JPH0458180B2 - - Google Patents

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JPH0458180B2
JPH0458180B2 JP62313328A JP31332887A JPH0458180B2 JP H0458180 B2 JPH0458180 B2 JP H0458180B2 JP 62313328 A JP62313328 A JP 62313328A JP 31332887 A JP31332887 A JP 31332887A JP H0458180 B2 JPH0458180 B2 JP H0458180B2
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JP
Japan
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resin
lead frame
lead
resin body
guide hole
Prior art date
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JP62313328A
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English (en)
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JPH01152735A (ja
Inventor
Takaaki Yokoyama
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Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
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Publication of JPH0458180B2 publication Critical patent/JPH0458180B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ダイオード、トランジスタ等の樹脂
封止型電子部品の製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
第9図のように、樹脂封止体1より板状リード
部2が同軸状に互いに反対方向に導出され、かつ
樹脂封止体1に沿つて内側に折り曲げられたタイ
プの半導体装置3がある。この種の樹脂封止型半
導体装置3は一般にテツプ型半導体装置と呼ば
れ、プリント基板上に表面実装するための部品と
して増加しつつある。
このチツプ型半導体装置3を製造する際には、
第7図及び第8図に示すように、同一形状でNi
被覆Cu材から成る一対のリードフレーム4を用
意し、各リードフレーム4の板状リード部2の先
端の支持部6の相互間に半導体素子(シリコンダ
イオードチツプ)5を半田(図示せず)を介して
固着したリードフレーム組立体8を得る。リード
フレーム組立体8は互いに並置された複数本の板
状リード部2を有し、これ等は帯状の連結部7に
て相互に連結されている。リードフレーム組立体
8の半導体素子5及び支持部6を囲むように周知
のトランスフアモールドにより樹脂封止体1を形
成し、第7図の破線lの部分を切断することによ
つて板状リード部2を個別化する。なお、トラン
スフアモールドとはリードフレーム組立体8を成
形金型にセツトし、成形金型内に設けられた成形
空所に流動化した封止樹脂を押圧注入し、固化さ
せることで樹脂封止体1を得る方法をいう。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、樹脂封止体1から導出された部分の
板状リード部2は電極体として作用する。従つ
て、酸化防止及び実装時の半田ぬれ性を良好とす
るため板状リード部2の表面に半田を被覆してか
ら製品出荷するのが一般的である。通常、板状リ
ード部2の半田被覆は半田デイツプ法により行わ
れる。即ち、一方の板状リード部2側の帯状連結
部7を治具にて把持し、他方の板状リード部2を
他方の側の帯状連結部7と共に半田溶槽に漬けて
半田被覆を形成する。この半田デイツプ法によれ
ば板状リード部2の半田被覆を量産的に行うこと
ができる。
ところが、この方法によると、連結部7に設け
られたガイド孔9(ガイドピンを挿入してリード
フレーム組立体8の搬送や位置決めを行う孔)に
半田が流入し塞いでしまうことが多々あつた。ガ
イド孔9は半田デイツプ以降の特性検査等の後工
程にてリードフレーム組立体8の搬送用のガイド
ピンが挿入されるところであり、ここが塞がれて
しまうとリードフレーム組立体8の搬送及び位置
決めが困難となる。
半田閉塞を回避するため半田デイツプを行う前
に連結部7に予めテープ部材を貼着する方法や、
連結部7にニス等を塗布しておく方法等を試み
た。しかし、いずれの方法も異種の新たな工程の
付加が必要になる。
そこで、本発明の目的は異種の新たな工程を伴
なわずに、ガイド孔の半田閉塞を防止することが
できる樹脂封止型電子部品の製造方法を提供する
ことにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決し、上記目的を達成するため
