法により直流２極、３極スパツタ
法や、高周波スパツタ法、またはマグネトロン放
電を利用したマグネトロンスパツタ法等がある。
このスパツタリング法による場合には、CrやＷ、
Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。 このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄
膜を形成する際に、使用される強磁性金属材料と
しては、Fe、Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni
合金、Co−Pt合金、Co−Ni−Pt合金、Fe−Co
合金、Fe−Ni合金、Fe−Co−Ni合金、Fe−Co
−Ｂ合金、Co−Ni−Fe−Ｂ合金、Co−Cr合金あ
るいはこれらにCr、Al等の金属が含有されたも
の等が挙げられる。特に、Co−Cr合金を使用し
た場合には、垂直磁化膜が形成される。 このような手法により形成される磁性層の膜厚
は、0.04〜1μｍ程度である。 〔作用〕 このように、磁性層表面にカーボン保護膜と高
級脂肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の２層構造からな
る保護膜を形成することにより、これら２層の保
護膜が相乗的に作用し、耐摩耗性、耐衝撃性、耐
蝕性、走行性に優れた効果が発揮される。 〔実施例〕 先ず、第１図に示すように、非磁性金属下地層
として厚さ15μｍのNi−Ｐメツキ層２を形成した
Al−Mg合金基板１（厚さ約1.27mm、外径95mm、
内径25mm）を用意し、このメツキ層２上に圧力１
×10-5Torr、基板温度150℃の条件でBiを電子ビ
ーム蒸着して膜厚200Åの低融点金属下地膜３を
形成した。 次いで、この下地膜３上に、同様に圧力１×
10-5Torr、基板温度150℃の条件で、Coを電子ビ
ーム蒸着し、膜厚1000Åの金属磁性薄膜４を形成
した。 さらに、真空上蒸着法によりこの金属磁性薄膜
４上にカーボン保護膜５を形成し、次いでこのカ
ーボン保護膜５上に、真空蒸着法によりステアリ
ン酸よりなる薄膜６を形成した。 上記カーボン保護膜５及びステアリン酸薄膜６
の膜厚を次表に示すように変え、一般に知られて
いるコンタクト・スタート・ストツプ（CCS）試
験によりCSS特性を調べた。また、同時に保護膜
の剥離や、摩擦係数、ノイズについても調べた。
結果を次表に示す。
装置の記憶媒体として用いられる磁気デイスクに
関し、詳細には耐久性等を向上するための保護膜
の改良に関する。 〔従来の技術〕 例えばコンピユータ等の記憶媒体としては、ラ
ンダムアクセスが可能な円板状の磁気デイスクが
広く用いられており、なかでも、応答性に優れる
こと、記憶容量が大きいこと、保存性が良好で信
頼性が高いこと等から、基板にAl合金板やガラ
ス板、プラスチツク板等の硬質材料を用いた磁気
デイスク、いわゆるハードデイスクが固定デイス
ク、あるいは外部デイスクとして使用されるよう
になつている。 上記ハードデイスクは、例えばAl合金基板上
に記録再生に関与する磁性層を形成したものであ
つて、高速で回転して同心円状の多数のトラツク
に情報の記録再生を行うものである。 ところで、上述のハードデイスクに対して記録
再生を行う場合には、操作開始時に磁気ヘツドと
磁性層面とを接触状態で装着した後、上記ハード
デイスクに所定の回転を与えることによりヘツド
と磁性層面との間に微小な空気層を形成し、この
状態で記録再生を行うCCS方式（コンタクト・ス
タート・ストツプ方式）によるのが一般的であ
る。 このようなCSS方式では、磁気ヘツドは、操作
開始時や操作終了時には磁性層面と接触摩擦状態
にあり、ヘツドと磁気デイスクの間に生じる摩擦
力は、これら磁気ヘツドや磁気デイスクを摩耗さ
せる原因となる。あるいは、磁気ヘツドに塵埃や
磁性層の剥離粉の付着があると、ヘツドクラツシ
ユ（磁気ヘツドの落下）が発生し易くなり、また
ヘツドの跳躍等により記録再生中に突発的に磁気
ヘツドが磁気デイスクに接触する等、磁気デイス
クに大きな衝撃が加わることがあり、これら磁気
デイスクや磁気ヘツドを破損する原因ともなつて
いる。 特に、磁性層がCo−Ni等の合金を真空蒸着や
スパツタリング等の真空薄膜形成技術により薄膜
化する方法や、Co−Ni−Ｐ等の合金を無電解メ
ツキ等の湿式法により薄膜化する方法等によつて
形成される連続薄膜である場合には、この傾向が
顕著である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 このような磁気デイスクと磁気ヘツドの接触摺
動から発生する耐久性の劣化はノイズの発生を招
くので好ましいものではなく、また、磁気デイス
クに対する衝撃は、磁気ヘツドやデイスク面の傷
つき等をもたらし、良好な記録再生の妨げとな
る。 そこで従来、上述の磁気デイスクの表面に保護
膜を形成し、この磁気デイスクの耐久性を向上す
ることが検討されているが、耐久性、走行性、耐
衝撃性等の種々の要求を同時に満足するものは得
