JPH053922B2 - - Google Patents
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- JPH053922B2 JPH053922B2 JP19998684A JP19998684A JPH053922B2 JP H053922 B2 JPH053922 B2 JP H053922B2 JP 19998684 A JP19998684 A JP 19998684A JP 19998684 A JP19998684 A JP 19998684A JP H053922 B2 JPH053922 B2 JP H053922B2
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- notch filter
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/207—Hollow waveguide filters
- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
- H01P1/2082—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with multimode resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えばテレビジヨン放送装置におい
て映像信号搬送波と音声信号搬送波とを合成する
ために用いられる定インピーダンスダイプレクサ
(以下、CINダイプレクサと略記する。)等の構成
部品として好適なノツチフイルタに関するもので
ある。
て映像信号搬送波と音声信号搬送波とを合成する
ために用いられる定インピーダンスダイプレクサ
(以下、CINダイプレクサと略記する。)等の構成
部品として好適なノツチフイルタに関するもので
ある。
従来の技術
第15図は、テレビジヨン放送装置において映
像信号搬送波と音声信号搬送波とを合成するため
に、従来用いられているCINダイプレクサの一例
を示す図で、121及び122はハイブリツド回
路、161及び162はカラービート周波数、即
ち、fV−3.58(MHz)(fVは映像信号搬送波の周波
数)に共振する共振器、171及び172は音声信
号搬送波fA(MHz)に共振する共振器で、ハイブ
リツド回路121の入力端子1211に映像信号搬
送波fVと映像信号送信機において発生したfV−
3.58のカラービートが加えられると、アイソレー
シヨン端子1212に接続された無反射終端器14
にカラービートfV−3.58が吸収される。ハイブリ
ツド回路122の入力端子1221に音声信号搬送
波fAが加えられると、アイソレーシヨン端子12
22から映像信号搬送波fVと音声信号搬送波fAが送
出される。そして第15図に示したCINダイプレ
クサにおける共振器161,162,171及び1
72としては、例えば第16図に断面概略を示す
ような半同軸空胴共振器又は第17図に断面概略
を示すような矩形導波管空胴共振器が用いられて
いるため、4個の空胴共振器を必要とし、共振器
間の接続器の数も比較的多数となり、その結果、
全体の構成が複雑大形で、コスト高となる欠点が
ある。
像信号搬送波と音声信号搬送波とを合成するため
に、従来用いられているCINダイプレクサの一例
を示す図で、121及び122はハイブリツド回
路、161及び162はカラービート周波数、即
ち、fV−3.58(MHz)(fVは映像信号搬送波の周波
数)に共振する共振器、171及び172は音声信
号搬送波fA(MHz)に共振する共振器で、ハイブ
リツド回路121の入力端子1211に映像信号搬
送波fVと映像信号送信機において発生したfV−
3.58のカラービートが加えられると、アイソレー
シヨン端子1212に接続された無反射終端器14
にカラービートfV−3.58が吸収される。ハイブリ
ツド回路122の入力端子1221に音声信号搬送
波fAが加えられると、アイソレーシヨン端子12
22から映像信号搬送波fVと音声信号搬送波fAが送
出される。そして第15図に示したCINダイプレ
クサにおける共振器161,162,171及び1
72としては、例えば第16図に断面概略を示す
ような半同軸空胴共振器又は第17図に断面概略
を示すような矩形導波管空胴共振器が用いられて
いるため、4個の空胴共振器を必要とし、共振器
間の接続器の数も比較的多数となり、その結果、
全体の構成が複雑大形で、コスト高となる欠点が
ある。
本発明者は、CINダイプレクサの構成部品とし
て好適で、第15図に示したCINダイプレクサの
欠点を除き得るデユアルモード円形導波管空胴共
振器より成るノツチフイルタをさきに提案した
(特願昭53−019121)。第18図は、その構成を示
す断面図、第19図は、第18図のA−A断面図
で、両図において、18は円形導波管空胴共振
器、19は短絡壁に穿つた結合孔、20は結合線
路、21は主線路で、結合線路20と共にT分岐
回路を形成する。22及び23は同軸端子で、各
内部導体を主線路21の端部に接続してある。第
20図は、上記ノツチフイルタを用いて成るCIN
ダイプレクサを示す図で、241及び242は第1
