JPH0535570B2 - - Google Patents
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- JPH0535570B2 JPH0535570B2 JP60166533A JP16653385A JPH0535570B2 JP H0535570 B2 JPH0535570 B2 JP H0535570B2 JP 60166533 A JP60166533 A JP 60166533A JP 16653385 A JP16653385 A JP 16653385A JP H0535570 B2 JPH0535570 B2 JP H0535570B2
- Authority
- JP
- Japan
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- pair
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- surface plate
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- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/1742—Mounting of moulds; Mould supports
- B29C45/1744—Mould support platens
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は合成樹脂により、半導体素子を封止
成形する半導体素子の樹脂封止方法及びその装置
の改良に関するものである。
成形する半導体素子の樹脂封止方法及びその装置
の改良に関するものである。
従来、半導体素子をリードフレーム上に装着し
た後、合成樹脂により封止成形する装置には第3
図に示すものがあつた。1はリードフレーム(図
示せず)の板厚と同寸法の凹溝(図示せず)と半
導体素子(図示せず)を封止するキヤピテイ部
(図示せず)等を有した複数個のチエイスブロツ
クで、合成樹脂を注入する公知のポツト部(図示
せず)、ランナー部(図示せず)を有するチヤン
バーブロツク(図示せず)と同一高さに形成さ
れ、チンヤンバーブロツクと共に下金型を構成し
ている。2は前記チヤンバーブロツク、チエイス
ブロツク1を保持する為の定盤で、チヤンバーブ
ロツク、チエイスブロツク1とはボルトで締付固
定されている。3は前記チヤンバブロツク(図示
せず)、チエイスブロツク1を加熱及び保温する
為のヒータで、前記定盤2に挿入されている。4
はベース7上で定盤2を支持するスペーサブロツ
クで、前記封止装置全体を公知のプレススライド
フレーム9に固定する取付金具8のガイド溝4a
を有しており、通常、封止装置の外周に複数個設
けられている。5,6は前記定盤2をベース7よ
り支持する複数個のポストで、前記スペーサブロ
ツク4より内側に構成されていて、前記スペーサ
ブロツク4と同一高さ寸法に形成されている。7
は前記定盤2を前記スペーサブロツク4、ポスト
5,6を介して支持する為のベースで、前記ヒー
タ3の熱がプレススライドフレーム9に伝達する
ことを防止する断熱板を内蔵している。10は前
記封止装置の上金型で、概略前述の下金型と同構
造となつている。11はプレスのプラテン、12
は前記チエイスブロツク1のパーテイング面であ
る。
た後、合成樹脂により封止成形する装置には第3
図に示すものがあつた。1はリードフレーム(図
示せず)の板厚と同寸法の凹溝(図示せず)と半
導体素子(図示せず)を封止するキヤピテイ部
(図示せず)等を有した複数個のチエイスブロツ
クで、合成樹脂を注入する公知のポツト部(図示
せず)、ランナー部(図示せず)を有するチヤン
バーブロツク(図示せず)と同一高さに形成さ
れ、チンヤンバーブロツクと共に下金型を構成し
ている。2は前記チヤンバーブロツク、チエイス
ブロツク1を保持する為の定盤で、チヤンバーブ
ロツク、チエイスブロツク1とはボルトで締付固
定されている。3は前記チヤンバブロツク(図示
せず)、チエイスブロツク1を加熱及び保温する
為のヒータで、前記定盤2に挿入されている。4
はベース7上で定盤2を支持するスペーサブロツ
クで、前記封止装置全体を公知のプレススライド
フレーム9に固定する取付金具8のガイド溝4a
を有しており、通常、封止装置の外周に複数個設
けられている。5,6は前記定盤2をベース7よ
り支持する複数個のポストで、前記スペーサブロ
