JPH0883408A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0883408A JPH0883408A JP6216940A JP21694094A JPH0883408A JP H0883408 A JPH0883408 A JP H0883408A JP 6216940 A JP6216940 A JP 6216940A JP 21694094 A JP21694094 A JP 21694094A JP H0883408 A JPH0883408 A JP H0883408A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は記録密度の向上を目的とし、高保磁力
媒体を容易に磁化し、更に再生特性に優れた磁気ヘッド
を提供することにある。 【構成】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成され、
記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャップを
有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と下部
磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体からな
るコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおいて、
少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽和磁束密
度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜の順で積層構造により
形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を磁気ギャップ側に
配置したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 【効果】本発明によれば、記録時のギャップ長と再生時
のギャップ長を変えることができ、高保磁力媒体を記録
するのに十分な磁界強度が得られ、線記録密度の向上が
出来る。これらのことから、本発明の磁気ヘッドを使用
することによって高保磁力媒体で記録密度の向上が可能
となる。また、磁区構造に起因するノイズを抑えること
ができ信頼性の高いヘッドを供給することができる。
媒体を容易に磁化し、更に再生特性に優れた磁気ヘッド
を提供することにある。 【構成】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成され、
記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャップを
有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と下部
磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体からな
るコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおいて、
少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽和磁束密
度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜の順で積層構造により
形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を磁気ギャップ側に
配置したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 【効果】本発明によれば、記録時のギャップ長と再生時
のギャップ長を変えることができ、高保磁力媒体を記録
するのに十分な磁界強度が得られ、線記録密度の向上が
出来る。これらのことから、本発明の磁気ヘッドを使用
することによって高保磁力媒体で記録密度の向上が可能
となる。また、磁区構造に起因するノイズを抑えること
ができ信頼性の高いヘッドを供給することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記憶装置に搭載さ
れる薄膜磁気ヘッドの磁極構造に関する。
れる薄膜磁気ヘッドの磁極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録密度を向上するためには記録波長に
対応して、磁気記録媒体の高保磁力化と磁気ヘッドの狭
ギャップ化が必要とされる。しかしながら、高保磁力媒
体を磁化するためには強い磁場を発生する必要があり、
狭ギャップヘッドでは、ギャップに接する磁性膜の磁気
飽和により、発生できる磁界の上限が決まってしまい十
分な記録をすることができない。
対応して、磁気記録媒体の高保磁力化と磁気ヘッドの狭
ギャップ化が必要とされる。しかしながら、高保磁力媒
体を磁化するためには強い磁場を発生する必要があり、
狭ギャップヘッドでは、ギャップに接する磁性膜の磁気
飽和により、発生できる磁界の上限が決まってしまい十
分な記録をすることができない。
【０００３】そこで、特開昭５７−２４０１５号に記載
されているように下部磁性膜の上側と上部磁性膜の下側
に高飽和磁束密度を有する磁性膜を設けた薄膜磁気ヘッ
ドがある。このヘッド構造の例を図２、図３に示す。ギ
ャップ内にヘッド飽和を抑えるための高飽和磁束密度材
が配置されている。
されているように下部磁性膜の上側と上部磁性膜の下側
に高飽和磁束密度を有する磁性膜を設けた薄膜磁気ヘッ
ドがある。このヘッド構造の例を図２、図３に示す。ギ
