JPH0536020A - 磁気ヘツド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 一対のヘッドコア基板に磁気記録媒体上のト
ラックピッチと略等しい段差Ｄを形成した後、一方のヘ
ッドコア基板の段差形成面上に強磁性金属薄膜を成膜
し、上記一方のヘッドコア基板に対し強磁性金属薄膜を
挾んで他方のヘッドコア基板を接合一体化してヘッドコ
アブロック８１を形成する。そして、上記ヘッドコアブ
ロック８１の上記段差位置に、アジマス角の略２倍相当
の角度αを持って互いに傾斜する一対の斜面８２ａ，８
２ｂを有する溝８２を上記強磁性金属薄膜が分断される
ように形成する。 【効果】 一対の磁気ギャップのトラック位置を正確な
ものとすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばディジタルＶＴ
Ｒ（ディジタルビデオテープレコーダ）等に使用して有
用な磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、カラービデオ信号をディジタル化
して磁気テープ等の磁気記録媒体に記録するディジタル
ＶＴＲ（ディジタルビデオテープレコーダ）としては、
放送局用のＤ１フォーマットのコンポーネント形のディ
ジタルＶＴＲ及びＤ２フォーマットのコンポジット形の
ディジタルＶＴＲが実用化されている。

【０００３】ところが、これらディジタルＶＴＲは、共
に放送局用に使用されることを前提として設計されてい
るため、画質最優先とされ、１サンプルが例えば８ビッ
トにＡ／Ｄ変換されたディジタルカラービデオ信号を実
質的に圧縮することなしに記録するようになされてい
る。このため、上述のディジタルＶＴＲでは、データの
記録密度としては約０．４９×１０⁵ ｂｉｔ／ｍｍ² で
あり、テープ幅１９ｍｍの磁気テープを用いた場合でも
高々１．５時間程度の再生時間しか得られず、民生用の
ＶＴＲとして使用するには適当でない。

【０００４】一方、例えば、５μｍのトラック幅に対し
て記録波長０．５μｍの信号を記録するようにすれば、
８×１０⁵ ｂｉｔ／ｍｍ² の高記録密度を実現すること
ができ、記録情報量を再生歪みが少ないような形で圧縮
する方法を併用することによって、テープ幅が８ｍｍ或
いはそれ以下の幅狭の磁気テープを使用しても長時間の
記録再生が可能となる。

【０００５】しかしながら、従来の家庭用ＶＴＲ等で用
いられている例えば回転ドラム上にアジマス角の異なる
一対の磁気ヘッドを１８０度相対向して搭載し、これら
磁気ヘッドで記録再生を行う方法では、回転ドラムの偏
心等により先行する磁気ヘッドによって記録されたトラ
ックと、１８０度相対向して配置された後続の磁気ヘッ
ドによって記録されたトラックとが平行にならず、部分
的に重なり合うという異常トラックパターンが発生す
る。このような異常トラックパターンが発生すると、先
行する磁気ヘッドによって記録された信号の一部が消去
され、十分な再生出力が得られずにビットエラーレート
が非常に高くなってしまうという不都合が生ずる。

【０００６】このような場合、例えば１つのヘッドベー
ス上にアジマス角の異なるいわゆる逆アジマスとなる２
つの磁気ヘッドをヘッド走行方向に相対向して近接して
設け、これら磁気ヘッドで同時に磁気テープに対して記
録再生する方法が有効である。すなわち、互いに異なる
アジマス角を有する逆アジマスの磁気ギャップを有した
一対の磁気ヘッドをヘッド走行方向に相対向して所定の
ギャップ間距離を持って近接配置し、且つ磁気テープ上
に記録される各トラックが一部重なるように磁気ギャッ
プ位置をトラックピッチ方向に所定距離ずらして配置す
るようにする。

【０００７】この場合、ディジタル画像信号の長時間記
録及びアフターレコーディングを考慮すると、相対向す
る磁気ヘッドのギャップ間距離をなるべく狭くする必要
がある。また、他方の磁気ヘッドからの隣接クロストー
クを考慮すると、磁気ヘッドのアジマス角を大きくする
ことが望ましい。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
磁気ヘッドにおいては、ディジタル画像信号の長時間記
録を考慮してギャップ間距離をなるべく小さくする必要
があるが、余り小さくすると相対向する磁気コア部のコ
ア幅が小さく、例えば６０μｍ程度しか取れなくなる。
このため、コア断面積の減少によりヘッド効率が低下
し、十分なビットエラーレートが確保できなくなる。

【０００９】また、磁気ヘッド自体も小さくなるため
に、ヘッドチップ加工が極めて難しくなり、生産性が劣
化する。さらには、同一のヘッドベース上に小さな磁気
ヘッドを所定のディメンションで配置する作業が極めて
困難となり、予め設定されギャップ間距離やトラック間
段差等の維持が難しくなる。このため、寸法精度が劣化
し、ディジタル画像信号の記録再生が劣化してしまう。

【００１０】そこで本発明は、上述の技術的課題を解決
するために提案されたものであって、相対向する磁気コ
ア半体のコア断面積を確保しつつヘッド効率を向上さ
せ、しかも寸法精度に優れたディジタル画像信号を記録
再生するのに良好な磁気ヘッドを提供することを目的す
る。さらに本発明は、寸法精度に優れた磁気ヘッドを簡
単に製造することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供
することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気ヘッドは、強磁性金属薄膜が基板に
挾み込まれてなり該強磁性金属薄膜の端面が臨む磁気ギ
ャップ形成面が斜面とされてなる第１の磁気コアと、上
記第１の磁気コアの磁気ギャップ形成面上にギャップ材
を介して成膜された強磁性金属薄膜からなる第２の磁気
コアとを有し、上記第１の磁気コアの強磁性金属薄膜の
端面と第２の磁気コアである強磁性金属薄膜の接合界面
に磁気ギャップが形成されてなる一対の磁気ヘッド素子
が隣接配置されてなり、上記各磁気ヘッド素子は、斜面
とされた第１の磁気コアの磁気ギャップ形成面同士が互
いに対向するように配置され、一対の磁気ギャップが互
いに異なる向きのアジマス角を有するように配置される
とともに、これら磁気ギャップが、トラックピッチ方向
において磁気記録媒体上のトラックピッチと略等しい段
差を有し、且つヘッド走行方向において所定のギャップ
間段差を有するように配置されてなるものである。

【００１２】さらに本発明にかかる磁気ヘッドの製造方
法は、一対のヘッドコア基板に磁気記録媒体上のトラッ
クピッチと略等しい段差を形成する工程と、一方のヘッ
ドコア基板の段差形成面上に強磁性金属薄膜を成膜する
工程と、上記ヘッドコア基板に対し強磁性金属薄膜を挾
んで他方のヘッドコア基板を接合一体化してヘッドコア
ブロックを形成する工程と、上記ヘッドコアブロックの
上記段差位置に、アジマス角の略２倍相当の角度を持っ
て互いに傾斜する一対の斜面を有する溝を上記強磁性金
属薄膜が分断されるように形成する工程と、上記溝の各
斜面上に強磁性金属薄膜を成膜する工程とを有してなる
ものである。

【００１３】さらに本発明にかかる磁気ヘッドの製造方
法は、磁気記録媒体上のトラックピッチに相当する段差
をＤとし、ヘッド走行方向におけるギャップ間段差をＧ
Ｌとしたときに、θ＝ｔａｎ^-1（Ｄ／ＧＬ）なる傾斜を
一対のヘッドコア基板にそれぞれ形成する工程と、一方
のヘッドコア基板の傾斜面上に強磁性金属薄膜を成膜す
る工程と、上記ヘッドコア基板に対し強磁性金属薄膜を
挾んで他方のヘッドコア基板を接合一体化してヘッドコ
アブロックを形成する工程と、上記ヘッドコアブロック
に、アジマス角の略２倍相当の角度を持って互いに傾斜
する一対の斜面を有する溝を上記強磁性金属薄膜が分断
されるように形成する工程と、上記溝の各斜面上に強磁
性金属薄膜を成膜する工程とを有してなるものである。

【００１４】

【作用】例えば、２つの磁気ヘッドを回転ドラムに１８
０度相対向して配置してなる磁気ヘッドを用いて記録再
生した場合には、回転ドラムの偏心等により、先行する
磁気ヘッドによって記録されたトラックと、１８０度相
対向して配置された後続の磁気ヘッドによって記録され
たトラックとが平行にならず、部分的に重なり合うとい
う異常トラックパターンが発生し、先行する磁気ヘッド
によって記録された信号の一部が消去され、十分な再生
出力が得られずビットエラーレートが非常に高くなる。

