JPH0540915A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH0540915A JPH0540915A JP3216295A JP21629591A JPH0540915A JP H0540915 A JPH0540915 A JP H0540915A JP 3216295 A JP3216295 A JP 3216295A JP 21629591 A JP21629591 A JP 21629591A JP H0540915 A JPH0540915 A JP H0540915A
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- Japan
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- thin film
- magnetic
- lambda
- sigma
- stress
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- Withdrawn
Links
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 16
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 薄膜磁気ヘッドのコア材の膜応力（σ）（dy
n/cm2 ）と磁歪定数（λ）との関係が下記の式からな
る。 λ＝ａ×σ但し、ａ＝−１．７×１０-16 〜−３．８×
１０-16 【効果】 コア材となる磁性薄膜の膜応力（σ）の大き
さ及び方向に対して、磁歪定数（λ）を適正範囲に設定
することにより、電磁変換特性が安定する薄膜磁気ヘッ
ドを得ることができる。
n/cm2 ）と磁歪定数（λ）との関係が下記の式からな
る。 λ＝ａ×σ但し、ａ＝−１．７×１０-16 〜−３．８×
１０-16 【効果】 コア材となる磁性薄膜の膜応力（σ）の大き
さ及び方向に対して、磁歪定数（λ）を適正範囲に設定
することにより、電磁変換特性が安定する薄膜磁気ヘッ
ドを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ハードディスク等の
磁気記録媒体に使用される薄膜磁気ヘッドに関する。
磁気記録媒体に使用される薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気ハードディスクの高密度
化に対応できる磁気ヘッドとして、薄膜磁気ヘッドが知
られている。この薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性はコア
材として使われている磁性薄膜の磁気特性に大きく依存
している。
化に対応できる磁気ヘッドとして、薄膜磁気ヘッドが知
られている。この薄膜磁気ヘッドの電磁変換特性はコア
材として使われている磁性薄膜の磁気特性に大きく依存
している。
【０００３】ところで、この磁性薄膜の磁気特性の不安
定要因の一つとして磁性薄膜の磁歪がある。したがっ
て、この薄膜の材料として磁歪定数（λ）がゼロの材料
が望ましい。
定要因の一つとして磁性薄膜の磁歪がある。したがっ
て、この薄膜の材料として磁歪定数（λ）がゼロの材料
が望ましい。
【０００４】しかし、この薄膜の材料として磁歪定数
（λ）がゼロの材料を仮に用いたとしても、この磁性薄
膜は他の材料（絶縁部材）に密着して存在するため、何
らかの応力エネルギーを受けることになる。
（λ）がゼロの材料を仮に用いたとしても、この磁性薄
膜は他の材料（絶縁部材）に密着して存在するため、何
らかの応力エネルギーを受けることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は薄膜磁気ヘ
ッドのコア材となる磁性薄膜の持つ膜応力（真応力＋熱
応力）（σ）に対して、磁歪定数（λ）の適正範囲を設
定し、電磁変換特性が安定する薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
ッドのコア材となる磁性薄膜の持つ膜応力（真応力＋熱
応力）（σ）に対して、磁歪定数（λ）の適正範囲を設
定し、電磁変換特性が安定する薄膜磁気ヘッドを提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、磁性薄膜をコア材とする薄
膜磁気ヘッドであって、印加磁界方向におけるコア材の
膜応力（σ）（dyn/cm2 ）と磁歪定数（λ）との関係が
下記の式からなる薄膜磁気ヘッド。 λ＝ａ×σ 但し、ａ＝−１．７×１０-16 〜−３．８×１０-16
に、請求項１記載の発明は、磁性薄膜をコア材とする薄
膜磁気ヘッドであって、印加磁界方向におけるコア材の
膜応力（σ）（dyn/cm2 ）と磁歪定数（λ）との関係が
下記の式からなる薄膜磁気ヘッド。 λ＝ａ×σ 但し、ａ＝−１．７×１０-16 〜−３．８×１０-16