られていない。 かかる状況から、本発明は、機械的強度に優れ
良好な走行性を付与し得る保護膜を提供し、ノイ
ズが少なく耐久性に優れた磁気デイスクを提供す
ることを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、上述のような目的を達成せんも
のと鋭意研究の結果、カーボン保護膜と高級脂肪
酸系潤滑剤よりなる薄膜を組み合わせることによ
り磁性層の耐久性を相乗的に高めることができる
ことを見出し本発明を完成するに至つたものであ
り、基板上に金属磁性薄膜を形成し、前記金属磁
性薄膜上にカーボン保護膜及び高級脂肪酸系潤滑
剤よりなる薄膜を順次形成してなり、前記カーボ
ン保護膜と高級脂肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の合
計膜厚が500Å以下であることを特徴とするもの
である。 すなわち、本発明の磁気デイスクにおいては、
保護膜をカーボン保護膜と高級脂肪酸系潤滑剤よ
りなる薄膜の２層構造とし、これらの相乗効果に
より耐久性や耐衝撃性、走行性、耐蝕性等を向上
する。 上記カーボン保護膜は、潤滑性や耐蝕性等に優
れたものであり、通常、真空蒸着やスパツタリン
グ等の手法により形成される。例えば、真空蒸着
による場合には、圧力５×10-5Torr以下の真空
度、基板温度50〜250℃の条件であればよく、加
熱方法としては電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、
誘導加熱法やアーク放電法等の手法が用いられ
る。ここで、基板温度が高すぎると、例えば基板
面上に下地膜として形成されるNi−Ｐメツキ層
が結晶化する等の不具合が生ずる虞れがある。ま
た、スパツタリングによる場合には、Ar等の不
活性ガスを導入し、圧力１×10-2〜１×
10-3Torrの真空度、基板温度50〜250℃の条件
で、ターゲツトとしてカーボン板（厚さ１〜４mm
程度）を用い、RF電力１〜10KwあるいはDC電
力500w〜10Kwを印加すればよい。このカーボン
保護膜の膜厚は、100〜300Åの範囲内であること
が好ましい。 一方、このカーボン保護膜の上には、高級脂肪
酸やその金属塩、高級脂肪酸アミド、高級脂肪酸
エステル、あるいはこれらの誘導体等の高級脂肪
酸系潤滑剤よりなる薄膜が形成される。 この高級脂肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の形成
は、蒸着法等の手段によればよい。例えば、真空
容器内を１×10-5Torr以下程度に排気し、筒状
加熱器内の高級脂肪酸系潤滑剤を加熱蒸発せしめ
ることにより、カーボン保護膜表面には均一な蒸
着被膜が形成される。この際、デイスク基板は、
50℃以上に加熱しておくことが好ましい。 また、使用可能な高級脂肪酸としては、ラウリ
ン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン
酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレ
ン酸、セロチン酸等の酸素数が12以上のものが挙
げられる。 高級脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミ
ド、カプリン酸アミド、ラウリン酸アミド、パル
ミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸
アミド、オレイン酸アミド、リノール酸アミド、
メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビス
ステアリン酸アミド等が使用できる。 高級脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エ
チル、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸アミ
ル、ステアリン酸モノグリセリド、オレイン酸モ
ノグリセリド等が使用できる。 なお、これらカーボン保護膜と高級脂肪酸系潤
滑剤よりなる薄膜の合計した膜厚は、500Å程度
以下に設定することが好ましい。これ以上の厚さ
になると、ヘツドクラツシユが発生し易くなり、
保護膜の剥離も生じる虞れがある。 本発明が適用される磁気デイスクは、デイスク
基板上に磁性層として強磁性金属の連続膜を設け
たものであるが、ここでデイスク基板の素材とし
ては、アルミニウム合金、チタン合金等の軽合
金、ポリスチレン、ABS樹脂等の熱可塑性樹脂、
アルミナガラス等のセラミツクス、単結晶シリコ
ン等が使用可能である。 ここで、上記デイスク基板として比較的軟らか
い材質のものを使用する場合には、表面を硬くす
る非磁性金属下地層を形成しておくことが好まし
い。上記非磁性金属下地層の材質としては、Ni
−Ｐ合金、Cu、Cr、Zn、ステンレス等が好まし
い。これらをメツキ、スパツタリング、蒸着等の
手法により基板表面に４〜20μｍ程度の膜厚で被
