JPH053380A - 厚膜抵抗体，厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路 - Google Patents
厚膜抵抗体，厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路Info
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】絶縁基板上１に形成された導体膜２ａおよび２
ｂを、抵抗体の電極，部品搭載パッド部および端子接続
部だけが露出するようにして、結晶質ガラス膜８ａおよ
び８ｂで覆う。電極上に抵抗体膜３を形成する。抵抗体
膜３は、長さ及び幅とも電極からはみ出し、結晶質ガラ
ス膜８ａおよび８ｂに一部が重なり、電極を完全に覆う
ようにする。 【効果】使用雰囲気中の水分によって導体膜間の絶縁抵
抗が劣化することを防ぎ耐湿性を向上させることができ
る。従って、従来必要であった有機樹脂による保護コー
ティング膜が不要となり、又、不具合の実装部品を交換
することができて配線基板が無駄にならないので、厚膜
混成集積回路の製造コストを大幅に下ることができる。
ｂを、抵抗体の電極，部品搭載パッド部および端子接続
部だけが露出するようにして、結晶質ガラス膜８ａおよ
び８ｂで覆う。電極上に抵抗体膜３を形成する。抵抗体
膜３は、長さ及び幅とも電極からはみ出し、結晶質ガラ
ス膜８ａおよび８ｂに一部が重なり、電極を完全に覆う
ようにする。 【効果】使用雰囲気中の水分によって導体膜間の絶縁抵
抗が劣化することを防ぎ耐湿性を向上させることができ
る。従って、従来必要であった有機樹脂による保護コー
ティング膜が不要となり、又、不具合の実装部品を交換
することができて配線基板が無駄にならないので、厚膜
混成集積回路の製造コストを大幅に下ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁基板上にスクリー
ン印刷法により印刷形成された導体膜および抵抗体膜を
含む、厚膜抵抗体，厚膜印刷配線板およびその製造方法
ならびに厚膜混成集積回路に関する。
ン印刷法により印刷形成された導体膜および抵抗体膜を
含む、厚膜抵抗体，厚膜印刷配線板およびその製造方法
ならびに厚膜混成集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の厚膜混成集積回路の一例の構造
を、製造方法とともに図を用いて説明する。図３（ａ）
から（ｃ）および図４（ａ）から（ｂ）は、従来の厚膜
混成集積回路の製造方法を工程順に説明するための図で
ある。
を、製造方法とともに図を用いて説明する。図３（ａ）
から（ｃ）および図４（ａ）から（ｂ）は、従来の厚膜
混成集積回路の製造方法を工程順に説明するための図で
ある。
【０００３】図３（ａ）から（ｃ）および図４（ａ）か
ら（ｂ）を参照すると、この厚膜混成集積回路は次のよ
うにして作られる。先ず、図３（ａ）に示すように、絶
縁基板１上に導体膜２を形成する。絶縁基板１として
は、純度９６％のアルミナセラミックのような材料が用
いられる。又、導体膜２は、銀のような導電性の金属粉
末を主成分とする導体ペーストを用い、スクリーン印刷
によりパターニングして乾燥した後、約８５０℃で焼成
して作る。導体ペーストとしては、銀の他にも、銀・パ
ラジウム合金粉末や銀・白金合金粉末のような銀を含む
金属が、安価であることから良く用いられる。
ら（ｂ）を参照すると、この厚膜混成集積回路は次のよ
うにして作られる。先ず、図３（ａ）に示すように、絶
縁基板１上に導体膜２を形成する。絶縁基板１として
は、純度９６％のアルミナセラミックのような材料が用
いられる。又、導体膜２は、銀のような導電性の金属粉
末を主成分とする導体ペーストを用い、スクリーン印刷
によりパターニングして乾燥した後、約８５０℃で焼成
して作る。導体ペーストとしては、銀の他にも、銀・パ
ラジウム合金粉末や銀・白金合金粉末のような銀を含む
金属が、安価であることから良く用いられる。
【０００４】次に、図３（ｂ）に示すように、２つの導
体膜２にまたがるようにして抵抗体膜３を形成して厚膜
印刷配線基板を作る。この抵抗体膜３は、例えばルテニ
ウムの酸化物のような金属酸化物を主成分とする抵抗体
ペーストを用い、導体膜２を形成する時と同様に、スク
リーン印刷によりパターニングし乾燥した後、約８５０
℃の温度で焼成して形成する。
体膜２にまたがるようにして抵抗体膜３を形成して厚膜
印刷配線基板を作る。この抵抗体膜３は、例えばルテニ
ウムの酸化物のような金属酸化物を主成分とする抵抗体
ペーストを用い、導体膜２を形成する時と同様に、スク
リーン印刷によりパターニングし乾燥した後、約８５０
℃の温度で焼成して形成する。
【０００５】更に、図３（ｃ）に示すように、導体膜２
および抵抗体膜３の上に非晶質ガラス膜４を形成する。
この場合、導体膜２の一部分が露出するようにしてお
く。この露出部分は、後の工程で半導体集積回路などの
実装部品を取り付けるための部品搭載パッド部となった
り、外部への入出力端子を装着するための端子接続部と
なる部分である。一方、非晶質ガラス膜４は、後の工程
で抵抗体膜３をレーザーでトリミングして抵抗値を調整
する際に、抵抗体膜３にクラックが発生することを防
ぐ。又、抵抗体膜３や導体膜２の表面を保護し、実装部
品を実装する際に導体膜２の必要個所以外の部分の上に
はんだが乗らないようにするなど、ソルダーレジスト的
な働きをする。この非晶質ガラス膜４は、非晶質ガラス
ペーストを用い、スクリーン印刷でパターニングし乾燥
