JPH0537008A - 光結合装置 - Google Patents
光結合装置Info
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- JPH0537008A JPH0537008A JP3188735A JP18873591A JPH0537008A JP H0537008 A JPH0537008 A JP H0537008A JP 3188735 A JP3188735 A JP 3188735A JP 18873591 A JP18873591 A JP 18873591A JP H0537008 A JPH0537008 A JP H0537008A
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- resin body
- light emitting
- optical coupling
- coupling device
- exterior resin
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 面実装型の光結合装置のリード端子の半田付
けを良くし、外乱光の影響を小とする。 【構成】 受発光素子２１，２２をリード端子２３，２
５の下面に面一でダイボンドして、外装樹脂体２０の底
面２７と対向するよう配置して上方からの外乱光を防
ぐ。リード端子２３〜２６を外装樹脂体２０の底面２７
に沿って引き出して、モールドのパーティング面を外装
樹脂体２０の底面２７にすると、成形後のリード端子の
折曲げをなくし、折曲げ不良による半田付け不良も防
ぐ。
けを良くし、外乱光の影響を小とする。 【構成】 受発光素子２１，２２をリード端子２３，２
５の下面に面一でダイボンドして、外装樹脂体２０の底
面２７と対向するよう配置して上方からの外乱光を防
ぐ。リード端子２３〜２６を外装樹脂体２０の底面２７
に沿って引き出して、モールドのパーティング面を外装
樹脂体２０の底面２７にすると、成形後のリード端子の
折曲げをなくし、折曲げ不良による半田付け不良も防
ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、小型で面実装型の光結
合装置に関するするものである。
合装置に関するするものである。
【０００２】近年、家電製品、ＯＡ機器および産業機器
等は、現在軽薄短小の傾向がますます進んでいる。それ
に伴い、基板実装方法としては面実装方法が主流となっ
てきており、電子部品も面実装型の小型パッケージが望
まれている。これは、光結合装置に対しても強く、高密
度実装に適した製品開発が求められている。
等は、現在軽薄短小の傾向がますます進んでいる。それ
に伴い、基板実装方法としては面実装方法が主流となっ
てきており、電子部品も面実装型の小型パッケージが望
まれている。これは、光結合装置に対しても強く、高密
度実装に適した製品開発が求められている。
【０００３】
【従来の技術】図４，図５は、従来の面実装型の光結合
装置の代表的な内部構造図である。図４における第１従
来例の光結合装置は、外装樹脂体１内に発光素子２と受
光素子３が上下に対向配置され、半透明樹脂４でモール
ドした後、さらに不透明樹脂５でモールドする２重トラ
ンスファーモールド構造であり、４本のリード端子６は
外装樹脂体１の側面中央部より取り出し、ガルウィング
形状に形成されたものである。
装置の代表的な内部構造図である。図４における第１従
来例の光結合装置は、外装樹脂体１内に発光素子２と受
光素子３が上下に対向配置され、半透明樹脂４でモール
ドした後、さらに不透明樹脂５でモールドする２重トラ
ンスファーモールド構造であり、４本のリード端子６は
外装樹脂体１の側面中央部より取り出し、ガルウィング
形状に形成されたものである。
【０００４】図５における第２従来例の光結合装置は、
外装樹脂体７内に発光素子８と受光素子９がリード端子
１０の上面で面一にダイボンドされ、透明シリコン樹脂
１１で覆われており、さらにこれが不透明樹脂１２でモ
ールドされている。
外装樹脂体７内に発光素子８と受光素子９がリード端子
１０の上面で面一にダイボンドされ、透明シリコン樹脂
１１で覆われており、さらにこれが不透明樹脂１２でモ
ールドされている。
【０００５】この光結合装置は、発光素子８および受光
素子９を覆う透明シリコン樹脂１１の曲面上で光が反射
される反射型構造であり、４本のリード端子１０は、図
４と同様に外装樹脂体１の側面中央部より取り出し、ガ
ルウィング形状に形成されている。
素子９を覆う透明シリコン樹脂１１の曲面上で光が反射
される反射型構造であり、４本のリード端子１０は、図
４と同様に外装樹脂体１の側面中央部より取り出し、ガ
ルウィング形状に形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来例におい
て、図４の構造では、発光素子２と受光素子３を上下に
対向させているが、両者間の絶縁性を保つために、発光
素子２と受光素子３の距離を１ｍｍ前後に保つ必要があ
る。そのために、外装樹脂体１の厚みが２ｍｍ以上とな
り、小型化が困難である。
て、図４の構造では、発光素子２と受光素子３を上下に
対向させているが、両者間の絶縁性を保つために、発光
素子２と受光素子３の距離を１ｍｍ前後に保つ必要があ
る。そのために、外装樹脂体１の厚みが２ｍｍ以上とな
り、小型化が困難である。
【０００７】また、リード端子６を外装樹脂体１の側面
中央部より取り出しているため、樹脂４，５のモールド
後、ガルウィング形状への成形工程が必要とんり、さら
