JPH05335113A - サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、簡略な構造で半田耐熱性、抵抗値
特性に優れたサーミスタを提供する。 【構成】 本発明のサーミスタ１は、立方体若しくは直
方体状のサーミスタ焼成体２と、このサーミスタ焼成体
２の対向する両端面にメッキにより形成した電極層３と
を具備するものである。この構成により、簡略な構造で
ありながら半田耐熱性を向上でき、抵抗値特性のばらつ
きも小さくすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はサーミスタ及びその製造
方法に関し、より詳しくは、電子回路のＩＣや水晶発信
子等の温度補償用として好適なサーミスタ及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のサーミスタの製造方法及び構造
の従来例について図４乃至図６を参照して説明する、図
４に示すサーミスタ３０の製造方法は、まず、板状の焼
成体３１をその両面と垂直の方向からダイシングソー等
のカッターで縦横に切断し、立方体若しくは直方体状の
サーミスタ焼成体３２を形成し、このサーミスタ焼成体
３２の対向する両端面から上下両面及び前後側面に回り
込む状態にディップ法によるＡｇ又はＡｇ−Ｐｄ合金か
らなる電極層３３を塗布し焼き付けたものである。

【０００３】図５に示すサーミスタ４０の製造方法は、
まず、板状の焼成体４１の両面にガラスペースト４７を
塗布し焼き付けた後、ダイシングソー等のカッターで板
状の焼成体４１を柱状に切断してサーミスタ焼成体４２
を形成し、このサーミスタ焼成体４２の長辺方向の両端
面から上下両面及び前後側面に回り込む状態にＡｇの電
極ペースト４３を塗布し焼き付ける。

【０００４】次に電極ペースト４３の上にＮｉ層４４と
Ｓｎ層（又はＳｎ−Ｐｂ合金層）４５とを各々メッキ
し、さらに、ダイシングソー等のカッターで所定寸法に
切断することにより両端部に３層の電極層４６を具備
し、かつ、ガラスペースト４７で覆われたサーミスタ４
０を得るものである。

【０００５】図６に示すサーミスタ５０の製造方法は、
まず、板状の焼成体５１をダイシングソー等のカッター
で柱状に切断して柱状のサーミスタ焼成体５２を形成
し、このサーミスタ焼成体５２の長辺方向の両端面から
上下両面及び前後側面に回り込む状態にＡｇ（又はＡｇ
−Ｐｄ合金）の電極ペースト５３を塗布し焼き付ける。

【０００６】さらに、サーミスタ焼成体５２の電極ペー
スト５３を除く各部分にガラスペースト５７を塗布し焼
き付ける。

【０００７】次に、電極ペースト５３の上にＮｉ層５４
とＳｎ層（又はＳｎ−Ｐｂ合金層）５５とを各々メッキ
し、さらに、ダイシングソー等のカッターで所定寸法に
切断することにより両端部に３層の電極層５６を具備
し、かつ、ガラスペースト５７で覆われたサーミスタ５
０を得るものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た図４に示すサーミスタ３０の場合、半田耐熱試験にお
いて電極層３３の電極食われが生じるという問題があ
る。

【０００９】このような電極食われは、図５，図６に示
すサーミスタ４０，５０のようにＮｉ層４４，５４を設
けることで防止できるが、Ｎｉ層４４，５４をメッキに
より形成すると、サーミスタ焼成体４２，５２の溶解が
生じる。

【００１０】このため、図５，図６に示す従来の製造方
法では、サーミスタ焼成体４２，５２のメッキ液に接す
る面にガラスペースト４７，５７を形成しサーミスタ焼
成体４２，５２の溶解防止を図っているが、その分工程
数の増加を招いてしまう。

【００１１】また、図４乃至図６に示す従来の製造方法
では、いずれも電極層３３，４６，５６をサーミスタ焼
成体３２，４２，５２に対して回り込む状態に形成する
ものであるため、全体として工程数が多く、製造コスト
の増大を招くという問題があった。

【００１２】さらに、図４，図６に示すサーミスタ３
０，５０の場合、電極層３３，５６の間の間隔により抵
抗値特性を得ており、サーミスタ３０，５０が小型にな
ればなるほど精度上ばらつきが大きくなってしまう。

【００１３】そこで、本発明は、簡略な構造で半田耐熱
性，抵抗値特性に優れたサーミスタを提供すること及び
少ない工程でかかるサーミスタを得ることができる製造
方法を提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明のサーミスタは、
立方体若しくは直方体状のサーミスタ焼成体と、このサ
ーミスタ焼成体の対向する両端面にメッキにより形成し
た電極層とを具備するものである。

【００１５】本発明のサーミスタの製造方法は、板状の
焼成体の両面にメッキにより電極層を形成する工程と、
電極層を形成した板状の焼成体を電極層と垂直の方向か
ら縦横に切断し、立方体若しくは直方体状のサーミスタ
焼成体及びその両端面の電極層からなるサーミスタを得
る工程とからなるものである。

【００１６】

【作用】上述した構成のサーミスタによれば、立方体若
しくは直方体状のサーミスタ焼成体の両端面にメッキに
より電極層を形成した簡略な構造であり、サーミスタ焼
成体に対する電極層の回り込み部分が無く、この結果、
半田耐熱試験に際してサーミスタ焼成体自体に電極食わ
れが生じることを防止でき、半田耐熱性を向上できる。

【００１７】また、サーミスタ焼成体に電極層の回り込
み部分が無いことから、抵抗値特性はサーミスタ焼成体
自体の寸法で定まり、抵抗値特性のばらつきも非常に小
さくなる。