ツク4より内側に構成されていて、前記スペーサ
ブロツク4と同一高さ寸法に形成されている。7
は前記定盤2を前記スペーサブロツク4、ポスト
5,6を介して支持する為のベースで、前記ヒー
タ3の熱がプレススライドフレーム9に伝達する
ことを防止する断熱板を内蔵している。10は前
記封止装置の上金型で、概略前述の下金型と同構
造となつている。11はプレスのプラテン、12
は前記チエイスブロツク1のパーテイング面であ
る。
上記のように構成されたものにおいては、封止
成形時プレスの型締圧が作用すると、第4図のよ
うにチエイスブロツク1のパーテイング面12に
は等分布荷重が作用し、その荷重は定盤2で受
け、更に、スペーサブロツク4及び複数個のポス
ト5,6で分担して受圧し、更にベース7で受
け、最終的にプレススライドフレーム9で支持す
るようになつていた。ところで、スペーサブロツ
ク4とポスト5,6の高さ寸法は同一寸法で作ら
れているが、プレス型締圧作用時、スペーサブロ
ツク4とポスト5,6の鋼性が異なる為、各々タ
ワミ量が異なり、中央部のポスト6が最も変形
し、その為、定盤の中央部がタワミ、複数個のチ
エイスブロツク1のパーテイング面12の平面度
が崩れ、パーテイング面が第5図のように、ポス
ト5の所はδ2、ポスト6の所はδ1の間〓が生じる
ことになる。
成形時プレスの型締圧が作用すると、第4図のよ
うにチエイスブロツク1のパーテイング面12に
は等分布荷重が作用し、その荷重は定盤2で受
け、更に、スペーサブロツク4及び複数個のポス
ト5,6で分担して受圧し、更にベース7で受
け、最終的にプレススライドフレーム9で支持す
るようになつていた。ところで、スペーサブロツ
ク4とポスト5,6の高さ寸法は同一寸法で作ら
れているが、プレス型締圧作用時、スペーサブロ
ツク4とポスト5,6の鋼性が異なる為、各々タ
ワミ量が異なり、中央部のポスト6が最も変形
し、その為、定盤の中央部がタワミ、複数個のチ
エイスブロツク1のパーテイング面12の平面度
が崩れ、パーテイング面が第5図のように、ポス
ト5の所はδ2、ポスト6の所はδ1の間〓が生じる
ことになる。
従来の装置は上記のように構成されているた
め、成形時に樹脂がそのスキマからリードフレー
ム上に流出し、不良品が発生することもあり、封
止製品の歩留り率低下が生じたり、また、洩れた
樹脂を後工程で取り除く為のバリ取り作業等が必
要となるばかりでなく、プレス型締圧が繰返し作
用する為に定盤が塑性変形する等、封止装置その
ものの寿命を著しく低下させるという問題点もあ
つた。
め、成形時に樹脂がそのスキマからリードフレー
ム上に流出し、不良品が発生することもあり、封
止製品の歩留り率低下が生じたり、また、洩れた
樹脂を後工程で取り除く為のバリ取り作業等が必
要となるばかりでなく、プレス型締圧が繰返し作
用する為に定盤が塑性変形する等、封止装置その
ものの寿命を著しく低下させるという問題点もあ
つた。
本発明は上記のような問題点を解消する為にな
されたもので、下金型と上金型とのパーテイング
面に型締圧によつてスキマが生じようとすること
を防止でき、リードフレーム上に樹脂が流出する
ことを防止できる半導体素子の樹脂封止方法及び
その装置を得ることを目的とする。
されたもので、下金型と上金型とのパーテイング
面に型締圧によつてスキマが生じようとすること
を防止でき、リードフレーム上に樹脂が流出する
ことを防止できる半導体素子の樹脂封止方法及び
その装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体素子の樹脂封止方法は、
半導体素子をリードフレーム上に装着した後、合
成樹脂により封止成形する半導体素子の樹脂封止
方法において、金型を上面に装着した定盤の下面
中央側を、複数のポストで支持すると共にこの複
数のポストよりも外側にスペーサブロツクを設
け、上記複数のポストを弾性圧縮変形し得る寸法
で構成し、その高さ寸法は上記スペーサブロツク
よりも高く設定し、型締時において、各ポストの
撓み高さが同一平面となる位置で、半導体素子を
樹脂封止するようにしたものである。
半導体素子をリードフレーム上に装着した後、合
成樹脂により封止成形する半導体素子の樹脂封止
方法において、金型を上面に装着した定盤の下面
中央側を、複数のポストで支持すると共にこの複
数のポストよりも外側にスペーサブロツクを設
け、上記複数のポストを弾性圧縮変形し得る寸法
で構成し、その高さ寸法は上記スペーサブロツク
よりも高く設定し、型締時において、各ポストの
撓み高さが同一平面となる位置で、半導体素子を
