JPH0534821B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0534821B2 JPH0534821B2 JP56138942A JP13894281A JPH0534821B2 JP H0534821 B2 JPH0534821 B2 JP H0534821B2 JP 56138942 A JP56138942 A JP 56138942A JP 13894281 A JP13894281 A JP 13894281A JP H0534821 B2 JPH0534821 B2 JP H0534821B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric furnace
- heat treatment
- heat
- soaking zone
- furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエハの熱処理装置に関するも
のである。
のである。
周知のように半導体装置の製造においては酸化
膜形成や不純物拡散のために、半導体ウエハを熱
処理する工程がくり返えされる。
膜形成や不純物拡散のために、半導体ウエハを熱
処理する工程がくり返えされる。
半導体ウエハの熱処理は、まずウエハ積載ボー
トにウエハをのせ、オートローダ等により、ウエ
ハ積載ボートを熱処理装置内の炉芯管の均熱ゾー
ンに設置し行われる。熱署装置は通常、酸素と水
素を混合して燃焼させるためのバーニング用ノズ
ルを設置するためや雰囲気を定常的かつ均一に流
すために長尺の炉芯管を収容できるように最い構
造になつている。そのため必然的に熱容量も大き
くならざるを得ない。
トにウエハをのせ、オートローダ等により、ウエ
ハ積載ボートを熱処理装置内の炉芯管の均熱ゾー
ンに設置し行われる。熱署装置は通常、酸素と水
素を混合して燃焼させるためのバーニング用ノズ
ルを設置するためや雰囲気を定常的かつ均一に流
すために長尺の炉芯管を収容できるように最い構
造になつている。そのため必然的に熱容量も大き
くならざるを得ない。
しかしながら、このような熱処理装置を用いて
半導体ウエハの熱処理を行う場合には、熱処理装
置の入口に急峻な温度勾配があるために、熱処理
の際半導体ウエハは必らず急峻な温度勾配にさら
され、半導体ウエハの面内に温度勾配が生じその
結果熱応力等によつてウエハにスリツプ等の転移
が発生し、半導体装置の製品歩留りを悪くしてい
る。またウエハの大口径化に伴いスリツプ等の転
位の発生が顕著となり、これを防止することが急
務となつている。
半導体ウエハの熱処理を行う場合には、熱処理装
置の入口に急峻な温度勾配があるために、熱処理
の際半導体ウエハは必らず急峻な温度勾配にさら
され、半導体ウエハの面内に温度勾配が生じその
結果熱応力等によつてウエハにスリツプ等の転移
が発生し、半導体装置の製品歩留りを悪くしてい
る。またウエハの大口径化に伴いスリツプ等の転
位の発生が顕著となり、これを防止することが急
務となつている。
本発明は上に述べた従来技術の問題点を解決し
歩留りの高い半導体装置を製造するための熱処理
装置を提供するものである。本発明は、炉芯管と
熱容量が大きく、かつ均熱ゾーンを備えた第１の
電気炉を備えた熱処理装置において、前記炉芯管
の半導体ウエハを出し入れする側の管軸上に前記
電気炉とは独立し均熱ゾーンを備え熱容量が小さ
く軸方向に移動可能な第２の電気炉を備え、まず
半導体ウエハを第２の電気炉の均熱ゾーンで予備
加熱して第１の電気炉の温度あるいはそれに近い
温度にしてから第１の電気炉内に半導体ウエハを
移動させて熱処理する手段と、熱処理後半導体ウ
エハを第１の電気炉の温度あるいはそれに近い温
度の第２の電気炉の均熱ゾーンに移動させてから
第２の電気炉を第１の電気炉から離し第２の電気
炉を徐冷する手段を有することを特徴とする半導
体ウエハの熱処理装置である。
歩留りの高い半導体装置を製造するための熱処理
装置を提供するものである。本発明は、炉芯管と
熱容量が大きく、かつ均熱ゾーンを備えた第１の
電気炉を備えた熱処理装置において、前記炉芯管
の半導体ウエハを出し入れする側の管軸上に前記
電気炉とは独立し均熱ゾーンを備え熱容量が小さ
く軸方向に移動可能な第２の電気炉を備え、まず
半導体ウエハを第２の電気炉の均熱ゾーンで予備
加熱して第１の電気炉の温度あるいはそれに近い
温度にしてから第１の電気炉内に半導体ウエハを
移動させて熱処理する手段と、熱処理後半導体ウ
エハを第１の電気炉の温度あるいはそれに近い温
度の第２の電気炉の均熱ゾーンに移動させてから
第２の電気炉を第１の電気炉から離し第２の電気
炉を徐冷する手段を有することを特徴とする半導
体ウエハの熱処理装置である。
次に、本発明の一実施例を示す。本発明熱処理
装置は第１図に示すように熱処理装置本体Ｂとそ
の半導体ウエハを出し入れする側に設けた予備熱
処理装置Ａから構成され、ＡとＢの管軸は一致し
ており、Ａはその管軸上を移動できる。まず半導
体ウエハ１を積載ボート２に載置し、室温状態の
予備熱処理装置の炉芯管３内の均熱ゾーンに設置
する。この予備熱処理装置は熱容量が小さいため
短時間で所定の目的とする温度まで到達できる。
装置は第１図に示すように熱処理装置本体Ｂとそ
の半導体ウエハを出し入れする側に設けた予備熱
処理装置Ａから構成され、ＡとＢの管軸は一致し
ており、Ａはその管軸上を移動できる。まず半導
体ウエハ１を積載ボート２に載置し、室温状態の
予備熱処理装置の炉芯管３内の均熱ゾーンに設置
する。この予備熱処理装置は熱容量が小さいため