にリード端子６の曲げ寸法のバラツキにより基板に実装
するとき、半田付け不良が発生し易い。
中央部より取り出しているため、樹脂４，５のモールド
後、ガルウィング形状への成形工程が必要とんり、さら
にリード端子６の曲げ寸法のバラツキにより基板に実装
するとき、半田付け不良が発生し易い。
【０００８】図５の構造では、発光素子８と受光素子９
は、リード端子１０の上面側に位置しているため、外乱
光の影響を受け易い。また、リード端子１０の成形工程
の問題は、第１従来例の構造と同一の問題を有してい
る。
は、リード端子１０の上面側に位置しているため、外乱
光の影響を受け易い。また、リード端子１０の成形工程
の問題は、第１従来例の構造と同一の問題を有してい
る。
【０００９】本発明は、上記に鑑み、モールド後のリー
ド端子のリードフォーミングを削除することができ、基
板に面実装するときの半田付け不良を抑制することがで
きる光結合装置の提供を目的とする。
ド端子のリードフォーミングを削除することができ、基
板に面実装するときの半田付け不良を抑制することがで
きる光結合装置の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明請求項１による課
題解決手段は、図１，２の如く、外装樹脂体２０内に発
光素子２１および受光素子２２が光学的に結合するよう
配置された光結合装置において、発光素子２１および受
光素子２２のリード端子２３，２４，２５，２６が前記
外装樹脂体２０の底面から該底面２７に沿って引き出さ
れたものである。
題解決手段は、図１，２の如く、外装樹脂体２０内に発
光素子２１および受光素子２２が光学的に結合するよう
配置された光結合装置において、発光素子２１および受
光素子２２のリード端子２３，２４，２５，２６が前記
外装樹脂体２０の底面から該底面２７に沿って引き出さ
れたものである。
【００１１】また、請求項２による課題解決手段は、図
１，２の如く、基板２８に面実装される請求項１記載の
光結合装置であって、リード端子２３，２５に発光素子
２１と受光素子２２が面一でダイボンドされて反射型構
造とされ、前記発光素子２１および受光素子２２が、基
板２８と対向するようにリード端子２３，２５の下面に
配置されたものである。
１，２の如く、基板２８に面実装される請求項１記載の
光結合装置であって、リード端子２３，２５に発光素子
２１と受光素子２２が面一でダイボンドされて反射型構
造とされ、前記発光素子２１および受光素子２２が、基
板２８と対向するようにリード端子２３，２５の下面に
配置されたものである。
【００１２】
【作用】上記請求項１による課題解決手段において、リ
ード端子２３〜２６を外装樹脂体２０の底面２７に沿っ
て引き出しているので、リード端子２３〜２６をそのま
ま基板２８に半田付けすることにより面実装できるた
め、モールド後のリード端子の折曲げ工程を削除し、折
曲げ不良による半田付け不良も防ぐ。
ード端子２３〜２６を外装樹脂体２０の底面２７に沿っ
て引き出しているので、リード端子２３〜２６をそのま
ま基板２８に半田付けすることにより面実装できるた
め、モールド後のリード端子の折曲げ工程を削除し、折
曲げ不良による半田付け不良も防ぐ。
【００１３】また、請求項２による課題解決手段におい
て、受発光素子２１，２２をリード端子２３，２５の下
面に面一でダイボンドして、外装樹脂体２０の底面２７
と対向するよう配置しているため、外装樹脂体２０の厚
みを小とし、上方からの外乱光を防ぐ。
て、受発光素子２１，２２をリード端子２３，２５の下
面に面一でダイボンドして、外装樹脂体２０の底面２７
と対向するよう配置しているため、外装樹脂体２０の厚
みを小とし、上方からの外乱光を防ぐ。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す光結合装置の
側面断面図、図２はその底面図、図３は樹脂注入型方式
を示す概略図である。
側面断面図、図２はその底面図、図３は樹脂注入型方式
を示す概略図である。
【００１５】図１，２の如く、本実施例の小型で面実装
型の光結合装置は、外装樹脂体２０内で発光素子２１お
よび受光素子２２がリード端子２３，２５の下面に面一
でダイボンドされた反射型フォトカプラである。
型の光結合装置は、外装樹脂体２０内で発光素子２１お
よび受光素子２２がリード端子２３，２５の下面に面一
でダイボンドされた反射型フォトカプラである。
【００１６】すなわち、発光素子２１および受光素子２
２は、外装樹脂体２０の底面２７と対向するよう配置さ
れている。また、受発光素子２１，２２のリード端子２
３，２４，２５，２６は、外装樹脂体２０の底面２７か
ら該底面２７に沿って引き出されている。
２は、外装樹脂体２０の底面２７と対向するよう配置さ
れている。また、受発光素子２１，２２のリード端子２
３，２４，２５，２６は、外装樹脂体２０の底面２７か
ら該底面２７に沿って引き出されている。
【００１７】前記外装樹脂体２０は、エポキシ樹脂等の
不透明樹脂により箱形に形成されている。
不透明樹脂により箱形に形成されている。
【００１８】リード端子２３，２４，２５，２６は、予
め折曲げ加工が施されている。前記発光素子２１は、リ
ード端子２３の載置部２３ａの下面にダイボンドされ、
ボンディングワイヤ２９を介してリード端子２４のリー
ド部２４ａに内部結線されている。
め折曲げ加工が施されている。前記発光素子２１は、リ
ード端子２３の載置部２３ａの下面にダイボンドされ、
ボンディングワイヤ２９を介してリード端子２４のリー
ド部２４ａに内部結線されている。
