JPH05335327A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents
ヘテロ接合バイポーラトランジスタInfo
- Publication number
- JPH05335327A JPH05335327A JP4134968A JP13496892A JPH05335327A JP H05335327 A JPH05335327 A JP H05335327A JP 4134968 A JP4134968 A JP 4134968A JP 13496892 A JP13496892 A JP 13496892A JP H05335327 A JPH05335327 A JP H05335327A
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- JP
- Japan
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- group
- impurities
- doped
- bipolar transistor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 格子間原子および原子空孔の少ないＩＩＩ−
Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ型のヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタを提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１の上にバッファ層２を介し
て、Ｖ族サイトを占めてドナーとなるＳｅをドーピング
したｎ- −ＧａＡｓのコレクタ層３が形成されている。
その上に、Ｃをドーピングしたｐ+ −ＡｌＧａＡｓのベ
ース層４、Ｓｅをドーピングしたｎ- −ＡｌＧａＡｓの
エミッタ層５、そして、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓのキャップ
層６が形成されている。さらに、コレクタ電極７、ベー
ス電極８、エミッタ電極９がそれぞれ形成され、ＩＩＩ
−Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ型のヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタが構成されている。本発明により、
コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５の各層の不純
物の拡散が抑止され、さらに、格子欠陥が著しく減少す
る。
Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ型のヘテロ接合バイポ
ーラトランジスタを提供する。 【構成】 ＧａＡｓ基板１の上にバッファ層２を介し
て、Ｖ族サイトを占めてドナーとなるＳｅをドーピング
したｎ- −ＧａＡｓのコレクタ層３が形成されている。
その上に、Ｃをドーピングしたｐ+ −ＡｌＧａＡｓのベ
ース層４、Ｓｅをドーピングしたｎ- −ＡｌＧａＡｓの
エミッタ層５、そして、ｎ+ −ＡｌＧａＡｓのキャップ
層６が形成されている。さらに、コレクタ電極７、ベー
ス電極８、エミッタ電極９がそれぞれ形成され、ＩＩＩ
−Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ型のヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタが構成されている。本発明により、
コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５の各層の不純
物の拡散が抑止され、さらに、格子欠陥が著しく減少す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波や高速通信分
野などに使用される高速に動作するヘテロ接合バイポー
ラトランジスタに関する。
野などに使用される高速に動作するヘテロ接合バイポー
ラトランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の高速に動作する半導体素子として
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴのようなものが知られ
ている。そして、従来の技術における不純物の成分とし
て、「半導体への高濃度ドーピングとその物性 ｐ．３
６」（９１年７月５日 応用物理学会 応用電子物性分
科会）に記載されているように、ｎ型層にはＩＶ族のＳ