着する。例えば、Al−Mg合金基板の表面にNi−
Ｐメツキを施すと、その硬度は400程度になり、
この基板上に形成した磁性層の磁気特性が優れた
ものとなる。 また、上記磁性層は、メツキやスパツタリン
グ、真空蒸着等の手法により連続膜として形成さ
れる。 例えばCo−Ｐ、Co−Ni−Ｐ等をメツキするこ
とにより金属磁性薄膜が磁性層として形成され
る。 あるいは、真空蒸着法やイオンプレーテイング
法、スパツタリング法等の真空薄膜形成技術によ
つてもよい。 上記真空蒸着法は10-4〜10-8Torrの真空下で
強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビ
ーム加熱等により蒸発させ、デイスク基板上に蒸
発金属（強磁性金属材料）を沈着するというもの
であり、斜方蒸着法及び垂直蒸着法に大別され
る。上記斜方蒸着法は、高い抗磁力を得るため基
板に対して上記強磁性金属材料を斜めに蒸着する
ものであつて、より高い抗磁力を得るために酸素
雰囲気中で上記蒸着を行うものも含まれる。上記
垂直蒸着法は、蒸着効率や生産性を向上し、かつ
高い抗磁力を得るために基板上にあらかじめBi、
Sb、Pb、Sn、Ga、In、Ｃ、Ge、Si、Tl等の下
地金属層上に上記強磁性金属材料を垂直に蒸着す
るというものである。 上記イオンプレーテイング法も真空蒸着法の一
種であり、10-4〜10-3Torrの不活性ガス雰囲気
中でDCグロー放電、RFグロー放電を起こして、
放電中デイスク上記強磁性金属材料を蒸発させる
というものである。 上記スパツタリング法は、10-3〜10-1Torrの
アルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放
電を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲ
ツト表面の原子をたたき出すというものであり、
グロー放電の方法により直流２極、３極スパツタ
法や、高周波スパツタ法、またはマグネトロン放
電を利用したマグネトロンスパツタ法等がある。
このスパツタリング法による場合には、CrやＷ、
Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。 このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄
膜を形成する際に、使用される強磁性金属材料と
しては、Fe、Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni
合金、Co−Pt合金、Co−Ni−Pt合金、Fe−Co
合金、Fe−Ni合金、Fe−Co−Ni合金、Fe−Co
−Ｂ合金、Co−Ni−Fe−Ｂ合金、Co−Cr合金あ
るいはこれらにCr、Al等の金属が含有されたも
の等が挙げられる。特に、Co−Cr合金を使用し
た場合には、垂直磁化膜が形成される。 このような手法により形成される磁性層の膜厚
は、0.04〜1μｍ程度である。 〔作用〕 このように、磁性層表面にカーボン保護膜と高
級脂肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の２層構造からな
る保護膜を形成することにより、これら２層の保
護膜が相乗的に作用し、耐摩耗性、耐衝撃性、耐
蝕性、走行性に優れた効果が発揮される。 〔実施例〕 先ず、第１図に示すように、非磁性金属下地層
として厚さ15μｍのNi−Ｐメツキ層２を形成した
Al−Mg合金基板１（厚さ約1.27mm、外径95mm、
内径25mm）を用意し、このメツキ層２上に圧力１
×10-5Torr、基板温度150℃の条件でBiを電子ビ
ーム蒸着して膜厚200Åの低融点金属下地膜３を
形成した。 次いで、この下地膜３上に、同様に圧力１×
10-5Torr、基板温度150℃の条件で、Coを電子ビ
ーム蒸着し、膜厚1000Åの金属磁性薄膜４を形成
した。 さらに、真空上蒸着法によりこの金属磁性薄膜
４上にカーボン保護膜５を形成し、次いでこのカ
ーボン保護膜５上に、真空蒸着法によりステアリ
ン酸よりなる薄膜６を形成した。 上記カーボン保護膜５及びステアリン酸薄膜６
の膜厚を次表に示すように変え、一般に知られて
いるコンタクト・スタート・ストツプ（CCS）試
験によりCSS特性を調べた。また、同時に保護膜
の剥離や、摩擦係数、ノイズについても調べた。
結果を次表に示す。
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁
気デイスクにおいては、カーボン保護膜と高級脂
肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の２層構造から成る保
護膜を有しているので、耐久性、走行性、耐衝撃
性、耐蝕性が大幅に向上し、機械的強度に優れ、
かつノイズの少ないものとなつている。 また、本発明においては、カーボン保護膜と高
級脂肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の合計膜厚を500
