JPH05335360A - チップキャリア型半導体装置 - Google Patents

チップキャリア型半導体装置

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JPH05335360A
JPH05335360A JP4143833A JP14383392A JPH05335360A JP H05335360 A JPH05335360 A JP H05335360A JP 4143833 A JP4143833 A JP 4143833A JP 14383392 A JP14383392 A JP 14383392A JP H05335360 A JPH05335360 A JP H05335360A
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JP
Japan
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epoxy resin
substrate
semiconductor pellet
semiconductor device
resin layer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4143833A
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English (en)
Inventor
Masahide Murakami
正秀 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】耐湿性の向上したチップキャリア型半導体装置
を得る。 【構成】半導体ペレット３が搭載される部分がくり抜か
れたガラスエポキシ基板１において、くり抜かれた部分
にエポキシ樹脂層２を形成、その上に半導体ペレット３
を搭載し、ガラスエポキシ基板１上のボンディングパッ
ドと半導体ペレット３とをＡｕワイヤ５で接続し、エポ
キシ樹脂層２と同じエポキシ樹脂６で半導体ペレット３
を覆う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップキャリア型半導体
装置に関し、特にガラスエポキシ基板を用いるチップキ
ャリア型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップキャリア型半導体装置は図
３（Ａ），（Ｂ）に示すように、側面と裏面に電極７が
形成されたガラスエポキシ基板１上に半導体ペレット３
が搭載されて、Ａｕワイヤ５で半導体ペレット３の端子
とガラスエポキシ基板１上のボンディングパッド４とを
接続する。その後、エポキシ樹脂６をポッティングによ
り、半導体ペレット３とＡｕワイヤ５を保護する為に、
これらを覆うように塗布した構造となっている。
【０００３】または、図４（Ａ），（Ｂ）のように、ガ
ラスエポキシ基板１上に半導体ペレット３を搭載して、
Ａｕワイヤ５で半導体ペレット３の端子とガラスエポキ
シ基板１上のボンディングパッド４とを接続する。その
後、樹脂枠８を接着剤でガラスエポキシ基板１に貼り付
けてエポキシ樹脂６を樹脂枠８内に充填して、半導体ペ
レット３とＡｕワイヤ５を覆う構造としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のチップ
キャリア型半導体装置では、ガラスエポキシ基板に直接
半導体ペレットを搭載している為、ガラスエポキシ基板
を通して浸入してくる水分により耐湿性が劣化し、半導
体装置の信頼性を低下させるという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のチップキャリア
型半導体装置は、半導体ペレットが搭載される中央部が
くり抜かれたガラスエポキシ基板と、この基板の表面に
形成されたボンディングパッドと、前記基板の側面と裏
面とに形成され前記ボンディングパッドに接続する電極
と、少くとも前記基板のくり抜かれた部分に形成された
エポキシ樹脂層と、このエポキシ樹脂層上に搭載された
半導体ペレットと、この半導体ペレットの端子と前記ボ
ンディングパッドとを接続するワイヤと、前記半導体ペ
レットを封止するエポキシ樹脂とを含むものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１の実施例を示す
平面図及びＡ−Ａ線断面図である。
【０００７】図１（Ａ），（Ｂ）において、ガラスエポ
キシ基板１は半導体ペレット３が搭載される部分がくり
抜かれており、その部分にガラスエポキシ基板１の厚さ
の１／２程度、たとえば０．２ｍｍのエポキシ樹脂層２
が形成されている。そして、このエポキシ樹脂層２に半
導体ペレット３を搭載し、ガラスエポキシ基板１の表面
に形成されたボンディングパッド４と半導体ペレット２
の端子とをＡｕワイヤ５で接続する。ボンディングパッ
ド４はガラスエポキシ基板１上の配線により、外部との
接続に使用される電極７に引き出されている。又、ガラ
スエポキシ基板１の表面にはボンディングパッド３を囲
むように樹脂枠８が取りつけられており、エポキシ樹脂
層２と同じエポキシ樹脂６が樹脂枠８の高さと同じで表
面が平らになるように充填され半導体ペレット等を封止
している。
【０００８】このように構成された第１の実施例によれ
ば、半導体ペレット３の搭載部も耐湿性にすぐれたエポ
キシ樹脂層２で構成されているため、半導体装置の耐湿
性は向上したものとなる。例えば、従来の半導体装置は
１４４時間のＰＣＴで約１０％の不良が発生したが、本
実施例のものでは不良の発生は全くなかった。
【０００９】図２（Ａ），（Ｂ）は本発明の第２の実施
例を示す平面図及びＢ−Ｂ線の断面図である。
【００１０】本第２の実施例は、枠状のガラスエポキシ
基板１の裏面全体にエポキシ樹脂層２を形成したもので
ある。本第２の実施例においては、大型のガラスエポキ
シ基板にエポキシ樹脂層を形成した後配線形成及び穴あ
けし、個々に分割することにより、本第２の実施例のチ
ップキャリア型半導体装置の製造工程を合理化すること
が可能となる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体ペ
レットが搭載される部分をエポキシ樹脂層で形成するこ
とにより、半導体ペレットの裏面より浸入してくる水分
を防ぐことができる為、耐湿性を向上させることができ
るという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図及びＡ−Ａ
線の断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す平面図及びＢ−Ｂ
線の断面図。
【図３】従来例を示す平面図及びＣ−Ｃ線の断面図。
【図４】従来例を示す平面図及びＤ−Ｄ線の断面図。
【符号の説明】
１ ガラスエポキシ基板 ２ エポキシ樹脂層 ３ 半導体ペレット ４ ボンディングパッド ５ Ａｕワイヤ ６ エポキシ樹脂 ７ 電極 ８ 樹脂枠

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ペレットが搭載される中央部がく
    り抜かれたガラスエポキシ基板と、この基板の表面に形
    成されたボンディングパッドと、前記基板の側面と裏面
    とに形成され前記ボンディングパッドに接続する電極
    と、少くとも前記基板のくり抜かれた部分に形成された
    エポキシ樹脂層と、このエポキシ樹脂層上に搭載された
    半導体ペレットと、この半導体ペレットの端子と前記ボ
    ンディングパッドとを接続するワイヤと、前記半導体ペ
    レットを封止するエポキシ樹脂とを含むことを特徴とす
    るチップキャリア型半導体装置。
JP4143833A 1992-06-04 1992-06-04 チップキャリア型半導体装置 Withdrawn JPH05335360A (ja)

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JP4143833A JPH05335360A (ja) 1992-06-04 1992-06-04 チップキャリア型半導体装置

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JP4143833A JPH05335360A (ja) 1992-06-04 1992-06-04 チップキャリア型半導体装置

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JPH05335360A true JPH05335360A (ja) 1993-12-17

Family

ID=15348010

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4143833A Withdrawn JPH05335360A (ja) 1992-06-04 1992-06-04 チップキャリア型半導体装置

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