した後、約５００℃の温度で焼成して作る。５００℃と
いう焼成温度は、既に形成されている抵抗体膜３の抵抗
値がこの焼成によって変化しないような温度として選ば
れたものである。この非晶質ガラス膜４は、焼成温度が
低いなどのことから、膜質が緻密でなく多孔質であり、
また小さな亀裂が入っていることがあるという性質を持
っている。
および抵抗体膜３の上に非晶質ガラス膜４を形成する。
この場合、導体膜２の一部分が露出するようにしてお
く。この露出部分は、後の工程で半導体集積回路などの
実装部品を取り付けるための部品搭載パッド部となった
り、外部への入出力端子を装着するための端子接続部と
なる部分である。一方、非晶質ガラス膜４は、後の工程
で抵抗体膜３をレーザーでトリミングして抵抗値を調整
する際に、抵抗体膜３にクラックが発生することを防
ぐ。又、抵抗体膜３や導体膜２の表面を保護し、実装部
品を実装する際に導体膜２の必要個所以外の部分の上に
はんだが乗らないようにするなど、ソルダーレジスト的
な働きをする。この非晶質ガラス膜４は、非晶質ガラス
ペーストを用い、スクリーン印刷でパターニングし乾燥
した後、約５００℃の温度で焼成して作る。５００℃と
いう焼成温度は、既に形成されている抵抗体膜３の抵抗
値がこの焼成によって変化しないような温度として選ば
れたものである。この非晶質ガラス膜４は、焼成温度が
低いなどのことから、膜質が緻密でなく多孔質であり、
また小さな亀裂が入っていることがあるという性質を持
っている。
【０００６】次いで、抵抗体のトリミングを行なって抵
抗値を調整した後、図４（ａ）に示すように、実装部品
５を部品搭載パッド部にはんだ６で接続し、入出力端子
（図示せず）を端子接続部（図示せず）に取り付ける。
抗値を調整した後、図４（ａ）に示すように、実装部品
５を部品搭載パッド部にはんだ６で接続し、入出力端子
（図示せず）を端子接続部（図示せず）に取り付ける。
【０００７】最後に、実装部品５や入出力端子が取り付
けられた厚膜印刷配線基板を絶縁性の有機樹脂中に浸漬
し、図４（ｂ）に示すように、保護コーティング膜７を
形成して厚膜混成集積回路を完成する。
けられた厚膜印刷配線基板を絶縁性の有機樹脂中に浸漬
し、図４（ｂ）に示すように、保護コーティング膜７を
形成して厚膜混成集積回路を完成する。
【０００８】ここで、後の説明の便利のために、上述の
厚膜混成集積回路において、保護コーティング膜７が無
い場合に、導体膜２が何によって覆われ保護されている
かについて考察しておく。図５は、この厚膜混成集積回
路における抵抗体部分の一例を示す平面図である。図５
および図４（ｂ）を参照すると、この厚膜混成集積回路
の導体膜２は、保護コーティング膜７がない場合には、
下記のように保護されている。導体膜２と抵抗体膜３
との重なりの部分では、抵抗体膜３と非晶質ガラス膜４
とによって保護されている。部品搭載パッド部と端
子接続部は、はんだ６によって保護されている。上記
のおよび以外の部分では、非晶質ガラス膜４だけで
保護されている。
厚膜混成集積回路において、保護コーティング膜７が無
い場合に、導体膜２が何によって覆われ保護されている
かについて考察しておく。図５は、この厚膜混成集積回
路における抵抗体部分の一例を示す平面図である。図５
および図４（ｂ）を参照すると、この厚膜混成集積回路
の導体膜２は、保護コーティング膜７がない場合には、
下記のように保護されている。導体膜２と抵抗体膜３
との重なりの部分では、抵抗体膜３と非晶質ガラス膜４
とによって保護されている。部品搭載パッド部と端
子接続部は、はんだ６によって保護されている。上記
のおよび以外の部分では、非晶質ガラス膜４だけで
保護されている。
【０００９】そして、上述の非晶質ガラス膜４は、前述
のように多孔質で小さな亀裂が入っていることがあるよ
うな性質のものである。
のように多孔質で小さな亀裂が入っていることがあるよ
うな性質のものである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の厚膜混
成集積回路には、耐湿性が十分でなく、保護コーティン
グ膜７が施されていないと、湿度の高い環境のもとで動
作しているうちに導体膜間の絶縁抵抗が劣化してゆくと
いう問題点がある。これは、導体膜２の保護層の構造
と、非晶質ガラス膜４の性質とによるものと考えられ
る。以下に、この厚膜混成集積回路の抵抗体の部分を例
にして、その説明を行なう。
成集積回路には、耐湿性が十分でなく、保護コーティン
グ膜７が施されていないと、湿度の高い環境のもとで動
作しているうちに導体膜間の絶縁抵抗が劣化してゆくと
いう問題点がある。これは、導体膜２の保護層の構造
と、非晶質ガラス膜４の性質とによるものと考えられ
る。以下に、この厚膜混成集積回路の抵抗体の部分を例
にして、その説明を行なう。
【００１１】上述のように、従来の厚膜混成集積回路の
構造は、導体膜２に関していえば、抵抗体膜３との重な
り部分，部品搭載パッド部および端子接続部以外の部分
は、非晶質ガラス膜４と保護コーティング膜７とだけに
よって覆われている構造となっている。ところが、この
非晶質ガラス膜４は、上述したように、多孔質でありし
かも小さな亀裂が入っていることがある。
構造は、導体膜２に関していえば、抵抗体膜３との重な
り部分，部品搭載パッド部および端子接続部以外の部分
は、非晶質ガラス膜４と保護コーティング膜７とだけに
よって覆われている構造となっている。ところが、この
非晶質ガラス膜４は、上述したように、多孔質でありし
かも小さな亀裂が入っていることがある。
【００１２】このため、保護コーティング膜７がない場
合、湿度の高い環境のもとにおいては、雰囲気中の水分