8図及び第19図に示したノツチフイルタで、ノ
ツチフイルタ241の同軸端子22をハイブリツ
ド回路121の結合端子1213に、同軸端子23
をハイブリツド回路122の結合端子1223にそ
れぞれ接続し、ノツチフイルタ242の同軸端子
22及び23をハイブリツド回路121の結合端
子1214及びハイブリツド回路122の結合端子
1224にそれぞれ接続してある。
て好適で、第15図に示したCINダイプレクサの
欠点を除き得るデユアルモード円形導波管空胴共
振器より成るノツチフイルタをさきに提案した
(特願昭53−019121)。第18図は、その構成を示
す断面図、第19図は、第18図のA−A断面図
で、両図において、18は円形導波管空胴共振
器、19は短絡壁に穿つた結合孔、20は結合線
路、21は主線路で、結合線路20と共にT分岐
回路を形成する。22及び23は同軸端子で、各
内部導体を主線路21の端部に接続してある。第
20図は、上記ノツチフイルタを用いて成るCIN
ダイプレクサを示す図で、241及び242は第1
8図及び第19図に示したノツチフイルタで、ノ
ツチフイルタ241の同軸端子22をハイブリツ
ド回路121の結合端子1213に、同軸端子23
をハイブリツド回路122の結合端子1223にそ
れぞれ接続し、ノツチフイルタ242の同軸端子
22及び23をハイブリツド回路121の結合端
子1214及びハイブリツド回路122の結合端子
1224にそれぞれ接続してある。
ハイブリツド回路121の入力端子1211にfV波
及びfV−3.58波を加えると、ノツチフイルタ241
及び242の各結合線路20及び結合孔19間の
磁気結合によつて、結合線路20と45°の角度差
を有しfV波に対応する電界E〓Vと、結合線路20と
45°の角度差を有すると共に電界E〓Vと直交しfV−
3.58波に対応する電界E〓V-3.58とが空胴共振器内に
共存して共振し、fV−3.58波はノツチフイルタ2
41及び242で反射されてアイソレーシヨン端子
1212に接続された無反射終端器14に吸収さ
れ、fV波はハイブリツド回路122のアイソレー
シヨン端子1222に現出する。又、ハイブリツド
回路122の入力端子1221に加えられたfA波はノ
ツチフイルタ241及び242で反射されてアイソ
レーシヨン端子1222に現出し、fV波と合成され
る。
及びfV−3.58波を加えると、ノツチフイルタ241
及び242の各結合線路20及び結合孔19間の
磁気結合によつて、結合線路20と45°の角度差
を有しfV波に対応する電界E〓Vと、結合線路20と
45°の角度差を有すると共に電界E〓Vと直交しfV−
3.58波に対応する電界E〓V-3.58とが空胴共振器内に
共存して共振し、fV−3.58波はノツチフイルタ2
41及び242で反射されてアイソレーシヨン端子
1212に接続された無反射終端器14に吸収さ
れ、fV波はハイブリツド回路122のアイソレー
シヨン端子1222に現出する。又、ハイブリツド
回路122の入力端子1221に加えられたfA波はノ
ツチフイルタ241及び242で反射されてアイソ
レーシヨン端子1222に現出し、fV波と合成され
る。
このCINダイプレクサにおいては、空胴共振器
の数が2個で足りるから、それだけ全体の構成を
簡潔小形ならしめ得ると共に、空胴共振器に共存
共振する互に周波数の異なる2波の各々における
負荷Qが互に等しいという利点を有するが、空胴
共振器における結合部分の構成が複雑で、結合孔
及び結合線路等のように調整を要する個所が比較
的多いため、ノツチフイルタの製作が比較的困難
で、コスト高となる欠点を免れることが出来な
い。
の数が2個で足りるから、それだけ全体の構成を
簡潔小形ならしめ得ると共に、空胴共振器に共存
共振する互に周波数の異なる2波の各々における
負荷Qが互に等しいという利点を有するが、空胴
共振器における結合部分の構成が複雑で、結合孔
及び結合線路等のように調整を要する個所が比較
的多いため、ノツチフイルタの製作が比較的困難
で、コスト高となる欠点を免れることが出来な
い。
本発明が解決しようとする問題点
本発明は、上記従来の欠点、即ち、ダイプレク
サ等を構成する場合、一般に比較的多数のノツチ
フイルタを必要とし、比較的少数で足りるように
構成したノツチフイルタにおいても、構成が複雑
で製作が困難なために、コスト高となる欠点を除
き、構成及び製作調整が簡潔容易で、コストを低
廉ならしめ、ダイプレクサ等の構成部品として好
適なノツチフイルタを実現することを目的とす
る。
サ等を構成する場合、一般に比較的多数のノツチ
フイルタを必要とし、比較的少数で足りるように
構成したノツチフイルタにおいても、構成が複雑
で製作が困難なために、コスト高となる欠点を除
き、構成及び製作調整が簡潔容易で、コストを低
廉ならしめ、ダイプレクサ等の構成部品として好
適なノツチフイルタを実現することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段(実施例 1)
第1図は、本発明の一実施例を示す断面図、第
2図は、第1図のA−A断面図、第3図は、第1
図のB−B断面図で、各図において、1は円形導
波管空胴共振器の円筒状側壁で、その軸長、即
ち、共振長を管内波長λgのほぼ1/2に形成してあ
