JPH05343341A - 熱処理炉 - Google Patents

熱処理炉

Info

Publication number
JPH05343341A
JPH05343341A JP17194492A JP17194492A JPH05343341A JP H05343341 A JPH05343341 A JP H05343341A JP 17194492 A JP17194492 A JP 17194492A JP 17194492 A JP17194492 A JP 17194492A JP H05343341 A JPH05343341 A JP H05343341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction
reaction gas
tube
heat treatment
reaction tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP17194492A
Other languages
English (en)
Inventor
Takuya Kishimoto
卓也 岸本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel Corp filed Critical Nippon Steel Corp
Priority to JP17194492A priority Critical patent/JPH05343341A/ja
Publication of JPH05343341A publication Critical patent/JPH05343341A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、反応管内への不純物の侵入を防止
することができる熱処理炉を提供する。 【構成】 本発明の熱処理炉1は、内部に熱処理領域3
を形成するとともに壁部に反応ガス通過穴4を設けられ
た石英製の反応管5に対し、反応ガス導入管8により反
応ガスを送り、反応管5内で反応した後の反応ガスを反
応ガス通過穴4から反応ガス導入領域6に導き、反応管
5の外周を反応ガスで包囲するようにしたものである。
この構成により、反応管壁を透過して侵入する不純物成
分は存在しなくなり、熱処理領域3において高清浄度の
反応ガスを用いた熱処理を行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱処理炉に関し、より
詳しくは、石英製の反応管を備えた熱処理炉に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、石英製の反応管を有する熱処理炉
は、シリコンウエハ等の基板処理を行う反応ガスを導入
するための反応管が外部雰囲気、即ち、炉内大気雰囲気
にさらされ、反応管内部の基板処理領域は反応管の壁の
みによって外部雰囲気と隔てられた構造となっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、石英は材質
的に高温時において反応ガスを透過しやすい性質を持っ
ており、このため、従来装置の構造では、高温時におい
て前記反応管の壁を透過して基板処理領域中に外部雰囲
気に混在する不純物が侵入し基板処理領域中の反応ガス
の清浄度を悪化させてしまうという問題があった。
【0004】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、反応管内への不純物の侵入を防止することがで
きる熱処理炉を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の熱処理炉は、内部に熱処理領域を形成すると
ともに壁部に反応ガス通過穴を設けた石英製の反応管
と、該反応管の外周に反応ガス導入領域を形成しつつ前
記反応管の外周部を覆う外部管と、前記反応管内に反応
ガスを送る反応ガス導入管とを有し、前記反応管内で反
応した後の反応ガスを前記反応ガス通過穴から前記外部
管の前記反応ガス導入領域に導き、前記反応管外周を反
応ガスで包囲するように構成したことを特徴とするもの
である。
【0006】
【作用】上述した構成の熱処理炉によれば、反応管の周
囲は常にこの反応管内の反応ガス雰囲気とほとんど組成
の変らない反応後のガスによって満たされるため、反応
管の壁を透過して侵入する不純物成分は存在しなくな
り、前記熱処理領域において高清浄度の反応ガスを用い
た熱処理を行うことができる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例である熱処理装置に
ついて図面を参照しながら説明する。図1は本発明の一
実施例である熱処理炉の概略断面図ある。本実施例の熱
処理炉1は、石英製の基台2と、筒状で頂部が閉塞され
た石英製の反応管5と、反応管5と略同形状で内径の大
きい外部管7と、反応管5内に反応ガスを送る石英製の
反応ガス導入管8とを有している。尚、図1では、説明
の簡略化のため、従来装置と同じである、反応管5を加
熱する発熱体や反応ガス供給源等は省略してある。
【0008】反応管5は、基台2上に配置され、内部に
シリコンウエハ等の処理基板9を配置する熱処理領域3
が形成されているとともに、壁部の一部に反応ガス通過
穴4が設けられている。外部管7は、反応管5の外周に
沿って反応ガス導入領域6を形成するように反応管5の
外周部を覆っている。また、外部管7の頂部には、反応
ガスを炉外に排出する排出管7bが設けられている。反
応管5及び外部管7の各底部は、フランジ5a,7aに
より基台2上に密着させている。
【0009】反応ガス導入管8は、外部管7を貫通して
反応管5内に挿通され、さらに反応管5で垂直上方向に
立ち上げられている。反応ガス導入管8の垂直方向に立
ち上げられた部分には、任意数の放出口8aが形成さ
れ、この放出口8aから、熱処理領域3に図示しない反
応ガス供給源からの反応ガスが放出される。
【0010】上述した構成の熱処理炉1によれば、外部
管7の外周に沿って配置された発熱体(不図示)により
熱処理領域3を所定の温度に昇温するとともに、図示し
ない反応ガス供給源から反応ガスが反応ガス導入管8に
送られ、反応ガス導入管8の各放出口8aから反応管5
内の熱処理領域3に放出される。放出された反応ガス
は、処理基板9に対して反応した後、反応ガス通過穴4
から外部管7が形成する反応ガス導入領域6内に至り、
反応管5の外周を包囲する。
【0011】この結果、反応管5の外部雰囲気は、反応
処理終了後の反応ガス雰囲気で満たされることになり、
反応管5内外の反応ガスの組成はほとんど同じとなり、
反応管5の管壁を透過する不純物成分は存在せず、反応
管5内は常に清浄な反応ガス成分のみとなる。
【0012】上記の本実施例によれば、熱処理終了後の
反応ガスを反応管5の包囲用に再利用するため経済性も
高いという利点がある。さらに、外部管7の管壁を透過
する外部雰囲気成分は、排出管7aから反応処理後の反
応ガスとともに排出されるため、反応管5内に透過侵入
することは皆無となる。
【0013】本発明は、上述した実施例のほか、その要
旨の範囲内で種々の変形が可能である。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、反
応管の外周を反応後の反応ガスで覆うことにより、反応
管内への不純物成分の透過侵入を防ぐことができ、高清
浄の反応ガスによる熱処理を行うことが可能な熱処理炉
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である熱処理炉の概略断面図
である。
【符号の説明】
1 熱処理炉 2 基台 3 熱処理領域 4 反応ガス通過穴 5 反応管 6 反応ガス導入領域 7 外部管 8 反応ガス導入管