が非晶質ガラス膜４中に侵入して行き易い。この場合、
導体膜２と抵抗体膜３との重なり部分では、導体膜２が
緻密な抵抗体膜３で覆われており、又、部品搭載パッド
部と端子接続部とははんだ６によって覆われているの
で、侵入した水分は抵抗体膜３やはんだ６で阻止され
る。ところが、上記の重なり部分以外の導体膜２の部分
では、水分の侵入を阻止するものがないので、最終的に
は水分が導体膜２にまで達する。導体膜２においては、
導体膜中の金属原子が侵入してきた水分によってイオン
化し、この金属イオンが２つの導体膜２の間に印加され
ている電界に引かれて移動し、ついには相手側の導体膜
に達することによって絶縁抵抗が劣化する。
合、湿度の高い環境のもとにおいては、雰囲気中の水分
が非晶質ガラス膜４中に侵入して行き易い。この場合、
導体膜２と抵抗体膜３との重なり部分では、導体膜２が
緻密な抵抗体膜３で覆われており、又、部品搭載パッド
部と端子接続部とははんだ６によって覆われているの
で、侵入した水分は抵抗体膜３やはんだ６で阻止され
る。ところが、上記の重なり部分以外の導体膜２の部分
では、水分の侵入を阻止するものがないので、最終的に
は水分が導体膜２にまで達する。導体膜２においては、
導体膜中の金属原子が侵入してきた水分によってイオン
化し、この金属イオンが２つの導体膜２の間に印加され
ている電界に引かれて移動し、ついには相手側の導体膜
に達することによって絶縁抵抗が劣化する。
【００１３】実際に、導体膜間の絶縁抵抗が劣化した抵
抗体を顕微鏡などで外部から観察すると、非晶質ガラス
膜４上に金属イオンが移動した痕跡が見られ、上記の考
えが正しいことを示している。
抗体を顕微鏡などで外部から観察すると、非晶質ガラス
膜４上に金属イオンが移動した痕跡が見られ、上記の考
えが正しいことを示している。
【００１４】以上の説明は抵抗体を例にして行なった
が、このような、導体膜中の金属のイオン化にもとずく
導体膜間の絶縁劣化の現象は、抵抗膜と重なっていない
他の部分（非晶質ガラス膜４だけで覆われている部分）
でも導体間に電界が加わっていれば当然起ることであ
る。
が、このような、導体膜中の金属のイオン化にもとずく
導体膜間の絶縁劣化の現象は、抵抗膜と重なっていない
他の部分（非晶質ガラス膜４だけで覆われている部分）
でも導体間に電界が加わっていれば当然起ることであ
る。
【００１５】以上のことから、従来の厚膜混成集積回路
においては、非晶質ガラス膜４による保護だけでは絶縁
特性の耐湿性に関する信頼性が十分でなく、保護コーテ
ィング膜７を省くことができない。
においては、非晶質ガラス膜４による保護だけでは絶縁
特性の耐湿性に関する信頼性が十分でなく、保護コーテ
ィング膜７を省くことができない。
【００１６】ところが、従来の厚膜混成集積回路の製造
工程では、保護コーティング膜７を有機樹脂の浸漬法で
形成しているので、有機樹脂を大量に使用しなければな
らない。このため製造コストを引き下げることが難し
い。更に、有機樹脂で保護コーティングした後では、た
とえ実装部品に不具合があった場合でも部品を交換する
ことができず、この点も製造コストを下げるためのさま
たげとなっている。
工程では、保護コーティング膜７を有機樹脂の浸漬法で
形成しているので、有機樹脂を大量に使用しなければな
らない。このため製造コストを引き下げることが難し
い。更に、有機樹脂で保護コーティングした後では、た
とえ実装部品に不具合があった場合でも部品を交換する
ことができず、この点も製造コストを下げるためのさま
たげとなっている。
【００１７】本発明は、上記のような従来の厚膜混成集
積回路の問題点に鑑みてなされたものであって、導体膜
２の耐湿性が従来のものより優れた厚膜抵抗体，厚膜印
刷配線基板および厚膜混成集積回路を提供することを目
的とする。
積回路の問題点に鑑みてなされたものであって、導体膜
２の耐湿性が従来のものより優れた厚膜抵抗体，厚膜印
刷配線基板および厚膜混成集積回路を提供することを目
的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の厚膜抵抗体は、
絶縁基板上に形成された導体膜と、一部がこの導体膜に
重なるようにして形成された抵抗体膜とを含むものであ
って、絶縁基板の所定部分および導体膜を、この導体膜
の所定部分が露出するようにして覆い、この露出部分を
抵抗体の電極となす結晶質ガラス膜を有し、抵抗体膜
は、電極周囲の結晶質ガラス膜に一部が重なり、電極を
含む部分が露出しないように覆う構造となっている。
絶縁基板上に形成された導体膜と、一部がこの導体膜に
重なるようにして形成された抵抗体膜とを含むものであ
って、絶縁基板の所定部分および導体膜を、この導体膜
の所定部分が露出するようにして覆い、この露出部分を
抵抗体の電極となす結晶質ガラス膜を有し、抵抗体膜
は、電極周囲の結晶質ガラス膜に一部が重なり、電極を
含む部分が露出しないように覆う構造となっている。
【００１９】又、本発明の厚膜印刷配線基板および厚膜
混成集積回路は、上述のような厚膜抵抗体を含み、更
に、導体膜は、抵抗体の電極，部品搭載パッド部および
端子接続部以外の部分が結晶質ガラス膜で完全に覆われ
ている構造となっている。
混成集積回路は、上述のような厚膜抵抗体を含み、更
に、導体膜は、抵抗体の電極，部品搭載パッド部および
端子接続部以外の部分が結晶質ガラス膜で完全に覆われ
ている構造となっている。
【００２０】
【実施例】次に、本発明の最適な実施例について、図面
を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施例に