ｎ、ｐ型層にはＩＩ族のＢｅ、Ｚｎ、Ｍｇ等が用いられ
るのが一般的である。
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴのようなものが知られ
ている。そして、従来の技術における不純物の成分とし
て、「半導体への高濃度ドーピングとその物性 ｐ．３
６」（９１年７月５日 応用物理学会 応用電子物性分
科会）に記載されているように、ｎ型層にはＩＶ族のＳ
ｎ、ｐ型層にはＩＩ族のＢｅ、Ｚｎ、Ｍｇ等が用いられ
るのが一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体に
対し、主にＩＩＩ族サイトを占めるような不純物、すな
わち、主にＩＩＩ族原子と置換する不純物をドーピング
したとき、この不純物がドナーとなるときは原子空孔に
よる欠陥が多く、逆にアクセプタとなるときは格子間原
子による欠陥が多量に導入されてしまう。また、主にＶ
族サイトを占めるような不純物をドーピングしたとき、
この不純物がドナーとなるときは格子間原子による欠陥
が多く、逆にアクセプタとなるときは原子空孔による欠
陥が多量に導入されてしまう。この結果、半導体内のキ
ャリャの移動度の低下や高濃度層の不純物の拡散が大き
くなり、素子の著しい信頼性の低下を招く。
対し、主にＩＩＩ族サイトを占めるような不純物、すな
わち、主にＩＩＩ族原子と置換する不純物をドーピング
したとき、この不純物がドナーとなるときは原子空孔に
よる欠陥が多く、逆にアクセプタとなるときは格子間原
子による欠陥が多量に導入されてしまう。また、主にＶ
族サイトを占めるような不純物をドーピングしたとき、
この不純物がドナーとなるときは格子間原子による欠陥
が多く、逆にアクセプタとなるときは原子空孔による欠
陥が多量に導入されてしまう。この結果、半導体内のキ
ャリャの移動度の低下や高濃度層の不純物の拡散が大き
くなり、素子の著しい信頼性の低下を招く。
【０００４】具体的には、従来のＧａＡｓ系のＨＢＴに
おいて、ベースに使用しているＢｅを高濃度にドーピン
グすると、電流を流しただけでＢｅが拡散してしまう。
これは「半導体への高濃度ドーピングとその物性 ｐ．
３６」（９１年７月５日 応用物理学会 応用電子物性
分科会）に記載されている。
おいて、ベースに使用しているＢｅを高濃度にドーピン
グすると、電流を流しただけでＢｅが拡散してしまう。
これは「半導体への高濃度ドーピングとその物性 ｐ．
３６」（９１年７月５日 応用物理学会 応用電子物性
分科会）に記載されている。
【０００５】また、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏ
ｌ．６７，Ｎｏ．１０，１５ Ｍａｙ １９９０ ｐ．
６１５３」にはイオン注入によるＧａＡｓの格子欠陥に
対し、アニールを行っただけでは完全には回復せず、Ｇ
ａサイトの原子空孔（ＶGa）が残っていることが示され
ている。
ｌ．６７，Ｎｏ．１０，１５ Ｍａｙ １９９０ ｐ．
６１５３」にはイオン注入によるＧａＡｓの格子欠陥に
対し、アニールを行っただけでは完全には回復せず、Ｇ
ａサイトの原子空孔（ＶGa）が残っていることが示され
ている。
【０００６】ベース層の不純物の拡散防止の対策とし
て、ベース層に用いる不純物にＣ（カーボン）を用いる
ことが提案されている。これによれば、ベース層の不純
物の拡散をある程度抑止することは可能であるが、ｎ型
層の不純物の拡散に対しては何等効果を持たず、また、
格子欠陥を少なくすることもできない。
て、ベース層に用いる不純物にＣ（カーボン）を用いる
ことが提案されている。これによれば、ベース層の不純
物の拡散をある程度抑止することは可能であるが、ｎ型
層の不純物の拡散に対しては何等効果を持たず、また、
格子欠陥を少なくすることもできない。
【０００７】本発明は以上の問題に鑑み、ドーピングし
た不純物の拡散を抑止し、かつ、格子欠陥の少ないＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ型のヘテロ接合バ
イポーラトランジスタを提供することを目的とする。
た不純物の拡散を抑止し、かつ、格子欠陥の少ないＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ型のヘテロ接合バ
イポーラトランジスタを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の問題を解決するた
め本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ
型のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、主に