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部に熱処理領域を形成するとともに壁
    部に反応ガス通過穴を設けた石英製の反応管と、該反応
    管の外周に反応ガス導入領域を形成しつつ前記反応管の
    外周部を覆う外部管と、前記反応管内に反応ガスを送る
    反応ガス導入管とを有し、前記反応管内で反応した後の
    反応ガスを前記反応ガス通過穴から前記外部管の前記反
    応ガス導入領域に導き、前記反応管外周を反応ガスで包
    囲するように構成したことを特徴とする熱処理炉。
JP17194492A 1992-06-05 1992-06-05 熱処理炉 Withdrawn JPH05343341A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17194492A JPH05343341A (ja) 1992-06-05 1992-06-05 熱処理炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17194492A JPH05343341A (ja) 1992-06-05 1992-06-05 熱処理炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05343341A true JPH05343341A (ja) 1993-12-24

Family

ID=15932702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17194492A Withdrawn JPH05343341A (ja) 1992-06-05 1992-06-05 熱処理炉

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05343341A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH088194A (ja) 気相成長機構および熱処理機構における加熱装置
JPH08264521A (ja) 半導体製造用反応炉
JPH05343341A (ja) 熱処理炉
EP0550859B1 (en) Tube apparatus for manufacturing semiconductor device
JPS62206826A (ja) 半導体熱処理装置
JPH0645268A (ja) 熱処理炉
JP2000306851A (ja) 枚葉式の処理装置
JPH11260728A (ja) 薄膜形成装置
JP3080398B2 (ja) 縦型熱処理装置
JPH11186170A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JPH09260363A (ja) 半導体製造装置
JPS6367729A (ja) 半導体熱処理装置
JPH11150077A (ja) 半導体ウエハの熱拡散装置
JP3305818B2 (ja) 半導体製造装置
JP2658947B2 (ja) 縦型拡散炉
JPH0640545B2 (ja) ウエハの熱処理方法
JPH01194415A (ja) 縦形炉
JPS5812731B2 (ja) 半導体ウエハ−の熱処理方法
JPH0550729U (ja) 石英炉芯管
JP2004221150A (ja) 半導体製造装置
JPH0330428U (ja)
JPS61182218A (ja) ウエハ処理方法および処理装置
JPH03194924A (ja) 縦型処理装置
JPH02128419A (ja) 半導体製造装置
JPH10317145A (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990831