樹脂封止するようにしたものである。
また、この発明に係る第2の発明の半導体素子
の樹脂封止装置は、半導体素子をリードフレーム
上に装着した後、合成樹脂により封止成形する封
止装置において、金型を固定する定盤、この定盤
の下面部外側に対応して配置された一対のスペー
サブロツク、弾性圧縮変形し得る寸法に構成さ
れ、上記一対のスペーサブロツクよりも内側で上
記定盤を支持する複数のポスト、この複数のポス
ト及び上記一対のスペーサブロツクの下部に配置
され、上記複数のポストと上記一対のスペーサブ
ロツクを支持するベースを備え、上記一対のスペ
ーサブロツクの高さ寸法は、型締時における上記
定盤の歪を抑制し得るように、上記複数のポスト
の高さ寸法よりも予め小さく設定すると共に、複
数のポストのうち中央部側のポストと他の外側の
ポストとは弾性圧縮変形寸法を異なるように設定
したものである。
の樹脂封止装置は、半導体素子をリードフレーム
上に装着した後、合成樹脂により封止成形する封
止装置において、金型を固定する定盤、この定盤
の下面部外側に対応して配置された一対のスペー
サブロツク、弾性圧縮変形し得る寸法に構成さ
れ、上記一対のスペーサブロツクよりも内側で上
記定盤を支持する複数のポスト、この複数のポス
ト及び上記一対のスペーサブロツクの下部に配置
され、上記複数のポストと上記一対のスペーサブ
ロツクを支持するベースを備え、上記一対のスペ
ーサブロツクの高さ寸法は、型締時における上記
定盤の歪を抑制し得るように、上記複数のポスト
の高さ寸法よりも予め小さく設定すると共に、複
数のポストのうち中央部側のポストと他の外側の
ポストとは弾性圧縮変形寸法を異なるように設定
したものである。
半導体素子をリードフレーム上に装着した後、
合成樹脂により封止成形する封止装置において、
金型を固定する定盤、この定盤の下面部外側に対
応して配置された一対のスペーサブロツク、弾性
圧縮変形し得る寸法に構成され、上記一対のスペ
ーサブロツクよりも内側で上記定盤を支持するポ
スト、このポスト及び上記一対のスペーサブロツ
クの下部に配置され、上記ポストと上記一対のス
ペーサブロツクを支持するベースを備え、上記一
対のスペーサブロツクの高さ寸法は、型締時にお
ける上記定盤の歪を抑制し得るように、上記ポス
トの高さ寸法よりも予め小さく設定したものであ
る。
合成樹脂により封止成形する封止装置において、
金型を固定する定盤、この定盤の下面部外側に対
応して配置された一対のスペーサブロツク、弾性
圧縮変形し得る寸法に構成され、上記一対のスペ
ーサブロツクよりも内側で上記定盤を支持するポ
スト、このポスト及び上記一対のスペーサブロツ
クの下部に配置され、上記ポストと上記一対のス
ペーサブロツクを支持するベースを備え、上記一
対のスペーサブロツクの高さ寸法は、型締時にお
ける上記定盤の歪を抑制し得るように、上記ポス
トの高さ寸法よりも予め小さく設定したものであ
る。
また、この発明に係る第3の発明の半導体素子
の樹脂封止装置は、 〔作用〕 この発明における半導体素子の樹脂封止装置は
封止成形時のプレス型締圧作用時に金型が変形し
た場合、予めその変形量だけスペーサブロツクと
ポストとの足さ寸法を異ならしめて、金型の変形
を抑制している。
の樹脂封止装置は、 〔作用〕 この発明における半導体素子の樹脂封止装置は
封止成形時のプレス型締圧作用時に金型が変形し
た場合、予めその変形量だけスペーサブロツクと
ポストとの足さ寸法を異ならしめて、金型の変形
を抑制している。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第1図において、50はベース7上で定盤2
の中央を支持するポスト、60はこのポスト50
の両側に同様に定盤2を支持するポストである。
なお、スペーサブロツク4及び各ポスト50,6
0の高さ関係において、スペーサブロツク4よ
り、ポスト60を高くして、このポスト60より
もポス50を予め高くしており、その寸法差は第
1図のようにδ1,δ2で示される。この寸法差δ1,
δ2は、スペーサブロツク4、各ポスト50,60
を支点とし、定盤を梁とした連続梁と考え、プレ
ス型締圧作用時の各支点の反力と各支点のバネ定
数(スペーサブロツク4、各ポスト50,60の
バネ定数)より算出して各ポスト50,60の高
さを決めるものである。その時の計算条件はプレ
ス型締圧作用時、スペーサブロツク4、各ポスト
50,60のタワミ後の高さが同一平面になるよ
うに高さを決める。これにより、第2図のように
チエイスブロツク4のパーテイング2面にスキマ