【００１９】前記受光素子２２は、リード端子２５の載
置部２５ａの下面にダイボンドされ、ボンディングワイ
ヤ２９ａを介してリード端子２６のリード部２６ａに内
部結線されている。
置部２５ａの下面にダイボンドされ、ボンディングワイ
ヤ２９ａを介してリード端子２６のリード部２６ａに内
部結線されている。
【００２０】これら発光素子２１および受光素子２２
は、透明シリコン製の封止樹脂体３０により一体的に封
止されている。封止樹脂体３０は、その外周面上で発光
素子２１からの光を受光素子２２に反射するよう、その
外周曲面形状が設定された反射型構造になっている。そ
して、この透明な封止樹脂体３０は、さらにエポキシ樹
脂等の不透明な外装樹脂体２０によりモールドされてい
る。
は、透明シリコン製の封止樹脂体３０により一体的に封
止されている。封止樹脂体３０は、その外周面上で発光
素子２１からの光を受光素子２２に反射するよう、その
外周曲面形状が設定された反射型構造になっている。そ
して、この透明な封止樹脂体３０は、さらにエポキシ樹
脂等の不透明な外装樹脂体２０によりモールドされてい
る。
【００２１】このとき、予め折曲げ加工したリード端子
２３〜２６の下端水平脚部２３ｂ〜２６ｂが、外装樹脂
体２０の底面２７から引出されるようモールドされる。
２３〜２６の下端水平脚部２３ｂ〜２６ｂが、外装樹脂
体２０の底面２７から引出されるようモールドされる。
【００２２】このモールド方法としては、一般的にトラ
ンスファーモールド成形が主流であるが、本実施例で
は、図３に示す方法も採用できる。すなわち、連続する
凹形の注入型の凹部３１に、封止樹脂体３０で封止した
受発光素子２１，２２を挿入し、そのリード端子２３〜
２６の脚部２３ｂ〜２６ｂを凹部３１の仕切壁３２の上
面に掛け、この凹部３１にエポキシ樹脂を注入塗布す
る。そして、樹脂の硬化後に取り出して、脚部２３ｂ〜
２６ｂの中央のＸ点において切断する。
ンスファーモールド成形が主流であるが、本実施例で
は、図３に示す方法も採用できる。すなわち、連続する
凹形の注入型の凹部３１に、封止樹脂体３０で封止した
受発光素子２１，２２を挿入し、そのリード端子２３〜
２６の脚部２３ｂ〜２６ｂを凹部３１の仕切壁３２の上
面に掛け、この凹部３１にエポキシ樹脂を注入塗布す
る。そして、樹脂の硬化後に取り出して、脚部２３ｂ〜
２６ｂの中央のＸ点において切断する。
【００２３】そうすれば、モールドのパーティング面
が、外装樹脂体２０の底面２７となり、この底面２７か
らリード端子２３〜２６がストレートに取り出されるこ
とになる。そのため、２３〜２６をモールド後に成形す
る工程が削除される。
が、外装樹脂体２０の底面２７となり、この底面２７か
らリード端子２３〜２６がストレートに取り出されるこ
とになる。そのため、２３〜２６をモールド後に成形す
る工程が削除される。
【００２４】そして、従来のようにモールド後に成形す
ると、リード端子の曲げ寸法のバラツキなどにより、基
板２８に実装するときの半田付け不良が発生し易いが、
上記成形工程が削除されているため、半田付け不良の抑
制ができる。
ると、リード端子の曲げ寸法のバラツキなどにより、基
板２８に実装するときの半田付け不良が発生し易いが、
上記成形工程が削除されているため、半田付け不良の抑
制ができる。
【００２５】また、発光素子２１および受光素子２２を
面一にダイボンドしたために、第１従来例のような外装
樹脂体２０の厚みは、必要なく小型化できる。さらに、
発光素子２１および受光素子２２をリード端子２３，２
５の下面に取り付けたため、第２従来例のような上方か
らの外乱光の影響は、少なくなる。
面一にダイボンドしたために、第１従来例のような外装
樹脂体２０の厚みは、必要なく小型化できる。さらに、
発光素子２１および受光素子２２をリード端子２３，２
５の下面に取り付けたため、第２従来例のような上方か
らの外乱光の影響は、少なくなる。
【００２６】なお、下方からの外乱光に対しては、面実
装時に、外装樹脂体２０の底面２７が基板２８に密接す
るため、その影響は少ない。
装時に、外装樹脂体２０の底面２７が基板２８に密接す
るため、その影響は少ない。
【００２７】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【００２８】例えば、外装樹脂体２０として、エポキシ
樹脂が採用したが、反射効果を高めるために反射用フィ
ラーを含んだ白色系エポキシ樹脂を使用してもよい。
樹脂が採用したが、反射効果を高めるために反射用フィ
ラーを含んだ白色系エポキシ樹脂を使用してもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項１によると、リード端子を外装樹脂体の底面に沿っ
て引き出して、モールドのパーティング面を外装樹脂体
の底面にしているため、モールド後のリード端子の折曲
げ工程を削除し、折曲げ不良による半田付け不良も防ぐ
ことができる。
求項１によると、リード端子を外装樹脂体の底面に沿っ
て引き出して、モールドのパーティング面を外装樹脂体
の底面にしているため、モールド後のリード端子の折曲
げ工程を削除し、折曲げ不良による半田付け不良も防ぐ
ことができる。
【００３０】また、請求項２によると、受発光素子をリ
ード端子の下面に面一でダイボンドして、外装樹脂体の
底面と対向するよう配置しているため、外装樹脂体の厚
みを小とし、上方からの外乱光を防ぎ、さらに下方から
の外乱光に対しては、面実装時に、外装樹脂体の底面が
基板に密接するため、その影響は少ないといった優れた
効果がある。
ード端子の下面に面一でダイボンドして、外装樹脂体の