【００１５】しかしながら、本発明にかかる磁気ヘッド
においては、互いに異なる向きのアジマス角を有する一
対の磁気ギャップを有した１つの磁気ヘッドを回転ドラ
ムに搭載して記録再生するものであるので、回転ドラム
が偏心していても異常トラックパターンが発生しない。
また、本発明においては、互いに異なる向きのアジマス
角とされた一対の磁気ギャップを有した１つの磁気ヘッ
ドからなるので、２つの磁気ヘッドを別々に作製してヘ
ッドベース上に貼り付けた磁気ヘッドに比べて遥かに寸
法精度が高い。

【００１６】一方、本発明にかかる磁気ヘッドの製造方
法においては、予めヘッドコア基板に磁気記録媒体上の
トラックピッチと略等しい段差を形成しているので、ア
ジマス角の略２倍相当の角度を持った互いに傾斜する一
対の斜面を有する溝を入れた時点で、同時に一対の磁気
ギャップが形成されるとともに、それら磁気ギャップの
トラック位置が決まる。

【００１７】また、本発明にかかる磁気ヘッドの製造方
法においては、磁気記録媒体上のトラックピッチに相当
する段差をＤとし、ヘッド走行方向におけるギャップ間
段差をＧＬとしたときに、θ＝ｔａｎ^-1（Ｄ／ＧＬ）な
る傾斜をヘッドコア基板に形成しているので、第１の発
明に係る方法と同様にアジマス角の略２倍相当の角度を
持った互いに傾斜する一対の斜面を有する溝を入れた時
点で、同時に一対の磁気ギャップが形成されるととも
に、それら磁気ギャップのトラック位置が決まる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら説明する。第１の実施例 本実施例は、記録情報量を再生歪みの少ない形で圧縮
し、トラック幅５μｍ以下とし記録波長０．５μｍで８
×１０⁵ ｂｉｔ／ｍｍ² 以上の高記録密度を持って、ビ
ットエラーレートの少ない形でテープ幅８ｍｍ以下の幅
狭の磁気テープに対して互いに異なる向きのアジマス角
を有する一対の磁気ギャップを有した１つの磁気ヘッド
により、ディジタル画像信号の長時間記録再生を可能と
した例である。

【００１９】先ず、記録情報量を再生歪みの少ない形で
圧縮する方法について図面を参照しながら説明する。こ
の方法は、入力ディジタル画像信号を複数の画素データ
からなるブロック単位のデータに変換してブロック化
し、該ブロック化されたデータをブロック単位に圧縮符
号化し、該圧縮符号化されたデータをチャンネル符号化
し、該チャンネル符号化されたデータを回転ドラムに装
着された本実施例の磁気ヘッドによって磁気テープに記
録するものである。以下、記録側の構成と再生側の構成
とに分けて説明する。

【００２０】図１は記録側の構成全体を示すものであ
り、１Ｙ、１Ｕ、１Ｖでそれぞれ示す入力端子に、例え
ばカラービデオカメラからの三原色信号Ｒ，Ｇ，Ｂから
形成されたディジタル輝度信号Ｙ、ディジタル色差信号
Ｕ、Ｖが供給される。この場合、各信号のクロックレー
トはＤ１フォーマットの各コンポーネント信号の周波数
と同一とされる。すなわち、それぞれのサンプリング周
波数が１３．５ＭＨｚ、６．７５ＭＨｚとされ、且つこ
れらの１サンプル当たりのビット数が８ビットとされて
いる。したがって、入力端子１Ｙ、１Ｕ、１Ｖに供給さ
れる信号のデータ量としては、約２１６Ｍｂｐｓとな
る。この信号のうちブランキング時間のデータを除去
し、有効領域の情報のみを取り出す有効情報抽出回路２
によってデータ量が約１６７Ｍｂｐｓに圧縮される。

【００２１】有効情報抽出回路２の出力のうちの輝度信
号Ｙが周波数変換回路３に供給され、サンプリング周波
数が１３．５ＭＨｚからその３／４に変換される。この
周波数変換回路３としては、例えば間引きフィルタが使
用され、折り返し歪みが生じないようになされている。
周波数変換回路３の出力信号がブロック化回路５に供給
され、輝度データの順序がブロックの順序に変換され
る。ブロック化回路５は、後段に設けられたブロック符
号化回路８のために設けられている。

【００２２】図３は、符号化の単位のブロックの構造を
示す。この例は、３次元ブロックであって、例えば２フ
レームに跨がる画面を分割することにより、同図に示す
ように（４ライン×４画素×２フレーム）の単位ブロッ
クが多数形成される。なお、図３において実線は奇数フ
ィールドのラインを示し、破線は偶数フィールドのライ
ンを示す。

【００２３】また、有効情報抽出回路２の出力のうち、
２つの色差信号Ｕ、Ｖがサブサンプリング及びサブライ
ン回路４に供給され、サンプリング周波数がそれぞれ
６．７５ＭＨｚからその半分に変換された後、２つのデ
ィジタル色差信号が互いにライン毎に選択され、１チャ
ンネルのデータに合成される。したがって、このサブサ
ンプリング及びサブライン回路４からは線順次化された
ディジタル色差信号が得られる。このサブサンプリング
及びサブライン回路４によってサブサンプル及びサブラ
イン化された信号の画素構成を図４に示す。図４中、○
は第１の色差信号Ｕのサブサンプリング画素を示し、△
は第２の色素信号Ｖのサンプリング画素を示し、×はサ
ブサンプルによって間引かれた画素の位置を示す。

【００２４】サブサンプリング及びサブライン回路４の
線順次化出力信号がブロック化回路６に供給される。ブ
ロック化回路６では一方のブロック化回路５と同様に、
テレビジョン信号の走査の順序の色差データがブロック
の順序のデータに変換される。このブロック化回路６
は、一方のブロック化回路５と同様に、色差データを
（４ライン×４画素×２フレーム）のブロック構造に変
換する。そしてこれらブロック化回路５及びブロック化
回路６の出力信号が合成回路７に供給される。

【００２５】合成回路７では、ブロックの順序に変換さ
れた輝度信号及び色差信号が１チャンネルのデータに変
換され、合成回路７の出力信号がブロック符号化回路８
に供給される。このブロック符号化回路８としては、後
述するようにブロック毎のダイナミックレンジに適応し
た符号化回路（ＡＤＲＣと称する。）、ＤＣＴ（Ｄｉｓ
ｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）回路
等が適用できる。ブロック符号化回路８の出力信号がフ
レーム化回路９に供給され、フレーム構造のデータに変
換される。このフレーム化回路９では、画素系のクロッ
クと記録系のクロックとの乗り換えが行われる。

【００２６】フレーム化回路９の出力信号がエラー訂正
符号のパリティ発生回路１０に供給され、エラー訂正符
号のパリティが生成される。パリティ発生回路１０の出
力信号がチャンネルエンコーダ１１に供給され、記録デ
ータの低域部分を減少させるようなチャンネルコーディ
ングがなされる。チャンネルエンコーダ１１の出力信号
が記録アンプ１２Ａ，１２Ｂと回転トランス（図示は省
略する。）を介して一対の磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂに
供給され、磁気テープに記録される。なお、オーディオ
信号と、ビデオ信号とは別に圧縮符号化され、チャンネ
ルエンコーダ１１に供給される。

【００２７】上述の信号処理によって、入力のデータ量
２１６Ｍｂｐｓが有効走査期間のみを抽出するによって
約１６７Ｍｂｐｓに低減され、さらに周波数変換とサブ
サンプル、サブラインとによってこれが８４Ｍｂｐｓに
減少される。このデータは、ブロック符号化回路８で圧
縮符号化することにより、約２５Ｍｂｐｓに圧縮され、
その後のパリティ、オーディオ信号等の付加的な情報を
加えて、記録データ量としては３１．５６Ｍｂｐｓとな
る。

【００２８】次に、再生側の構成について図２を参照し
ながら説明する。図２において磁気ヘッド１３Ａ，１３
Ｂからの再生データが回転トランス及び再生アンプ１４
Ａ，１４Ｂを介してチャンネルデコーダ１５に供給され
る。チャンネルデコーダ１５において、チャンネルコー
ディングの復調がされ、チャンネルデコーダ１５の出力
信号がＴＢＣ回路（時間軸補正回路）１６に供給され
る。このＴＢＣ回路１６において、再生信号の時間軸変
動成分が除去される。ＴＢＣ回路１６からの再生データ
がＥＣＣ回路１７に供給され、エラー訂正符号を用いた
エラー訂正とエラー修整とが行われる。ＥＣＣ回路１７
の出力信号がフレーム分解回路１８に供給される。

【００２９】フレーム分解回路１８によって、ブロック
符号化データの各成分がそれぞれ分離されるとともに、
記録系のクロックから画素系のクロックへの乗り換えが
なされる。フレーム分解回路１８で分離された各データ
がブロック複号回路１９に供給され、各ブロック単位に
原データと対応する復元データが複号され、複号データ
が分配回路２０に供給される。この分配回路２０で複号
データが輝度信号と色差信号に分離される。輝度信号及
び色差信号がブロック分解回路２１，２２にそれぞれ供
給される。ブロック分解回路２１，２２は、送信側のブ
ロック化回路５，６とは逆に、ブロックの順序の複号デ
ータをラスター走査の順に変換する。