が生じないで一定平面に維持することができる。
る。第1図において、50はベース7上で定盤2
の中央を支持するポスト、60はこのポスト50
の両側に同様に定盤2を支持するポストである。
なお、スペーサブロツク4及び各ポスト50,6
0の高さ関係において、スペーサブロツク4よ
り、ポスト60を高くして、このポスト60より
もポス50を予め高くしており、その寸法差は第
1図のようにδ1,δ2で示される。この寸法差δ1,
δ2は、スペーサブロツク4、各ポスト50,60
を支点とし、定盤を梁とした連続梁と考え、プレ
ス型締圧作用時の各支点の反力と各支点のバネ定
数(スペーサブロツク4、各ポスト50,60の
バネ定数)より算出して各ポスト50,60の高
さを決めるものである。その時の計算条件はプレ
ス型締圧作用時、スペーサブロツク4、各ポスト
50,60のタワミ後の高さが同一平面になるよ
うに高さを決める。これにより、第2図のように
チエイスブロツク4のパーテイング2面にスキマ
が生じないで一定平面に維持することができる。
ここで、ポスト50,60高さの計算の一般式
としては次の(1)式のものがある。
としては次の(1)式のものがある。
ln=1/(1−Rn/AnE)×(l1−R1l1/A1E) ……(1)
ln:n番目のポスト高さ
Rn: 〃 反力
An: 〃 断面積
E:ポスト、スペーサブロツクのヤング率
l1:スペーサブロツクの高さ
R1: 〃 反力
A1: 〃 断面積
(1)式で計算すると、プレス型締圧、定盤の大き
さにもよるが、スペーサブロツク4より、ポスト
50,60は約30〜100μ程度高くなる。
さにもよるが、スペーサブロツク4より、ポスト
50,60は約30〜100μ程度高くなる。
また、上記実施例では樹脂封止装置の下金型の
場合について説明したが、上金型についても同様
に利用できることは言うまでもない。
場合について説明したが、上金型についても同様
に利用できることは言うまでもない。
本発明は以上のように、半導体素子をリードフ
レーム上に装着した後、合成樹脂により封止成形
する半導体素子の樹脂封止方法において、金型を
上面に装着した定盤の下面中央側を、複数のポス
トで支持すると共にこの複数のポストよりも外側
にスペーサブロツクを設け、上記複数のポストを
弾性圧縮変形し得る寸法で構成し、その高さ寸法
は上記スペーサブロツクよりも高く設定し、型締
時において、各ポストの撓み高さが同一平面とな
る位置で、半導体素子を樹脂封止するようにした
ので、プレス型締時に、金型を装着した定盤自体
の歪が抑制されることになり、型締圧作用時に金
型のパーテイング面にスキマが生じることが防止
され、高精度の平面状態を維持できることにな
り、従来のようなパーテイング面のスキマに起因
する樹脂の流出を防止でき、封止工程後における
流出樹脂の除去作業が不要となる効果がある。
レーム上に装着した後、合成樹脂により封止成形
する半導体素子の樹脂封止方法において、金型を
上面に装着した定盤の下面中央側を、複数のポス
トで支持すると共にこの複数のポストよりも外側
にスペーサブロツクを設け、上記複数のポストを
弾性圧縮変形し得る寸法で構成し、その高さ寸法
は上記スペーサブロツクよりも高く設定し、型締
時において、各ポストの撓み高さが同一平面とな
る位置で、半導体素子を樹脂封止するようにした
ので、プレス型締時に、金型を装着した定盤自体
の歪が抑制されることになり、型締圧作用時に金
型のパーテイング面にスキマが生じることが防止
され、高精度の平面状態を維持できることにな
り、従来のようなパーテイング面のスキマに起因
する樹脂の流出を防止でき、封止工程後における
流出樹脂の除去作業が不要となる効果がある。
また、この発明に係る第2の発明は、半導体素
子をリードフレーム上に装着した後、合成樹脂に
より封止成形する封止装置において、金型を固定
する定盤、この定盤の下面部外側に対応して配置
された一対のスペーサブロツク、弾性圧縮変形し
得る寸法に構成され、上記一対のスペーサブロツ
クよりも内側で上記定盤を支持するポスト、この
ポスト及び上記一対のスペーサブロツクの下部に
配置され、上記ポストと上記一対のスペーサブロ
ツクを支持するベースを備え、上記一対のスペー
サブロツクの高さ寸法は、型締時における上記定
盤の歪を抑制し得るように、上記ポストの高さ寸
法よりも予め小さく設定したので、定盤に対する
繰返し曲げ応力が解消されることになり、特に精
度を要求する定盤の寿命を著しく向上できる効果
がある。
子をリードフレーム上に装着した後、合成樹脂に