【０００７】
【作用】上記構成によれば、薄膜磁気ヘッドのコア材と
なる磁性薄膜の持つ膜応力（σ）の大きさ及び方向に対
して、電磁変換特性が安定する磁歪定数（λ）を得るこ
とができる。
なる磁性薄膜の持つ膜応力（σ）の大きさ及び方向に対
して、電磁変換特性が安定する磁歪定数（λ）を得るこ
とができる。
【０００８】
【実施例】本実施例に係る薄膜磁気ヘッドは、図１に示
すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等からなるセラミック基
板1 と、この基板1 上に積層されたＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 等からなる下部絶縁層2 と、この絶縁層2 上に積層さ
れた下部コア材となる下部磁性薄膜部材3 、この薄膜部
材3 上に積層され、一端が上記薄膜部材3 の一端に連な
り、他端が上記薄膜部材3 の他端にギャップ層Ｇを介し
て対向する上部コア材となる上部磁性薄膜部材4 と、こ
の薄膜部材4 上に積層されたＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等か
らなる保護層となる上部絶縁層5 と、これら各薄膜部材
3,4 との間を貫通するように配置された薄膜コイル導体
6 とから構成されている。
すように、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等からなるセラミック基
板1 と、この基板1 上に積層されたＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 等からなる下部絶縁層2 と、この絶縁層2 上に積層さ
れた下部コア材となる下部磁性薄膜部材3 、この薄膜部
材3 上に積層され、一端が上記薄膜部材3 の一端に連な
り、他端が上記薄膜部材3 の他端にギャップ層Ｇを介し
て対向する上部コア材となる上部磁性薄膜部材4 と、こ
の薄膜部材4 上に積層されたＡｌ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 等か
らなる保護層となる上部絶縁層5 と、これら各薄膜部材
3,4 との間を貫通するように配置された薄膜コイル導体
6 とから構成されている。
【０００９】上記各磁性薄膜部材3,4 の磁気特性材料は
同一につき、以下上部磁性薄膜部材4 について説明す
る。
同一につき、以下上部磁性薄膜部材4 について説明す
る。
【００１０】上部磁性薄膜部材4 は透磁率の高い磁性材
料であるＮｉ−Ｆｅ二元合金、あるいはＣｏ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ三元合金，Ｃｏ系アモルファスＦｅ系膜センダストet
c でスパッタ形成されている。また、この薄膜部材4 に
は単軸磁気異方性が付与されている。
料であるＮｉ−Ｆｅ二元合金、あるいはＣｏ，Ｎｉ，Ｆ
ｅ三元合金，Ｃｏ系アモルファスＦｅ系膜センダストet
c でスパッタ形成されている。また、この薄膜部材4 に
は単軸磁気異方性が付与されている。
【００１１】この薄膜部材4 にあっては、図２に示すよ
うに、磁化容易軸Ｘを記録媒体のトラック幅方向に向け
るとともに、上記磁化容易軸Ｘと直交するように磁化困
難軸Ｙが励磁方向に向けられている。このように上記各
磁化軸Ｘ，Ｙを設定することにより、磁化回転による磁
化反転が行われ、この薄膜部材4の使用周波数領域であ
る高周波領域での透磁率を大きくしている。
うに、磁化容易軸Ｘを記録媒体のトラック幅方向に向け
るとともに、上記磁化容易軸Ｘと直交するように磁化困
難軸Ｙが励磁方向に向けられている。このように上記各
磁化軸Ｘ，Ｙを設定することにより、磁化回転による磁
化反転が行われ、この薄膜部材4の使用周波数領域であ
る高周波領域での透磁率を大きくしている。
【００１２】ところで、本実施例の薄膜磁気ヘッドの使
用時、この磁性薄膜部材4 には、図２中矢印Ａ方向に磁
界が印加される。なお、この方向を印加磁界方向と言
う。そして、この磁性薄膜部材4 には上記印加磁界方向
と同方向（図２中矢印Ｂ方向）に膜応力（σ）が生じ
る。この磁性薄膜部材4 の膜応力（σ）（dyn/cm2 ）と
磁歪定数（λ）との関係を下記式のように設定した。 λ＝ａ×σ 但し、ａ＝−１．７×１０-16 〜−３．８×１０-16 上記式によれば、膜応力（σ）と磁歪定数（λ）との間
には、図３に示すような関係が得られ、膜応力（σ）の
大きさ及び方向により、磁歪定数（λ）の大きさが、正
側と負側間でシストする。図３中ハッチングにて示す値
の範囲が、電磁変換特性が安定する範囲である。
用時、この磁性薄膜部材4 には、図２中矢印Ａ方向に磁
界が印加される。なお、この方向を印加磁界方向と言
う。そして、この磁性薄膜部材4 には上記印加磁界方向
と同方向（図２中矢印Ｂ方向）に膜応力（σ）が生じ