ャップ内にヘッド飽和を抑えるための高飽和磁束密度材
が配置されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術で、記録
密度を向上させる手段として下部磁性膜の上側と上部磁
性膜の下側に高飽和磁束密度を有する磁性膜を用いてい
るが、７０ｋＦＣ以上の更なる記録密度の向上には対応
した１８００ｏｅ以上の高保磁力媒体を磁化することは
困難となる。
密度を向上させる手段として下部磁性膜の上側と上部磁
性膜の下側に高飽和磁束密度を有する磁性膜を用いてい
るが、７０ｋＦＣ以上の更なる記録密度の向上には対応
した１８００ｏｅ以上の高保磁力媒体を磁化することは
困難となる。
【０００５】すなわち再生のためには０．３μｍ程度の
狭ギャップを記録のためには０．４μｍ程度の広キャッ
プが要求され、その２つの要求を記録再生を兼用するヘ
ッドで満足することが非常に難しくなったことである。
狭ギャップを記録のためには０．４μｍ程度の広キャッ
プが要求され、その２つの要求を記録再生を兼用するヘ
ッドで満足することが非常に難しくなったことである。
【０００６】更に、高飽和磁束密度材は透磁率が低いた
めにギャップ先端の磁気的なギャップが広がって見える
ことや、低い透磁率為の磁気抵抗の増加による再生効率
の低下により再生出力が低くなることの問題点があっ
た。
めにギャップ先端の磁気的なギャップが広がって見える
ことや、低い透磁率為の磁気抵抗の増加による再生効率
の低下により再生出力が低くなることの問題点があっ
た。
【０００７】本発明は記録密度の向上を目的とし、高保
磁力媒体を容易に磁化し、更に再生特性に優れた磁気ヘ
ッドを提供することにある。
磁力媒体を容易に磁化し、更に再生特性に優れた磁気ヘ
ッドを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うに、下部磁極１と上部磁極２とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プ３を有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極
と下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体
からなるコイル４とにより構成される薄膜磁気ヘッドに
おいて、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜５と高
飽和磁束密度磁性膜６と低飽和磁束密度磁性膜７の順で
積層構造により形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を磁
気ギャップ側に配置する。
うに、下部磁極１と上部磁極２とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プ３を有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極
と下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体
からなるコイル４とにより構成される薄膜磁気ヘッドに
おいて、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜５と高
飽和磁束密度磁性膜６と低飽和磁束密度磁性膜７の順で
積層構造により形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を磁
気ギャップ側に配置する。
【０００９】
【作用】薄膜磁気ヘッドにおいて、少なくとも一方の磁
極を高透磁率磁性膜５と高飽和磁束密度磁性膜６と低飽
和磁束密度磁性膜７の順で積層構造により形成し、該低
飽和磁束密度磁性膜は磁気ギャップ側に配置されてい
る。記録時には発生する磁場により低飽和磁束密度磁性
は飽和し、その透磁率は空気と同様の値を示すような
る。すなわち実効的に記録ギャップ長が広がり、強い磁
界を発生することができる。この実効的な記録ギャップ
長は非磁性膜による磁気ギャップ３と低飽和磁束密度磁
性膜７をたした値となる。また、高飽和磁束密度磁性膜
６は飽和に至らないために、強く急峻な磁界分布が得ら
れる。
極を高透磁率磁性膜５と高飽和磁束密度磁性膜６と低飽
和磁束密度磁性膜７の順で積層構造により形成し、該低
飽和磁束密度磁性膜は磁気ギャップ側に配置されてい
る。記録時には発生する磁場により低飽和磁束密度磁性
は飽和し、その透磁率は空気と同様の値を示すような
る。すなわち実効的に記録ギャップ長が広がり、強い磁
界を発生することができる。この実効的な記録ギャップ
長は非磁性膜による磁気ギャップ３と低飽和磁束密度磁
性膜７をたした値となる。また、高飽和磁束密度磁性膜
６は飽和に至らないために、強く急峻な磁界分布が得ら
れる。
【００１０】また、再生時には再生ギャップ長は非磁性
膜による磁気ギャップ３によって決まり、狭ギャップに
よるギャップ損失の少ない優れた再生特性を示す。その
ために記録密度の向上が可能となる。
膜による磁気ギャップ３によって決まり、狭ギャップに
よるギャップ損失の少ない優れた再生特性を示す。その
ために記録密度の向上が可能となる。
【００１１】更に、低飽和磁束密度膜を高透磁率とする
ことにより、高飽和磁束密度磁性膜が低透磁率であるた
めの再生効率の低下を防ぐことができる。
ことにより、高飽和磁束密度磁性膜が低透磁率であるた
めの再生効率の低下を防ぐことができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１から図１０で説
明する。図１は、本発明における薄膜磁気ヘッドの断面
図である。
明する。図１は、本発明における薄膜磁気ヘッドの断面
図である。
【００１３】図１に示すように、薄膜磁気ヘッドは下部