より封止成形する封止装置において、金型を固定
する定盤、この定盤の下面部外側に対応して配置
された一対のスペーサブロツク、弾性圧縮変形し
得る寸法に構成され、上記一対のスペーサブロツ
クよりも内側で上記定盤を支持するポスト、この
ポスト及び上記一対のスペーサブロツクの下部に
配置され、上記ポストと上記一対のスペーサブロ
ツクを支持するベースを備え、上記一対のスペー
サブロツクの高さ寸法は、型締時における上記定
盤の歪を抑制し得るように、上記ポストの高さ寸
法よりも予め小さく設定したので、定盤に対する
繰返し曲げ応力が解消されることになり、特に精
度を要求する定盤の寿命を著しく向上できる効果
がある。
更にこの発明に係る第3の発明は、半導体素子
をリードフレーム上に装着した後、合成樹脂によ
り封止成形する封止装置において、金型を固定す
る定盤、この定盤の下面部外側に対応して配置さ
れた一対のスペーサブロツク、弾性圧縮変形し得
る寸法に構成され、上記一対のスペーサブロツク
よりも内側で上記定盤を支持する複数のポスト、
この複数のポスト及び上記一対のスペーサブロツ
クの下部に配置され、上記複数のポストと上記一
対のスペーサブロツクを支持するベースを備え、
上記一対のスペーサブロツクの高さ寸法は、型締
時における上記定盤の変形を抑制し得るように、
上記複数のポストの高さ寸法よりも予め小さく設
定すると共に、複数のポストのうち中央部側のポ
ストと他の外側のポストとは弾性圧縮変形寸法を
異なるように設定したので、定盤の各部分が異な
つて曲げ変形しようとすることを確実に防止で
き、型締時には均一な平面を得ることができる効
果がある。
をリードフレーム上に装着した後、合成樹脂によ
り封止成形する封止装置において、金型を固定す
る定盤、この定盤の下面部外側に対応して配置さ
れた一対のスペーサブロツク、弾性圧縮変形し得
る寸法に構成され、上記一対のスペーサブロツク
よりも内側で上記定盤を支持する複数のポスト、
この複数のポスト及び上記一対のスペーサブロツ
クの下部に配置され、上記複数のポストと上記一
対のスペーサブロツクを支持するベースを備え、
上記一対のスペーサブロツクの高さ寸法は、型締
時における上記定盤の変形を抑制し得るように、
上記複数のポストの高さ寸法よりも予め小さく設
定すると共に、複数のポストのうち中央部側のポ
ストと他の外側のポストとは弾性圧縮変形寸法を
異なるように設定したので、定盤の各部分が異な
つて曲げ変形しようとすることを確実に防止で
き、型締時には均一な平面を得ることができる効
果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す部分断面
図、第2図は一実施例のプレス型締圧作用時のパ
ーテイング面のタワミ曲線図、第3図、第4図は
従来の装置を示す断面図、第5図は従来装置のプ
レス型締圧作用時のパーテイング面のタワミ曲線
図である。 図中、1はチエイスブロツク、2は定盤、4は
スペーサブロツク、50,60はポスト、7はベ
ースである。なお、各図中、同一符号は同一又は
相当部分を示す。
図、第2図は一実施例のプレス型締圧作用時のパ
ーテイング面のタワミ曲線図、第3図、第4図は
従来の装置を示す断面図、第5図は従来装置のプ
レス型締圧作用時のパーテイング面のタワミ曲線
図である。 図中、1はチエイスブロツク、2は定盤、4は
スペーサブロツク、50,60はポスト、7はベ
ースである。なお、各図中、同一符号は同一又は
相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体素子をリードフレーム上に装着した
後、合成樹脂により封止成形する半導体素子の樹
脂封止方法において、金型を上面に装着した定盤
の下面中央側を、複数のポストで支持すると共に
この複数のポストよりも外側にスペーサブロツク
を設け、上記複数のポストを弾性圧縮変形し得る
寸法で構成し、その高さ寸法は上記スペーサブロ
ツクよりも高く設定し、型締時において、各ポス
トの撓み高さが同一平面となる位置で、半導体素
子を樹脂封止するようにした半導体素子の樹脂封
止方法。 2 半導体素子をリードフレーム上に装着した
後、合成樹脂により封止成形する封止装置におい
て、金型を固定する定盤、この定盤の下面部外側
に対応して配置された一対のスペーサブロツク、
弾性圧縮変形し得る寸法に構成され、上記一対の
スペーサブロツクよりも内側で上記定盤を支持す
るポスト、このポスト及び上記一対のスペーサブ
ロツクの下部に配置され、上記ポストと上記一対
のスペーサブロツクを支持するベースを備え、上
