JPH05335366A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH05335366A
JPH05335366A JP4163656A JP16365692A JPH05335366A JP H05335366 A JPH05335366 A JP H05335366A JP 4163656 A JP4163656 A JP 4163656A JP 16365692 A JP16365692 A JP 16365692A JP H05335366 A JPH05335366 A JP H05335366A
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JP
Japan
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lead frame
insulator
chip
semiconductor device
bonding wire
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Kazuaki Maehara
和明 前原
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の樹脂封止工程において、ボンデ
ィングワイヤが樹脂により変形されて、隣接のワイヤ同
士が接触するのを防ぐ。 【構成】 銅板１上に、絶縁体２を介してリードフレー
ム３を、また導電性接着剤４を介してチップ５を固着す
る。チップ５上のパッドとリードフレーム３とをボンデ
ィングワイヤ６で接続する際に、絶縁体２上を中継点と
して用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に樹脂封止された半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層リードフレームを用いた半導体装置
では、チップおよびリードフレームが銅板上に固着され
ることが多い。即ち、図３に示されるように、銅板１上
に絶縁体２を介してリードフレーム３が固着され、銅板
１の中央には導電性接着剤４を介してチップ５が搭載さ
れる。そして、チップ５−リードフレーム間をボンディ
ングワイヤ６により接続した後、全体をモールド樹脂７
により封止している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置では、チップとリードフレーム間が直接ボンディン
グワイヤにより接続されているため、ボンディングワイ
ヤが長い場合には、樹脂封止の際にボンディングワイヤ
が変形してしまい、隣り合うボンディングワイヤ同士が
接触してしまうという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
金属板の中央にチップが搭載され、その周辺に絶縁体を
介してリードフレームが固着され、全体がモールド樹脂
により封止されたものであって、チップ−リードフレー
ム間を接続するボンディングワイヤは、チップ−リード
フレーム間の途中で絶縁体上にもボンディングされてい
る。
【０００５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例を示す断面
図である。この半導体装置は、次のようにして組み立て
られる。銅板１に、予めリードフレーム３が固着されて
いる絶縁体２を接着剤を用いて接着する。この絶縁体２
の内側部分には突起が形成されており、この突起上には
メタライズ層が形成されている。
【０００６】次に、銅板１上に導電性接着剤４を用いて
チップ５をマウントする。次いで、ボンディングワイヤ
６を用いてチップ上のパッド−絶縁体２上のメタライズ
層−リードフレーム３の順にボンディングを行い、最後
にモールド樹脂７にて封止を行う。
【０００７】このように構成された半導体装置では、ボ
ンディングワイヤが中継点を経由しているためフライイ
ングワイヤ長が短くなり、変形されにくくなる。そのた
め、モールド工程でのワイヤ変形による短絡事故が激減
し歩留りが向上する。
【０００８】本実施例では、絶縁体２に突起を設けて絶
縁体のボンディング面と、チップやリードフレームのボ
ンディング面との高低差を少なくしている。この構成に
よりフライイングワイヤ長をより短くすることができ、
また、ボンディング工程も容易化される。リードフレー
ムが多層リードフレームであるとき、リードフレームの
面に合わせて絶縁体の突起の表面にも凹凸を作ることが
できる。
【０００９】図２は、本発明の第２の実施例を示す断面
図である。本実施例は、絶縁体２上で２回ワイヤボンデ
ィングを行っている点が先の実施例と相違しているが、
その他の点では同様である。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、チップ−リードフレーム間のワイヤボンディング
を、リードフレームが固着された絶縁体を中継点として
行うものであるので、本発明によれば、ボンディングワ
イヤのフライイングワイヤ長を短くすることができる。
従って、本発明によれば、樹脂封止の際のボンディング
ワイヤの変形を抑制することができ、隣接するボンディ
ングワイヤ同士が接触するという事故を防止することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例の断面図。
【図２】 本発明の第２の実施例の断面図。
【図３】 従来例の断面図。
【符号の説明】
１ 銅板 ２ 絶縁体 ３ リードフレーム ４ 導電性接着剤 ５ チップ ６ ボンディングワイヤ ７ モールド樹脂

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁体上にリードフレームが固定され、
    半導体素子上のパッドと前記リードフレーム間がボンデ
    ィングワイヤにより接続され、全体がモールド樹脂によ
    り封止されている半導体装置において、前記ボンディン
    グワイヤが、前記リードフレーム−前記半導体素子間に
    おいて、前記絶縁体上にもボンディングされていること
    を特徴とする半導体装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4839556A (en) * 1983-02-25 1989-06-13 Rca Licensing Corporation Cathode-ray tube having an improved shadow mask contour
US7199477B1 (en) * 2000-09-29 2007-04-03 Altera Corporation Multi-tiered lead package for an integrated circuit

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JPS6113931U (ja) * 1984-06-29 1986-01-27 関西日本電気株式会社 半導体装置
JPH0399455A (ja) * 1989-09-05 1991-04-24 Advanced Micro Devices Inc 高性能のプラスチックでカプセル封じされた集積回路のパッケージ

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