磁極１と上部磁極２とで磁気コアが形成され、記録媒体
との対向面側に非磁性膜により磁気ギャップ３を有する
開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と下部磁極と
の間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体からなるコイ
ル４とにより構成され、上部磁極を高透磁率磁性膜５と
高飽和磁束密度磁性膜６と低飽和磁束密度磁性膜７の順
で積層構造により形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を
磁気ギャップ側に配置している。
磁極１と上部磁極２とで磁気コアが形成され、記録媒体
との対向面側に非磁性膜により磁気ギャップ３を有する
開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と下部磁極と
の間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体からなるコイ
ル４とにより構成され、上部磁極を高透磁率磁性膜５と
高飽和磁束密度磁性膜６と低飽和磁束密度磁性膜７の順
で積層構造により形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を
磁気ギャップ側に配置している。
【００１４】図４は実施例１のヘッドの磁気飽和の領域
と先端部での磁界分布の計算結果を示している。上部磁
極の高透磁率磁性膜５はＮｉＦｅ（Ｂｓ＝１Ｔ、透磁
率：：１０００、膜厚３μｍ）と高飽和磁束密度磁性膜
６はＣｏＦｅＮｉ（Ｂｓ＝１．７Ｔ、透磁率:５００、
膜厚０．７μｍ）と低飽和磁束密度磁性膜７）はＮｉＦ
ｅ（Ｂｓ＝１Ｔ、透磁率：１０００、膜厚０．１μｍ）
順で積層構造を形成した。
と先端部での磁界分布の計算結果を示している。上部磁
極の高透磁率磁性膜５はＮｉＦｅ（Ｂｓ＝１Ｔ、透磁
率：：１０００、膜厚３μｍ）と高飽和磁束密度磁性膜
６はＣｏＦｅＮｉ（Ｂｓ＝１．７Ｔ、透磁率:５００、
膜厚０．７μｍ）と低飽和磁束密度磁性膜７）はＮｉＦ
ｅ（Ｂｓ＝１Ｔ、透磁率：１０００、膜厚０．１μｍ）
順で積層構造を形成した。
【００１５】低飽和磁束密度磁性膜７は完全に飽和して
いる。また、高飽和磁束密度磁性膜６は飽和には至って
いない。図５は図３のタイプの従来ヘッドと図１に示す
本発明ヘッドの磁界分布の計算結果を比較したものであ
る。本発明ヘッドのギャップ長は０．３μｍにあるにも
関わらず、ギャップ長は０．４μｍの従来ヘッドとほぼ
同等の磁界分布を示している。
いる。また、高飽和磁束密度磁性膜６は飽和には至って
いない。図５は図３のタイプの従来ヘッドと図１に示す
本発明ヘッドの磁界分布の計算結果を比較したものであ
る。本発明ヘッドのギャップ長は０．３μｍにあるにも
関わらず、ギャップ長は０．４μｍの従来ヘッドとほぼ
同等の磁界分布を示している。
【００１６】このように高飽和磁束密度磁性膜と低飽和
磁束密度磁性膜は同一の磁性膜を用いても効果がある。
磁束密度磁性膜は同一の磁性膜を用いても効果がある。
【００１７】図６は従来ヘッドと本発明の書き込能力を
実験により、比較したものである。
実験により、比較したものである。
【００１８】比較した物の形状は上記計算と同じもので
ある。
ある。
【００１９】従来ヘッドではギャップ長を０．３μｍと
するとギャップ長０．４μｍの場合と比較してオ−バ−
ライト性能は約３ｄＢ低下してしまう。本発明ヘッドで
はギャップ長０．３μｍにて、従来ヘッドギャップ長
０．４μｍと同等の性能を示している。
するとギャップ長０．４μｍの場合と比較してオ−バ−
ライト性能は約３ｄＢ低下してしまう。本発明ヘッドで
はギャップ長０．３μｍにて、従来ヘッドギャップ長
０．４μｍと同等の性能を示している。
【００２０】更に再生の検討結果を示す。
【００２１】図７に孤立波再生波形の定義を示す。波形
の半値幅をＰＷ５０、振幅をＶ０とする。
の半値幅をＰＷ５０、振幅をＶ０とする。
【００２２】図８は再生ギャップ長と半値幅の関係の計
算結果を示す。自己録再の場合、ギャップ長を狭くする
と半値幅は狭くなり高密度記録に適していることがわか
る。また、記録ギャップ長を０．４μｍに固定した場合
もほぼ同様な値をしめしており、再生特性が再生ギャッ
プ長により決まっていることを示している。
算結果を示す。自己録再の場合、ギャップ長を狭くする
と半値幅は狭くなり高密度記録に適していることがわか
る。また、記録ギャップ長を０．４μｍに固定した場合
もほぼ同様な値をしめしており、再生特性が再生ギャッ
プ長により決まっていることを示している。
【００２３】図９、図１０にギャップ長と半値幅及び出
力の関係の実験結果を示す。
力の関係の実験結果を示す。
【００２４】本発明ヘッドは従来ヘッドのギャップ長
０．３μｍよりも、半値幅が狭く、大きな出力を示して
おり、低飽和磁束密度高透磁率の効果がでている。つま
り、本発明ヘッドは記録時には０．４μｍ、再生時には
０．３μｍのヘッドとして動作し、更に、ギャップ膜に
接する磁性膜が高透磁率のために、従来ヘッドよりも急
峻で、出力の高い波形を得ることができることがわか
る。
０．３μｍよりも、半値幅が狭く、大きな出力を示して
おり、低飽和磁束密度高透磁率の効果がでている。つま
り、本発明ヘッドは記録時には０．４μｍ、再生時には
０．３μｍのヘッドとして動作し、更に、ギャップ膜に
接する磁性膜が高透磁率のために、従来ヘッドよりも急
峻で、出力の高い波形を得ることができることがわか
る。
【００２５】また、各々の磁性膜の結晶構造が似ている
ために下地の膜質のよいＮｉＦｅの上のＣｏＦｅＮｉは
エピタキシャル成長し、また、その上のＮｉＦｅも同様
の成長をするために、結晶構造的にも、磁気的にも非常
に安定であり、ウイグルやポップコ−ンノイズのような
