JPH05335108A - 厚膜抵抗組成物及び該組成物からなる厚膜抵抗体 - Google Patents
厚膜抵抗組成物及び該組成物からなる厚膜抵抗体Info
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- JPH05335108A JPH05335108A JP4140287A JP14028792A JPH05335108A JP H05335108 A JPH05335108 A JP H05335108A JP 4140287 A JP4140287 A JP 4140287A JP 14028792 A JP14028792 A JP 14028792A JP H05335108 A JPH05335108 A JP H05335108A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】（ａ）金属ほう化物をＭｘＢｙ（但し、Ｍは金
属元素、Ｂはほう素、ｘ及びｙは整数を示す）で示すと
きｙ／ｘが６を超える金属ほう化物０.１〜５０重量
部、（ｂ）酸化タンタルに換算して１〜５０重量部をガ
ラス成分として含有するガラスフリット５０〜９９.９
重量部、（ｄ）ペースト状とするのに有効量の有機ビヒ
クル、を含むことを特徴とする厚膜抵抗組成物。 【効果】同系材料により広範囲な抵抗領域において抵抗
特性が安定した優れた厚膜抵抗体を得ることができる。
属元素、Ｂはほう素、ｘ及びｙは整数を示す）で示すと
きｙ／ｘが６を超える金属ほう化物０.１〜５０重量
部、（ｂ）酸化タンタルに換算して１〜５０重量部をガ
ラス成分として含有するガラスフリット５０〜９９.９
重量部、（ｄ）ペースト状とするのに有効量の有機ビヒ
クル、を含むことを特徴とする厚膜抵抗組成物。 【効果】同系材料により広範囲な抵抗領域において抵抗
特性が安定した優れた厚膜抵抗体を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は不活性ガス雰囲気中で焼
成する厚膜抵抗組成物及び該組成物からなる厚膜抵抗体
に関する。
成する厚膜抵抗組成物及び該組成物からなる厚膜抵抗体
に関する。
【０００２】
【従来の技術】不活性ガス雰囲気中で焼成することによ
って形成される厚膜抵抗体の抵抗特性の安定化について
は特公平２−３５２４号公報に記載されている。これ
は、金属６ほう化物にＴａ2Ｏ5ガラスを配合した厚膜抵
抗組成物による厚膜抵抗体の抵抗特性が安定化できると
云うものである。また、特に高抵抗領域をカバーするも
のとして、１０ｋΩ／□〜１０ＭΩ／□についてはＳｎ
Ｏ2−ガラス系抵抗組成物が開発されている。
って形成される厚膜抵抗体の抵抗特性の安定化について
は特公平２−３５２４号公報に記載されている。これ
は、金属６ほう化物にＴａ2Ｏ5ガラスを配合した厚膜抵
抗組成物による厚膜抵抗体の抵抗特性が安定化できると
云うものである。また、特に高抵抗領域をカバーするも
のとして、１０ｋΩ／□〜１０ＭΩ／□についてはＳｎ
Ｏ2−ガラス系抵抗組成物が開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らの検討によ
れば、上記金属６ほう化物とＴａ2Ｏ5ガラスからなる厚
膜抵抗組成物は、厚膜ハイブリッドＩＣの抵抗体として
要求される抵抗領域１０Ω／□〜１０ＭΩ／□、特に、
高抵抗領域１０ｋΩ／□〜１０ＭΩ／□の抵抗特性、抵
抗値バラツキ及び電流ノイズが十分安定しているとは云
い難い。従って、これまで高抵抗領域ではＳｎＯ2−ガ
ラス系材料が用いられてきたが、上記厚膜ハイブリッド
ＩＣの抵抗体に要求される全抵抗領域を同系材料でカバ
ーでき、かつ、抵抗特性の安定な材料の提供については
解決されていないのが現状である。