る。2は短絡壁、3は結合プローブで、円筒状側
壁1から管内に挿入された棒状導体より成り、そ
の管内挿入方向を円筒状側壁1の半径方向にほぼ
一致せしめてある。4は同軸端子、5はHモード
の共振周波数微調整素子で、円筒状側壁1から管
内に挿入した棒状導体より成り、その管内挿入長
を微細に変化せしめ得ると共に、その管内挿入方
向が、結合プローブ3と45°及び135°(又はほぼ45°
及びほぼ135°)の角度差を有するように形成して
ある。6はVモードの共振周波数微調整素子で、
その管内挿入方向が素子5と直角(又はほぼ直
角)をなすように形成する他は素子5と同様の構
成である。7はモード結合微調整素子で、その管
内挿入方向が素子5及び6とそれぞれ45°(又はほ
ぼ45°)の角度差をもつように形成する他は、素
子5及び6と同様の構成である。尚、円筒状側壁
1の軸長のほぼ1/2の個所に素子5ないし7を設
けた場合に、調整効果を最も大ならしめ得るが、
上記個所から軸方向に適宜離れた個所に設けるよ
うにしてもよい。又、図には素子5を中心軸に対
称の側壁個所に2本設けた場合を例示したが、何
れか一方を省いてもよく、素子6も同様に何れか
一方を省いても差支えない。更に、素子7も図示
のように4本を設ける代りに、4本の素子の中、
管内挿入方向が互に直交し、素子5及び6と45°
又は135°の角度差を有する2本の素子を以てモー
ド結合微調整素子を形成してもよい。
2図は、第1図のA−A断面図、第3図は、第1
図のB−B断面図で、各図において、1は円形導
波管空胴共振器の円筒状側壁で、その軸長、即
ち、共振長を管内波長λgのほぼ1/2に形成してあ
る。2は短絡壁、3は結合プローブで、円筒状側
壁1から管内に挿入された棒状導体より成り、そ
の管内挿入方向を円筒状側壁1の半径方向にほぼ
一致せしめてある。4は同軸端子、5はHモード
の共振周波数微調整素子で、円筒状側壁1から管
内に挿入した棒状導体より成り、その管内挿入長
を微細に変化せしめ得ると共に、その管内挿入方
向が、結合プローブ3と45°及び135°(又はほぼ45°
及びほぼ135°)の角度差を有するように形成して
ある。6はVモードの共振周波数微調整素子で、
その管内挿入方向が素子5と直角(又はほぼ直
角)をなすように形成する他は素子5と同様の構
成である。7はモード結合微調整素子で、その管
内挿入方向が素子5及び6とそれぞれ45°(又はほ
ぼ45°)の角度差をもつように形成する他は、素
子5及び6と同様の構成である。尚、円筒状側壁
1の軸長のほぼ1/2の個所に素子5ないし7を設
けた場合に、調整効果を最も大ならしめ得るが、
上記個所から軸方向に適宜離れた個所に設けるよ
うにしてもよい。又、図には素子5を中心軸に対
称の側壁個所に2本設けた場合を例示したが、何
れか一方を省いてもよく、素子6も同様に何れか
一方を省いても差支えない。更に、素子7も図示
のように4本を設ける代りに、4本の素子の中、
管内挿入方向が互に直交し、素子5及び6と45°
又は135°の角度差を有する2本の素子を以てモー
ド結合微調整素子を形成してもよい。
作用及び効果
同軸端子4及び結合プローブ3を介して互に周
波数の異なる2波により円形導波管空胴共振器を
励振すると、第2図に示すように、電界E〓H及び
E〓Vが互に直交するHモードとVモードが同時に
共振すること第18図及び第19図に示したノツ
チフイルタと同様であるが、本発明ノツチフイル
タは第1図ないし第3図から明らかなように、結
合部分が単なる棒状導体より成り、第18図及び
第19図に示したノツチフイルタにおける結合部
分に比し遥かに構造が簡潔で製作が容易であるか
ら、コストを低廉ならしめ得ると共に次のような
特長を有する。
波数の異なる2波により円形導波管空胴共振器を
励振すると、第2図に示すように、電界E〓H及び
E〓Vが互に直交するHモードとVモードが同時に
共振すること第18図及び第19図に示したノツ
チフイルタと同様であるが、本発明ノツチフイル
タは第1図ないし第3図から明らかなように、結
合部分が単なる棒状導体より成り、第18図及び
第19図に示したノツチフイルタにおける結合部
分に比し遥かに構造が簡潔で製作が容易であるか
ら、コストを低廉ならしめ得ると共に次のような
特長を有する。
一般に円形導波管空胴共振器の直径をDとする
と、H11モードの遮断波長λcは、 λc=1.706D …(1) 管内波長λgは、自由空間波長をλとすると、 λ(mm)=300/f(GHz) 又、円形導波管空胴共振器の共振長は管内波
長のほぼ1/2で、負荷Q(QL)に応じて管内波長
の1/2以下に変化する。
と、H11モードの遮断波長λcは、 λc=1.706D …(1) 管内波長λgは、自由空間波長をλとすると、 λ(mm)=300/f(GHz) 又、円形導波管空胴共振器の共振長は管内波
長のほぼ1/2で、負荷Q(QL)に応じて管内波長
の1/2以下に変化する。
本発明ノツチフイルタにおける結合プローブ3
を、何れか一方の短絡壁2から中心軸方向にλg/4 =cだけ離れた個所に設けると共に、共振周波
数微調整素子5及び6の何れか一方、例えば6を
省き、更に、モード結合微調整素子7を省き、素
子5と結合プローブ3との角度差θHを0°又は180°
となした場合、即ち、従来の円形導波管空胴共振