Ｖ族サイトを占めてドナーとなる不純物、すなわち、主
にＩＩＩ族原子と置換してドナーとなる不純物がドーピ
ングされた半導体層をエピタキシャル成長することによ
り形成されたｎ型のエミッタ層およびコレクタ層と、主
にＶ族サイトを占めてアクセプタとなる不純物がドーピ
ングされた半導体層をエピタキシャル成長することによ
り形成されたｐ型のベース層とを有することを特徴とす
る。さらに、このドナーとなる不純物はＳｅであり、ア
クセプタとなる不純物はＣであることを特徴としてもよ
い。
め本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ
型のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、主に
Ｖ族サイトを占めてドナーとなる不純物、すなわち、主
にＩＩＩ族原子と置換してドナーとなる不純物がドーピ
ングされた半導体層をエピタキシャル成長することによ
り形成されたｎ型のエミッタ層およびコレクタ層と、主
にＶ族サイトを占めてアクセプタとなる不純物がドーピ
ングされた半導体層をエピタキシャル成長することによ
り形成されたｐ型のベース層とを有することを特徴とす
る。さらに、このドナーとなる不純物はＳｅであり、ア
クセプタとなる不純物はＣであることを特徴としてもよ
い。
【０００９】
【作用】Ｖ族サイトを占めてドナーとなる不純物はＶ族
原子の格子間原子を形成し、またアクセプタとなる不純
物はＶ族原子の原子空孔を形成する。すなわち、本発明
により、ベース層にＶ族サイトを占めてアクセプタとな
る不純物をドーピングすることでＶ族サイトの原子空孔
が形成され、エミッタ層とコレクタ層とにＶ族サイトを
占めてドナーとなる不純物をドーピングすることでＶ族
原子の格子間原子が形成される。
原子の格子間原子を形成し、またアクセプタとなる不純
物はＶ族原子の原子空孔を形成する。すなわち、本発明
により、ベース層にＶ族サイトを占めてアクセプタとな
る不純物をドーピングすることでＶ族サイトの原子空孔
が形成され、エミッタ層とコレクタ層とにＶ族サイトを
占めてドナーとなる不純物をドーピングすることでＶ族
原子の格子間原子が形成される。
【００１０】よって、ベース層内のＶ族サイトの原子空
孔と、エミッタ層とコレクタ層とのＶ族原子の格子間原
子とは互いに消滅する。
孔と、エミッタ層とコレクタ層とのＶ族原子の格子間原
子とは互いに消滅する。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例におけるｎｐｎ型のヘテロ接
合バイポーラトランジスタの断面図を図１に示す。
合バイポーラトランジスタの断面図を図１に示す。
【００１２】ＧａＡｓ基板１の上にバッファ層２を介し
て、Ｖ族サイトを占めてドナーとなるＳｅをドーピング
したｎ- −ＧａＡｓのコレクタ層３が形成されている。
その上に、Ｓｅと同じＶ族サイトを占めてアクセプタと
なるＣをドーピングしたｐ+−ＡｌＧａＡｓのベース層
４が形成されている。さらにその上に、Ｓｅをドーピン
グしたｎ- −ＡｌＧａＡｓのエミッタ層５、そして、ｎ
+ −ＡｌＧａＡｓのキャップ層６が形成されている。さ
らに、コレクタ電極７、ベース電極８、エミッタ電極９
がそれぞれ形成され、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を主成分とす
るｎｐｎ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタが構成
されている。
て、Ｖ族サイトを占めてドナーとなるＳｅをドーピング
したｎ- −ＧａＡｓのコレクタ層３が形成されている。
その上に、Ｓｅと同じＶ族サイトを占めてアクセプタと
なるＣをドーピングしたｐ+−ＡｌＧａＡｓのベース層
４が形成されている。さらにその上に、Ｓｅをドーピン
グしたｎ- −ＡｌＧａＡｓのエミッタ層５、そして、ｎ
+ −ＡｌＧａＡｓのキャップ層６が形成されている。さ
らに、コレクタ電極７、ベース電極８、エミッタ電極９
がそれぞれ形成され、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を主成分とす
るｎｐｎ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタが構成
されている。
【００１３】Ｓｅのドーピングによりコレクタ層３とエ
ミッタ層５とに格子間原子１１が導入され、また、Ｃの
ドーピングにより原子空孔１０がベース層４に導入さ
れ、この原子空孔１０と格子間原子１１とはアニールが
行われていることにより互いに消滅している。これによ
り、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５の各層の