ノイズは発生しない。従来例にみられる２層構造では下
地が高飽和磁束密度磁性膜であり、一般的に磁気的な異
方性が強いためにその上の膜質は低下してしまい再生出
力が低下してしまう。よって、本構造は磁気記録的にも
結晶構造的にも優れている。
ために下地の膜質のよいＮｉＦｅの上のＣｏＦｅＮｉは
エピタキシャル成長し、また、その上のＮｉＦｅも同様
の成長をするために、結晶構造的にも、磁気的にも非常
に安定であり、ウイグルやポップコ−ンノイズのような
ノイズは発生しない。従来例にみられる２層構造では下
地が高飽和磁束密度磁性膜であり、一般的に磁気的な異
方性が強いためにその上の膜質は低下してしまい再生出
力が低下してしまう。よって、本構造は磁気記録的にも
結晶構造的にも優れている。
【００２６】これら磁性膜はスパッタリング法でもめっ
き法でも同様の効果が有る。特に従来ヘッドの磁性膜を
めっき法により形成していた場合、低飽和磁束密度材を
高飽和磁束密度材のめっき下地膜とするとするとプロセ
ス上、大きな変更なく、大きな効果が得られる。
き法でも同様の効果が有る。特に従来ヘッドの磁性膜を
めっき法により形成していた場合、低飽和磁束密度材を
高飽和磁束密度材のめっき下地膜とするとするとプロセ
ス上、大きな変更なく、大きな効果が得られる。
【００２７】図１１、図１２、図１３、図１３、図１
４、図１５、図１６は本発明の他の実施例である。
４、図１５、図１６は本発明の他の実施例である。
【００２８】図１１は下部コアにも上部コアと同様な３
層構造とした。
層構造とした。
【００２９】図１２は下部コアを高飽和磁束密度磁性膜
６とした。
６とした。
【００３０】図１３は下部コアを高透磁率磁性膜５と高
飽和磁束密度磁性膜６の２層構造とした。
飽和磁束密度磁性膜６の２層構造とした。
【００３１】図１４、図１５、図１６は高飽和磁束密度
磁性膜６の長さをギャップ深さ同一にしギャップ内での
飽和をしやすくしたものである。
磁性膜６の長さをギャップ深さ同一にしギャップ内での
飽和をしやすくしたものである。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、記録時のギャップ長と
再生時のギャップ長を変えることができ、高保磁力媒体
を記録するのに十分な磁界強度が得られ、線記録密度の
向上が出来る。これらのことから、本発明の磁気ヘッド
を使用することによって高保磁力媒体で記録密度の向上
が可能となる。また、磁区構造に起因するノイズを抑え
ることができ信頼性の高いヘッドを供給することができ
る。
再生時のギャップ長を変えることができ、高保磁力媒体
を記録するのに十分な磁界強度が得られ、線記録密度の
向上が出来る。これらのことから、本発明の磁気ヘッド
を使用することによって高保磁力媒体で記録密度の向上
が可能となる。また、磁区構造に起因するノイズを抑え
ることができ信頼性の高いヘッドを供給することができ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】従来の磁気ヘッド構造を示す断面図。
【図３】従来の磁気ヘッド構造を示す断面図。
【図４】薄膜磁気ヘッドの先端の磁気飽和領域。
【図５】薄膜磁気ヘッドの磁界分布図。
【図６】ギャップ長とオ−バ-ライトの関係を示すグラ
フ。
フ。
【図７】孤立波形を説明する波形図。
【図８】再生ギャップ長と孤立波形半値幅の関係を示す
グラフ。
グラフ。
【図９】ギャップ長と半値幅の関係を示すグラフ。
【図１０】ギャップ長と孤立波形の出力電圧の関係を示
すグラフ。
すグラフ。
【図１１】本発明における他の実施例を示す断面図。
【図１２】本発明における他の実施例を示す断面図。
【図１３】本発明における他の実施例を示す断面図。
【図１４】本発明における他の実施例を示す断面図。
【図１５】本発明における他の実施例を示す断面図。
【図１６】本発明における他の実施例を示す断面図。
【符号の説明】 １ 下部磁極 ２ 上部磁極 ３ 磁気ギャップ ４ コイル ５ 高透磁率磁性膜 ６ 高飽和磁束密度磁性膜 ７ 低飽和磁束密度磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 香川 昌慶 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 斎藤 眞 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (11)
- 【請求項１】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と
下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体か
らなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽和磁
束密度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜の順で積層構造に
より形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を磁気ギャップ
側に配置したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と
下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体か
らなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽和磁
束密度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜との積層構造によ
り形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を磁気ギャップ側