短時間で所定の目的とする温度まで到達できる。
しかる後にあらかじめ予備熱処理装置を短時間
で熱処理装置本体と同じ温度かそれに近い温度ま
で上昇させておき、次いで熱処理装置本体と予備
熱処理装置を第２図ｃのように合体し、予備熱処
理装置内のウエハ積載ボートをオートローダ等に
より熱処理装置本体の均熱ゾーンに移動させて雰
囲気ガスを流して熱処理を行う。
で熱処理装置本体と同じ温度かそれに近い温度ま
で上昇させておき、次いで熱処理装置本体と予備
熱処理装置を第２図ｃのように合体し、予備熱処
理装置内のウエハ積載ボートをオートローダ等に
より熱処理装置本体の均熱ゾーンに移動させて雰
囲気ガスを流して熱処理を行う。
熱処理完了後はウエハ積載ボートを予備熱処理
装置の均熱ゾーンに再び移動させ、予備熱処理装
置を熱処理装置本体から離し、そのまま徐々に冷
して熱処理を終了する。
装置の均熱ゾーンに再び移動させ、予備熱処理装
置を熱処理装置本体から離し、そのまま徐々に冷
して熱処理を終了する。
以上実施例で述べたごとく、本発明の熱処理装
置を用いることにより、ウエハの面内に急峻な温
度勾配を与えないため、熱応力等によるスリツプ
等の転位の発生を防止することができ工業上極め
て有効である。
置を用いることにより、ウエハの面内に急峻な温
度勾配を与えないため、熱応力等によるスリツプ
等の転位の発生を防止することができ工業上極め
て有効である。
第１図は予備熱処理の縦断面図Ａと熱処理装置
本体の縦断面図Ｂであり、第２図は予備熱処理装
置と熱処理装置本体を合体し、ウエハ積載ボート
を熱処理装置本体の均熱ゾーンに移動させたとき
の縦断面図Ｃである。 図において、１は半導体ウエハ、２はウエハ積
載ボート、３は炉芯管、４は炉体を示す。
本体の縦断面図Ｂであり、第２図は予備熱処理装
置と熱処理装置本体を合体し、ウエハ積載ボート
を熱処理装置本体の均熱ゾーンに移動させたとき
の縦断面図Ｃである。 図において、１は半導体ウエハ、２はウエハ積
載ボート、３は炉芯管、４は炉体を示す。
Claims (1)
- １ 炉芯管と、熱容量が大きくかつ均熱ゾーンを
備えた第１の電気炉を備えた熱処理装置におい
て、前記炉芯管の半導体ウエハを出し入れする側
の管軸上に前記電気炉とは独立し均熱ゾーンを備
え熱容量が小さく軸方向に移動可能な第２の電気
炉を備え、まず半導体ウエハを第２の電気炉の均
熱ゾーンで予備加熱して第１の電気炉の温度ある
いはそれに近い温度にしてから第１の電気炉内に
半導体ウエハを移動させて熱処理する手段と、熱
処理後半導体ウエハを第１の電気炉の温度あるい
はそれに近い温度の第２の電気炉の均熱ゾーンに
移動させてから第２の電気炉を第１の電気炉から
離し第２の電気炉を徐冷する手段を有することを
特徴とする半導体ウエハの熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138942A JPS5840824A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138942A JPS5840824A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840824A JPS5840824A (ja) | 1983-03-09 |
| JPH0534821B2 true JPH0534821B2 (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=15233747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56138942A Granted JPS5840824A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 半導体ウエハの熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840824A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6185821A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長方法 |
| JP2644819B2 (ja) * | 1988-05-06 | 1997-08-25 | 松下電子工業株式会社 | 加熱炉 |
| JPH01296628A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
| JPH1197446A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50118860U (ja) * | 1974-03-14 | 1975-09-29 | ||
| JPS5143720U (ja) * | 1974-09-28 | 1976-03-31 | ||
| JPS5472978A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Heat treatment unit |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP56138942A patent/JPS5840824A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5840824A (ja) | 1983-03-09 |
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