JPH0536636A - 半導体装置のドライエツチング装置 - Google Patents
半導体装置のドライエツチング装置Info
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- JPH0536636A JPH0536636A JP19049491A JP19049491A JPH0536636A JP H0536636 A JPH0536636 A JP H0536636A JP 19049491 A JP19049491 A JP 19049491A JP 19049491 A JP19049491 A JP 19049491A JP H0536636 A JPH0536636 A JP H0536636A
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- Japan
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- gas
- corrosive
- gas line
- line
- liquefied gas
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 109
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 14
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】腐食性液化ガス用ボンベ２１をそなえ、腐食性
液化ガスおよびＯ2ガスラインはそれぞれ単独配管され
ガス導入口バルブ７の前で接続され、またガス導入口バ
ルブ７の直前には反応生成物以外の汚れ、ゴミを除去す
るガスラインフィルター２０を備え、かつ腐食性液化ガ
スラインのパージ及びガス配管系全体の加圧方式により
リークテストを行うため腐食性液化ガスラインに接続さ
れた不活性ガスラインを有している。 【効果】腐食性液化ガス用ボンベを備えているので腐食
性液化ガスの品質が向上しガス配管内への反応生成物の
付着防止ができる。腐食性液化ガスおよびＯ2 ガスライ
ンはそれぞれ単独配管のため反応生成物の付着防止がで
きる。また反応生成物以外の汚れ・ゴミはガスラインフ
ィルターで除去できる。かつ、不活性ガスラインが接続
されているので、腐食性液化ガスラインのパージおよび
ガス配管系全体のリークテストが可能となった。
液化ガスおよびＯ2ガスラインはそれぞれ単独配管され
ガス導入口バルブ７の前で接続され、またガス導入口バ
ルブ７の直前には反応生成物以外の汚れ、ゴミを除去す
るガスラインフィルター２０を備え、かつ腐食性液化ガ
スラインのパージ及びガス配管系全体の加圧方式により
リークテストを行うため腐食性液化ガスラインに接続さ
れた不活性ガスラインを有している。 【効果】腐食性液化ガス用ボンベを備えているので腐食
性液化ガスの品質が向上しガス配管内への反応生成物の
付着防止ができる。腐食性液化ガスおよびＯ2 ガスライ
ンはそれぞれ単独配管のため反応生成物の付着防止がで
きる。また反応生成物以外の汚れ・ゴミはガスラインフ
ィルターで除去できる。かつ、不活性ガスラインが接続
されているので、腐食性液化ガスラインのパージおよび
ガス配管系全体のリークテストが可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のドライエ
ッチング装置に関し、特にガス配管系の構造に関する。
ッチング装置に関し、特にガス配管系の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライエッチング装置のガス配管
系は、図２に示すように、腐食性液化ガス用石英容器１
５より供給される腐食性液化ガスは、他の腐食性ガス・
フレオンガス・Ｏ2 ガスと配管内で混合され同時にエッ
チングチャンバー２２内へ導入される。
系は、図２に示すように、腐食性液化ガス用石英容器１
５より供給される腐食性液化ガスは、他の腐食性ガス・
フレオンガス・Ｏ2 ガスと配管内で混合され同時にエッ
チングチャンバー２２内へ導入される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のドライエッ
チング装置のガス配管系では、腐食性液化ガス容器が石
英容器であるため、購入時の専用容器より移し替える作
業が必要となる。そのため、移し替え作業時、大気に触
れ腐食性液化ガスの純度が低下するという問題があっ
た。また腐食性液化ガス容器内に混入した大気と反応
し、反応生成物が配管内に付着したり、腐食性液化ガス
ラインの送気バルブ１の二次側にＯ2 ガスラインが接続
しているため、反応しやすい配管構造となっている。
チング装置のガス配管系では、腐食性液化ガス容器が石
英容器であるため、購入時の専用容器より移し替える作
業が必要となる。そのため、移し替え作業時、大気に触
れ腐食性液化ガスの純度が低下するという問題があっ
た。また腐食性液化ガス容器内に混入した大気と反応
し、反応生成物が配管内に付着したり、腐食性液化ガス
ラインの送気バルブ１の二次側にＯ2 ガスラインが接続
しているため、反応しやすい配管構造となっている。
【０００４】そのため配管内に付着した反応生成物がエ
ッチングチャンバー内に進入するという問題があった。
ッチングチャンバー内に進入するという問題があった。
【０００５】また、ガス配管系のメンテ後のリークテス
トは、真空引きによるエッチングチャンバー用圧力計で
の確認のみであり、ガス配管系単体での加圧方式のリー
クテストは、できないという問題があった。
トは、真空引きによるエッチングチャンバー用圧力計で
の確認のみであり、ガス配管系単体での加圧方式のリー
クテストは、できないという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、腐食性液化ガスの移し替