れば、上記金属６ほう化物とＴａ2Ｏ5ガラスからなる厚
膜抵抗組成物は、厚膜ハイブリッドＩＣの抵抗体として
要求される抵抗領域１０Ω／□〜１０ＭΩ／□、特に、
高抵抗領域１０ｋΩ／□〜１０ＭΩ／□の抵抗特性、抵
抗値バラツキ及び電流ノイズが十分安定しているとは云
い難い。従って、これまで高抵抗領域ではＳｎＯ2−ガ
ラス系材料が用いられてきたが、上記厚膜ハイブリッド
ＩＣの抵抗体に要求される全抵抗領域を同系材料でカバ
ーでき、かつ、抵抗特性の安定な材料の提供については
解決されていないのが現状である。
【０００４】従来の２元系材料では、不活性ガス雰囲気
中で焼成する厚膜ハイブリットＩＣの抵抗体として最も
要求される中間領域（１ｋΩ／□〜１０ｋΩ／□）の抵
抗体の特性の安定化が達成できなかった。そのため厚膜
ハイブリットＩＣにおいて精密回路を形成する隘路とな
っていた。
中で焼成する厚膜ハイブリットＩＣの抵抗体として最も
要求される中間領域（１ｋΩ／□〜１０ｋΩ／□）の抵
抗体の特性の安定化が達成できなかった。そのため厚膜
ハイブリットＩＣにおいて精密回路を形成する隘路とな
っていた。
【０００５】本発明の目的は、同系材料により前記の広
範な全抵抗領域において、抵抗特性の安定な厚膜抵抗体
を与える抵抗組成物を提供することにある。
範な全抵抗領域において、抵抗特性の安定な厚膜抵抗体
を与える抵抗組成物を提供することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、上記抵抗組成物を用
いた厚膜抵抗体及びその製法を提供することにある。
いた厚膜抵抗体及びその製法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、焼成後の
抵抗体のガラスマトリックス中に微細な導電粒子を均一
に分散させ、更にはガラスマトリックス自体にも導電性
を与えれば、抵抗体の微細領域での抵抗率が均一化し、
前記課題を解決することができると考えた。そして、各
種の厚膜抵抗組成物を配合し、その抵抗特性を検討し本
発明に到達した。前記課題を解決する本発明の要旨は次
のとおりである。
抵抗体のガラスマトリックス中に微細な導電粒子を均一
に分散させ、更にはガラスマトリックス自体にも導電性
を与えれば、抵抗体の微細領域での抵抗率が均一化し、
前記課題を解決することができると考えた。そして、各
種の厚膜抵抗組成物を配合し、その抵抗特性を検討し本
発明に到達した。前記課題を解決する本発明の要旨は次
のとおりである。
【０００８】（１）（ａ）金属ほう化物をＭｘＢｙ（但
し、Ｍは金属元素、Ｂはほう素、ｘ及びｙは整数を示
す）で示すときｙ／ｘが６を超える金属ほう化物０.１
〜５０重量部、（ｂ）酸化タンタルに換算して１〜５０
重量部をガラス成分として含有するガラスフリット５０
〜９９.９重量部、（ｄ）ペースト状とするのに有効量
の有機ビヒクル、を含むことを特徴とする厚膜抵抗組成
物及び該組成物を用いた厚膜抵抗体。
し、Ｍは金属元素、Ｂはほう素、ｘ及びｙは整数を示
す）で示すときｙ／ｘが６を超える金属ほう化物０.１
〜５０重量部、（ｂ）酸化タンタルに換算して１〜５０
重量部をガラス成分として含有するガラスフリット５０
〜９９.９重量部、（ｄ）ペースト状とするのに有効量
の有機ビヒクル、を含むことを特徴とする厚膜抵抗組成
物及び該組成物を用いた厚膜抵抗体。
【０００９】（２）厚膜抵抗組成物を無機質基板面に塗
布して所定の形状の抵抗膜を形成し、これを不活性ガス
雰囲気中で７００℃〜９５０℃で焼成することによりガ
ラスマトリックス中に粒径０.１μｍ以下のほう化タン
タルを析出させるかまたはガラスに導電性を生ぜしめる
ことを特徴とする厚膜抵抗体の製法。
布して所定の形状の抵抗膜を形成し、これを不活性ガス
雰囲気中で７００℃〜９５０℃で焼成することによりガ
ラスマトリックス中に粒径０.１μｍ以下のほう化タン
タルを析出させるかまたはガラスに導電性を生ぜしめる
ことを特徴とする厚膜抵抗体の製法。
【００１０】本発明がその効果に最も重要な影響を与え
ると思われる因子としては、金属と配位するほう素の量
が挙げられる。これは１２ほう化物のような金属ほう化
物（ＭｘＢｙ）においてｙ／ｘが６を超える金属ほう化
物でなくてはならない。なぜなら、ｙ／ｘが６以下の金
属ほう化物を抵抗組成物に適用した場合、金属ほう化物
は酸化タンタルと反応しないか、または反応したとして
も６を超える金属ほう化物にくらべ反応は穏やかであ
り、反応生成物であるほう化タンタルを析出しにくいた
め高抵抗領域までも抵抗特性を改善するには至らないか
らである。
ると思われる因子としては、金属と配位するほう素の量
が挙げられる。これは１２ほう化物のような金属ほう化
物（ＭｘＢｙ）においてｙ／ｘが６を超える金属ほう化
物でなくてはならない。なぜなら、ｙ／ｘが６以下の金
属ほう化物を抵抗組成物に適用した場合、金属ほう化物
は酸化タンタルと反応しないか、または反応したとして
も６を超える金属ほう化物にくらべ反応は穏やかであ
り、反応生成物であるほう化タンタルを析出しにくいた
め高抵抗領域までも抵抗特性を改善するには至らないか
らである。
【００１１】なお、前記ｙ／ｘが６を超える金属ほう化
物は、０.１〜５０重量部、好ましくは５〜５０重量部
配合する。
物は、０.１〜５０重量部、好ましくは５〜５０重量部
配合する。
【００１２】また、ｙ／ｘが６を超える金属ほう化物
は、酸化タンタルとの反応性に富むため、希土類６ほう
化物−Ｔａ2Ｏ5含有ガラス系抵抗体のように、反応促進
を目的とした酸化タンタルのガラス中への添加ではな
く、結晶状態の酸化タンタルを抵抗組成物に適用した場
合もほぼ同様の特性を得ることができる。しかし、実用
的には酸化タンタルを含有したガラスを用いた抵抗組成
物のほうが抵抗特性はより安定化し易い。従って、酸化
タンタルはガラス中に含有させるのが望ましい。
は、酸化タンタルとの反応性に富むため、希土類６ほう
化物−Ｔａ2Ｏ5含有ガラス系抵抗体のように、反応促進
を目的とした酸化タンタルのガラス中への添加ではな
く、結晶状態の酸化タンタルを抵抗組成物に適用した場
合もほぼ同様の特性を得ることができる。しかし、実用
的には酸化タンタルを含有したガラスを用いた抵抗組成
物のほうが抵抗特性はより安定化し易い。従って、酸化
タンタルはガラス中に含有させるのが望ましい。
【００１３】本発明においては、金属ほう化物と反応し
て導電性粒子を析出させるかもしくはガラスマトリック
スを導電化させる反応性金属酸化物としては前記酸化タ
ンタルに限定するものではなく、IVａ〜VIａ族の金属酸
化物であれば同様の作用が得られる。しかし、酸化タン
タル以外のIVａ〜VIａ族の金属酸化物は反応性に乏しい
ため金属ほう化物は反応性に富むＡｌＢ12を用いなけれ
ば、良好な抵抗特性を得ることは難しい。
て導電性粒子を析出させるかもしくはガラスマトリック
スを導電化させる反応性金属酸化物としては前記酸化タ
ンタルに限定するものではなく、IVａ〜VIａ族の金属酸
化物であれば同様の作用が得られる。しかし、酸化タン
タル以外のIVａ〜VIａ族の金属酸化物は反応性に乏しい
ため金属ほう化物は反応性に富むＡｌＢ12を用いなけれ
ば、良好な抵抗特性を得ることは難しい。
【００１４】本発明が用いる酸化タンタルを含むガラス
としては、前記金属ほう化物によって還元されないガラ
スであれば特に限定されないが、ほう硅酸ガラス、ほう
酸バリウム系ガラスが好ましい。
としては、前記金属ほう化物によって還元されないガラ
スであれば特に限定されないが、ほう硅酸ガラス、ほう
酸バリウム系ガラスが好ましい。
【００１５】ハイブリッドＩＣ用厚膜抵抗体は、通常７
００〜９５０℃で焼成できることが望ましい。しかし、
高融点の酸化タンタルを含むとガラスの軟化点が上昇
し、前記温度では抵抗体を緻密に焼成できない。但し、
ガラスの軟化点を下げるとガラスが前記反応の触媒的作
用を増大するので、ほう酸等の低融点酸化物を用いてガ
ラスの軟化点を低げることが好ましい。その一例とし
て、ほう酸バリウム系ガラスの場合、配合比はＴａ
2Ｏ5：１〜５０重量部、Ｂ2Ｏ3：２５〜７４重量部、Ｂ
ａＯ：２５〜７４重量部が望ましい。なお、酸化タンタ
ルが１重量部未満ではほう化タンタルの析出量が少な
く、導電パスとしての効果が少ないために抵抗特性を十
分に改善できず、５０重量部を超えるとガラスの軟化点
が高くなり、前記焼成温度で緻密な抵抗体の焼成が困難
になる。
００〜９５０℃で焼成できることが望ましい。しかし、
高融点の酸化タンタルを含むとガラスの軟化点が上昇
し、前記温度では抵抗体を緻密に焼成できない。但し、
ガラスの軟化点を下げるとガラスが前記反応の触媒的作
用を増大するので、ほう酸等の低融点酸化物を用いてガ
ラスの軟化点を低げることが好ましい。その一例とし
て、ほう酸バリウム系ガラスの場合、配合比はＴａ
2Ｏ5：１〜５０重量部、Ｂ2Ｏ3：２５〜７４重量部、Ｂ
ａＯ：２５〜７４重量部が望ましい。なお、酸化タンタ
ルが１重量部未満ではほう化タンタルの析出量が少な
く、導電パスとしての効果が少ないために抵抗特性を十
分に改善できず、５０重量部を超えるとガラスの軟化点
が高くなり、前記焼成温度で緻密な抵抗体の焼成が困難
になる。
【００１６】
【作用】本発明の抵抗組成物が抵抗特性の安定な抵抗体
を与えるのは、抵抗組成物としてｙ／ｘが６を超える金
属ほう化物と、反応性金属酸化物として酸化タンタルを
用いた点にある。
を与えるのは、抵抗組成物としてｙ／ｘが６を超える金
属ほう化物と、反応性金属酸化物として酸化タンタルを
用いた点にある。
【００１７】これを不活性ガス中で焼成すると、金属ほ
う化物と酸化タンタルが反応し、ガラスマトリックス中
にほう化タンタルの微細な粒子が析出し、ガラス自体に
導電性が生ずる。該粒子は０.１μｍ以下の微粒子で、
図１の模式図に示すように、ガラスマトリックス３中に
分散した前記金属ほう化物（例えばＡｌＢ12）１とガラ
スの粒界及びガラスマトリックス中にほう化タンタル粒
子２が析出する。該ほう化タンタル微粒子２が微細な導
電ネットワークを形成する。導電性ガラスは前記反応が
ガラス中の酸化タンタルまたは焼成によりガラス中に溶
解した酸化タンタルと前記金属ほう化物が反応すること
により、ガラスに原子価交換が行われて導電性を生じた
ものと考えられる。
う化物と酸化タンタルが反応し、ガラスマトリックス中
にほう化タンタルの微細な粒子が析出し、ガラス自体に
導電性が生ずる。該粒子は０.１μｍ以下の微粒子で、
図１の模式図に示すように、ガラスマトリックス３中に
分散した前記金属ほう化物（例えばＡｌＢ12）１とガラ
スの粒界及びガラスマトリックス中にほう化タンタル粒
子２が析出する。該ほう化タンタル微粒子２が微細な導
電ネットワークを形成する。導電性ガラスは前記反応が
ガラス中の酸化タンタルまたは焼成によりガラス中に溶
解した酸化タンタルと前記金属ほう化物が反応すること
により、ガラスに原子価交換が行われて導電性を生じた
ものと考えられる。
【００１８】これにより生じたほう化タンタル粒子２、
導電性ガラス及び前記金属ほう化物１によって導電パス
を形成することで抵抗体の抵抗率が均一化でき、抵抗特
性が安定化するものと考えられる。
導電性ガラス及び前記金属ほう化物１によって導電パス
を形成することで抵抗体の抵抗率が均一化でき、抵抗特
性が安定化するものと考えられる。
【００１９】また、前記金属ほう化物の含有量が少ない
高抵抗体においても、同様に前記導電パスがそれなりに
形成されるために安定な抵抗特性のものが得られるもの
と考えられる。
高抵抗体においても、同様に前記導電パスがそれなりに
形成されるために安定な抵抗特性のものが得られるもの
と考えられる。
【００２０】
【実施例】本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
【００２１】〔実施例１〜６および比較例１〜７〕アル
ミナ基板上に銅ペーストを印刷し、窒素ガス雰囲気中で
焼成して銅導体回路を形成した。
ミナ基板上に銅ペーストを印刷し、窒素ガス雰囲気中で
焼成して銅導体回路を形成した。
【００２２】次に、ガラスフリットとして表１に示す金
属酸化物の混合物を１２００〜１５００℃で溶融し、こ
れを空気中で乾式冷却することによりカレットを得た。
該カレットにアルコールを加えボールミル中で約４８時
間粉砕して平均粒径５μｍ以下のガラスフリットを得
た。
属酸化物の混合物を１２００〜１５００℃で溶融し、こ
れを空気中で乾式冷却することによりカレットを得た。
該カレットにアルコールを加えボールミル中で約４８時
間粉砕して平均粒径５μｍ以下のガラスフリットを得
た。
【００２３】
【表１】
【００２４】次に、市販の金属ほう化物と表１のガラス
フリットを表２に示す割合で混合し、アクリル樹脂をブ
チルカルビトールアセテートで溶解した有機ビヒクルを
所定量加えて均一混練し、本発明の抵抗組成物ペースト
を得た。
フリットを表２に示す割合で混合し、アクリル樹脂をブ
チルカルビトールアセテートで溶解した有機ビヒクルを
所定量加えて均一混練し、本発明の抵抗組成物ペースト
を得た。
【００２５】
【表２】
【００２６】次に、上記各組成物ペーストを前記銅導体
回路を形成したアルミナ基板上の所定個所に、３２５メ
ッシュのスクリーンを用いて１ｍｍ□の大きさの厚膜抵
抗体をスクリーン印刷し、これを１２０℃、１０分乾燥
後、トンネル炉を用いて窒素ガス雰囲気中で９００℃、
１０分間の焼成を行い厚膜抵抗体を有する回路板を得
た。該厚膜抵抗体の面積抵抗値、電流ノイズ及び抵抗値
バラツキの測定結果を表２に示す。
回路を形成したアルミナ基板上の所定個所に、３２５メ
ッシュのスクリーンを用いて１ｍｍ□の大きさの厚膜抵
抗体をスクリーン印刷し、これを１２０℃、１０分乾燥
後、トンネル炉を用いて窒素ガス雰囲気中で９００℃、
１０分間の焼成を行い厚膜抵抗体を有する回路板を得
た。該厚膜抵抗体の面積抵抗値、電流ノイズ及び抵抗値
バラツキの測定結果を表２に示す。
【００２７】表２から明らかなように、金属ほう化物と
してＡｌＢ12を用いた実施例１の抵抗体は、前記ｙ／ｘ
が６以下の金属ほう化物（ＬａＢ6）を用いた比較例６
のものと比べて抵抗値のバラツキが小さく安定である。
してＡｌＢ12を用いた実施例１の抵抗体は、前記ｙ／ｘ
が６以下の金属ほう化物（ＬａＢ6）を用いた比較例６
のものと比べて抵抗値のバラツキが小さく安定である。
【００２８】一方、Ｔａ2Ｏ5を６５重量％含むＮｏ.６
ガラスを用いた比較例２の抵抗体は、抵抗値が上昇しバ
ラツキも大きい。なお、比較例７は抵抗値が７Ω／□と
低いにもかかわらず、抵抗値バラツキが認められる。
ガラスを用いた比較例２の抵抗体は、抵抗値が上昇しバ
ラツキも大きい。なお、比較例７は抵抗値が７Ω／□と
低いにもかかわらず、抵抗値バラツキが認められる。
【００２９】また、金属ほう化物としてＡｌＢ12を用い
た抵抗体とｙ／ｘが６以下の金属ほう化物（ＬａＢ6）
を用いた抵抗体の電流ノイズ及び抵抗値バラツキを比較
した。その結果を図２、図３に示す。図から本実施例の
ものは電流ノイズ及び抵抗値バラツキのいずれも小さい
ことが分かる。