に配置した薄膜磁気ヘッドにおいて、高透磁率磁性膜の
飽和磁束密度をＢｓ１、高飽和磁束密度磁性膜の飽和磁
束密度をＢｓ２、低飽和磁束密度磁性膜の飽和磁束密度
をＢｓ３としたとき以下の関係式が成り立つことを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 Ｂｓ１＜Ｂｓ２、 Ｂｓ３＜Ｂｓ２ - 【請求項３】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と
下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体か
らなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくともギャップ深さを決定する側の磁極を高透
磁率磁性膜と高飽和磁束密度磁性膜と低飽和磁束密度磁
性膜の順で積層構造により形成し、該低飽和磁束密度磁
性膜側を磁気ギャップ側に配置したことを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と
下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体か
らなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽和磁
束密度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜の順で積層構造に
より形成し、該高透磁率磁性膜と該低飽和磁束密度磁性
膜とを同一の磁性材料を用いたことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。 - 【請求項５】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と
下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体か
らなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽和磁
束密度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜の順で積層構造に
より形成し、各磁性膜の組成がＮｉＦｅを基本とするこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と
下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体か
らなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽和磁
束密度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜の順で積層構造に
より形成し、高飽和磁束密度磁性膜が低飽和磁束密度磁
性膜の上に低飽和磁束密度磁性膜の結晶に従って結晶成
長することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と
下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体か
らなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽和磁
束密度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜との積層構造によ
り形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を磁気ギャップ側
に配置した薄膜磁気ヘッドにおいて、高透磁率磁性膜の
膜厚をｔ１、高飽和磁束密度磁性膜の膜厚をｔ２、低飽
和磁束密度磁性膜の膜厚をｔ３、としたとき以下の関係
式が成り立つことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ｔ１＞ｔ２＞ｔ３ - 【請求項８】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と
下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体か
らなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽和磁
束密度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜との積層構造によ
り形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を磁気ギャップ側
に配置した薄膜磁気ヘッドにおいて、 高透磁率磁性膜
の飽和磁束密度をＢｓ１、膜厚ｔ１、高飽和磁束密度磁
性膜の飽和磁束密度をＢｓ２、膜厚ｔ２、低飽和磁束密
度磁性膜の飽和磁束密度をＢｓ３、膜厚ｔ３、としたと
き以下の関係式が成り立つことを特徴とする薄膜磁気ヘ
ッド。 Ｂｓ＊ｔ２＞Ｂｓ＊ｔ３ - 【請求項９】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成さ
れ、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャッ
プを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極と
下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体か
らなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽磁束