器と同様構成となした場合の負荷QをQLOとする
と、プローブ3の直径がDP、その管内挿入長が
Pの場合、QLOはDP -4に比例して高くなると共
に、P -2に比例して高くなる。θHを前述のよう
に0°又は180°に保ち、cを変化せしめた場合の負
荷QをQL cとすると、 QL c=QLO/sin2 cπ/ …(3) 素子5及び7を省き、素子6と結合プローブ3
との角度差θVを0°又は180°となした場合も同様で
ある。
を、何れか一方の短絡壁2から中心軸方向にλg/4 =cだけ離れた個所に設けると共に、共振周波
数微調整素子5及び6の何れか一方、例えば6を
省き、更に、モード結合微調整素子7を省き、素
子5と結合プローブ3との角度差θHを0°又は180°
となした場合、即ち、従来の円形導波管空胴共振
器と同様構成となした場合の負荷QをQLOとする
と、プローブ3の直径がDP、その管内挿入長が
Pの場合、QLOはDP -4に比例して高くなると共
に、P -2に比例して高くなる。θHを前述のよう
に0°又は180°に保ち、cを変化せしめた場合の負
荷QをQL cとすると、 QL c=QLO/sin2 cπ/ …(3) 素子5及び7を省き、素子6と結合プローブ3
との角度差θVを0°又は180°となした場合も同様で
ある。
本発明ノツチフイルタにおいては、結合プロー
ブ3と短絡壁2との距離cをほぼλg/4に保ち、素 子5とプローブ3の角度差θH及び素子6とプロー
ブ3の角度差θVの和、θH+θVを90°に保持しなが
らθHとθVの大きさを変化せしめた場合、Hモード
における負荷QをQL〓H、Vモードにおける負荷Q
をQL〓Vとすると、各負荷Qは次式から求めること
が出来る。
ブ3と短絡壁2との距離cをほぼλg/4に保ち、素 子5とプローブ3の角度差θH及び素子6とプロー
ブ3の角度差θVの和、θH+θVを90°に保持しなが
らθHとθVの大きさを変化せしめた場合、Hモード
における負荷QをQL〓H、Vモードにおける負荷Q
をQL〓Vとすると、各負荷Qは次式から求めること
が出来る。
QL〓H=QLO/sin2θH …(4)
QL〓V=QLO/sin2θV …(5)
cを任意に変化せしめると共に、θHとθVの和
を90°に保ちながらθHとθVの大きさを変化せしめ
た場合のHモードにおける負荷QをQL c〓H、V
モードにおける負荷QをQL c〓Vとすると、各負
荷Qは次式で与えられる。
を90°に保ちながらθHとθVの大きさを変化せしめ
た場合のHモードにおける負荷QをQL c〓H、V
モードにおける負荷QをQL c〓Vとすると、各負
荷Qは次式で与えられる。
QL cθV=QLO/sin2 c/π・sin2θH…(6)
QL cθV=QLO/sin2 c/π・sin2θV…(7)
本発明ノツチフイルタは第4図に等価回路を示
すように、Hモード及びVモードに対してそれぞ
れ独立の共振回路として動作し、Hモードに対す
るアドミツタンスY〓H及びVモードに対するアド
ミツタンスY〓Vは、(8)式及び(9)式から求めること
が出来る。
すように、Hモード及びVモードに対してそれぞ
れ独立の共振回路として動作し、Hモードに対す
るアドミツタンスY〓H及びVモードに対するアド
ミツタンスY〓Vは、(8)式及び(9)式から求めること
が出来る。
Y〓H=〔QL cθH(f/fOH−fOH/f)〕-1 …(8)
Y〓V=〔QL cθV(f/fOV−fOV/f)〕-1 …(9)
但し、
f:任意の周波数
fOH:Hモードにおける共振周波数
fOV:Vモードにおける共振周波数
第4図に示した等価回路の基本マトリツクス
[F〓HV]は、 [F〓HV]=1 Y〓H 0 11 Y〓V 0 1=1 Y〓H+Y〓V 0 1=A〓 B〓 C〓 D〓 …(10) (8)式、(9)式及び(10)式から伝送特性LHVは、 LHV=10og|A〓+B〓+C〓+D〓|2/4=10og|
1+0+(Y〓H+Y〓V)+1|2/4 =10og|1+Y〓H+Y〓V/2|2=20og|1
+Y〓H+Y〓V/2|…(11) 本発明者が試作品について求めた実測値は(11)
式から得られる理論値と極めて良く一致し、その
伝送特性曲線は、第5図(横軸は周波数fMHz、
縦軸は減衰量ATTdB)に示す通りである。
[F〓HV]は、 [F〓HV]=1 Y〓H 0 11 Y〓V 0 1=1 Y〓H+Y〓V 0 1=A〓 B〓 C〓 D〓 …(10) (8)式、(9)式及び(10)式から伝送特性LHVは、 LHV=10og|A〓+B〓+C〓+D〓|2/4=10og|
1+0+(Y〓H+Y〓V)+1|2/4 =10og|1+Y〓H+Y〓V/2|2=20og|1
+Y〓H+Y〓V/2|…(11) 本発明者が試作品について求めた実測値は(11)
式から得られる理論値と極めて良く一致し、その
伝送特性曲線は、第5図(横軸は周波数fMHz、
縦軸は減衰量ATTdB)に示す通りである。
問題点を解決するための手段(実施例 2)
第6図は、本発明の他の実施例を示す図で、8
は第1図ないし第3図に示した本発明ノツチフイ
ルタ、9は誘導性の補償回路で、例えばλg/4以下 の軸長を有する短絡形同軸スタブより成り、同軸
線路より成る十字形分岐回路10を介して同軸端
子4に接続してある。