た抵抗体とｙ／ｘが６以下の金属ほう化物（ＬａＢ6）
を用いた抵抗体の電流ノイズ及び抵抗値バラツキを比較
した。その結果を図２、図３に示す。図から本実施例の
ものは電流ノイズ及び抵抗値バラツキのいずれも小さい
ことが分かる。
【００３０】〔実施例７〜１２および比較例８〜１３〕
表３に示すように、ｙ／ｘが異なる金属ほう化物及び結
晶性Ｔａ2Ｏ5を用いて実施例１と同様に抵抗組成物を調
製した。表３から明らかなようにｙ／ｘが６を超える金
属ほう化物の抵抗体は、Ｔａ2Ｏ5をガラスの一成分また
は結晶状態のどちらの状態で用いても、ｙ／ｘが６以下
の金属ほう化物の抵抗体（比較例８〜１３）に比べ電流
ノイズが小さい。
表３に示すように、ｙ／ｘが異なる金属ほう化物及び結
晶性Ｔａ2Ｏ5を用いて実施例１と同様に抵抗組成物を調
製した。表３から明らかなようにｙ／ｘが６を超える金
属ほう化物の抵抗体は、Ｔａ2Ｏ5をガラスの一成分また
は結晶状態のどちらの状態で用いても、ｙ／ｘが６以下
の金属ほう化物の抵抗体（比較例８〜１３）に比べ電流
ノイズが小さい。
【００３１】また、Ｔａ2Ｏ5をガラスの一成分として添
加する場合と結晶状態で直接添加する方法とを比較する
と、ガラスの一成分として添加する方が電流ノイズを小
さくできる。
加する場合と結晶状態で直接添加する方法とを比較する
と、ガラスの一成分として添加する方が電流ノイズを小
さくできる。
【００３２】
【表３】
【００３３】〔実施例１３〜１８〕Ｔａ2Ｏ5以外の反応
性金属酸化物として、ＺｒＯ2及びＷ2Ｏ3をガラスの一
成分としたガラスフリット（Ｎｏ.７、Ｎｏ.８ガラス）
を用いた抵抗体の抵抗特性を表４に示す。表４からも明
らかなようにＴａ2Ｏ5の代わりとしてＺｒＯ2およびＷ2
Ｏ3を用いても優れた特性の抵抗体を得ることができ
る。
性金属酸化物として、ＺｒＯ2及びＷ2Ｏ3をガラスの一
成分としたガラスフリット（Ｎｏ.７、Ｎｏ.８ガラス）
を用いた抵抗体の抵抗特性を表４に示す。表４からも明
らかなようにＴａ2Ｏ5の代わりとしてＺｒＯ2およびＷ2
Ｏ3を用いても優れた特性の抵抗体を得ることができ
る。
【００３４】
【表４】
【００３５】〔実施例１９〕実施例５の８００℃〜９５
０℃焼成の抵抗体のＸ線回折図を図４に示す。図４から
９００℃でＡｌＢ12、Ｔａ2Ｏ5のピークがなくなり抵抗
体全体がガラス化していることが確認できる。この焼成
温度において抵抗特性が安定化していることから本発明
の抵抗体はガラス状態でも抵抗特性が安定な抵抗体であ
ることがわかる。また９５０℃では、ＴａＢ2のピーク
が確認され、また、ＴａＢ2のピークがブロードである
ことから、析出したＴａＢ2粒子が極めて微細な粒子で
構成されていることが分かる。
０℃焼成の抵抗体のＸ線回折図を図４に示す。図４から
９００℃でＡｌＢ12、Ｔａ2Ｏ5のピークがなくなり抵抗
体全体がガラス化していることが確認できる。この焼成
温度において抵抗特性が安定化していることから本発明
の抵抗体はガラス状態でも抵抗特性が安定な抵抗体であ
ることがわかる。また９５０℃では、ＴａＢ2のピーク
が確認され、また、ＴａＢ2のピークがブロードである
ことから、析出したＴａＢ2粒子が極めて微細な粒子で
構成されていることが分かる。
【００３６】また、比較例２および実施例６の抵抗体
（焼成後）のＸ線回折図を図５に示す。図５から明らか
なように本発明の抵抗体は比較例のものと比べ、反応前
の結晶物は全く残っておらずＴａＢ2のピークのみが析
出していることから非常に良く反応していることが分か
る。
（焼成後）のＸ線回折図を図５に示す。図５から明らか
なように本発明の抵抗体は比較例のものと比べ、反応前
の結晶物は全く残っておらずＴａＢ2のピークのみが析
出していることから非常に良く反応していることが分か
る。