Å以下としているので、ヘツドクラツシユを抑制
することができ、保護膜の剥離を抑えることがで
きる。
気デイスクにおいては、カーボン保護膜と高級脂
肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の２層構造から成る保
護膜を有しているので、耐久性、走行性、耐衝撃
性、耐蝕性が大幅に向上し、機械的強度に優れ、
かつノイズの少ないものとなつている。 また、本発明においては、カーボン保護膜と高
級脂肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の合計膜厚を500
Å以下としているので、ヘツドクラツシユを抑制
することができ、保護膜の剥離を抑えることがで
きる。
第１図は本発明を適用した磁気デイスクの一例
を示す要部拡大断面図である。 １……Al合金基板、４……金属磁性薄膜、５
……カーボン保護膜、６……ステアリン酸薄膜。
を示す要部拡大断面図である。 １……Al合金基板、４……金属磁性薄膜、５
……カーボン保護膜、６……ステアリン酸薄膜。
Claims (1)
- １ 基板上に金属磁性薄膜を形成し、前記金属磁
性薄膜上にカーボン保護膜及び高級脂肪酸系潤滑
剤よりなる薄膜を順次形成してなり、前記カーボ
ン保護膜と高級脂肪酸系潤滑剤よりなる薄膜の合
計膜厚が500Å以下であることを特徴とする磁気
デイスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4957285A JPS61208622A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4957285A JPS61208622A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208622A JPS61208622A (ja) | 1986-09-17 |
| JPH0533459B2 true JPH0533459B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=12834922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4957285A Granted JPS61208622A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208622A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2659016B2 (ja) * | 1988-05-21 | 1997-09-30 | 富士通株式会社 | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS567235A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its production |
| US4503125A (en) * | 1979-10-01 | 1985-03-05 | Xebec, Inc. | Protective overcoating for magnetic recording discs and method for forming the same |
| JPS58220245A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-21 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体の表面潤滑膜形成方法 |
| JPS59213030A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-12-01 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 磁気記録媒体及びその製法 |
| JPS6038729A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-28 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS6196512A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-15 | Seiko Epson Corp | 磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP4957285A patent/JPS61208622A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61208622A (ja) | 1986-09-17 |
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