不純物の拡散が抑止されており、さらに、格子欠陥を著
しく減少させた素子が得られる。
ミッタ層５とに格子間原子１１が導入され、また、Ｃの
ドーピングにより原子空孔１０がベース層４に導入さ
れ、この原子空孔１０と格子間原子１１とはアニールが
行われていることにより互いに消滅している。これによ
り、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５の各層の
不純物の拡散が抑止されており、さらに、格子欠陥を著
しく減少させた素子が得られる。
【００１４】この拡散防止のメカニズムを以下に説明す
る。
る。
【００１５】一般に、ＩＩＩ族サイトを占める不純物よ
りもＶ族サイトを占める不純物の方が拡散しにくいこと
が知られている。また、ＢｅやＺｎの拡散の要因は、過
飽和に存在する格子間Ｇａ原子（ＩGa）がＧａサイトに
入っているＢｅやＺｎを弾き出して、そこに入ってしま
うキックアウト現象であることが知られいる。この現象
は、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．６９，Ｎ
ｏ．６，１５ Ｍａｒｃｈ １９９１ ｐ．３５４７」
（１９９１ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ
Ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ）に記載されている。また、Ｓｉ
等の拡散は原子空孔の影響によることが考えられる。こ
れらはＩＩＩ族サイトを占める不純物の場合であるが、
Ｖ族サイトを占める不純物についても同様に、ドーピン
グした不純物の拡散は格子間原子および原子空孔の影響
を強く受けることが考えられる。
りもＶ族サイトを占める不純物の方が拡散しにくいこと
が知られている。また、ＢｅやＺｎの拡散の要因は、過
飽和に存在する格子間Ｇａ原子（ＩGa）がＧａサイトに
入っているＢｅやＺｎを弾き出して、そこに入ってしま
うキックアウト現象であることが知られいる。この現象
は、「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．６９，Ｎ
ｏ．６，１５ Ｍａｒｃｈ １９９１ ｐ．３５４７」
（１９９１ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ
Ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ）に記載されている。また、Ｓｉ
等の拡散は原子空孔の影響によることが考えられる。こ
れらはＩＩＩ族サイトを占める不純物の場合であるが、
Ｖ族サイトを占める不純物についても同様に、ドーピン
グした不純物の拡散は格子間原子および原子空孔の影響
を強く受けることが考えられる。
【００１６】よって、同じＶ族サイトを占める不純物を
ドーピングし、これらの格子間原子および原子空孔を互
いに消滅させて減少させることが、ドーピングした不純
物の拡散を抑える効果に繋がる。かつ、格子間原子と原
子空孔とを互いに消滅させることにより全体の格子欠陥
が減少し、素子の電気的安定度が良好となる。
ドーピングし、これらの格子間原子および原子空孔を互
いに消滅させて減少させることが、ドーピングした不純
物の拡散を抑える効果に繋がる。かつ、格子間原子と原
子空孔とを互いに消滅させることにより全体の格子欠陥
が減少し、素子の電気的安定度が良好となる。
【００１７】以下、図２乃至図３に沿って本発明の実施
例の製造方法の説明を行う。
例の製造方法の説明を行う。
【００１８】半絶縁性のＧａＡｓ基板１（図２（ａ））
に、バッファ層２としてｎ+ −ＧａＡｓをエピタキシャ
ル成長させ、その上にコレクタ層３として、Ｓｅをドー
ピングしたｎ- −ＧａＡｓをエピタキシャル成長させる
（図２（ｂ））。Ｓｅのドーピングにより、コレクタ層
３にはＶ族原子の格子間原子１１が導入されている。
に、バッファ層２としてｎ+ −ＧａＡｓをエピタキシャ
ル成長させ、その上にコレクタ層３として、Ｓｅをドー
ピングしたｎ- −ＧａＡｓをエピタキシャル成長させる
（図２（ｂ））。Ｓｅのドーピングにより、コレクタ層
３にはＶ族原子の格子間原子１１が導入されている。
【００１９】さらに、コレクタ層３の上にベース層４と
して、コレクタ層３のＳｅと同じＶ族サイトを占めるＣ
をドーピングしたｐ+ −ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層をエピタ
キシャル成長させる（図２（ｃ））。このベース層４
は、Ａｌの含有量Ｘをコレクタ層３側で０、エミッタ層
５側で０．１としたグレーティング層である。また、Ｃ
のドーピングにより、ベース層４にはＶ族サイトの原子