【００３７】〔実施例２０〕ステレオの音声分離、ビデ
オの色再現に必要な抵抗マトリックス回路の抵抗体は、
高精度なものが要求される。例えば、ステレオ音声分離
度と抵抗値精度との関係は数１式で示される。
オの色再現に必要な抵抗マトリックス回路の抵抗体は、
高精度なものが要求される。例えば、ステレオ音声分離
度と抵抗値精度との関係は数１式で示される。
【００３８】
【数１】Ｓ＝２０log（１＋α）／（１−α）（ｄＢ） 〔但し、Ｓは分離度、αは抵抗値精度を示す。〕 ステレオの音声分離度は、一般に４０ｄＢ以上が要求さ
れる。抵抗値精度が、−１％の場合α＝０.９９とな
り、Ｓは４６ｄＢとなる。従って分離度４０ｄＢ以上と
するには、抵抗値精度は±１％以内が要求される。
れる。抵抗値精度が、−１％の場合α＝０.９９とな
り、Ｓは４６ｄＢとなる。従って分離度４０ｄＢ以上と
するには、抵抗値精度は±１％以内が要求される。
【００３９】図６は、ステレオ音声回路を処理する抵抗
マトリックス回路の回路図である。前記音声分離度を達
成するためには、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ14の各抵抗体
の抵抗値精度が±１％以内である必要がある。
マトリックス回路の回路図である。前記音声分離度を達
成するためには、Ｒ1〜Ｒ8およびＲ11〜Ｒ14の各抵抗体
の抵抗値精度が±１％以内である必要がある。
【００４０】図７は、上記マトリックス回路をハイブリ
ッドＩＣ化した回路パターンの一部を示すものである。
そこでこれらの抵抗体を前記実施例に示す抵抗組成物を
用いて作製した。その結果、優れた音声分離度のものが
得られた。なお、本発明により回路に銅系導体を用いる
ことができる。
ッドＩＣ化した回路パターンの一部を示すものである。
そこでこれらの抵抗体を前記実施例に示す抵抗組成物を
用いて作製した。その結果、優れた音声分離度のものが
得られた。なお、本発明により回路に銅系導体を用いる
ことができる。
【００４１】
【発明の効果】本発明の抵抗組成物によれば、同系材料
により広範囲な抵抗領域において抵抗特性が安定した優
れた厚膜抵抗体を得ることができる。
により広範囲な抵抗領域において抵抗特性が安定した優
れた厚膜抵抗体を得ることができる。
【図１】本発明の抵抗体の導電機構を説明する模式図で
ある。
ある。
【図２】抵抗体の抵抗値と電流ノイズとの関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図３】抵抗体の抵抗値と抵抗値のバラツキとの関係を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図４】８００℃〜９５０℃焼成の抵抗体のＸ線回折図
である。
である。
【図５】比較例２と実施例６の抵抗体のＸ線回折図であ
る。
る。
【図６】本発明の一応用例である抵抗マトリックス回路
図である。
図である。
【図７】ハイブリッドＩＣの抵抗マトリックス回路パタ
ーンの部分図である。
ーンの部分図である。
１…金属ほう化物（ＡｌＢ12）、２…ほう化タンタル
（ＴａＢ2）粒子、３…ガラスマトリックス、４…抵抗
体、５…銅導体。
（ＴａＢ2）粒子、３…ガラスマトリックス、４…抵抗
体、５…銅導体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 敏夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】（ａ）金属ほう化物をＭｘＢｙ（但し、Ｍ
は金属元素、Ｂはほう素、ｘ及びｙは整数を示す）で示
すときｙ／ｘが６を超える金属ほう化物０.１〜５０重
量部、（ｂ）酸化タンタルに換算して１〜５０重量部を
ガラス成分として含有するガラスフリット５０〜９９.