【００１８】上述したサーミスタの製造方法によれば、
板状の焼成体の両面にメッキにより電極層を形成し、電
極層を形成した板状の焼成体を電極層と垂直の方向から
縦横に切断することでサーミスタを得るものであるか
ら、少ない工程数で上述した作用を発揮するサーミスタ
を製造することができる。

【００１９】

【実施例】以下に本発明の実施例を詳細に説明する。

【００２０】図１，図２に示すサーミスタ１は、直方体
状（立方体状でもよい。）のサーミスタ焼成体２と、こ
のサーミスタ焼成体２の対向する両端面にメッキにより
形成した電極層３，３とを具備する。

【００２１】前記電極層３は、サーミスタ焼成体２の端
面から外側に順に形成したＡｇ（又はＡｇ−Ｐｄ合金）
の電極ペースト４と、Ｎｉ層５と、Ｓｎ−Ｐｂ層（又は
Ａｇ層）６とからなるものである。

【００２２】上述した構成のサーミスタ１によれば、直
方体状のサーミスタ焼成体２の両端面にメッキにより電
極層３を形成した簡略な構造であり、サーミスタ焼成体
２に対する電極層３の回り込み部分が無く、この結果、
半田耐熱試験に際してサーミスタ焼成体２自体に電極食
われが生じることを防止でき、半田耐熱性を向上でき
る。また、サーミスタ焼成体２に電極層３の回り込み部
分が無いことから、抵抗値特性はサーミスタ焼成体２自
体の寸法で定まり、抵抗値特性のばらつきも小さくな
る。尚、本実施例のサーミスタ１の２０個の抵抗値（摂
氏２５度）の平均値は４２．２１ｋΩ、従来例のうちサ
ーミスタ３０の２０個の抵抗値（摂氏２５度）の平均値
は３３．５ｋΩであった。

【００２３】また、変動係数（ばらつきの指標）ＣＶ＝
σ／Ｘ0 ×１００（％）で定義するこの変動係数ＣＶの
値は、本実施例では０．８８（％）、従来例では３．５
（％）であった。ここに、σはサーミスタ３０の２０個
の抵抗値の標準偏差、Ｘ0 はサーミスタ３０の２０個の
抵抗値の平均値である。

【００２４】次に、サーミスタ１の製造方法について図
３を参照して説明する。

【００２５】まず、板状の焼成体２ａを用意し、この焼
成体２ａの上面及び下面にＡｇ（又はＡｇ−Ｐｄ合金）
の電極ペースト４を塗布して空気中で摂氏７００乃至９
００度の温度条件のもとに焼き付けを行う。

【００２６】次に、焼成体２ａに焼き付けた各電極ペー
スト４の上に電解メッキ又は無電解メッキによりＮｉ層
５を形成する。

【００２７】さらに、この各Ｎｉ層５の上に電解メッキ
又は無電解メッキによりＳｎ−Ｐｂ層（又はＡｇ層）６
を形成する。

【００２８】この場合、図３に示すように、各Ｎｉ層５
の上にＳｎ−Ｐｂ電極ペースト（又はＳｎ電極ペース
ト）６ａを塗布し、熱処理してもよい。また、各Ｎｉ層
５の上にＡｇ電極ペーストを塗布し空気中で摂氏７００
乃至９００度の温度条件のもとに焼き付けを行ってもよ
い。

【００２９】次に、ダイシングソー等のカッターで焼成
体２ａを縦横に切断し、直方体状のサーミスタ焼成体２
の両端面に、電極ペースト４と、Ｎｉ層５と、Ｓｎ−Ｐ
ｂ層６からなる電極層３，３を設けたサーミスタ１を得
る。

【００３０】上述したサーミスタの製造方法によれば、
板状の焼成体２ａの両面にメッキにより電極層３を形成
し、電極層３を形成した板状の焼成体２ａを電極層３と
垂直の方向から縦横に切断することでサーミスタ１を得
るものであるから、少ない工程数で上述した作用を発揮
するサーミスタ１を製造することができる。

【００３１】本発明は、上述した実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であ
る。

【００３２】

【発明の効果】以上詳述した請求項１記載の発明によれ
ば、上述した構成としたので、半田耐熱性を向上できる
ととも、抵抗値特性のばらつきも小さいサーミスタを提
供することができる。

【００３３】また、請求項２記載の発明によれば、少な
い工程数で上述した効果を奏するサーミスタを得ること
ができる製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例としてのサーミスタを示す斜視
図

【図２】本発明の実施例としてのサーミスタを示す断面
図

【図３】本発明の実施例方法の製造工程を示す説明図

【図４】従来のサーミスタの製造工程を示す説明図

【図５】従来のサーミスタの他の製造工程を示す説明図

【図６】従来のサーミスタのさらに別の製造工程を示す
説明図

【符号の説明】

１ サーミスタ ２ サーミスタ焼成体 ３ 電極層 ４ 電極ペースト ５ Ｎｉ層 ６ Ｓｎ−Ｐｂ層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 立方体若しくは直方体状のサーミスタ焼
   成体と、このサーミスタ焼成体の対向する両端面にメッ
   キにより形成した電極層とを具備することを特徴とする
   サーミスタ。
2. 【請求項２】 板状の焼成体の両面にメッキにより電極
   層を形成する工程と、電極層を形成した板状の焼成体を
   電極層と垂直の方向から縦横に切断し、立方体若しくは
   直方体状のサーミスタ焼成体及びその両端面の電極層か
   らなるサーミスタを得る工程とからなることを特徴とす
   るサーミスタの製造方法。