の本発明は、互いに並置された複数のリード部、
前記複数のリード部を相互に連結する連結部、及
びガイド孔(一部が開放されている孔即ち切欠状
部分も含むものとする)を有するリードフレーム
と、前記リードフレームの前記リード部に接続さ
れた回路素子又は装置とから成るリードフレーム
組立体を用意する工程と、前記リードフレーム組
立体を成形用型に配置し、前記回路素子又は装置
を含む部分を樹脂封止体で被覆すると同時に、前
記ガイド孔の少なくとも一部に樹脂体を設ける工
程とを含むことを特徴とする樹脂封止型電子部品
の製造方法に係わるものである。
〔作用〕
上記発明におけるガイド孔の樹脂体はガイド孔
が半田で閉塞されることを阻止する機能を有す
る。この樹脂体は樹脂封止体と同時に形成される
ので、異種の新たな工程を設ける必要がない。
〔実施例〕
次に、第1図〜第6図によつて本発明の一実施
例に係わるチツプ型半導体装置(ダイオード)の
製造方法について説明する。
まず、第1図に示すリードフレーム組立体8を
用意する。このリードフレーム組立体8は、ガイ
ド孔9の大きさを第7図に比べて少し大きくした
点を除いて第7図に示すものと同一である。従つ
て、第1図〜第6図において第7図〜第9図と共
通する部分には同一の符号を付し、その説明を省
略する。
次に、第4図及び第5図に示す樹脂封止体1及
びガイド孔9の樹脂体11を形成するために、リ
ードフレーム組立体8を第2図及び第3図に示す
ように金型10にセツトする。金型10は上型1
2と下型13との組み合せから成り、半導体素子
5及び支持部6を囲む成形空所14を有する。こ
の成形空所14は上型12の凹部15と下型13
の凹部16とによつて得られる。板状リード部2
及び帯状連結部7は金型10に設けられた溝部1
7に収められている。
下型13は樹脂の流通路となるランナ18及び
ゲート19を有する。ランナ18は第1図で破線
で示すように、メインランナ18a,サブランナ
18b、第1の樹脂体用ランナ18c、第2の樹
脂体用ランナ18dから成る。メインランナ18
aは複数個のリードフレーム組立体8に共通して
設けられたものであり、連結部7の縁部に平行し
て延びている。サブランナ18bはメインランナ
18aより分岐したもので、その先端部であるゲ
ート19を通じて樹脂封止体1用の成形空所14
につながつている。樹脂体11を形成するための
第1の樹脂体用ランナ18cはサブランナ18b
の分岐から成り、第2の樹脂体用ランナ18dは
成形空所14より延びたものである。また、下型
13には第3図に示すように円柱形状の凸部20
が形成されており、凸部20はガイド孔9を貫通
してその上部が上型12に密着している。ただ
し、凸部20の外周部はガイド孔9の内壁に密着
せずに所定の間隙を有して離間している。上型1
2と下型13にはそれぞれガイド孔9に対応して
これより大型の凹部21,22が形成されてい
る。凸部20と凹部21,22によつて樹脂体1
1を形成するための成形空所23が生じている。
第1図に示すように、第1の樹脂体用ランナ1
8cはサブランナ18bと成形空所23とをつな
いでいる。また、第2の樹脂体用ランナ18dは
成形空所14と23とをつないでいる。なお、第
2の樹脂体用ランナ18dは板状リード部2の側
方に沿つて設けられている。
これにより、メインランナ18aを通じてサブ
ランナ18bに押圧注入された樹脂は第1の樹脂
体用ランナ18cを通じて成形空所23に至ると
共にゲート19を通じ成形空所14に至る。成形
空所14内に注入された樹脂の一部は第2の樹脂
体用ランナ18dを通じてもう1つの成形空所2
3に至る。
成形金型10は予め180℃程度に加熱されてい
るため、成形空所14,23に注入された樹脂は
数分間の後に固化し、樹脂封止体14及び樹脂体
11が形成される。なお、ランナ18a〜18d
とゲート19内で固化した樹脂は除去する。
第4図及び第5図から明らかなように、本発明
に従つて設けられた樹脂体11は、ガイド孔9の
壁面及び連結部7の表面及び裏面に接するように
設けられている。即ち、樹脂体11は断面コ字状
部分を有するハト目状に形成され、連結部7に安
定的に一体化されている。
次に、半田デイツプ法によつて板状リード部2
の表面に、第6図に示すような半田被覆層24を
従来と同一方法で形成する。即ち、樹脂体11に
対応する凹部を有する治具(図示せず)で一対の
連結部7の一方を挾持し、他方の板状リード部2
及び他方の連結部7を半田浴槽に漬け、しかる
後、他方の連結部7を治具で挾持し、一方の板状
リード部2及び一方の連結部7も半田浴槽に漬け
る。この時、ガイド孔9に樹脂体11が形成され
ているため、この部分には半田が被着しない。従
つて、ガイド孔9が半田により塞がれることはな
い。また、樹脂体11と治具の凹部との嵌合によ
り、治具による挾持を確実に達成することができ
る。
次に、第6図に示す如く樹脂体11を有するガ
イド孔9にピン25を挿入してリードフレーム組
立体8を切断工程に搬送し、まず第4図の一対の
破線lの内の一方を切断して一方の帯状連結体7
を除去し、他方の帯状連結部7は残す。この片持
ち状態のリードフレーム組立体8を特性検査工程
に移送し、自動機によつて半導体素子5の特性検
査を行う。この時、板状リード部2の他方が連結
部7によつて共通接続されているが、一方の板状
リード部2が開放端となつているので、個々の半
