JPH0533828B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0533828B2 JPH0533828B2 JP14743887A JP14743887A JPH0533828B2 JP H0533828 B2 JPH0533828 B2 JP H0533828B2 JP 14743887 A JP14743887 A JP 14743887A JP 14743887 A JP14743887 A JP 14743887A JP H0533828 B2 JPH0533828 B2 JP H0533828B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lead frame
- solder
- lead
- molten solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関
し、特に外部リードを溶融半田にて被覆する方法
に関する。
し、特に外部リードを溶融半田にて被覆する方法
に関する。
従来、この種の外部リードの半田被覆方法は、
半導体装置の外部リード及びリードフレーム全体
を溶融半田に浸漬する方法であつた。
半導体装置の外部リード及びリードフレーム全体
を溶融半田に浸漬する方法であつた。
上述した従来の外部リードの半田被覆方法は、
半田被覆を必要とする半導体装置の外部リードの
みでなくリードフレームの枠部等の半田被覆不要
部分にまで半田が付着するため、半田材料を多量
に消費し、また溶融半田の温度、流れ等の制御を
困難にせしめているという欠点がある。
半田被覆を必要とする半導体装置の外部リードの
みでなくリードフレームの枠部等の半田被覆不要
部分にまで半田が付着するため、半田材料を多量
に消費し、また溶融半田の温度、流れ等の制御を
困難にせしめているという欠点がある。
本発明の目的は、従来の欠点を除去し、半導体
装置のリード部分のみに半田被覆すすることがで
き半田材料を節減すると同時に溶融半田の温度、
流れの制御が容易に出来る半導体装置の製造方法
を提供することにある。
装置のリード部分のみに半田被覆すすることがで
き半田材料を節減すると同時に溶融半田の温度、
流れの制御が容易に出来る半導体装置の製造方法
を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレ
ームに搭載され樹脂封止された半導体装置の外部
リードを溶融半田にて被覆する半導体装置の製造
方法において、半導体装置の外部リードフレーム
より分離し、該半導体装置をタブリードのみによ
り保持するよう加工する工程と、前記半導体装置
が前記リードフレーム面より下方に位置するよう
タブリードもしくはリードフレーム枠部をプレス
加工により折り曲げる工程と、前記リードフレー
ムを搬送させ、下方に折り曲げられダウンセツト
された状態の外部リードを溶融半田に浸漬し外部
リードに半田被覆する工程とを含んで構成され
る。
ームに搭載され樹脂封止された半導体装置の外部
リードを溶融半田にて被覆する半導体装置の製造
方法において、半導体装置の外部リードフレーム
より分離し、該半導体装置をタブリードのみによ
り保持するよう加工する工程と、前記半導体装置
が前記リードフレーム面より下方に位置するよう
タブリードもしくはリードフレーム枠部をプレス
加工により折り曲げる工程と、前記リードフレー
ムを搬送させ、下方に折り曲げられダウンセツト
された状態の外部リードを溶融半田に浸漬し外部
リードに半田被覆する工程とを含んで構成され
る。
次に、本発明について図面を参照して説明す
る。第１図ａ，ｂ〜第４図は本発明の一実施例を
説明するために工程順に示した説明図で第１図
ａ，ｂ乃至第３図ａ，ｂはは何れも平面図および
その側面図、第４図は半導体装置が溶融半田に浸
漬されている状態を示す側面図である。本実施例
は次の工程より構成される。
る。第１図ａ，ｂ〜第４図は本発明の一実施例を
説明するために工程順に示した説明図で第１図
ａ，ｂ乃至第３図ａ，ｂはは何れも平面図および
その側面図、第４図は半導体装置が溶融半田に浸
漬されている状態を示す側面図である。本実施例
は次の工程より構成される。
まず、第１図ａ，ｂに示すようにリードフレー
ムに搭載された半導体素子を樹脂封止する。図に
おいて１はリードフレーム、２は樹脂封止された
半導体装置、３は外部リードである。
ムに搭載された半導体素子を樹脂封止する。図に
おいて１はリードフレーム、２は樹脂封止された
半導体装置、３は外部リードである。
次に、第２図ａ，ｂに示すように、半導体装置
の外部リードをリードフレームから分離成形し、
半導体装置をタブリードのみによりリードフレー
ム１につながる状態にする。
の外部リードをリードフレームから分離成形し、