底面と対向するよう配置しているため、外装樹脂体の厚
みを小とし、上方からの外乱光を防ぎ、さらに下方から
の外乱光に対しては、面実装時に、外装樹脂体の底面が
基板に密接するため、その影響は少ないといった優れた
効果がある。
【図１】図１は本発明の一実施例を示す光結合装置の側
面断面図である。
面断面図である。
【図２】図２は同じくその底面図である。
【図３】図３は樹脂注型方式を示す概略図である。
【図４】図４は第１従来例を示す光結合装置の側面断面
図である。
図である。
【図５】図５は第２従来例を示す光結合装置の側面断面
図である。
図である。
２０ 外装樹脂体
２１ 発光素子
２２ 受光素子
２３，２４，２５，２６ リード端子
２７ 底面
２８ 基板
Claims (2)
- 【請求項１】 外装樹脂体内に発光素子および受光素子
が光学的に結合するよう配置された光結合装置におい
て、発光素子および受光素子のリード端子が前記外装樹
脂体の底面から該底面に沿って引き出されたことを特徴
とする光結合装置。 - 【請求項２】 基板に面実装される請求項１記載の光結
合装置であって、リード端子に発光素子と受光素子が面
一でダイボンドされて反射型構造とされ、前記発光素子
および受光素子が、基板と対向するようにリード端子の
下面に配置されたことを特徴とする光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3188735A JPH0537008A (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3188735A JPH0537008A (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | 光結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0537008A true JPH0537008A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16228860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3188735A Pending JPH0537008A (ja) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0537008A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999060632A1 (en) * | 1998-05-20 | 1999-11-25 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
| WO2001050540A1 (de) * | 1999-12-30 | 2001-07-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle |
| US11251327B2 (en) * | 2018-12-24 | 2022-02-15 | CT Micro International Corporation | Photocoupler |
-
1991
- 1991-07-29 JP JP3188735A patent/JPH0537008A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999060632A1 (en) * | 1998-05-20 | 1999-11-25 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
| KR100391065B1 (ko) * | 1998-05-20 | 2003-07-12 | 로무 가부시키가이샤 | 반사형 센서 |
| WO2001050540A1 (de) * | 1999-12-30 | 2001-07-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle |
| US7098588B2 (en) | 1999-12-30 | 2006-08-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode light source and method of producing a light-emitting diode light source |
| CN100375299C (zh) * | 1999-12-30 | 2008-03-12 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 可表面装配的发光二极管光源和制造发光二极管光源的方法 |
| US7534634B2 (en) | 1999-12-30 | 2009-05-19 | Osram Gmbh | Surface-mountable light-emitting diode light source and method of producing a light-emitting diode light source |
| US11251327B2 (en) * | 2018-12-24 | 2022-02-15 | CT Micro International Corporation | Photocoupler |
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