は第1図ないし第3図に示した本発明ノツチフイ
ルタ、9は誘導性の補償回路で、例えばλg/4以下 の軸長を有する短絡形同軸スタブより成り、同軸
線路より成る十字形分岐回路10を介して同軸端
子4に接続してある。
作用及び効果
第7図は、その等価回路図で、Y〓Lは補償回路
9のアドミツタンスである。この等価回路の基本
マトリツクス[F〓HVL]は、 [F〓HVL]=1 Y〓H+Y〓V+Y〓L 0 1 …(12) 伝送特性は、 LHVL=20og|1+Y〓H+Y〓V+Y〓L/2| …(13) となり、伝送特性曲線は第8図(横軸及び縦軸
は、第5図と同じ。)に示す通りで、同図から明
らかなように、誘導性の補償回路を付加すること
により、NTSCテレビジヨン方式のように映像信
号搬送波fVと音声信号搬送波fAの間にfV<fAなる
関係のある場合に好適なノツチフイルタを形成す
ることが出来る。即ち、ほぼfV−3.58MHzないし
ほぼfV+4.18MHz(カラー副搬送波fS=fV+3.58M
Hzを含む。)の伝送特性及びグループ遅延時間特
性の良好なノツチフイルタを形成せしめ得る。
9のアドミツタンスである。この等価回路の基本
マトリツクス[F〓HVL]は、 [F〓HVL]=1 Y〓H+Y〓V+Y〓L 0 1 …(12) 伝送特性は、 LHVL=20og|1+Y〓H+Y〓V+Y〓L/2| …(13) となり、伝送特性曲線は第8図(横軸及び縦軸
は、第5図と同じ。)に示す通りで、同図から明
らかなように、誘導性の補償回路を付加すること
により、NTSCテレビジヨン方式のように映像信
号搬送波fVと音声信号搬送波fAの間にfV<fAなる
関係のある場合に好適なノツチフイルタを形成す
ることが出来る。即ち、ほぼfV−3.58MHzないし
ほぼfV+4.18MHz(カラー副搬送波fS=fV+3.58M
Hzを含む。)の伝送特性及びグループ遅延時間特
性の良好なノツチフイルタを形成せしめ得る。
問題点を解決するための手段(実施例 3)
第9図もまた本発明の他の実施例を示す図で、
11は容量性の補償回路で、例えば軸長がλg/4以 下の開放形同軸スタブより成る。他の符号は第6
図と同様である。
11は容量性の補償回路で、例えば軸長がλg/4以 下の開放形同軸スタブより成る。他の符号は第6
図と同様である。
作用及び効果
第10図は、その等価回路で、Y〓Cは容量性補
償回路のアドミツタンスである。この等価回路の
基本マトリツクス[F〓HVC]は、 [F〓HVC]=1 Y〓H+Y〓V+Y〓C 0 1 …(14) となり、伝送特性は、 LHVC=20og|1+Y〓H+Y〓V+Y〓C/2| …(15) となる。
償回路のアドミツタンスである。この等価回路の
基本マトリツクス[F〓HVC]は、 [F〓HVC]=1 Y〓H+Y〓V+Y〓C 0 1 …(14) となり、伝送特性は、 LHVC=20og|1+Y〓H+Y〓V+Y〓C/2| …(15) となる。
第11図(横軸及び縦軸は第5図と同じ。)は、
第9図に示した本発明ノツチフイルタの伝送特性
を示す曲線図で、同図から明らかなように容量性
補償回路を付加することによりfV>fAなる周波数
関係を有するテレビジヨン方式等に好適なノツチ
フイルタを形成することが出来る。
第9図に示した本発明ノツチフイルタの伝送特性
を示す曲線図で、同図から明らかなように容量性
補償回路を付加することによりfV>fAなる周波数
関係を有するテレビジヨン方式等に好適なノツチ
フイルタを形成することが出来る。
第12図は、誘導性又は容量性補償回路を付加
した本発明ノツチフイルタの伝送特性と周波数f
における電圧反射係数Γ〓(f)との関係を説明す
る図で、ノツチフイルタ8の入力電力(周波数
f)をPIN(f)、出力電力をPOUT(f)、周波数f
における共振回路及び補償回路のアドミツタンス
をY〓H(f)、Y〓V(f)、Y〓L(f)及びY〓C(f)
とする
と、補償回路が誘導性の場合には PIN(f)/POUT(f)=1/1−|Γ22(f)
|=|1+Y〓H(f)+Y〓V(f)+Y〓L(f)/2|
2 したがつて、 1/|1+YH(f)+YV(f)+YL(f)/2|
2=1−|Γ〓2(f)| |Γ〓2(f)|=1−1/|1+YH(f)+YV
(f)+YL(f)/2|2 |Γ〓(f)|=〔1−1/|1+YH(f)+Yv
(f)+YL(f)/2|2〕1/2…(16) 周波数fにおける反射減衰量Lr(f)は、 Lr(f)=1/|Γ2(f)|=1/〔1−1/|
1+YH(f)+YV(f)+YL(f)/2|2〕…(17) 補償回路が容量性の場合は、 |Γ〓(f)|=〔1−1/|1+YH(f)+YV(
f)+YC(f)/2|2〕1/2…(18) Lγ(f)=1/〔1−1/|1+YH(f)+YV(
f)+YC(f)/2|2〕…(19) 本発明ノツチフイルタをハイブリツド回路又は
サーキユレータ等と組合せることによつてダイプ
レクサを構成し得るが、第13図は、本発明ノツ
チフイルタをハイブリツド回路と組合せて構成し
たCINダイプレクサを示す図で、81及び82は第
1図ないし第3図について説明した本発明ノツチ
フイルタ、121及び122はハイブリツド回路、
1211及び1221は入力端子、1212及び1222
はアイソレーシヨン端子、1213,1214,12