導体素子5の特性を独立に検査することができ
る。
しかる後、他方の帯状連結部7も切断除去し、
個別化した半導体装置を得る。なお、テツプ状半
導体装置にする場合には、一対のリード部2を第
9図と同様に折り曲げる。
本実施例は次の利点を有する。
(1) 共通の金型10によつて樹脂体11と樹脂封
止体1とを同時に形成するため、異種の工程の
付加を伴なわずに、半田付着防止の樹脂体11
を得ることができる。
(2) ガイド孔9の大きさが予め大きく形成され、
樹脂体11を設けた後の内径が第7図のガイド
孔9と同一であるので、従来と同様な自動搬送
機を使用することができる。
3 樹脂体11が連結部7の表面及び裏面から突
出しているので、半田デイツプ時に治具で確実
に挾持することができる。
〔変形例〕
本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。
(1) 樹脂体11はガイド孔9の内側壁にのみ形成
してもよい。但し、実施例のように連結部7の
表面と裏面に延在するようにハト目状に設けた
方が樹脂体11の連結部7からの抜けが防止で
き望ましい。
(2) ランナ18c,18dの形状は種々の変形が
可能である。例えば、第2の樹脂体用ランナ1
8dを第1の樹脂体用ランナ18cと同様にサ
ブランナ18bより分岐して設けてもよい。ま
た、第2の樹脂体用ランナ18dを形成せず、
一方のガイド孔9のみに樹脂体11を形成して
もよい。また、第2の樹脂体用ランナ18dを
下型13に設けず、成形空所14に形成された
エアーベンド(成形空所14に通じた成形金型
10とリード部2とのすきまで空気抜き用の孔
として作用する所)と成形金型10とリード部
2の縁部とのすきまを第2の樹脂体用ランナ1
8dとして作用させてもよい。
(3) 板状リード部2の両縁部の延長線上で連結部
7を切断し、連結部7を板状リード部2の一部
として使用してもよい。
(4) 第10図に示すように、ガイド孔9を全周が
囲まれた孔でなく一部が開放された孔又は切欠
部としてもよい。この場合でも、樹脂体11は
環状に設け、その一部は連結部7の外側にはみ
出すようにすることが望ましい。
(5) 第11図に示すように、本発明は外部リード
31が樹脂封止体32の一方の側からのみ導出
されているタイプの電子部品にも適用できる。
(6) ガイド孔9は第11図のように外部リード3
1に平行して設けられたガイド条33に形成し
てもよい。
7 ダイオードに限ることなく、トランジスタ、
サイリスタ、抵抗、コンデンサ、IC等にも適
用可能である。
〔発明の効果〕
上述から明らかな如く、本発明によればガイド
孔に半田付着防止の樹脂体を容易に形成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係わるリードフレ
ーム組立体及び金型を示す平面図、第2図は第1
図の−線に相当する部分の断面図、第3図は
第1図の−線に相当する部分の断面図、第4
図はモールド後のリードフレーム組立体を示す平
面図、第5図は第4図の−線断面図、第6図
は第5図のリードフレーム組立体に半田被覆層を
設けたものを示す断面図、第7図は従来のリード
フレーム組立体を示す平面図、第8図は第7図の
−線断面図、第9図はチツプ型半導体装置を
示す正面図、第10図及び第11図は変形例のリ
ードフレーム組立体の一部を示す平面図である。 1……樹脂封止体、2……板状リード部、4…
…リードフレーム、5……半導体素子、7……連
結部、8……リードフレーム組立体、9……ガイ
ド孔、11……樹脂体。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 互いに並置された複数のリード部、前記複数
    のリード部を相互に連結する連結部、及びガイド
    孔を有するリードフレームと、前記リードフレー
    ムの前記リード部に接続された回路素子又は装置
    とから成るリードフレーム組立体を用意する工程
    と、 前記リードフレーム組立体を成形用型に配置
    し、前記回路素子又は装置を含む部分を樹脂封止
    体で被覆すると同時に、前記ガイド孔の少なくと
    も一部に樹脂体を設ける工程と を含むことを特徴とする樹脂封止型電子部品の製
    造方法。 2 前記樹脂体を前記ガイド孔の壁面に設けるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の樹脂
    封止型電子部品の製造方法。
JP62313328A 1987-12-10 1987-12-10 樹脂封止型電子部品の製造方法 Granted JPH01152735A (ja)

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JP2630686B2 (ja) * 1991-03-04 1997-07-16 ローム株式会社 電子部品製造用フレーム、およびこれを用いた電子部品製造方法、ならびにこの製造方法により製造された電子部品
JP6064649B2 (ja) * 2013-02-14 2017-01-25 大日本印刷株式会社 樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置の多面付け体

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