空孔１０が導入されている。
して、コレクタ層３のＳｅと同じＶ族サイトを占めるＣ
をドーピングしたｐ+ −ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓ層をエピタ
キシャル成長させる（図２（ｃ））。このベース層４
は、Ａｌの含有量Ｘをコレクタ層３側で０、エミッタ層
５側で０．１としたグレーティング層である。また、Ｃ
のドーピングにより、ベース層４にはＶ族サイトの原子
空孔１０が導入されている。
【００２０】エミッタ層５としてベース層４の上にＳｅ
をドーピングしたｎ- −ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓをエピタキ
シャル成長させる。エミッタ層５は、Ａｌの含有量Ｘを
ベース層４側で０．１、キャップ層６側で０．３として
形成されたグレーティング層である。ここでドーピング
するＳｅはＤＸセンター欠陥が少ないことが知られてい
る。（「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．６８，Ｎ
ｏ．７，１ Ｏｃｔｏｂｅｒ １９９０ ｐ．３３４
３」に記載）。このＳｅのドーピングにより、エミッタ
層にも前述と同様にＶ族原子の格子間原子１１が導入さ
れている。さらにキャップ層６をＩｎＧａＡｓにより形
成する（図３（ｄ））。
をドーピングしたｎ- −ＡｌX Ｇａ1-X Ａｓをエピタキ
シャル成長させる。エミッタ層５は、Ａｌの含有量Ｘを
ベース層４側で０．１、キャップ層６側で０．３として
形成されたグレーティング層である。ここでドーピング
するＳｅはＤＸセンター欠陥が少ないことが知られてい
る。（「Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．６８，Ｎ
ｏ．７，１ Ｏｃｔｏｂｅｒ １９９０ ｐ．３３４
３」に記載）。このＳｅのドーピングにより、エミッタ
層にも前述と同様にＶ族原子の格子間原子１１が導入さ
れている。さらにキャップ層６をＩｎＧａＡｓにより形
成する（図３（ｄ））。
【００２１】この後、ランプアニール炉を用い、８００
〜１１００℃の温度で０．５〜１０秒程度、アニールを
行う（図３（ｅ））。このアニールにより、ベース層４
の原子空孔１０とコレクタ層３およびエミッタ層５の格
子間原子１１とを互いに消滅させることができる。
〜１１００℃の温度で０．５〜１０秒程度、アニールを
行う（図３（ｅ））。このアニールにより、ベース層４
の原子空孔１０とコレクタ層３およびエミッタ層５の格
子間原子１１とを互いに消滅させることができる。
【００２２】ウエットエッチング法により各層のエッチ
ングを行い、その後、バッファ層２、ベース層４、キャ
ップ層６の各層にコレクタ電極７、ベース電極８、エミ
ッタ電極９をそれぞれ形成し（図１）、さらにアイソレ
ーションおよびパッシベーション膜の被覆を行う（図示
せず）。
ングを行い、その後、バッファ層２、ベース層４、キャ
ップ層６の各層にコレクタ電極７、ベース電極８、エミ
ッタ電極９をそれぞれ形成し（図１）、さらにアイソレ
ーションおよびパッシベーション膜の被覆を行う（図示
せず）。
【００２３】本発明は前述の実施例に限らず様々な変形
が可能である。
が可能である。
【００２４】また、ｎ層にドーピングする不純物はＳｅ
に限らず、例えば、ＶＩ族元素のＳ等でも良く、またベ
ース層４の不純物はＩＶ族元素のＳｉ、Ｇｅ等でも良
い。
に限らず、例えば、ＶＩ族元素のＳ等でも良く、またベ
ース層４の不純物はＩＶ族元素のＳｉ、Ｇｅ等でも良
い。
【００２５】
【発明の効果】以上の通り、ベース層にＶ族サイトを占
めてアクセプタとなる不純物をドーピングすることでＶ
族サイトの原子空孔を形成し、エミッタ層とコレクタ層
とにＶ族サイトを占めてドナーとなる不純物をドーピン
グすることでＶ族原子の格子間原子を形成することによ
り、ベース層内のＶ族サイトの原子空孔と、エミッタ層
とコレクタ層とのＶ族原子の格子間原子とは互いに消滅
させることができる。
めてアクセプタとなる不純物をドーピングすることでＶ
族サイトの原子空孔を形成し、エミッタ層とコレクタ層
とにＶ族サイトを占めてドナーとなる不純物をドーピン
グすることでＶ族原子の格子間原子を形成することによ
り、ベース層内のＶ族サイトの原子空孔と、エミッタ層
とコレクタ層とのＶ族原子の格子間原子とは互いに消滅
させることができる。
【００２６】原子空孔および格子間原子はドーピングさ
れた不純物の拡散を助長するため、これら各格子欠陥を
少なくすることは不純物の拡散を抑止することになる。
すなわち、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ型