よる厚膜混成集積回路における抵抗体部分の構造を示す
図であって、図１（ａ）は平面図である。また図１
（ｂ），図１（ｃ）および図１（ｄ）は、それぞれ、図
１（ａ）のＡ−ａ断面図、Ｂ−ｂ断面図およびＣ−ｃ断
面図である。
を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施例に
よる厚膜混成集積回路における抵抗体部分の構造を示す
図であって、図１（ａ）は平面図である。また図１
（ｂ），図１（ｃ）および図１（ｄ）は、それぞれ、図
１（ａ）のＡ−ａ断面図、Ｂ−ｂ断面図およびＣ−ｃ断
面図である。
【００２１】図１（ａ）から（ｄ）を参照すると、本実
施例の厚膜混成集積回路が従来の厚膜混成集積回路と大
きく異なるのは、導体膜２が結晶質ガラス膜８ａまたは
８ｂで覆われている点である。
施例の厚膜混成集積回路が従来の厚膜混成集積回路と大
きく異なるのは、導体膜２が結晶質ガラス膜８ａまたは
８ｂで覆われている点である。
【００２２】以下に本実施例の構造を、抵抗体部分の構
造を中心にして、製造工程とともに詳述する。本実施例
では、先ず、絶縁基板１上に導体ペーストをスクリーン
印刷し乾燥した後、８５０℃の温度で焼成し、図１
（ａ）に示すような、互いに向いあった部分を持つ２つ
の導体膜２ａおよび２ｂを形成する。
造を中心にして、製造工程とともに詳述する。本実施例
では、先ず、絶縁基板１上に導体ペーストをスクリーン
印刷し乾燥した後、８５０℃の温度で焼成し、図１
（ａ）に示すような、互いに向いあった部分を持つ２つ
の導体膜２ａおよび２ｂを形成する。
【００２３】次に、結晶質ガラスペーストをスクリーン
印刷し乾燥した後、８５０℃の温度で焼成し、図１
（ａ）に示すような、互いに向いあった部分を持つ結晶
質ガラス膜８ａおよび８ｂを形成する。結晶質ガラス膜
８ａおよび８ｂは、互いに向いあった部分が、前述の導
体膜２ａおよび２ｂの向いあった部分に対して直角にな
るようにパターニングされている。すなわち、この段階
では、導体膜２ａおよび２ｂは、結晶質ガラス膜８ａお
よび８ｂの間に露出した部分（以後この導体膜２ａおよ
び２ｂの露出部分を、抵抗体にあっては電極、実装部品
取り付け部にあっては部品搭載パッド部、入出力端子取
り付け部にあっては端子接続部と呼ぶ）を除いて、全て
結晶質ガラス膜８ａまたは８ｂで覆われた状態になって
いる。
印刷し乾燥した後、８５０℃の温度で焼成し、図１
（ａ）に示すような、互いに向いあった部分を持つ結晶
質ガラス膜８ａおよび８ｂを形成する。結晶質ガラス膜
８ａおよび８ｂは、互いに向いあった部分が、前述の導
体膜２ａおよび２ｂの向いあった部分に対して直角にな
るようにパターニングされている。すなわち、この段階
では、導体膜２ａおよび２ｂは、結晶質ガラス膜８ａお
よび８ｂの間に露出した部分（以後この導体膜２ａおよ
び２ｂの露出部分を、抵抗体にあっては電極、実装部品
取り付け部にあっては部品搭載パッド部、入出力端子取
り付け部にあっては端子接続部と呼ぶ）を除いて、全て
結晶質ガラス膜８ａまたは８ｂで覆われた状態になって
いる。
【００２４】次いで、抵抗体ペーストをスクリーン印刷
し乾燥した後、８５０℃の温度で焼成して抵抗体膜３を
形成する。抵抗体膜３は、図１（ａ）に示すように、長
さ方向においては、導体膜２ａおよび２ｂの電極を完全
に覆い、わずかに絶縁基板１上にはみ出している。一
方、幅方向においては、結晶質ガラス膜８ａおよび８ｂ
にわずかに重なるようにパターニングされている。従っ
て、導体膜２の電極は、抵抗体膜３によって完全に覆わ
れることになる。
し乾燥した後、８５０℃の温度で焼成して抵抗体膜３を
形成する。抵抗体膜３は、図１（ａ）に示すように、長
さ方向においては、導体膜２ａおよび２ｂの電極を完全
に覆い、わずかに絶縁基板１上にはみ出している。一
方、幅方向においては、結晶質ガラス膜８ａおよび８ｂ
にわずかに重なるようにパターニングされている。従っ
て、導体膜２の電極は、抵抗体膜３によって完全に覆わ
れることになる。
【００２５】次に、図１（ａ）に示すように、抵抗体上
にのみ非晶質ガラスペーストをスクリーン印刷し乾燥し
た後、５００℃の温度で焼成して抵抗体膜３を完全に覆
い厚膜印刷配線基板を作る。この抵抗体では、抵抗値Ｒ
は、導体膜２ａと２ｂの間の間隔（抵抗体長さ）Ｌと、
結晶質ガラス膜８ａと８ｂとの間の間隔（抵抗体幅）Ｗ
によって決まり、Ｒ＝Ａ・ρ・（Ｌ／Ｗ）（但し、Ａは
補正定数、ρは抵抗体のシート抵抗値）となる。
にのみ非晶質ガラスペーストをスクリーン印刷し乾燥し
た後、５００℃の温度で焼成して抵抗体膜３を完全に覆
い厚膜印刷配線基板を作る。この抵抗体では、抵抗値Ｒ
は、導体膜２ａと２ｂの間の間隔（抵抗体長さ）Ｌと、
結晶質ガラス膜８ａと８ｂとの間の間隔（抵抗体幅）Ｗ
によって決まり、Ｒ＝Ａ・ρ・（Ｌ／Ｗ）（但し、Ａは
補正定数、ρは抵抗体のシート抵抗値）となる。
【００２６】この後、レーザートリミングによって抵抗
値を調節してから、実装部品（図示せず）および入出力
端子（図示せず）を取り付けて本実施例の厚膜混成集積
回路を完成する。本実施例では、従来用いられていた有
機樹脂による保護コーティング膜は施さない。
値を調節してから、実装部品（図示せず）および入出力
端子（図示せず）を取り付けて本実施例の厚膜混成集積
回路を完成する。本実施例では、従来用いられていた有
機樹脂による保護コーティング膜は施さない。
【００２７】ここで、本実施例における導体膜の保護層
の構造について、抵抗体部分の断面図を用いて考察す
る。本実施例においては、抵抗体の長さ方向の断面構造
は、図１（ｂ）に示すように、導体膜２ａおよび２ｂの
電極全体が、緻密な抵抗体膜３と非晶質ガラス膜４とか
らなる２層膜で覆われた構造となっている。
の構造について、抵抗体部分の断面図を用いて考察す
る。本実施例においては、抵抗体の長さ方向の断面構造
は、図１（ｂ）に示すように、導体膜２ａおよび２ｂの
電極全体が、緻密な抵抗体膜３と非晶質ガラス膜４とか
らなる２層膜で覆われた構造となっている。
【００２８】又、導体膜２ｂの抵抗幅の方向の断面構造
は、図１（ｃ）に示すように、抵抗体膜３が、その両端
で結晶質ガラス膜８ａおよび８ｂに一部分重なった構造
になっている。従って、導体膜２ｂはこの重なりの部分
で、結晶質ガラス膜８ａ（または８ｂ）と抵抗体膜３と
非晶質ガラス膜４とからなる３層膜で覆われた構造にな
っている。一方、重なり部分以外の導体膜２ｂは、結晶
質ガラス膜８ｂだけで覆われているか、あるいは結晶質
ガラス膜８ｂ（または８ａ）と非晶質ガラス膜４とから
なる２層膜で覆われている。導体膜２ａの構造も上に述
べたと同様の構造である。
は、図１（ｃ）に示すように、抵抗体膜３が、その両端
で結晶質ガラス膜８ａおよび８ｂに一部分重なった構造
になっている。従って、導体膜２ｂはこの重なりの部分
で、結晶質ガラス膜８ａ（または８ｂ）と抵抗体膜３と
非晶質ガラス膜４とからなる３層膜で覆われた構造にな
っている。一方、重なり部分以外の導体膜２ｂは、結晶
質ガラス膜８ｂだけで覆われているか、あるいは結晶質
ガラス膜８ｂ（または８ａ）と非晶質ガラス膜４とから
なる２層膜で覆われている。導体膜２ａの構造も上に述
べたと同様の構造である。
【００２９】更に、抵抗体膜３の幅方向の断面構造は、
図１（ｄ）に示すように、抵抗体膜３の両端の部分が、
結晶質ガラス膜８ａおよび８ｂと一部分重なっており、
抵抗体膜３全体が非晶質ガラス膜４で覆われた構造とな
っている。
図１（ｄ）に示すように、抵抗体膜３の両端の部分が、
結晶質ガラス膜８ａおよび８ｂと一部分重なっており、
抵抗体膜３全体が非晶質ガラス膜４で覆われた構造とな
っている。
【００３０】すなわち、本実施例においては、導体膜は
いずれの部分においても、単に非晶質ガラス膜だけで覆
われているという部分はない。必らず抵抗体膜および結
晶質ガラス膜のいずれか一方、あるいは両方からなる緻
密な膜によって覆われている構造になっている。又、部
品搭載パッド部と端子接続部とははんだで覆われてい
る。従って、本実施例の厚膜混成集積回路は、従来のも
のに比べて使用雰囲気中の水分の影響が小さく、耐湿性
に優れている。
いずれの部分においても、単に非晶質ガラス膜だけで覆
われているという部分はない。必らず抵抗体膜および結
晶質ガラス膜のいずれか一方、あるいは両方からなる緻
密な膜によって覆われている構造になっている。又、部
品搭載パッド部と端子接続部とははんだで覆われてい
る。従って、本実施例の厚膜混成集積回路は、従来のも
のに比べて使用雰囲気中の水分の影響が小さく、耐湿性
に優れている。
【００３１】このことを確めるために、本実施例におけ
るものと同じ構造の厚膜抵抗体と、従来の構造の厚膜抵
抗体（但し、保護コーティング膜は施されていない）と
を作り、耐湿試験を行ない絶縁抵抗の変化を比較した。
以下にその結果を述べる。
るものと同じ構造の厚膜抵抗体と、従来の構造の厚膜抵
抗体（但し、保護コーティング膜は施されていない）と
を作り、耐湿試験を行ない絶縁抵抗の変化を比較した。
以下にその結果を述べる。
【００３２】試料は、本実施例におけるものと同一の構
造の抵抗体および従来の構造の厚膜抵抗体が、それぞれ
１００個ずつである。抵抗体は、寸法が長さ１ｍｍ，幅
１ｍｍであり、抵抗値が約１００ＫΩである。導体膜
は、銀９９．３％−白金０．７％の合金粉末を主成分と
する導体ペーストを用いて形成した。試験条件として、
温度８５℃，湿度８５％ＲＨの雰囲気中で抵抗体膜に直
流電圧５０Ｖを掛けて通電し、１０００時間後の抵抗値
の変化がプラス・マイナス０．３％を越えるものの数を
調べた。
造の抵抗体および従来の構造の厚膜抵抗体が、それぞれ
１００個ずつである。抵抗体は、寸法が長さ１ｍｍ，幅
１ｍｍであり、抵抗値が約１００ＫΩである。導体膜
は、銀９９．３％−白金０．７％の合金粉末を主成分と
する導体ペーストを用いて形成した。試験条件として、
温度８５℃，湿度８５％ＲＨの雰囲気中で抵抗体膜に直
流電圧５０Ｖを掛けて通電し、１０００時間後の抵抗値
の変化がプラス・マイナス０．３％を越えるものの数を
調べた。
【００３３】試験の結果、上記の抵抗変化があってもの
は、従来の構造の厚膜抵抗体では１００個中に５個であ
ったのに対して、本実施例のものと同一構造の厚膜抵抗
体では０個であった。このことから、本実施例の厚膜混
成集積回路は耐湿性に優れており、有機樹脂による保護
コーティング膜がなくても十分実用に耐える耐湿性を備
えていることが分る。
は、従来の構造の厚膜抵抗体では１００個中に５個であ
ったのに対して、本実施例のものと同一構造の厚膜抵抗
体では０個であった。このことから、本実施例の厚膜混
成集積回路は耐湿性に優れており、有機樹脂による保護
コーティング膜がなくても十分実用に耐える耐湿性を備
えていることが分る。
【００３４】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図２（ａ）は本発明の第２の実施例における抵抗
体の平面図である。又、図２（ｂ）および図２（ｃ）は
それぞれ、図２（ａ）におけるＡ−ａ断面図およびＢ−
ｂ断面図である。
する。図２（ａ）は本発明の第２の実施例における抵抗
体の平面図である。又、図２（ｂ）および図２（ｃ）は