23及び1224は結合端子、131及び132はT分
岐回路で、例えば同軸線路より成り、各分岐端子
をハイブリツド回路121及び122の結合端子1
213,1223及び1214,1224並にノツチフイ
ルタ81及び82の同軸端子41及び42(第1図及
び第3図の4)に接続してある。14は無反射終
端器である。
した本発明ノツチフイルタの伝送特性と周波数f
における電圧反射係数Γ〓(f)との関係を説明す
る図で、ノツチフイルタ8の入力電力(周波数
f)をPIN(f)、出力電力をPOUT(f)、周波数f
における共振回路及び補償回路のアドミツタンス
をY〓H(f)、Y〓V(f)、Y〓L(f)及びY〓C(f)
とする
と、補償回路が誘導性の場合には PIN(f)/POUT(f)=1/1−|Γ22(f)
|=|1+Y〓H(f)+Y〓V(f)+Y〓L(f)/2|
2 したがつて、 1/|1+YH(f)+YV(f)+YL(f)/2|
2=1−|Γ〓2(f)| |Γ〓2(f)|=1−1/|1+YH(f)+YV
(f)+YL(f)/2|2 |Γ〓(f)|=〔1−1/|1+YH(f)+Yv
(f)+YL(f)/2|2〕1/2…(16) 周波数fにおける反射減衰量Lr(f)は、 Lr(f)=1/|Γ2(f)|=1/〔1−1/|
1+YH(f)+YV(f)+YL(f)/2|2〕…(17) 補償回路が容量性の場合は、 |Γ〓(f)|=〔1−1/|1+YH(f)+YV(
f)+YC(f)/2|2〕1/2…(18) Lγ(f)=1/〔1−1/|1+YH(f)+YV(
f)+YC(f)/2|2〕…(19) 本発明ノツチフイルタをハイブリツド回路又は
サーキユレータ等と組合せることによつてダイプ
レクサを構成し得るが、第13図は、本発明ノツ
チフイルタをハイブリツド回路と組合せて構成し
たCINダイプレクサを示す図で、81及び82は第
1図ないし第3図について説明した本発明ノツチ
フイルタ、121及び122はハイブリツド回路、
1211及び1221は入力端子、1212及び1222
はアイソレーシヨン端子、1213,1214,12
23及び1224は結合端子、131及び132はT分
岐回路で、例えば同軸線路より成り、各分岐端子
をハイブリツド回路121及び122の結合端子1
213,1223及び1214,1224並にノツチフイ
ルタ81及び82の同軸端子41及び42(第1図及
び第3図の4)に接続してある。14は無反射終
端器である。
ハイブリツド回路121の結合係数をC、結合
線路の電気角をθ、特性インピーダンスをZO、結
合端子1213及び1214に接続される負荷インピ
ーダンスをZLとし、ZL=ZO=1とした場合、入力
端子1211に入力電圧E〓INを加えると、結合端子
1213,1214及びアイソレーシヨン端子1212
の各出力電圧E〓13,E〓14及びE〓12は、 E〓12≒0 …(22) 結合端子1213及び1214に電圧反射係数Γ〓な
る負荷を接結した場合における端子1213,12
14及び1212の各出力電圧E〓′13,E〓′14及びE〓′1
2は 入力端子1211への反射電圧E〓11〓及び入力端子
1211における電圧反射係数SINは、 SIN=|EIN|+|E11〓|/|EIN|−|E11〓|…(27
) で表わされる。
線路の電気角をθ、特性インピーダンスをZO、結
合端子1213及び1214に接続される負荷インピ
ーダンスをZLとし、ZL=ZO=1とした場合、入力
端子1211に入力電圧E〓INを加えると、結合端子
1213,1214及びアイソレーシヨン端子1212
の各出力電圧E〓13,E〓14及びE〓12は、 E〓12≒0 …(22) 結合端子1213及び1214に電圧反射係数Γ〓な
る負荷を接結した場合における端子1213,12
14及び1212の各出力電圧E〓′13,E〓′14及びE〓′1
2は 入力端子1211への反射電圧E〓11〓及び入力端子
1211における電圧反射係数SINは、 SIN=|EIN|+|E11〓|/|EIN|−|E11〓|…(27
) で表わされる。
第14図は、第7図に示した本発明ノツチフイ
ルタをハイブリツド回路と組合せて構成したダイ
プレクサを示す図で、8′1及び8′2は第7図に示
した本発明ノツチフイルタ、151及び152は十
字形分岐回路で、他の符号は第13図と同じであ
る。
ルタをハイブリツド回路と組合せて構成したダイ
プレクサを示す図で、8′1及び8′2は第7図に示
した本発明ノツチフイルタ、151及び152は十
字形分岐回路で、他の符号は第13図と同じであ
る。
ハイブリツド回路121における入力端子12
11の周波数fなる入力電圧及び電力をE〓11N(f)
及びP11Nf)、ハイブリツド回路122における入
力端子1221の入力電圧及び入力電力をE〓21N(f)
及びP21N(f)、ハイブリツド回路122における
アイソレーシヨン端子1222の出力電圧及び出力
電力をE〓1OUT(f)、E〓2OUT(f)及びP1OUT(f)
、
P2OUT(f)とすると、ハイブリツド回路121の
入力端子1211とハイブリツド回路122のアイ
ソレーシヨン端子1222との間の電圧伝送特性及
び電力伝送特性は、 P11N(f)/P1OUT(f)=20ogE11N(f)/E1OUT