記一対のスペーサブロツクの高さ寸法は、型締時
における上記定盤の歪を抑制し得るように、上記
ポストの高さ寸法よりも予め小さく設定したこと
を特徴とする半導体素子の樹脂封止装置。 3 半導体素子をリードフレーム上に装着した
後、合成樹脂により封止成形する封止装置におい
て、金型を固定する定盤、この定盤の下面部外側
に対応して配置された一対のスペーサブロツク、
弾性圧縮変形し得る寸法に構成され、上記一対の
スペーサブロツクよりも内側で上記定盤を支持す
る複数のポスト、この複数のポスト及び上記一対
のスペーサブロツクの下部に配置され、上記複数
のポストと上記一対のスペーサブロツクを支持す
るベースを備え、上記一対のスペーサブロツクの
高さ寸法は、型締時における上記定盤の歪を抑制
し得るように、上記複数のポストの高さ寸法より
も予め小さく設定すると共に、複数のポストのう
ち中央部側のポストと他の外側のポストとは弾性
圧縮変形寸法を異なるように設定したことを特徴
とする半導体素子の樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16653385A JPS6226827A (ja) | 1985-07-27 | 1985-07-27 | 半導体素子の樹脂封止方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16653385A JPS6226827A (ja) | 1985-07-27 | 1985-07-27 | 半導体素子の樹脂封止方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226827A JPS6226827A (ja) | 1987-02-04 |
| JPH0535570B2 true JPH0535570B2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=15833056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16653385A Granted JPS6226827A (ja) | 1985-07-27 | 1985-07-27 | 半導体素子の樹脂封止方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6226827A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2531689B2 (ja) * | 1987-07-27 | 1996-09-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
| US5059379A (en) * | 1987-07-20 | 1991-10-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of resin sealing semiconductor devices |
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| JP4969328B2 (ja) * | 2007-06-13 | 2012-07-04 | 住友重機械工業株式会社 | 圧縮成形金型及び圧縮成形金型装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5290562A (en) * | 1976-01-24 | 1977-07-29 | Yamada Seisakusho Kk | Metal mold for molding lead frame |
| JPS5842101Y2 (ja) * | 1980-12-17 | 1983-09-22 | 富士通株式会社 | モ−ルド金型における下ランナ−板のフロ−テイング構造 |
| JPS5842101U (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-19 | 明浦 康子 | 窓付カフス |
-
1985
- 1985-07-27 JP JP16653385A patent/JPS6226827A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6226827A (ja) | 1987-02-04 |
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