え作業をなくし、液化ガスの純度低下，それに基く反応
生成物の配管内の付着，Ｏ2 ガス接続位置に基く反応生
成物を防ぎ反応生成物のエッチングチャンバーへの進入
を防ぐことができ、かつガス配管系計を単体での加圧リ
ークテストおよび腐食性ガスラインのパージができる半
導体装置のエッチング装置を提供することにある。
え作業をなくし、液化ガスの純度低下，それに基く反応
生成物の配管内の付着，Ｏ2 ガス接続位置に基く反応生
成物を防ぎ反応生成物のエッチングチャンバーへの進入
を防ぐことができ、かつガス配管系計を単体での加圧リ
ークテストおよび腐食性ガスラインのパージができる半
導体装置のエッチング装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置のド
ライエッチング装置は、腐食性液化ガスラインと、その
腐食性液化ガスラインの送気バルブの二次側に接続され
た腐食性ガス，フレオンガス，Ｏ2 ガス等のガスライン
を有し腐食性液化ガスと腐食性ガス，フレオンガス，Ｏ
2 ガス等を混合してエッチングチャンバーに導入してエ
ッチングを行う半導体装置のエッチング装置において、
腐食性ガスを供給するガスボンベと、少なくともそれぞ
れ単独配管されエッチングチャンバーのガス導入口で接
続された腐食性液化ガスラインおよびＯ2 ガスライン
と、エッチングチャンバーガス導入口直前に接続された
ガスラインフィルターと、腐食性液化ガスのパージおよ
びガス配管系全体の加圧方式によるリークテストを可能
にするために腐食性液化ラインに接続された不活性ガス
ラインとを有することを特徴として構成される。
ライエッチング装置は、腐食性液化ガスラインと、その
腐食性液化ガスラインの送気バルブの二次側に接続され
た腐食性ガス，フレオンガス，Ｏ2 ガス等のガスライン
を有し腐食性液化ガスと腐食性ガス，フレオンガス，Ｏ
2 ガス等を混合してエッチングチャンバーに導入してエ
ッチングを行う半導体装置のエッチング装置において、
腐食性ガスを供給するガスボンベと、少なくともそれぞ
れ単独配管されエッチングチャンバーのガス導入口で接
続された腐食性液化ガスラインおよびＯ2 ガスライン
と、エッチングチャンバーガス導入口直前に接続された
ガスラインフィルターと、腐食性液化ガスのパージおよ
びガス配管系全体の加圧方式によるリークテストを可能
にするために腐食性液化ラインに接続された不活性ガス
ラインとを有することを特徴として構成される。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の配管系統図である。
る。図１は本発明の一実施例の配管系統図である。
【０００９】図１に示すように、腐食性液化ガスボンベ
２１より供給される腐食性液化ガスは、腐食性液化ガス
供給バルブ１６，腐食性液化ガス送気バルブ２，腐食性
液化ガスマスフロー８，腐食性液化ガス送気バルブ１を
とおり他のガスと配管途中で混合されず、送気バルブ１
を開けることによりエッチングチャンバー２２に導入さ
れる。
２１より供給される腐食性液化ガスは、腐食性液化ガス
供給バルブ１６，腐食性液化ガス送気バルブ２，腐食性
液化ガスマスフロー８，腐食性液化ガス送気バルブ１を
とおり他のガスと配管途中で混合されず、送気バルブ１
を開けることによりエッチングチャンバー２２に導入さ
れる。
【００１０】同様にＯ2 ガスもＯ2 ガス供給バルブ１
４，Ｏ2 ガスマスフロー１１，Ｏ2 ガス送気バルブのラ
インを有しエッチングチャンバー内へ導入される。
４，Ｏ2 ガスマスフロー１１，Ｏ2 ガス送気バルブのラ
インを有しエッチングチャンバー内へ導入される。
【００１１】一方腐食性ガスは腐食性ガス供給バルブ１
２，腐食性ガス送気バルブ４，腐食性ガスフロー９，腐
食性ガス送気バルブ３，またフレオンガスは同様にフレ
オンガス供給バルブ１３，フレオンガス用マスフロー１
０，フレオンガス送気バルブを経てエッチングチャンバ
ーに導入される。また、不活性ガスラインは腐食性液化
ガス供給バルブの前に不活性ガス供給バルブ１９，不活
性ガス送気バルブ１７を経て接続され、途中に不活性ガ
ス用圧力計１８を備えている。不活性ガス用送気バルブ
１７を開けることにより、腐食性液化ガスラインは、必
要に応じ、配管内のパージをすることができる。
２，腐食性ガス送気バルブ４，腐食性ガスフロー９，腐
食性ガス送気バルブ３，またフレオンガスは同様にフレ
オンガス供給バルブ１３，フレオンガス用マスフロー１
０，フレオンガス送気バルブを経てエッチングチャンバ
ーに導入される。また、不活性ガスラインは腐食性液化
ガス供給バルブの前に不活性ガス供給バルブ１９，不活
性ガス送気バルブ１７を経て接続され、途中に不活性ガ
ス用圧力計１８を備えている。不活性ガス用送気バルブ
１７を開けることにより、腐食性液化ガスラインは、必
要に応じ、配管内のパージをすることができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、腐食性液
化ガス容器をボンベ化したことで大気に触れることな
く、腐食性液化ガスの純度は従来の９９．８％以上だっ
たものが９９．９９％以上となり品質向上の効果を有す
る。
化ガス容器をボンベ化したことで大気に触れることな
く、腐食性液化ガスの純度は従来の９９．８％以上だっ
たものが９９．９９％以上となり品質向上の効果を有す
る。
【００１３】また、腐食性液化ガスラインとＯ2 ガスラ
インをそれぞれ単独配管にしたので、配管内での反応生
成物の付着はなくなり更に反応生成物以外の汚れ・ゴミ
が発生した場合でもガスラインフィルターにより除去で
きる。
インをそれぞれ単独配管にしたので、配管内での反応生
成物の付着はなくなり更に反応生成物以外の汚れ・ゴミ
が発生した場合でもガスラインフィルターにより除去で
きる。
【００１４】また不活性ガスラインを接続してあるた
め、腐食性ガスラインのパージ及びガス配管系全体の加
圧テストができる。