(f) (dB) …(29) ハイブリツド回路122の入力端子1221とハ
イブリツド回路121のアイソレーシヨン端子1
212との間の電圧伝送特性及び電力伝送特性は、 P2IN(f)/P2OUT(f)=20ogE2IN(f)/E2OUT
(f) (dB) …(31) (28)式及び(30)式において、 θ:周波数fにおけるハイブリツド回路の結合線
路の電気角 ハイブリツド回路121及び122における入力
端子1211,1221、アイソレーシヨン端子12
12,1222の各反射電圧をE〓〓(f)、各端子の入力
電圧をE〓K(f)とすると、各端子における反射電
圧比は次式で求めることが出来る。
11の周波数fなる入力電圧及び電力をE〓11N(f)
及びP11Nf)、ハイブリツド回路122における入
力端子1221の入力電圧及び入力電力をE〓21N(f)
及びP21N(f)、ハイブリツド回路122における
アイソレーシヨン端子1222の出力電圧及び出力
電力をE〓1OUT(f)、E〓2OUT(f)及びP1OUT(f)
、
P2OUT(f)とすると、ハイブリツド回路121の
入力端子1211とハイブリツド回路122のアイ
ソレーシヨン端子1222との間の電圧伝送特性及
び電力伝送特性は、 P11N(f)/P1OUT(f)=20ogE11N(f)/E1OUT
(f) (dB) …(29) ハイブリツド回路122の入力端子1221とハ
イブリツド回路121のアイソレーシヨン端子1
212との間の電圧伝送特性及び電力伝送特性は、 P2IN(f)/P2OUT(f)=20ogE2IN(f)/E2OUT
(f) (dB) …(31) (28)式及び(30)式において、 θ:周波数fにおけるハイブリツド回路の結合線
路の電気角 ハイブリツド回路121及び122における入力
端子1211,1221、アイソレーシヨン端子12
12,1222の各反射電圧をE〓〓(f)、各端子の入力
電圧をE〓K(f)とすると、各端子における反射電
圧比は次式で求めることが出来る。
上記各端子の電圧反射係数Sは、
SK=1+|E〓(f)/|EK(f)/1−|E〓(f)
|/|EK(f)|…(33) (32)式及び(33)式において、Kは各端子1211,
1221,1212及び1222の添字に対応する11,
21,12及び22である。
|/|EK(f)|…(33) (32)式及び(33)式において、Kは各端子1211,
1221,1212及び1222の添字に対応する11,
21,12及び22である。
第9図に示したノツチフイルタ、即ち、容量性
補償回路11を付加したノツチフイルタをハイブ
リツド回路と組合せた場合には、第14図、(28)
式、(30)式及び(32)式の各Y〓L(f)をY〓C(f)に置
換えることにより、前記と同様にしてハイブリツ
ド回路の入力端子とアイソレーシヨン端子間の電
圧及び電力伝送特性、各端子における反射電圧比
及び電圧反射係数等を求めることが出来る。
補償回路11を付加したノツチフイルタをハイブ
リツド回路と組合せた場合には、第14図、(28)
式、(30)式及び(32)式の各Y〓L(f)をY〓C(f)に置
換えることにより、前記と同様にしてハイブリツ
ド回路の入力端子とアイソレーシヨン端子間の電
圧及び電力伝送特性、各端子における反射電圧比
及び電圧反射係数等を求めることが出来る。
本発明者は、ダイプレクサの試作品について伝
送特性を求めたが、誘導性補償回路を付加したノ
ツチフイルタを組込んだ場合は第8図の特性曲線
と、容量性補償回路を付加したノツチフイルタを
組込んだ場合は第11図の特性曲線と、それぞれ
極めて良く一致する結果を得ることが出来た。
送特性を求めたが、誘導性補償回路を付加したノ
ツチフイルタを組込んだ場合は第8図の特性曲線
と、容量性補償回路を付加したノツチフイルタを
組込んだ場合は第11図の特性曲線と、それぞれ
極めて良く一致する結果を得ることが出来た。
本発明の効果のまとめ
以上の説明から明らかなように、本発明ノツチ
フイルタは構成、製作調整が簡潔容易で、電気的
特性が良好なると共にデユアルモード形であるか
ら、これをハイブリツド回路又はサーキユレータ
等と組合せてダイプレクサを形成するときは、全
体の構成が簡潔小形で、コストが低廉となり、特
に誘導性又は容量性補償回路を付加したノツチフ
イルタを用いた場合には、NTSCテレビジヨン方
式における映像及び音声信号搬送波の合成等に好
適なCINダイプレクサを構成し得るもので、その
効果甚だ大である。
フイルタは構成、製作調整が簡潔容易で、電気的
特性が良好なると共にデユアルモード形であるか
ら、これをハイブリツド回路又はサーキユレータ
等と組合せてダイプレクサを形成するときは、全
体の構成が簡潔小形で、コストが低廉となり、特
に誘導性又は容量性補償回路を付加したノツチフ
イルタを用いた場合には、NTSCテレビジヨン方
式における映像及び音声信号搬送波の合成等に好
適なCINダイプレクサを構成し得るもので、その
効果甚だ大である。
第1図ないし第3図は、本発明の一実施例を示
す図、第4図は、その等価回路図、第5図は、そ
の伝送特性曲線図、第6図及び第9図は、本発明
の他の実施例を示す図、第7図及び第10図は、
その等価回路図、第8図及び第11は、その伝送
特性曲線図、第12図は、その伝送特性と電圧反