のヘテロ接合バイポーラトランジスタの信頼性における
問題の主因であるベース層内からの、または、ベース層
内への不純物の拡散を抑止することができる。
れた不純物の拡散を助長するため、これら各格子欠陥を
少なくすることは不純物の拡散を抑止することになる。
すなわち、ＩＩＩ−Ｖ族化合物を主成分とするｎｐｎ型
のヘテロ接合バイポーラトランジスタの信頼性における
問題の主因であるベース層内からの、または、ベース層
内への不純物の拡散を抑止することができる。
【００２７】本発明によれば、高濃度層内の格子欠陥を
減少させ、不純物の拡散を抑止およびキャリヤーの移動
度を向上させることができるため、素子の性能と信頼性
を著しく高めるたＩＩＩ−Ｖ族化合物を主成分とするｎ
ｐｎ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する
ことができる。
減少させ、不純物の拡散を抑止およびキャリヤーの移動
度を向上させることができるため、素子の性能と信頼性
を著しく高めるたＩＩＩ−Ｖ族化合物を主成分とするｎ
ｐｎ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する
ことができる。
【図１】本発明の実施例のヘテロ接合バイポーラトラン
ジスタの概略断面図である。
ジスタの概略断面図である。
【図２】本発明の実施例の概略工程図である。
【図３】本発明の実施例の概略工程図である。
１…ＧａＡｓ基板、２…バッファ層、３…コレクタ層、
４…ベース層、５…エミッタ層、６…キャップ層、７…
コレクタ電極、８…ベース電極、９…エミッタ電極、１
０…原子空孔、１１…格子間原子。
４…ベース層、５…エミッタ層、６…キャップ層、７…
コレクタ電極、８…ベース電極、９…エミッタ電極、１
０…原子空孔、１１…格子間原子。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＩＩＩ−Ｖ族化合物を主成分とするｎｐ
ｎ型のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、 主にＶ族サイトを占めてドナーとなる不純物がドーピン
グされた半導体層をエピタキシャル成長することにより
形成されたｎ型のエミッタ層およびコレクタ層と、 主にＶ族サイトを占めてアクセプタとなる不純物がドー
ピングされた半導体層をエピタキシャル成長することに
より形成されたｐ型のベース層とを有することを特徴と
するヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 - 【請求項２】 前記ドナーとなる不純物はＳｅであり、 前記アクセプタとなる不純物はＣであることを特徴とす
る請求項１記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4134968A JPH05335327A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4134968A JPH05335327A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335327A true JPH05335327A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15140810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4134968A Pending JPH05335327A (ja) | 1992-05-27 | 1992-05-27 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335327A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103094103A (zh) * | 2011-11-08 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 三极管的制备方法以及使用该方法制备的三极管 |
-
1992
- 1992-05-27 JP JP4134968A patent/JPH05335327A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103094103A (zh) * | 2011-11-08 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 三极管的制备方法以及使用该方法制备的三极管 |
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