半導体装置をタブリードのみによりリードフレー
ム１につながる状態にする。
次に、第３図ａ，ｂに示すように半導体装置が
リードフレーム面より下方に位置するようタブリ
ードもしくはリードフレーム枠部をプレス加工に
より折り曲げる。なお第２図ａ，ｂ及び第３図
ａ，ｂの工程を一工程で実施してもい。
リードフレーム面より下方に位置するようタブリ
ードもしくはリードフレーム枠部をプレス加工に
より折り曲げる。なお第２図ａ，ｂ及び第３図
ａ，ｂの工程を一工程で実施してもい。
次に、第４図に示すように、半田槽５の溶融半
田４に第３図に示す半導体装置を浸漬し外部リー
ドの半田被覆を行う。この場合リードフレーム枠
部分は溶融半田に浸漬されず、必要とされる外部
リードのみを浸漬できるので本発明の目的を達成
することが出来る。
田４に第３図に示す半導体装置を浸漬し外部リー
ドの半田被覆を行う。この場合リードフレーム枠
部分は溶融半田に浸漬されず、必要とされる外部
リードのみを浸漬できるので本発明の目的を達成
することが出来る。
以上説明したように本発明は、半導体装置の外
部リードを溶融半田に浸漬する際に、半導体装置
がリードフレーム面より下方に位置するように加
工してリードフレーム枠部等に溶融半田が付着す
ることを防止することにより、半田材料の使用量
を低減し、かつ溶融半田の温度、流れ等の制御が
容易にできる効果がある。
部リードを溶融半田に浸漬する際に、半導体装置
がリードフレーム面より下方に位置するように加
工してリードフレーム枠部等に溶融半田が付着す
ることを防止することにより、半田材料の使用量
を低減し、かつ溶融半田の温度、流れ等の制御が
容易にできる効果がある。
第１図ａ，ｂ〜第４図は本発明の一実施例を説
明するために工程順に示した説明図で、第１図
ａ，ｂ〜第３図ａ，ｂは何れも平面図およびその
側面図、第４図は半導体装置が溶融半田に浸漬さ
れている状態を示す側面図である。 １…リードフレーム、２…半導体装置、３…外
部リード、４…溶融半田、５…半田槽。
明するために工程順に示した説明図で、第１図
ａ，ｂ〜第３図ａ，ｂは何れも平面図およびその
側面図、第４図は半導体装置が溶融半田に浸漬さ
れている状態を示す側面図である。 １…リードフレーム、２…半導体装置、３…外
部リード、４…溶融半田、５…半田槽。
Claims (1)
- １ リードフレームに搭載され樹脂封止された半
導体装置の外部リードを溶融半田にて被覆する半
導体装置の製造方法において、半導体装置の外部
リードをリードフレームより分離し、該半導体装
置をタブリードのみにより保持するよう加工する
工程と、前記半導体装置が前記リードフレーム面
より下方に位置するようタブリードもしくはリー
ドフレーム枠部をプレス加工により折り曲げる工
程と、前記リードフレームを搬送し、下方に折り
曲げられダウンセツトされた状態の外部リードを
溶融半田に浸漬し半田被覆する工程とを含むこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14743887A JPS63310147A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14743887A JPS63310147A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63310147A JPS63310147A (ja) | 1988-12-19 |
| JPH0533828B2 true JPH0533828B2 (ja) | 1993-05-20 |
Family
ID=15430338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14743887A Granted JPS63310147A (ja) | 1987-06-12 | 1987-06-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63310147A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2728584B2 (ja) * | 1991-11-20 | 1998-03-18 | 京セラ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-06-12 JP JP14743887A patent/JPS63310147A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63310147A (ja) | 1988-12-19 |
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