る。この磁性薄膜部材4 の膜応力（σ）（dyn/cm2 ）と
磁歪定数（λ）との関係を下記式のように設定した。 λ＝ａ×σ 但し、ａ＝−１．７×１０-16 〜−３．８×１０-16 上記式によれば、膜応力（σ）と磁歪定数（λ）との間
には、図３に示すような関係が得られ、膜応力（σ）の
大きさ及び方向により、磁歪定数（λ）の大きさが、正
側と負側間でシストする。図３中ハッチングにて示す値
の範囲が、電磁変換特性が安定する範囲である。
【００１３】また、この磁性薄膜部材4 の磁歪定数
（λ）と保磁力（Ｈｃ）（Ｏｅ）との関係は、図４に示
すような関係にあり、σ＝−４×１０9（dyn/cm2 ）〜
−６×１０9 （dyn/cm2 ）の場合、磁歪定数（λ）が正
側では１７×１０-7以下、負側では−１７×１０-7以上
において、保磁力（Ｈｃ）（Ｏｅ）が薄膜部材4 にとっ
て適正値、すなわち（Ｈｃ）＝０．３Ｏｅ以下となる。
（λ）と保磁力（Ｈｃ）（Ｏｅ）との関係は、図４に示
すような関係にあり、σ＝−４×１０9（dyn/cm2 ）〜
−６×１０9 （dyn/cm2 ）の場合、磁歪定数（λ）が正
側では１７×１０-7以下、負側では−１７×１０-7以上
において、保磁力（Ｈｃ）（Ｏｅ）が薄膜部材4 にとっ
て適正値、すなわち（Ｈｃ）＝０．３Ｏｅ以下となる。
【００１４】このように、磁歪定数（λ）が８×１０-7
〜１７×１０-7（応力は引張り応力）あるいは−８×１
０-7〜−１７×１０-7（応力は圧縮応力）であれば電磁
変換特性が安定する薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
〜１７×１０-7（応力は引張り応力）あるいは−８×１
０-7〜−１７×１０-7（応力は圧縮応力）であれば電磁
変換特性が安定する薄膜磁気ヘッドを得ることができ
る。
【００１５】
【発明の効果】上述した実施例からも明らかなように、
本発明によれば、コア材となる磁性薄膜の膜応力（σ）
の大きさ及び方向に対して、磁歪定数（λ）の適正範囲
を設定することにより、電磁変換特性が安定した薄膜磁
気ヘッドを提供することが出来る。
本発明によれば、コア材となる磁性薄膜の膜応力（σ）
の大きさ及び方向に対して、磁歪定数（λ）の適正範囲
を設定することにより、電磁変換特性が安定した薄膜磁
気ヘッドを提供することが出来る。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図
【図２】上部磁性薄膜部材を示す斜視図
【図３】上部磁性薄膜部材の膜応力（σ）と磁歪定数
（λ）との関係を示す特性図
（λ）との関係を示す特性図
【図４】上部磁性薄膜部材の磁歪定数（λ）と保磁力
（Ｈｃ）との関係を示す特性図
（Ｈｃ）との関係を示す特性図
４ 上部磁性薄膜部材 ３ 下部磁性薄膜部材
Claims (1)
- 【請求項１】 磁性薄膜をコア材とする薄膜磁気ヘッド
であって、印加磁界方向におけるコア材の膜応力（σ）
（dyn/cm2 ）と磁歪定数（λ）との関係が下記の式から
なる薄膜磁気ヘッド。 λ＝ａ×σ 但し、ａ＝−１．７×１０-16 〜−３．８×１０-16
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216295A JPH0540915A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3216295A JPH0540915A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0540915A true JPH0540915A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16686300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3216295A Withdrawn JPH0540915A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0540915A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100390860C (zh) * | 2005-03-11 | 2008-05-28 | 株式会社东芝 | 垂直磁盘装置 |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP3216295A patent/JPH0540915A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100390860C (zh) * | 2005-03-11 | 2008-05-28 | 株式会社东芝 | 垂直磁盘装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981112 |