それぞれ、図２（ａ）におけるＡ−ａ断面図およびＢ−
ｂ断面図である。
【００３５】図２（ａ）から（ｃ）を参照すると、本実
施例が第１の実施例と大きく異なるのは、抵抗体近辺に
おける結晶質ガラス膜８ａおよび８ｂのパターンであ
る。本実施例では、第１の実施例とは異なって、導体膜
２ａおよび２ｂの電極の幅は、結晶質ガラス膜８ａおよ
び８ｂによって決められるのではなく、抵抗体膜３によ
って決められる。
施例が第１の実施例と大きく異なるのは、抵抗体近辺に
おける結晶質ガラス膜８ａおよび８ｂのパターンであ
る。本実施例では、第１の実施例とは異なって、導体膜
２ａおよび２ｂの電極の幅は、結晶質ガラス膜８ａおよ
び８ｂによって決められるのではなく、抵抗体膜３によ
って決められる。
【００３６】本実施例において、断面構造を考えると、
抵抗体の長さ方向の断面構造は、図２（ｂ）に示すよう
に、導体膜２ａは、下記のいずれかの膜で保護されてい
る構造となっている。 抵抗体膜３と非晶質ガラス膜４ 結晶質ガラス膜８ａと抵抗体膜３と非晶質ガラス膜４ 結晶質ガラス膜８ａと非晶質ガラス膜４ 結晶質ガラス膜８ａ 導体膜２ｂも同様の構造となっている。
抵抗体の長さ方向の断面構造は、図２（ｂ）に示すよう
に、導体膜２ａは、下記のいずれかの膜で保護されてい
る構造となっている。 抵抗体膜３と非晶質ガラス膜４ 結晶質ガラス膜８ａと抵抗体膜３と非晶質ガラス膜４ 結晶質ガラス膜８ａと非晶質ガラス膜４ 結晶質ガラス膜８ａ 導体膜２ｂも同様の構造となっている。
【００３７】一方、抵抗体の幅方向の断面構造は、図２
（ｃ）に示すように、導体膜２ａが抵抗体膜３と非晶質
ガラス膜４とによって覆われた構造となっている。導体
膜２ｂについても同様である。
（ｃ）に示すように、導体膜２ａが抵抗体膜３と非晶質
ガラス膜４とによって覆われた構造となっている。導体
膜２ｂについても同様である。
【００３８】上述のように、本実施例においても、導体
膜は、いずれの部分をとっても必らず結晶質ガラス膜や
抵抗体膜のような緻密な膜あるいははんでによって覆わ
れており、多孔質の非晶質ガラスだけで覆われている部
分がないので、第１の実施例と同様の効果が得られる。
更に、第１の実施例に比べて、抵抗体部分のパターン設
計が容易であるという利点がある。
膜は、いずれの部分をとっても必らず結晶質ガラス膜や
抵抗体膜のような緻密な膜あるいははんでによって覆わ
れており、多孔質の非晶質ガラスだけで覆われている部
分がないので、第１の実施例と同様の効果が得られる。
更に、第１の実施例に比べて、抵抗体部分のパターン設
計が容易であるという利点がある。
【００３９】以上説明した２つの実施例において、導体
膜の材料が、銀，銀・パラジウム合金あるいは銀・白金
合金などのような銀系の導体膜材料の場合に特に効果が
顕著に表れたが、これは、銀のイオン化傾向が大きいた
めであって、本発明はこれに限られることなく、他の導
体膜材料についても本発明の効果は損なわれるものでは
ない。
膜の材料が、銀，銀・パラジウム合金あるいは銀・白金
合金などのような銀系の導体膜材料の場合に特に効果が
顕著に表れたが、これは、銀のイオン化傾向が大きいた
めであって、本発明はこれに限られることなく、他の導
体膜材料についても本発明の効果は損なわれるものでは
ない。
【００４０】尚、以上の実施例の説明では、抵抗体を中
心にして説明したが、本発明はこれに限られることな
く、このような厚膜抵抗体を含み、しかも部品搭載パッ
ド部および端子接続部以外の導体膜が結晶質ガラス膜で
覆われているような構造の厚膜印刷配線基板および厚膜
混成集積回路に対しても本発明の効果が得られることは
明らかである。
心にして説明したが、本発明はこれに限られることな
く、このような厚膜抵抗体を含み、しかも部品搭載パッ
ド部および端子接続部以外の導体膜が結晶質ガラス膜で
覆われているような構造の厚膜印刷配線基板および厚膜
混成集積回路に対しても本発明の効果が得られることは
明らかである。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の厚膜抵抗
体は、導体膜の所定部分が露出するようにして結晶質ガ
ラス膜で覆い、この導体膜の露出部分を抵抗体の電極と
し、抵抗体膜が、前述の電極を含む部分を、この電極が
露出しないようにして完全に覆う構造となっている。従
って導体膜は、いずれの部分においても結晶質ガラス膜
および抵抗体膜のいずれか一方、あるいは両方からなる
緻密な膜で覆われ、多孔質の非晶質ガラスだけで覆われ
た部分がなくなる。このことにより、本発明によれば、
使用雰囲気中の水分が導体膜に影響を及ぼして導体膜間
の絶縁抵抗を劣化させることのないような、耐湿性に優
れた厚膜抵抗体を提供することができる。
体は、導体膜の所定部分が露出するようにして結晶質ガ
ラス膜で覆い、この導体膜の露出部分を抵抗体の電極と
し、抵抗体膜が、前述の電極を含む部分を、この電極が
露出しないようにして完全に覆う構造となっている。従
って導体膜は、いずれの部分においても結晶質ガラス膜
および抵抗体膜のいずれか一方、あるいは両方からなる
緻密な膜で覆われ、多孔質の非晶質ガラスだけで覆われ
た部分がなくなる。このことにより、本発明によれば、
使用雰囲気中の水分が導体膜に影響を及ぼして導体膜間
の絶縁抵抗を劣化させることのないような、耐湿性に優
れた厚膜抵抗体を提供することができる。
【００４２】又、本発明の厚膜印刷配線基板は、上記の
ような抵抗体を有し、しかも導体膜は、部品搭載パッド
部および端子接続部以外の部分が結晶質ガラス膜で覆わ
れている構造となっているので、耐湿性に優れている。
従って、本発明の厚膜印刷配線基板を用いて厚膜混成集
積回路を構成すれば、有機樹脂による保護コーティング
膜を施す必要がなくなり、しかも、実装された部品に不
具合があった時などには、直ちにこれを交換することが
できて配線基板が無駄にならないので、厚膜混成集積回
路の製造コストを大幅に下ることができる。
ような抵抗体を有し、しかも導体膜は、部品搭載パッド
部および端子接続部以外の部分が結晶質ガラス膜で覆わ
れている構造となっているので、耐湿性に優れている。
従って、本発明の厚膜印刷配線基板を用いて厚膜混成集
積回路を構成すれば、有機樹脂による保護コーティング
膜を施す必要がなくなり、しかも、実装された部品に不
具合があった時などには、直ちにこれを交換することが
できて配線基板が無駄にならないので、厚膜混成集積回
路の製造コストを大幅に下ることができる。
【図１】分図（ａ）は、本発明の第１の実施例における
抵抗体の平面図である。 分図（ｂ）は、分図（ａ）のＡ−ａ断面図である。 分図（ｃ）は、分図（ａ）のＢ−ｂ断面図である。 分図（ｄ）は、分図（ａ）のＣ−ｃ断面図である。
抵抗体の平面図である。 分図（ｂ）は、分図（ａ）のＡ−ａ断面図である。 分図（ｃ）は、分図（ａ）のＢ−ｂ断面図である。 分図（ｄ）は、分図（ａ）のＣ−ｃ断面図である。
【図２】分図（ａ）は、本発明の第２の実施例における
抵抗体の平面図である。 分図（ｂ）は、分図（ａ）のＡ−ａ断面図である。 分図（ｃ）は、分図（ａ）のＢ−ｂ断面図である。
抵抗体の平面図である。 分図（ｂ）は、分図（ａ）のＡ−ａ断面図である。 分図（ｃ）は、分図（ａ）のＢ−ｂ断面図である。
【図３】従来の厚膜混成集積回路の製造方法を工程順に
説明するための図である。
説明するための図である。
【図４】従来の厚膜混成集積回路の製造方法を工程順に
説明するための図であって、図３以降の工程に関する図
である。
説明するための図であって、図３以降の工程に関する図
である。
【図５】従来の厚膜混成集積回路における抵抗例の一例
の平面図である。
の平面図である。
１ 絶縁基板
２，２ａ，２ｂ 導体膜
３ 抵抗体膜
４ 非晶質ガラス膜
５ 実装部品
６ はんだ
７ 保護コーティング
８ａ，８ｂ 結晶質ガラス膜
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板上に形成された導体膜と、一部
が前記導体膜に重なるようにして形成された抵抗体膜と
を含む厚膜抵抗体であって、前記絶縁基板の所定部分お
よび前記導体膜を、前記導体膜の所定部分が露出するよ
うにして覆い、前記露出部分を抵抗体の電極となす結晶
質ガラス膜を有し、前記抵抗体膜は、前記電極周囲の結
晶質ガラス膜に一部が重なり、前記電極を含む部分が露
出しないように覆う構造であることを特徴とする厚膜抵
抗体。 - 【請求項２】 絶縁基板上に形成された導体膜および抵
抗体と、前記絶縁基板の所定部分および導体膜を覆う結
晶質ガラス膜とを含み、前記導体膜は、抵抗体の電極，
部品搭載パッド部および端子接続部以外の部分が前記結
晶質ガラス膜によって覆われ、前記抵抗体は、請求項１
記載の厚膜抵抗体であることを特徴とする厚膜印刷配線
基板。 - 【請求項３】 絶縁基板上に少なくとも導体膜と抵抗体
とが形成されてなる厚膜印刷配線基板と、前記導体膜の
部品搭載パッド部に搭載された実装部品と、前記導体膜
の端子接続部に装着された入出力端子とを含む厚膜混成
集積回路であって、前記厚膜印刷配線基板が、請求項２
記載の厚膜印刷配線基板であることを特徴とする厚膜混
成集積回路。 - 【請求項４】 絶縁基板上に導体膜を形成する工程と、
前記絶縁基板の所定部分および前記導体膜上に、前記導
体膜の所定部分が露出するようにして結晶質ガラス膜を
形成する工程と、前記電極を含む部分上に、前記電極が
露出しないように抵抗体膜を形成する工程とを含むこと
を特徴とする請求項１記載の厚膜抵抗体または請求項２
記載の厚膜印刷配線基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153653A JP2616515B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 厚膜抵抗体，厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路 |
| US07/901,873 US5274352A (en) | 1991-06-26 | 1992-06-22 | Thick film resistive element, thick film printed circuit board and thick film hybrid integrated circuit device and their production methods |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3153653A JP2616515B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 厚膜抵抗体，厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053380A true JPH053380A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2616515B2 JP2616515B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=15567245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3153653A Expired - Lifetime JP2616515B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 厚膜抵抗体，厚膜印刷配線基板およびその製造方法ならびに厚膜混成集積回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5274352A (ja) |
| JP (1) | JP2616515B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463434B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-12-23 | 삼성전기주식회사 | 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
| JP2007208175A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗素子内蔵プリント配線板及びその製造方法 |
| JP2014143361A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Kyocera Corp | セラミック配線基板 |
| JP2025016803A (ja) * | 2020-11-17 | 2025-02-04 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5408574A (en) * | 1989-12-01 | 1995-04-18 | Philip Morris Incorporated | Flat ceramic heater having discrete heating zones |
| US6034411A (en) * | 1997-10-29 | 2000-03-07 | Intersil Corporation | Inverted thin film resistor |
| US7151431B2 (en) * | 2001-02-16 | 2006-12-19 | Elantech Devices Corporation | Resistor element, stress sensor and method for manufacturing them |
| GB0415045D0 (en) * | 2004-07-05 | 2004-08-04 | Tyco Electronics Ltd Uk | Electrical device having a heat generating resistive element |
| US9521752B2 (en) | 2014-09-19 | 2016-12-13 | Harris Corporation | Method of making an electronic device having a thin film resistor formed on an LCP solder mask and related devices |
| CN110446366B (zh) * | 2019-08-23 | 2022-06-28 | 蔡赞峰 | 带功能电路的平板玻璃加工方法 |
| TWI836829B (zh) * | 2022-12-29 | 2024-03-21 | 台亞半導體股份有限公司 | 紅外光感測裝置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4139832A (en) * | 1976-03-19 | 1979-02-13 | Hitachi, Ltd. | Glass-coated thick film resistor |
| JPS5729185U (ja) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP3153653A patent/JP2616515B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-06-22 US US07/901,873 patent/US5274352A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100463434B1 (ko) * | 2001-12-04 | 2004-12-23 | 삼성전기주식회사 | 매립된 레지스터를 갖는 인쇄회로기판 및 이의 제조방법 |
| JP2007208175A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 抵抗素子内蔵プリント配線板及びその製造方法 |
| JP2014143361A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Kyocera Corp | セラミック配線基板 |
| JP2025016803A (ja) * | 2020-11-17 | 2025-02-04 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616515B2 (ja) | 1997-06-04 |
| US5274352A (en) | 1993-12-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970114 |