密度磁性膜と低飽和磁束密度磁性膜の順で積層構造によ
り形成し、該低飽和磁束密度磁性膜側を磁気ギャップ側
に配置し、高透磁率磁性膜の透磁率を１０００以上、高
飽磁束密度磁性膜の飽磁束密度を１．３Ｔ以上、低飽和
磁束密度磁性膜の飽磁束密度を１Ｔ以下とした薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項１０】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成
され、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャ
ップを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極
と下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体
からなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにお
いて、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽磁
束密度低透磁率磁性膜と低飽和磁束密度高透磁率磁性膜
の順で積層構造により形成し、該低飽和磁束密度高透磁
率磁性膜側を磁気ギャップ側に配置したことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】下部磁極と上部磁極とで磁気コアが形成
され、記録媒体との対向面側に非磁性膜により磁気ギャ
ップを有する開ループ状の磁気回路と、上記の上部磁極
と下部磁極との間を通り上記磁気回路を鎖交する導電体
からなるコイルとにより構成される薄膜磁気ヘッドにお
いて、少なくとも一方の磁極を高透磁率磁性膜と高飽磁
束密度低透磁率磁性膜と低飽和磁束密度高透磁率磁性膜
の順で積層構造により形成し、該低飽和磁束密度高透磁
率磁性膜側を磁気ギャップ側に配置し、高透磁率磁性膜
の透磁率を１０００以上、高飽磁束密度低透磁率磁性膜
の飽磁束密度を１．３Ｔ以上、透磁率を１０００以下、
低飽和磁束密度高透磁率磁性膜の飽磁束密度を１Ｔ以
下、透磁率を１０００以上とした薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6216940A JPH0883408A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 薄膜磁気ヘッド |
| KR1019950029489A KR960011853A (ko) | 1994-09-12 | 1995-09-11 | 박막 자기 헤드 |
| CN95116899A CN1142652A (zh) | 1994-09-12 | 1995-09-12 | 薄膜磁头 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6216940A JPH0883408A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883408A true JPH0883408A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16696321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6216940A Pending JPH0883408A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883408A (ja) |
| KR (1) | KR960011853A (ja) |
| CN (1) | CN1142652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001468A (en) * | 1997-07-04 | 1999-12-14 | Fujitsu Limited | Magnetic head |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100682914B1 (ko) * | 2005-01-11 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 자기 기록헤드 및 그 제조 방법 |
| CN114783465B (zh) * | 2018-11-22 | 2023-10-20 | 新科实业有限公司 | 用于热辅助磁记录的过渡曲率改进的系统 |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP6216940A patent/JPH0883408A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-11 KR KR1019950029489A patent/KR960011853A/ko not_active Ceased
- 1995-09-12 CN CN95116899A patent/CN1142652A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6001468A (en) * | 1997-07-04 | 1999-12-14 | Fujitsu Limited | Magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1142652A (zh) | 1997-02-12 |
| KR960011853A (ko) | 1996-04-20 |
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