め、腐食性ガスラインのパージ及びガス配管系全体の加
圧テストができる。
【図１】本発明の一実施例のガス配管系統図である。
【図２】従来のエッチング装置のガス配管系統図であ
る。
る。
１，２ 腐食性液化ガス送気バルブ ３，４ 腐食性ガス送気バルブ ５ フレオンガス送気バルブ ６ Ｏ2 ガス送気バルブ ７ ガス導入口バルブ ８ 腐食性液化ガス用マスフロー ９ 腐食性ガス用マスフロー １０ フレオンガス用マスフロー １１ Ｏ2 ガス用マスフロー １２ 腐食性ガス供給バルブ １３ フレオンガス供給バルブ １４ Ｏ2 ガス供給バルブ １５ 腐食性液化ガス石英容器 １６ 腐食性液化ガス供給バルブ １７ 不活性ガス送気バルブ １８ 不活性ガス用圧力計 １９ 不活性ガス供給バルブ ２０ ガスラインフィルター ２１ 腐食性液化ガスボンベ ２２ エッチングチャンバー
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 腐食性液化ガスラインと、該腐食性液化
ガスラインの送気バルブの二次側に接続された腐食性ガ
ス，フレオンガス，Ｏ2 ガスライン等を有し、前記腐食
性液化ガスと前記腐食性ガス，フレオンガス，Ｏ2 ガス
等を混合してエッチングチャンバーに導入してエッチン
グを行う半導体装置のエッチング装置において、前記腐
食性ガスを供給するガスボンベと、少なくともそれぞれ
単独配管されエッチングチャンバーのガス導入口で接続
された腐食性液化ガスラインおよびＯ2 ガスラインと、
エッチングチャンバーガス導入口直前に接続されたガス
ラインフィルターと、腐食性液化ガスラインのパージお
よびガス配管系全体の加圧方式によるリークテストを可
能にするために腐食性液化ガスラインに接続された不活
性ガスラインとを有することを特徴とする半導体装置の
ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19049491A JPH0536636A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体装置のドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19049491A JPH0536636A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体装置のドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536636A true JPH0536636A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16259030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19049491A Pending JPH0536636A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 半導体装置のドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536636A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955369A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 真空処理装置及び真空処理装置への大気混入の検知方法 |
| CN115666005A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-01-31 | 赛福仪器承德有限公司 | 等离子体蚀刻机 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6089658A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-20 | 三洋電機株式会社 | 冷凍回路のリ−クテスト方法 |
| JPS61171127A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPH0283930A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | 銅配線の製法及び製造装置 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP19049491A patent/JPH0536636A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6089658A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-20 | 三洋電機株式会社 | 冷凍回路のリ−クテスト方法 |
| JPS61171127A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング方法 |
| JPH0283930A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-26 | Hitachi Ltd | 銅配線の製法及び製造装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0955369A (ja) * | 1995-08-16 | 1997-02-25 | Nec Corp | 真空処理装置及び真空処理装置への大気混入の検知方法 |
| CN115666005A (zh) * | 2022-12-15 | 2023-01-31 | 赛福仪器承德有限公司 | 等离子体蚀刻机 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971104 |