９重量部、（ｄ）ペースト状とするのに有効量の有機ビ
ヒクル、を含むことを特徴とする厚膜抵抗組成物。 - 【請求項２】（ａ）金属ほう化物をＭｘＢｙ（但し、Ｍ
は金属元素、Ｂはほう素、ｘ及びｙは整数を示す）で示
すときｙ／ｘが６を超える金属ほう化物０.１〜５０重
量部、（ｂ）酸化タンタル０.１〜４０重量部、（ｃ）
ガラスフリット１０〜９９.８重量部、（ｄ）ペースト
状とするのに有効量の有機ビヒクル、を含むことを特徴
とする厚膜抵抗組成物。 - 【請求項３】前記金属ほう化物が金属１２ほう化物であ
ることを特徴とする請求項１または２記載の厚膜抵抗組
成物。 - 【請求項４】前記金属ほう化物がＡｌＢ12である請求項
１または２記載の厚膜抵抗組成物。 - 【請求項５】（ａ）ＡｌＢ12を０.１〜５０重量部、
（ｂ）IVａ〜VIａ族の金属酸化物を１〜５０重量部をガ
ラス成分として含有するガラスフリット５０〜９９.９
重量部、（ｄ）ペースト状とするのに有効量の有機ビヒ
クルを含むことを特徴とする厚膜抵抗組成物。 - 【請求項６】（ａ）ＡｌＢ12を０.１〜５０重量部、
（ｂ）IVａ〜VIａ族の金属酸化物０.１〜４０重量部、
（ｃ）ガラスフリット１０〜９９.８重量部、（ｄ）ペ
ースト状とするのに有効量の有機ビヒクル、を含むこと
を特徴とする厚膜抵抗組成物。 - 【請求項７】（ａ）ＡｌＢ12を０.１〜５０重量部、
（ｂ）IVａ〜VIａ族の金属酸化物を１〜５０重量部をガ
ラス成分として含有するガラスフリット５０〜９９.９
重量部、（ｃ）ペースト状とするのに有効量の有機ビヒ
クルを含むことを特徴とする厚膜抵抗組成物。 - 【請求項８】無機質基板に抵抗組成物が印刷焼成された
厚膜抵抗体が、ガラスマトリックス中に分散された金属
ほう化物粒子、該粒子とガラスマトリックスの粒界及び
該粒子間のガラスマトリックス中に金属ほう化物と酸化
タンタルの反応により生じた粒径０.１μｍ以下のほう
化タンタル、前記反応により導電性が生じたガラスマト
リックスの少なくとも一つで形成された導電パスを有す
ることを特徴とする厚膜抵抗体。 - 【請求項９】無機質基板に抵抗組成物が印刷焼成された
厚膜抵抗体が、ガラスマトリックス中に分散された金属
ほう化物粒子、該粒子とガラスマトリックスの粒界及び
該粒子間のガラスマトリックス中に金属ほう化物と酸化
タンタルの反応により生じた粒径０.１μｍ以下のほう
化タンタル、前記反応により導電性が生じたガラスマト
リックスの少なくとも一つで形成された導電パスを有す
る厚膜抵抗体が導体回路に接続構成されているハイブリ
ッドＩＣ。 - 【請求項１０】（ａ）金属ほう化物をＭｘＢｙ（但し、
Ｍは金属元素、Ｂはほう素、ｘ及びｙは整数を示す）で
示すときｙ／ｘが６を超える金属ほう化物０.１〜５０
重量部、（ｂ）酸化タンタルに換算して１〜５０重量部
をガラス成分として含有するガラスフリット５０〜９
９.９重量部、（ｄ）ペースト状とするに有効量の有機
ビヒクルを含む厚膜抵抗組成物を、無機質基板面に塗布
して所定の形状の抵抗体膜を形成し、これを不活性ガス
雰囲気中で７００℃〜９５０℃で焼成することによりガ
ラスマトリックス中に粒径０.１μｍ以下のほう化タン
タルを析出させるかまたはガラスに導電性を生じさせた
ことを特徴とする厚膜抵抗体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4140287A JPH05335108A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 厚膜抵抗組成物及び該組成物からなる厚膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4140287A JPH05335108A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 厚膜抵抗組成物及び該組成物からなる厚膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335108A true JPH05335108A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15265278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4140287A Pending JPH05335108A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 厚膜抵抗組成物及び該組成物からなる厚膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3614869A1 (de) * | 1985-05-02 | 1986-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Kommutator mit entstoerung |
-
1992
- 1992-06-01 JP JP4140287A patent/JPH05335108A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3614869A1 (de) * | 1985-05-02 | 1986-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Kommutator mit entstoerung |
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