【００３０】ブロック分解回路２１からの複号輝度信号
が補間フィルタ２３に供給される。補間フィルタ２３で
は、輝度信号のサンプリングレートが３ｆｓから４ｆｓ
（４ｆｓ＝１３．５ＭＨｚ）に変換される。補間フィル
タ２３からのディジタル輝度信号Ｙは出力端子２６Ｙに
取り出される。

【００３１】一方、ブロック分解回路２２からのディジ
タル色差信号が分配回路２４に供給され、線順次化され
たディジタル色差信号Ｕ，Ｖがディジタル色差信号Ｕ及
びＶにそれぞれ分離される。分配回路２４からのディジ
タル色差信号Ｕ，Ｖが補間回路２５に供給され、それぞ
れ補間される。補間回路２５は、復元された画素データ
を用いて間引かれたライン及び画素のデータを補間する
もので、補間回路２５からはサンプリングレートが２ｆ
ｓのディジタル色差信号Ｕ及びＶが得られ、出力端子２
６Ｕ，２６Ｖにそれぞれ取り出される。

【００３２】ところで上述のブロック符号化回路８とし
ては、ＡＤＲＣ（ＡｄａｐｔｉｖｅＤｙｎａｍｉｃ Ｒ
ａｎｇｅ Ｃｏｄｉｎｇ）エンコーダが用いられる。こ
のＡＤＲＣエンコーダは、各ブロックに含まれる複数の
画素データの最大値ＭＡＸと最小値ＭＩＮを検出し、こ
れら最大値ＭＡＸ及び最小値ＭＩＮからブロックのダイ
ナミックレンジＤＲを検出し、このダイナミックレンジ
ＤＲに適応した符号化を行い、原画素データのビット数
よりも少ないビット数により、再量子化を行うものであ
る。ブロック符号化回路８の他の例としては、各ブロッ
クの画素データをＤＣＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ Ｃｏｓｉ
ｎｅ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）した後、このＤＣＴで得ら
れた係数データを量子化し、量子化データをランレング
ス・ハフマン符号化して圧縮符号化する構成を用いても
よい。

【００３３】ここでは、ＡＤＲＣエンコーダを用い、さ
らにマルチダビングした時にも画質劣化が生じないエン
コーダの例を図５を参照しながら説明する。図５におい
て、入力端子２７に例えば１サンプルが８ビットに量子
化されたディジタルビデオ信号（或いはディジタル色差
信号）が図１の合成回路７より入力される。入力端子２
７からのブロック化データが最大値，最小値検出回路２
９及び遅延回路３０に供給される。最大値，最小値検出
回路２９は、ブロック毎に最小値ＭＩＮ、最大値ＭＡＸ
を検出する。遅延回路３０からは、最大値及び最小値が
検出されるのに要する時間、入力データを遅延させる。
遅延回路３０からの画素データが比較回路３１及び比較
回路３２に供給される。

【００３４】最大値，最小値検出回路２９からの最大値
ＭＡＸが減算回路３３に供給され、最小値ＭＩＮが加算
回路３４に供給される。これらの減算回路３３及び加算
回路３４には、ビットシフト回路３５から４ビット固定
長でノンエッジマッチング量子化した場合の１量子化ス
テップ幅の値（△＝１／１６ＤＲ）が供給される。ビッ
トシフト回路３５は、（１／１６）の割算を行うよう
に、ダイナミックレンジＤＲを４ビットシフトする構成
とされている。減算回路３３からは（ＭＡＸ−△）のし
きい値が得られ、加算回路３４からは（ＭＩＮ＋△）の
しきい値が得られる。これらの減算回路３３及び加算回
路３４からのしきい値が比較回路３１，３２にそれぞれ
供給される。なお、このしきい値を規定する値△は、量
子化ステップ幅に限らず、ノイズレベルに相当する固定
値としてもよい。

【００３５】比較回路３１の出力信号がＡＮＤゲート３
６に供給され、比較回路３２の出力信号がＡＮＤゲート
３７に供給される。ＡＮＤゲート３６及びＡＮＤゲート
３７には、遅延回路３０からの入力データが供給され
る。比較回路３１の出力信号は、入力データがしきい値
より大きい時にハイレベルとなり、したがってＡＮＤゲ
ート３６の出力端子には、（ＭＡＸ〜ＭＡＸ−△）の最
大レベル範囲に含まれる入力データの画素データが抽出
される。一方、比較回路３２の出力信号は、入力データ
がしきい値より小さい時にハイレベルとなり、したがっ
てＡＮＤゲート３７の出力端子には、（ＭＩＮ〜ＭＩＮ
＋△）の最小レベル範囲に含まれる入力データの画素デ
ータが抽出される。

【００３６】ＡＮＤゲート３６の出力信号が平均化回路
３８に供給され、ＡＮＤゲート３７の出力信号が平均化
回路３９に供給される。これらの平均化回路３８，３９
は、ブロック毎に平均値を算出するもので、端子４０か
らブロック周期のリセット信号が平均化回路３８，３９
に供給されている。平均化回路３８からは、（ＭＡＸ〜
ＭＡＸ−△）の最大レベル範囲に属する画素データの平
均値ＭＡＸ´が得られ、平均化回路３９からは（ＭＩＮ
〜ＭＩＮ＋△）の最小レベル範囲に属する画素データの
平均値ＭＩＮ´が得られる。平均値ＭＡＸ´から平均値
ＭＩＮ´が減算回路４１で減算され、減算回路４１から
ダイナミックレンジＤＲ´が得られる。

【００３７】また、平均値ＭＩＮ´が減算回路４２に供
給され、遅延回路４３を介された入力データから平均値
ＭＩＮ´が減算回路４２において減算され、最小値除去
後のデータＰＤＩが形成される。このデータＰＤＩ及び
修整されたダイナミックレンジＤＲ´が量子化回路４４
に供給される。この実施例では、量子化に割り当てられ
るビット数ｎが０ビット（コード信号を転送しない）、
１ビット、２ビット、３ビット、４ビットの何れかとさ
れる可変長のＡＤＲＣであって、エッジマッチング量子
化がなされる。割り当てビット数ｎは、ブロック毎にビ
ット数決定回路４５において決定され、ビット数ｎのデ
ータが量子化回路４４に供給される。

【００３８】可変長ＡＤＲＣは、ダイナミックレンジＤ
Ｒ´が小さいブロックでは、割り当てビット数ｎを少な
くし、ダイナミックレンジＤＲ´が大きいブロックで
は、割り当てビット数ｎを多くすることで、効率の良い
符号化を行うことができる。すなわち、ビット数ｎを決
定する際のしきい値をＴ１〜Ｔ４（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜
Ｔ４）とすると、（ＤＲ´＜Ｔ１）のブロックは、コー
ド信号が転送されず、ダイナミックレンジＤＲ´の情報
のみが転送され、（Ｔ１≦ＤＲ´＜Ｔ２）のブロック
は、（ｎ＝１）とされ、（Ｔ２≦ＤＲ´＜Ｔ３）のブロ
ックは、（ｎ＝２）とされ、（Ｔ３≦ＤＲ´＜Ｔ４）の
ブロックは、（ｎ＝３）とされ、（ＤＲ´≧Ｔ４）のブ
ロックは、（ｎ＝４）とされる。

【００３９】かかる可変長ＡＤＲＣではしきい値Ｔ１〜
Ｔ４を変えることで、発生情報量を制御すること（いわ
ゆるバッファリング）ができる。したがって、１フィー
ルド或いは、１フレーム当たりの発生情報量を所定値に
することが要求されるこの発明のディジタルビデオテー
プレコーダのような伝送路に対しても可変長ＡＤＲＣを
適用できる。

【００４０】発生情報量を所定値にするためのしきい値
Ｔ１〜Ｔ４を決定するバッファリング回路４６では、し
きい値の組（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が複数例えば３
２組用意されており、これらのしきい値の組がパラメー
タコードＰｉ（ｉ＝０、１、２・・・・３１）により区
別される。パラメータコードＰｉの番号ｉが大きくなる
に従って、発生情報量が単調に減少するように設定され
ている。ただし、発生情報量が減少するに従って、復元
画像の画質が劣化する。

【００４１】バッファリング回路４６からのしきい値Ｔ
１〜Ｔ４が比較回路４７に供給され、遅延回路４８を介
されたダイナミックレンジＤＲ´が比較回路４７に供給
される。遅延回路４８は、バッファリング回路４６でし
きい値の組が決定されるのに要する時間、ＤＲ´を遅延
させる。比較回路４７では、ブロックのダイナミックレ
ンジＤＲ´と各しきい値とがそれぞれ比較され、比較出
力がビット数決定回路４５に供給され、そのブロックの
割り当てビット数ｎが決定される。量子化回路４４で
は、ダイナミックレンジＤＲ´と割り当てビット数ｎと
を用いて遅延回路４９を介された最小値除去後のデータ
ＰＤＩがエッジマッチングの量子化により、コード信号
ＤＴに変換される。量子化回路４４は、例えばＲＯＭで
構成されている。

【００４２】遅延回路４８、５０をそれぞれ介して修整
されたダイナミックレンジＤＲ´、平均値ＭＩＮ´が出
力され、さらにコード信号ＤＴとしきい値の組を示すパ
ラメータコードＰｉが出力される。この例では、一旦ノ
ンエッジマッチ量子化された信号が新たにダイナミック
レンジ情報に基づいて、エッジマッチ量子化されている
ためにダビングした時の画像劣化は少ないものとされ
る。

【００４３】次に、上述のチャンネルエンコーダ１１及
びチャンネルデコーダ１５について説明する。チャンネ
ルエンコーダ１１においては、図６に示すように、パリ
ティ発生回路１０の出力が供給される適応型スクランブ
ル回路で、複数のＭ系列のスクランブル回路５１が用意
され、その中で入力信号に対し最も高周波成分及び直流
成分の少ない出力が得られるようなＭ系列が選択される
ように構成されている。パーシャルレスポンス・クラス
４検出方式のためのプリコーダ５２で、１／１−Ｄ
² （Ｄは単位遅延用回路）の演算処理がなされる。この
プリコーダ５２の出力を記録アンプ１２Ａ，１３Ａを介
して磁気ヘッド１３Ａ，１３Ｂにより、記録再生し、再
生出力を再生アンプ１４Ａ，１４Ｂによって増幅するよ
うになされている。

【００４４】一方、チャンネルデコーダ１５において
は、図７に示すように、パーシャルレスポンス・クラス
４の再生側の演算処理回路５３は、１＋Ｄの演算が再生
アンプ１４Ａ，１４Ｂの出力に対して行われる。また、
いわゆるビタビ複号回路５４においては、演算処理回路
５３の出力に対してデータの相関性や確からしさ等を用
いた演算により、ノイズに強いデータの複号が行われ
る。このビタビ複号回路５４の出力がディスクランブル
回路５５に供給され、記録側のスクランブル処理によっ
て並び変えられたデータが元の系列に戻されて原データ
が復元される。この実施例において用いられるビタビ複
号回路５４によって、ビット毎の複号を行う場合より
も、再生Ｃ／Ｎ換算が３ｄＢで改良が得られる。

【００４５】次に、上述の方法によってチャンネル符号
化されたデータを磁気テープに記録する本実施例にかか
る磁気ヘッドについて説明する。本実施例の磁気ヘッド
は、図８及び図９に示すように、アジマス角θ₁ を有す
る磁気ギャップｇ₁ を構成する第１の磁気コア５６と第
２の磁気コア５７よりなる第１の磁気ヘッド素子と、ア
ジマス角θ₂ を有する磁気ギャップｇ₂ を構成する第３
の磁気コア５８と第４の磁気コア５９よりなる第２の磁
気ヘッド素子とからなり、これら磁気ヘッド素子が非磁
性材６０によって所定の位置関係を持って接合一体化さ
れて構成されている。なお、磁気ギャップｇ₁ を構成す
る第１の磁気コア５６と第２の磁気コア５７よりなる第
１の磁気ヘッド素子が前述の図１及び図２に示す磁気ヘ
ッド１３Ａに相当し、磁気ギャップｇ₂ を構成する第３
の磁気コア５８と第４の磁気コア５９よりなる第２の磁
気ヘッド素子が同様に磁気ヘッド１３Ｂに相当する。

【００４６】上記第１の磁気コア５６と第３の磁気コア
５８は、いずれも厚みの異なる一対の基板６１，６２及
び６３，６４と強磁性金属薄膜６５，６６より構成さ
れ、これら一対の基板６１，６２及び６３，６４で強磁
性金属薄膜６５，６６を挾み込んだいわゆるラミネート
構造とされている。なお、上記第１の磁気コア５６の下
側に設けられる基板６２は、ヘッド走行方向でこれと対
向する第３の磁気コア５８の基板６４より若干厚みが厚
くなされており、その厚みの差は磁気テープ上のトラッ
クピッチＰと同じとされている。

【００４７】これら第１の磁気コア５６と第３の磁気コ
ア５８には、それぞれ第２の磁気コア５７及び第４の磁
気コア５９との対向面に記録信号を供給し或いは磁気テ
ープからの再生信号を取り出すためのコイル（図示は省
略する。）を巻装させる断面略矩形状のコイル巻線溝６
７，６８が形成されている。これらコイル巻線溝６７，
６８のうち磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ が呈する磁気記録媒
体対接面６９側の傾斜面６７ａ，６８ａは、上記磁気ギ
ャップｇ₁ ，ｇ₂ のデプスを規制する役目をするように
なっている。

【００４８】また、上記強磁性金属薄膜６５の端面が臨
む第１の磁気コア５６の上記第２の磁気コア５７との対
向面，つまり磁気ギャップ形成面５６ａ及び上記強磁性
金属薄膜６６の端面が臨む第３の磁気コア５８の上記第
４の磁気コア５９との対向面，つまり磁気ギャップ形成
面５８ａは、磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ にアジマスを付与
することから、いずれもそれぞれの磁気ギャップｇ₁ ，
ｇ₂ に付与するアジマス角と同一の角度を持って互いに
異なる向きに傾斜されている。

【００４９】そして、上記第１の磁気コア５６と第３の
磁気コア５８においては、上記基板６１，６２，６３，
６４のうち磁気記録媒体対面６９よりコイル巻線溝６
７，６８の傾斜面６７ａ，６８ａの基端部までが非磁性
材料よりなる基板６１ａ，６２ａ，６３ａ，６４ａとさ
れ、その傾斜面６７ａ，６８ａの基端部よりバック側の
後端部までがフェライト等の酸化物磁性材料よりなる基
板６１ｂ，６２ｂ，６３ｂ，６４ｂとされている。した
がって、これら第１の磁気コア５６と第３の磁気コア５
８とは、バック部でフェライトよりなる基板６１ｂ，６
２ｂ，６３ｂ，６４ｂと強磁性金属薄膜６５，６６とで
磁路を構成し、磁気記録媒体対面６９側では強磁性金属
薄膜６５，６６のみにより磁路を構成することになる。

【００５０】上記強磁性金属薄膜６５，６６には、高飽
和磁束密度を有し且つ軟磁気特性に優れた強磁性材料が
使用される。かかる強磁性材料としては、Ｆｅ−Ａｌ−
Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合
金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ
−Ｇａ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金等の強磁性金属材料、或いはＦ
ｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金、さらには上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ
系合金の耐蝕性や耐摩耗性の一層の向上を図るために、
Ｆｅ，Ｇａ，Ｃｏ（Ｆｅの一部をＣｏで置換したものを
含む。），Ｓｉを基本組成とする合金に、Ｔｉ，Ｃｒ，
Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒ
ｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖの少なく
とも一種を添加したものであってもよい。

【００５１】また、強磁性非晶質合金、いわゆるアモル
ファス合金（例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの一つ以上の元
素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの一つ以上の元素とからなる合
金、またはこれを主成分としＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓｎ，
Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈ，Ｎｂ等
を含んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス合
金、或いはＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素
等を主成分とするメタル−メタル系アモルファス合金）
等も使用される。

【００５２】これら強磁性材料の中でも、８×１０⁵ ｂ
ｉｔ／ｍｍ² 以上の高記録密度を可能なものとなすこと
から、特に飽和磁束密度が１４ｋＧ以上のものがより好
適であり、例えば飽和磁束密度１４．５ｋＧのＦｅ−Ｇ
ａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金が好ましい。このような高飽和磁
束密度を有する強磁性材料を使用すれば、高抗磁力の磁
気テープに対しても磁気飽和を生じることなく記録が行
える。上記強磁性材料の膜付け方法としては、真空薄膜
形成技術、例えば蒸着法，スパッタリング法，イオンプ
レーティング法等が挙げられる。

【００５３】一方、第２の磁気コア５７と第４の磁気コ
ア５９は、いずれも強磁性金属薄膜のみから構成されて
いる。これら第２の磁気コア５７と第４の磁気コア５９
は、それぞれ第１の磁気コア５６と第３の磁気コア５８
との対向面である磁気ギャップ形成面５６ａ，５８ａに
沿って所定の膜厚で磁気記録媒体対接面６９側よりこれ
とは反対側のバック面７０側に亘って連続膜して形成さ
れている。

【００５４】そして上述のように構成された第１の磁気
コア５６と第２の磁気コア５７及び第３の磁気コア５８
と第４の磁気コア５９とは、それぞれの磁気ギャップ形
成面５６ａ，５８ａにギャップ膜を介在させることによ
って閉磁路を構成するようになっている。したがって、
上記第１の磁気コア５６と第２の磁気コア５７の対向面
には、反時計回り方向に傾斜したアジマス角θ₁ を有す
る磁気ギャップｇ₁ が構成される。同様に、第３の磁気
コア５８と第４の磁気コア５９の対向面には、時計回り
方向に傾斜したアジマス角θ₂ を有する磁気ギャップｇ
₂ が構成される。なお、これら磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂
に付与されるアジマス角θ₁ ，θ₂ は、他方の磁気ギャ
ップからのクロストークを考慮して１０度以上とされ
る。本実施例では、上記磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のアジ
マス角θ₁ ，θ₂ を２０度とした。

【００５５】また、上記磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラ
ック幅Ｔｗ₁ ，Ｔｗ₁ は、一対の基板６１，６２及び６
３，６４でラミネートされたそれぞれの強磁性金属薄膜
６５，６６の膜厚で規制されている。すなわち、前記第
１の磁気コア５６及び第３の磁気コア５８の磁気記録媒
体対接面６９が非磁性材料で形成されているため、これ
ら第１の磁気コア５６と第３の磁気コア５８の強磁性金
属薄膜６５，６６の膜厚が、すなわち上記磁気ギャップ
ｇ₁ ，ｇ₂ のトラック幅Ｔｗ₁ ，Ｔｗ₂ となる。したが
って、上記強磁性金属薄膜６５，６６の膜厚を制御する
ことで、簡単に磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラック幅Ｔ
ｗ₁ ，Ｔｗ₂ を変えることができる。

【００５６】また、上記磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラ
ック幅Ｔｗ₁ ，Ｔｗ₂ は、ＡＴＦ（オートトラッキン
グ）の場合、隣接するトラックの信号を拾いながら記録
再生するので、磁気テープ上のトラックピッチＰより＋
０μｍ〜＋３μｍ広くすることが望ましい。ただし、磁
気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラック幅Ｔｗ₁ ，Ｔｗ₂ を余
り広げ過ぎると、再生時の隣接クロストークが大きくな
ってしまうため、上記の範囲が最も望ましい。具体的に
は、トラックピッチＰを１０μｍ以下とするので上記磁
気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラック幅Ｔｗ₁ ，Ｔｗ₂ は１
０μｍ〜１３μｍとなる。本実施例では、磁気テープ上
のトラックピッチＰを５μｍとするため、上記トラック
幅Ｔｗ₁ ，Ｔｗ₂ を７μｍとした。

【００５７】また、上記磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ は、図
８で示すトラックピッチ方向Ｙにこれら磁気ギャップｇ
₁ ，ｇ₂ によって記録される図１０で示す磁気テープ７
１上のトラックピッチＰと等しい段差Ｄを持って配置さ
れている。なお、ここに言う段差Ｄは、トラックピッチ
方向における各磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラック幅方
向での下端側の端部間距離を指す。また、上記段差Ｄ
は、磁気テープ７１上のトラックピッチＰを１０μｍ以
下とすることから、これに合わせて１０μｍ以下とす
る。本実施例では、磁気テープ７１上の記録トラックピ
ッチＰを５μｍとするので、上記段差Ｄをこれに合わせ
て５μｍとした。

【００５８】そしてさらに、これら磁気ギャップｇ₁ ，
ｇ₂ は、ヘッド走行方向Ｘに磁気テープ７１上のトラッ
ク間段差ｄと等しい段差ＧＬを持って設けられている。
なお、ここに言うトラック間段差ｄは、各記録トラック
７２，７３の記録領域のヘッド走行方向での端部間距離
を指す。上記段差ＧＬは、ヘッド走行方向における各磁
気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラック幅Ｔｗ₁ ，Ｔｗ₂ のセ
ンター間距離を指す。

【００５９】ここでの段差ＧＬは、長時間記録を目的と
するため画像信号の記録領域の確保から選定され、例え
ば５００μｍ以下に設定される。上記段差ＧＬが５００
μｍを越えると、画像信号領域が狭くなり長時間再生に
不利となる。逆に、近すぎると相対向する磁気コア５
７，５９のコア厚が薄くなり、コア断面積の減少により
ヘッド効率が低下する。本実施例では、画像領域の確保
とヘッド効率を考慮して上記段差ＧＬを２００μｍとし
た。

【００６０】このように複合一体化されてなる磁気ヘッ
ドにおいては、ビデオテープレコーダの回転ドラムに取
付けられる。そして、上記回転ドラムが回転走査され、
当該回転ドラムの周面に沿って相対的に移送する磁気テ
ープ７１上に上記磁気ヘッドによって図１０に示す如く
記録パターンが形成される。このとき、一対の磁気ギャ
ップｇ₁ ，ｇ₂ のヘッド走行方向での段差ＧＬと磁気テ
ープ７１上のトラック間段差ｄとが等しくなるように、
単位時間当たりの磁気テープ７１の移送量と磁気ヘッド
の回転数が定められる。

【００６１】上記磁気ヘッドにより記録される磁気テー
プ７１上の記録トラック７２，７３は、先行する磁気ギ
ャップｇ₁ で記録された記録トラック７２の一部が後続
する磁気ギャップｇ₁ で記録される記録トラック７３に
よって重ね書き（オーバーライト）され、結果として図
１０に示すようにトラックピッチＰ＝５μｍで記録され
ることになる。

【００６２】また、上記磁気ヘッドにより記録される磁
気テープ７１上の記録トラック７２，７３は、上記一対
の磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のヘッド走行方向での段差Ｇ
Ｌと等しい段差ｄを持って同時に記録されることにな
る。したがって、これら磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ は、そ
れぞれの記録トラック７２，７３の画像領域７２ａ，７
３ａ又は第１の音声領域７２ｂ，７３ｂ或いは第２の音
声領域７２ｃ，７３ｃの端部に同時に到達する。この結
果、音声信号を後で記録するアフターレコーディングを
行う場合には、他の信号に影響を与えることなく各信号
のアフターレコーディグが良好に行える。

【００６３】なお、上記一対の磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂
のヘッド走行方向での段差ＧＬを上記トラック間段差ｄ
に一致させなくてもアフターレコーディグを良好に行う
ことができる。例えば、先行する磁気ギャップｇ₁ が第
１の音声領域７２ｂに到達したときに、他方の磁気ギャ
ップｇ₂ が画像領域７３ａと第１の音声領域７３ｂとの
間に設けられる音声信号や映像信号等が記録されていな
いインターギャップ領域７３ｄ内にあるようにすれば、
つまりギャップ間段差を図１０に示すようにＧＬ´とす
ることにより、音声信号のアフターレコーディグを行う
際に画像の乱れを防止することができる。同様に、一方
の磁気ギャップｇ₁ が第２の音声領域７２ｃに達したと
きに、他方の磁気ギャップｇ₂ が第１の音声領域７３ｂ
と第２の音声領域７３ｃとの間に設けられるインターギ
ャップ領域７３ｅ内にあれば、アフターレコーディグが
良好に行える。

【００６４】また、２つの磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ によ
って同時に記録再生を行うので、テープ幅８ｍｍ以下と
した磁気テープ７１に対して記録密度８×１０⁵ ｂｉｔ
／ｍｍ² 以上の高記録密度で記録再生しても、異常トラ
ックパターンによるビットエラーレートが高くなること
なくディジタル画像信号の長時間記録再生が可能とな
る。

【００６５】ここで例えば、互いに異なる向きのアジマ
ス角を有した２つの磁気ヘッドを回転ドラムに１８０度
相対向して配置し、同様にして８×１０⁵ｂｉｔ／ｍｍ
² 以上の高記録密度で８ｍｍ幅の磁気テープ７１に対し
て記録再生した場合には、回転ドラムの偏心等により、
先行する磁気ヘッドによって記録されたトラックと、１
８０度相対向して配置された後続の磁気ヘッドにより記
録されたトラックとが一部重なる異常トラックパターン
が発生する。このため、先行する磁気ヘッドによって記
録された信号の一部が消去され、十分な再生出力が得ら
れずビットエラーレートが非常に高くなってしまう。し
かしながら、本実施例の磁気ヘッドにおいては、１つの
磁気ヘッドに２つの磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ が所定の位
置関係を持って配置されているので、回転ドラムの偏心
等があってもこれら磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ で記録され
る記録トラック７２，７３は共に同一方向に傾き、他方
の記録トラックにオーバーラップするようなことがな
い。したがって、十分な再生出力が得られ、ビットエラ
ーレートが高くならない。

【００６６】次に、上述の磁気ヘッドを作製する方法に
ついて説明する。先ず、図１１に示すように、フェライ
トよりなる基板７４と非磁性材料よりなる基板７５とが
側面を接合面として接合一体化されたヘッドコア基板７
６に対し、その一主面７６ａに磁気テープ７１上のトラ
ックピッチＰと等しい段差Ｄを磁気テープ７１との対接
面となる一側面７６ｂから他側面７６ｃ側に亘って切削
加工する。本実施例では、上記段差Ｄは５μｍとした。

【００６７】同様に、上記ヘッドコア基板７６と全く同
じ構成のフェライトよりなる基板７７と非磁性材料より
なる基板７８とが接合一体化されたヘッドコア基板７９
に対し、磁気テープ７１上のトラックピッチＰと略等し
い段差Ｄを形成する。

【００６８】次に、図１３に示すように、一方のヘッド
コア基板７６の段差Ｄを設けた段差形成面７６ａ上に強
磁性金属薄膜８０を被着形成する。このときの強磁性金
属薄膜８０の膜厚は、ＡＴＦ（オートトラッキング）を
考慮して磁気テープ７１上の記録トラック７２，７３の
トラックピッチＰ寸法よりも若干大きくする。なお、本
実施例では、上記強磁性金属薄膜８０の膜厚は７μｍと
した。次いで、図１４に示すように、上記強磁性金属薄
膜８０を挾んで他方のヘッドコア基板７９を一方のヘッ
ドコア基板７６上に重ね合わせ接合一体化してヘッドコ
アブロック８１を形成する。

【００６９】次に、上記ヘッドコアブロック８１の前記
段差位置に、アジマス角の略２倍相当の角度αを持って
互いに傾斜する一対の斜面８２ａ，８２ｂを有する断面
略Ｖ字状の溝８２を、図１５に示すように、上記強磁性
金属薄膜８０が分断されるように且つ該強磁性金属薄膜
８０の膜厚の中心位置でのヘッド走行方向における距離
がギャップ間段差ＧＬとなるように、当該ヘッドコアブ
ロック８１の一側面８１ａから他側面８１ｂに亘って形
成する。なお本実施例では、上記一対の磁気ギャップｇ
₁ ，ｇ₂ のアジマス角θ₁ ，θ₂ はいずれも２０゜とす
るため、上記Ｖ字状をなす溝８２のなす角度αをその２
倍の４０゜とした。また、このときの上記溝８２の深さ
は、ヘッドコアブロック８１が分断されないように、且
つ少なくとも完成後の磁気ヘッドのコア厚さよりも深く
なるようする。

【００７０】この結果、一方のヘッドコア基板７９が２
つ分断され、フェライトよりなる基板７７ａ，７７ｂと
非磁性材料よりなる基板７８ａ，７８ｂとの接合基板と
に２分される。同様に、強磁性金属薄膜８０が２つに分
断され、強磁性金属薄膜８０ａと強磁性金属薄膜８０ｂ
とに２分される。そして、その分断された強磁性金属薄
膜８０ａ，８０ｂは、厚み方向にトラックピッチＰと同
じ段差Ｄを持って設けられるとともに、その膜厚の中心
位置でのヘッド走行方向における距離がギャップ間段差
ＧＬとなる。

【００７１】次に、図１６に示すように、上記溝８２の
各斜面８２ａ，８２ｂ上にギャップ材を被着した後、金
属磁性材料をスパッタリングして強磁性金属薄膜８３を
形成する。なお、強磁性金属薄膜８３は、スパッタリン
グ等によって形成するため、上記溝８２の両側に呈する
ヘッドコアブロック８１の主面８１ａ上にも形成され
る。次いで、上記溝８２の内部をガラス８４で充填し、
ヘッドコアブロック８１の主面８１ａ上に積層されるギ
ャップ膜、強磁性金属薄膜８３、ガラス８４を研磨等に
よって除去する。この結果、図１７に示すように、上記
溝８２は強磁性金属薄膜８３、ガラス８４によって埋め
られた形となる。

【００７２】次に、上記ヘッドコアブロック８１を所定
のヘッドチップ厚になるように、その厚み方向から両面
研磨を行う。この結果、図１８に示すように、他方のヘ
ッドコア基板７４が２つに分断され、フェライトよりな
る基板７４ａ，７４ｂと非磁性材料よりなる基板７５
ａ，７５ｂ（図示は省略する。）との接合基板とに２分
される。同様に、上記溝８２内に形成された強磁性金属
薄膜８３が２つに分断され、強磁性金属薄膜８３ａと強
磁性金属薄膜８３ｂとに２分される。なお、これら分断
された強磁性金属薄膜８３ａ，８３ｂは、ガラス８４に
よって接合された状態にある。

【００７３】次に、図１９に示すように、上記Ｖ字状を
なす強磁性金属薄膜８３ａ，８３ｂと、ラミネートされ
る強磁性金属薄膜８０ａ，８０ｂを挾み込んだ一対のフ
ェライトよりなる基板７４ａ，７７ａ及び７４ｂ，７７
ｂとの界面に沿って、これらフェライトよりなる基板７
４ａ，７７ａ及び７４ｂ，７７ｂにコイルを巻装させる
ためのコイル巻線溝８５，８６を前面よりその中央部位
置までストレートに形成する。また、これとは反対の面
には、上記Ｖ字状をなす強磁性金属薄膜８３ａ，８３ｂ
と、非磁性材料よりなる基板７５ａ，７８ａ及び７５
ｂ，７８ｂとの界面に沿って、これら非磁性材料よりな
る基板７５ａ，７８ａ及び７５ｂ，７８ｂに上記コイル
巻線溝８５，８６の一部としてのＶ字状の溝８７，８８
を形成する。次いで、上記コイルを巻装させためのコイ
ル巻線溝８５，８６が形成されたフェライトよりなる基
板７４ａ，７７ａ及び７４ｂ，７７ｂの前面を鏡面加工
するとともに、上記Ｖ字状の溝８７，８８が形成された
非磁性材料よりなる基板７５ａ，７８ａ及び７５ｂ，７
８ｂの背面を鏡面加工する。

【００７４】次に、図２０に示すように、フェライトよ
りなる基板７４ａ，７７ａ及び７４ｂ，７７ｂと、非磁
性材料よりなる基板７５ａ，７８ａ及び７５ｂ，７８ｂ
の界面に沿って、上記非磁性材料よりなる基板７５ａ，
７８ａ及び７５ｂ，７８ｂを切り離す。そして、切り離
した非磁性材料よりなる基板７５ａ，７８ａ及び７５
ｂ，７８ｂを、フェライトよりなる基板７４ａ，７７ａ
及び７４ｂ，７７ｂに互いの溝８５，８６及び溝８７，
８８の位置を合わせて金接合によって接合する。すなわ
ち、非磁性材料よりなる基板７５ａ，７８ａ及び７５
ｂ，７８ｂの鏡面加工を施した面にＣｒ又はＴｉよりな
る下地膜を付け、この上にＡｕ層を積層する。同様に、
フェライトよりなる基板７４ａ，７７ａ及び７４ｂ，７
７ｂの鏡面加工を施した面にＣｒ又はＴｉよりなる下地
膜を付け、この上にＡｕ層を積層する。そしてこれらＡ
ｕ層同士を突合わせ、これらＡｕ層の熱拡散によって上
記非磁性材料よりなる基板７５ａ，７８ａ及び７５ｂ，
７８ｂとフェライトよりなる基板７４ａ，７７ａ及び７
４ｂ，７７ｂを接合一体化する。

【００７５】Ａｕによる熱拡散接合は、その接合温度が
１５０度〜３００度と極めて低温で行われるため、磁気
特性の劣化や熱膨張に起因する歪みの影響や酸化拡散反
応等に有効である。特に、強磁性金属薄膜にアモルファ
ス合金を使用した場合には有利で、熱拡散温度が結晶化
温度以上となることはないので、結晶化による軟磁気特
性の劣化が防止できる。また、下地膜としてＣｒ又はＴ
ｉよりなる膜を設けているので接合強度の面でも有利で
ある。

【００７６】この結果、１チップに互いに異なる向きの
アジマス角θ₁ ，θ₂ を有した２つの磁気ギャップ
ｇ₁ ，ｇ₂ を備えた図８及び図９に示す本実施例１に係
る磁気ヘッドが完成する。上述のように、予めヘッドコ
ア基板７６，７９に磁気テープ７１上のトラックピッチ
Ｐと略等しい段差Ｄを形成しておけば、別々に作製した
２つの磁気ヘッドを同一のヘッドベース上に所定間隔で
配置するよりもこれら磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラッ
ク位置がより正確なものとなる。

【００７７】実施例２ 本実施例の磁気ヘッドは、磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ に付
与するトラックピッチ方向での段差Ｄをフェライトより
なる基板にラミネートさせた非磁性膜で規制するように
したものである。なお、この実施例に係る磁気ヘッドで
は、先の実施例１に係る磁気ヘッドで用いた非磁性材料
とフェライトよりなる複合型の基板に代えて非磁性材料
のみからなる基板を用い、このフェライトよりなる基板
間に非磁性膜をラミネートさせた以外は実施例１の磁気
ヘッドと略同一の構成である。したがって、この実施例
の磁気ヘッドでは、先の実施例１の磁気ヘッドと同一の
部材には同一の符号を付しその説明は省略する。

【００７８】本実施例の磁気ヘッドにおいては、厚みの
同じ非磁性材料よりなる基板６１，６２及び６３，６４
間にラミネートさせた強磁性金属薄膜６５，６６の下側
又は上側に磁気テープ７１上のトラックピッチＰ寸法と
同じ寸法の膜厚とした非磁性膜８９，９０を介在させる
ことにより、相対向する強磁性金属薄膜６５，６６に段
差を持たせるように構成されている。すなわち、上記一
対の基板６１，６２及び６３，６４間に介在させたトラ
ックピッチＰと同寸法の膜厚とした非磁性膜８９，９０
によって、上記ラミネートされた強磁性金属薄膜６５，
６６とこれに斜交する強磁性金属薄膜５７，５９との間
に形成される磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ がトラックピッチ
方向に磁気テープ７１上のトラックピッチＰと同じ段差
を持って配置されている。

【００７９】このように構成された磁気ヘッドにおいて
は、先の実施例１の磁気ヘッドと同様に１チップに互い
に異なる向きのアジマス角θ₁ ，θ₂ を有した２つの磁
気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ が所定の位置関係を持って配置さ
れるため、回転ドラムの偏心等があっても十分な再生出
力が得られ、ビットエラーレートが高くならない。ま
た、２つの磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ によって同時に記録
再生を行うので、テープ幅８ｍｍ以下とした幅狭の磁気
テープ７１に対して８×１０⁵ ｂｉｔ／ｍｍ² 以上の高
記録密度で記録再生しても、異常トラックパターンによ
るビットエラーレートが高くなることなくディジタル画
像信号の長時間再生が可能となる。

【００８０】この実施例の磁気ヘッドを作製するには、
以下のようにする。先ず、図２２に示すように、非磁性
材料よりなるヘッドコア基板７６の一主面７６ａの略半
分の領域に磁気テープ７１上のトラックピッチＰと等し
い寸法の膜厚とした非磁性膜８９を被着形成する。この
結果、ヘッドコア基板７６の一主面７６ａと非磁性膜８
９の上面８９ａとの段差Ｄが磁気テープ７１上のトラッ
クピッチＰと同じ段差となる。

【００８１】同様にして、図２３に示すように、上記ヘ
ッドコア基板７６と全く同じ構成の非磁性材料よりなる
ヘッドコア基板７９にも非磁性膜９０を被着形成する。
次に、図２４に示すように、一方のヘッドコア基板７６
上に強磁性金属薄膜８０を全面に亘って被着形成する。
この結果、非磁性膜８９上に形成された強磁性金属薄膜
８０とヘッドコア基板７６上に直接形成された強磁性金
属薄膜８０との段差は、上記非磁性膜８９の膜厚に応じ
て磁気テープ７１上のトラックピッチＰと同じになる。
なお、このときの強磁性金属薄膜８０の膜厚は、先の実
施例１と同様にＡＴＦ（オートトラッキング）を考慮し
て磁気テープ７１上の記録トラック７２，７３のトラッ
クピッチＰ寸法よりも若干広くし７μｍとする。

【００８２】次いで、図２５に示すように、上記強磁性
金属薄膜８０を挾んで他方のヘッドコア基板７９を一方
のヘッドコア基板７６上に重ね合わせ接合一体化する。
以下、先の実施例１の磁気ヘッドを作製した要領で図２
６ないし図３１に示すように、順次Ｖ溝加工、ガラス充
填等の作業を行い、磁気ヘッドを完成する。なお、これ
らの工程は先の実施例１の磁気ヘッドを作製する工程と
同じであるため、その説明は省略する。以上のように、
予めヘッドコア基板７６，７９にトラックピッチＰに応
じた膜厚の非磁性膜８９，９０を形成しておけば、Ｖ字
状の溝８２を入れた時点で一対の磁気ギャップｇ₁ ，ｇ
₂ のトラックピッチ方向での段差及びヘッド走行方向で
のギャップ間段差が決まり、別々に作製した２つの磁気
ヘッドを同一のヘッドベース上に所定間隔で配置するよ
りもこれら磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラック位置がよ
り正確なものとなる。

【００８３】なお、この例の磁気ヘッドにおいても、先
の実施例１の磁気ヘッドと同様に、磁気記録媒体対接面
側を非磁性材料で構成し、バック側をフェライトで構成
するようにしても同様の作用効果が得られることは言う
までもない。

【００８４】実施例３ 本実施例の磁気ヘッドは、磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ に付
与するトラックピッチ方向での段差Ｄを強磁性金属薄膜
をラミネートする一対の非磁性材料よりなる基板の対向
面に形成した傾斜面で規制するようにしたものである。
なお、この実施例に係る磁気ヘッドでは、先の実施例１
に係る磁気ヘッドで用いた非磁性材料とフェライトより
なる複合型の基板に代えて非磁性材料のみからなる基板
を用い、この非磁性材料よりなる基板の対向面に傾斜面
を形成した以外は実施例１の磁気ヘッドと略同一の構成
である。したがって、この実施例の磁気ヘッドでは、先
の実施例１の磁気ヘッドと同一の部材には同一の符号を
付しその説明は省略する。

【００８５】すなわち、本実施例の磁気ヘッドにおいて
は、強磁性金属薄膜６５，６６をラミネートする一対の
非磁性材料よりなる基板６１，６２及び６３，６４の対
向面６１ａ，６２ａ及び６３ａ，６４ａを傾斜させるこ
とにより、相対向する強磁性金属薄膜６５，６６に段差
を持たせ、この強磁性金属薄膜６５，６６とこれに斜交
する強磁性金属薄膜５７，５９との間に形成される磁気
ギャップｇ₁ ，ｇ₂ にトラックピッチ方向で磁気テープ
７１上のトラックピッチＰと同一寸法の段差を持たせる
ように構成されている。

【００８６】このように構成された磁気ヘッドにおいて
は、先の実施例１の磁気ヘッドと同様に１チップに互い
に異なる向きのアジマス角θ₁ ，θ₂ を有した２つの磁
気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ が所定の位置関係を持って配置さ
れるため、回転ドラムの偏心等があっても十分な再生出
力が得られ、ビットエラーレートが高くならない。ま
た、２つの磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ によって同時に記録
再生を行うので、テープ幅８ｍｍ以下とした幅狭の磁気
テープ７１に対して８×１０⁵ ｂｉｔ／ｍｍ² 以上の高
記録密度で記録再生しても、異常トラックパターンによ
るビットエラーレートが高くなることなくディジタル画
像信号の長時間再生が可能となる。

【００８７】この実施例の磁気ヘッドを作製するには、
以下のようにする。先ず、図３３に示すように、非磁性
材料よりなるヘッドコア基板７６の一主面に傾斜面７６
ａを形成する。上記傾斜面７６ａは、磁気テープ７１上
のトラックピッチＰに相当する段差をＤ、一対の磁気ギ
ャップｇ₁ ，ｇ₂ のヘッド走行方向におけるギャップ間
段差をＧＬとしたときに、θ＝ｔａｎ^-1（Ｄ／ＧＬ）な
る角度となるように形成する。同様にして、図３４に示
すように、非磁性材料よりなるヘッドコア基板７９の一
主面に傾斜面７９ａを形成する。

【００８８】次に、図３５に示すように、一方のヘッド
コア基板７６の傾斜面７６ａ上に強磁性金属薄膜８０を
全面に亘って被着形成する。このときの強磁性金属薄膜
８０の膜厚は、先の実施例１と同様にＡＴＦ（オートト
ラッキング）を考慮して磁気テープ７１上の記録トラッ
ク７２，７３のトラックピッチＰ寸法よりも若干広くし
７μｍとする。

【００８９】次いで、図３６に示すように、上記強磁性
金属薄膜８０を挾んで他方のヘッドコア基板７９を一方
のヘッドコア基板７６上に重ね合わせ接合一体化する。
以下、先の実施例１の磁気ヘッドを作製した要領で図３
７ないし図４２に示すように、順次Ｖ溝加工、ガラス充
填等の作業を行い、磁気ヘッドを完成する。なお、これ
らの工程は先の実施例１の磁気ヘッドを作製する工程と
同じであるため、その説明は省略する。上述のように、
予めヘッドコア基板７６，７９にトラックピッチＰに応
じた段差が得られるように傾斜面を形成しておけば、Ｖ
字状の溝８２を入れた時点で一対の磁気ギャップｇ₁ ，
ｇ₂ のトラックピッチ方向での段差Ｄ及びヘッド走行方
向でのギャップ間段差ＧＬが決まり、別々に作製した２
つの磁気ヘッドを同一のヘッドベース上に所定間隔で配
置するよりもこれら磁気ギャップｇ₁ ，ｇ₂ のトラック
位置がより正確なものとなる。

【００９０】なお、この例の磁気ヘッドにおいても、先
の実施例１の磁気ヘッドと同様に、磁気記録媒体対接面
側を非磁性材料で構成し、バック側をフェライトで構成
するようにしても同様の作用効果が得られることは言う
までもない。

【００９１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドにおいては、１チップに一対の磁気ギャ
ップが所定の位置関係を持って配置されているため、回
転ドラムに搭載して磁気テープに記録再生した場合、回
転ドラムに偏心等があってもこれら磁気ギャップで記録
される記録トラックは共に同一方向に傾き、他方の記録
トラックにオーバーラップせず、十分な再生出力が得ら
れ、ビットエラーレートが高くならない。

【００９２】また、本発明の磁気ヘッドを用い、記録情
報量を再生歪みの少ない形で圧縮する方法を採用すれ
ば、トラック幅５μｍ以下として記録波長０．５μｍで
８×１０⁵ ｂｉｔ／ｍｍ² 以上の高記録密度を持ってテ
ープ幅８ｍｍ以下の幅狭の磁気テープに対し、ビットエ
ラーレートの少ない形でディジタル画像信号の長時間記
録再生を行うことができる。

【００９３】一方、本発明の製造方法によれば、予めヘ
ッドコア基板にトラックピッチＰに応じた段差又は傾斜
面を形成しているので、Ｖ字状の溝を入れた時点で一対
の磁気ギャップのトラックピッチ方向での段差とヘッド
走行方向でのギャップ間段差が決まる。したがって、本
発明の製造方法により作製された磁気ヘッドにおいて
は、従来のように別々に作製した２つの磁気ヘッドを同
一のヘッドベース上に所定間隔で配置するよりも磁気ギ
ャップのトラック位置がより正確なものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ディジタル画像情報を再生歪みの少ない形で圧
縮する信号処理部の記録側の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】ディジタル画像情報を再生歪みの少ない形で圧
縮する信号処理部の再生側の構成を示すブロック図であ
る。

【図３】ブロック符号化のためのブロックの一例を示す
線図である。

【図４】サブサンプリング及びサブラインの説明に用い
る線図である。

【図５】ブロック符号化回路の一例のブロック図であ
る。

【図６】チャンネルエンコーダの一例の概略を示すブロ
ック図である。

【図７】チャンネルデコーダの一例の概略を示すブロッ
ク図である。

【図８】実施例１の磁気ヘッドを対接面側より見た要部
拡大正面図である。

【図９】実施例１の磁気ヘッドの斜視図である。

【図１０】実施例１の磁気ヘッドによってディジタル画
像情報と音声信号が記録された磁気テープのテープフォ
ーマットを示す図である。

【図１１】実施例１の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、一方のヘッドコア基板に段差を形成する工
程を示す斜視図である。

【図１２】他方のヘッドコア基板に段差を形成する工程
を示す斜視図である。

【図１３】一方のヘッドコア基板上に強磁性金属薄膜を
被着形成する工程を示す斜視図である。

【図１４】ヘッドコア基板の重ね合わせ工程を示す斜視
図である。

【図１５】Ｖ溝形成工程を示す斜視図である。

【図１６】Ｖ溝内への強磁性金属薄膜の被着形成工程を
示す斜視図である。

【図１７】Ｖ溝内へのガラス充填工程を示す斜視図であ
る。

【図１８】ヘッドコア厚となるように研磨する工程を示
す斜視図である。

【図１９】コイル巻線溝形成工程を示す斜視図である。

【図２０】ヘッドコア基板分断工程を示す斜視図であ
る。

【図２１】実施例２の磁気ヘッドを示す斜視図である。

【図２２】実施例２の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、一方のヘッドコア基板に段差を設ける工程
を示す斜視図である。

【図２３】他方のヘッドコア基板に段差を設ける工程を
示す斜視図である。

【図２４】一方のヘッドコア基板上に強磁性金属薄膜を
被着形成する工程を示す斜視図である。

【図２５】ヘッドコア基板の重ね合わせ工程を示す斜視
図である。

【図２６】Ｖ溝形成工程を示す斜視図である。

【図２７】Ｖ溝内への強磁性金属薄膜の被着形成工程を
示す斜視図である。

【図２８】Ｖ溝内へのガラス充填工程を示す斜視図であ
る。

【図２９】ヘッドコア厚となるように研磨する工程を示
す斜視図である。

【図３０】コイル巻線溝形成工程を示す斜視図である。

【図３１】ヘッドコア基板分断工程を示す斜視図であ
る。

【図３２】実施例３の磁気ヘッドを示す斜視図である。

【図３３】実施例３の磁気ヘッドを順次作製する工程を
示すもので、一方のヘッドコア基板に傾斜面を形成する
工程を示す斜視図である。

【図３４】他方のヘッドコア基板に傾斜面を形成する工
程を示す斜視図である。

【図３５】一方のヘッドコア基板上に強磁性金属薄膜を
被着形成する工程を示す斜視図である。

【図３６】ヘッドコア基板の重ね合わせ工程を示す斜視
図である。

【図３７】Ｖ溝形成工程を示す斜視図である。

【図３８】Ｖ溝内への強磁性金属薄膜の被着形成工程を
示す斜視図である。

【図３９】Ｖ溝内へのガラス充填工程を示す斜視図であ
る。

【図４０】ヘッドコア厚となるように研磨する工程を示
す斜視図である。

【図４１】コイル巻線溝形成工程を示す斜視図である。

【図４２】ヘッドコア基板分断工程を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

５６・・・第１の磁気コア ５７・・・第２の磁気コア ５８・・・第３の磁気コア ５９・・・第４の磁気コア ６１，６２，６３，６４・・・基板 ６５，６６・・・強磁性金属薄膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 強磁性金属薄膜が基板に挾み込まれてな
   り該強磁性金属薄膜の端面が臨む磁気ギャップ形成面が
   斜面とされてなる第１の磁気コアと、上記第１の磁気コ
   アの磁気ギャップ形成面上にギャップ材を介して成膜さ
   れた強磁性金属薄膜からなる第２の磁気コアとを有し、
   上記第１の磁気コアの強磁性金属薄膜の端面と第２の磁
   気コアである強磁性金属薄膜の接合界面に磁気ギャップ
   が形成されてなる一対の磁気ヘッド素子が隣接配置され
   てなり、 上記各磁気ヘッド素子は、斜面とされた第１の磁気コア
   の磁気ギャップ形成面同士が互いに対向するように配置
   され、一対の磁気ギャップが互いに異なる向きのアジマ
   ス角を有するように配置されるとともに、 これら磁気ギャップが、トラックピッチ方向において磁
   気記録媒体上のトラックピッチと略等しい段差を有し、
   且つヘッド走行方向において所定のギャップ間段差を有
   するように配置されてなる磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 一対のヘッドコア基板に磁気記録媒体上
   のトラックピッチと略等しい段差を形成する工程と、 一方のヘッドコア基板の段差形成面上に強磁性金属薄膜
   を成膜する工程と、 上記ヘッドコア基板に対し強磁性金属薄膜を挾んで他方
   のヘッドコア基板を接合一体化してヘッドコアブロック
   を形成する工程と、 上記ヘッドコアブロックの上記段差位置に、アジマス角
   の略２倍相当の角度を持って互いに傾斜する一対の斜面
   を有する溝を上記強磁性金属薄膜が分断されるように形
   成する工程と、 上記溝の各斜面上に強磁性金属薄膜を成膜する工程とを
   有してなる磁気ヘッドの製造方法。
3. 【請求項３】 磁気記録媒体上のトラックピッチに相当
   する段差をＤとし、ヘッド走行方向におけるギャップ間
   段差をＧＬとしたときに、θ＝ｔａｎ^-1（Ｄ／ＧＬ）な
   る傾斜を一対のヘッドコア基板にそれぞれ形成する工程
   と、 一方のヘッドコア基板の傾斜面上に強磁性金属薄膜を成
   膜する工程と、 上記ヘッドコア基板に対し強磁性金属薄膜を挾んで他方
   のヘッドコア基板を接合一体化してヘッドコアブロック
   を形成する工程と、 上記ヘッドコアブロックに、アジマス角の略２倍相当の
   角度を持って互いに傾斜する一対の斜面を有する溝を上
   記強磁性金属薄膜が分断されるように形成する工程と、 上記溝の各斜面上に強磁性金属薄膜を成膜する工程とを
   有してなる磁気ヘッドの製造方法。