射係数の関係を説明する図、第13図及び第14
図は、本発明ノツチフイルタを用いたダイプレク
サを示す図、第15図及び第20図は、従来のダ
イプレクサを示す図、第16図ないし第19図
は、従来のノツチフイルタを示す図で、1……円
筒状側壁、2……短絡壁、3……結合プローブ、
4,41及び42……同軸端子、5及び6……共振
周波数微調整素子、7……モード結合微調整素
子、8,81,82,8′1,及び8′2……本発明ノ
ツチフイルタ、9及び11……補償回路、10,
131,132,151及び152……分岐回路、1
21及び122……ハイブリツド回路、1211及び
1221……入力端子、1212及び1222……アイ
ソレーシヨン端子、1213,1214,1223及び
1224……結合端子、14……無反射終端器、1
61,162,171及び172……従来のノツチフ
イルタ、18……円形導波管空胴共振器、19…
…結合孔、20……結合線路、21……主線路、
22及び23……同軸端子である。
す図、第4図は、その等価回路図、第5図は、そ
の伝送特性曲線図、第6図及び第9図は、本発明
の他の実施例を示す図、第7図及び第10図は、
その等価回路図、第8図及び第11は、その伝送
特性曲線図、第12図は、その伝送特性と電圧反
射係数の関係を説明する図、第13図及び第14
図は、本発明ノツチフイルタを用いたダイプレク
サを示す図、第15図及び第20図は、従来のダ
イプレクサを示す図、第16図ないし第19図
は、従来のノツチフイルタを示す図で、1……円
筒状側壁、2……短絡壁、3……結合プローブ、
4,41及び42……同軸端子、5及び6……共振
周波数微調整素子、7……モード結合微調整素
子、8,81,82,8′1,及び8′2……本発明ノ
ツチフイルタ、9及び11……補償回路、10,
131,132,151及び152……分岐回路、1
21及び122……ハイブリツド回路、1211及び
1221……入力端子、1212及び1222……アイ
ソレーシヨン端子、1213,1214,1223及び
1224……結合端子、14……無反射終端器、1
61,162,171及び172……従来のノツチフ
イルタ、18……円形導波管空胴共振器、19…
…結合孔、20……結合線路、21……主線路、
22及び23……同軸端子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 円筒状側壁に結合プローブ及び互に周波数の
異なるHモード並にVモードの各共振周波数を各
別に調整する素子を設け、この素子の管内挿入方
向が互に直角で、前記結合プローブとの間にそれ
ぞれ45°又は135°の角度差を有するように形成し
た円形導波管空胴共振器より成ることを特徴とす
るノツチフイルタ。 2 結合プローブの端子に分岐回路を介して誘導
性の補償回路を付加した特許請求の範囲第1項記
載のノツチフイルタ。 3 結合プローブの端子に分岐回路を介して容量
性の補償回路を付加した特許請求の範囲第1項記
載のノツチフイルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19998684A JPS6178202A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | ノツチフイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19998684A JPS6178202A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | ノツチフイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178202A JPS6178202A (ja) | 1986-04-21 |
| JPH053922B2 true JPH053922B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=16416884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19998684A Granted JPS6178202A (ja) | 1984-09-25 | 1984-09-25 | ノツチフイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178202A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2697372B1 (fr) * | 1992-10-22 | 1994-12-09 | Alcatel Telspace | Filtre agile passe-bande hyperfréquences à cavités bi-modes. |
-
1984
- 1984-09-25 JP JP19998684A patent/JPS6178202A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6178202A (ja) | 1986-04-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |