JPH0541704B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0541704B2 JPH0541704B2 JP1146280A JP14628089A JPH0541704B2 JP H0541704 B2 JPH0541704 B2 JP H0541704B2 JP 1146280 A JP1146280 A JP 1146280A JP 14628089 A JP14628089 A JP 14628089A JP H0541704 B2 JPH0541704 B2 JP H0541704B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holder
- substrate holder
- groove
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、スパツタ装置の基板ホルダに関し、
詳しくはスパツタ装置において薄膜を形成する基
板を低圧容器中に保持するために使用される基板
ホルダに関する。
詳しくはスパツタ装置において薄膜を形成する基
板を低圧容器中に保持するために使用される基板
ホルダに関する。
［従来の技術］
低圧容器中に不活性ガスを導入し、その容器中
に設けられた２つの電極間に高電圧をかけ、陰極
側に置かれた金属等を微粒子にして飛散させ陽極
側の基板に付着させるスパツタ装置は、薄膜形成
装置として近年広く電子工業技術の分野で採用さ
れてきた。なお、このようなスパツタ装置は周知
のものであり、その構成についての説明を省略す
るが、陽極側に飛散してくる金属の粒子を付着堆
積させるための基板を保持させるために、従来、
第３Ａ図および第３Ｂ図に示すような基板ホルダ
が用いられてきた。すなわち、円板状のホルダ１
はその上面中央部に同心に凹せて形成された基板
保持部２を有し、このような基板保持部２に不図
示のウエハー基板が保持されるもので、一般には
このようなホルダ１を用いて低圧容器中で薄膜成
形が行われる。
に設けられた２つの電極間に高電圧をかけ、陰極
側に置かれた金属等を微粒子にして飛散させ陽極
側の基板に付着させるスパツタ装置は、薄膜形成
装置として近年広く電子工業技術の分野で採用さ
れてきた。なお、このようなスパツタ装置は周知
のものであり、その構成についての説明を省略す
るが、陽極側に飛散してくる金属の粒子を付着堆
積させるための基板を保持させるために、従来、
第３Ａ図および第３Ｂ図に示すような基板ホルダ
が用いられてきた。すなわち、円板状のホルダ１
はその上面中央部に同心に凹せて形成された基板
保持部２を有し、このような基板保持部２に不図
示のウエハー基板が保持されるもので、一般には
このようなホルダ１を用いて低圧容器中で薄膜成
形が行われる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述したような従来の基板ホル
ダでは、長時間使用しているうちに基板を保持し
ている基板保持部２の基板周辺部に飛散してきた
原子の膜が厚く堆積するために、基板の大方が基
板保持部２から浮上がつてしまい、基板の周縁部
だけがホルダ１と接触を保つ形となつて物理的接
触、特に熱接触が十分に得られない状態となり、
成膜技術上好ましくない点があつた。
ダでは、長時間使用しているうちに基板を保持し
ている基板保持部２の基板周辺部に飛散してきた
原子の膜が厚く堆積するために、基板の大方が基
板保持部２から浮上がつてしまい、基板の周縁部
だけがホルダ１と接触を保つ形となつて物理的接
触、特に熱接触が十分に得られない状態となり、
成膜技術上好ましくない点があつた。
本発明の目的は、上述した従来の問題点に着目
し、その解決を図るべく、常に安定した物理的条
件で基板が保持されるようにしたスパツタ装置の
基板ホルダを提供することにある。
し、その解決を図るべく、常に安定した物理的条
件で基板が保持されるようにしたスパツタ装置の
基板ホルダを提供することにある。
［課題を解決するための手段］
かかる目的を達成するために、本発明は、基板
上に薄膜を形成するために、該基板下面を平坦な
凹部とした基板保持部に密着させた状態に保持す
るスパツタ装置の基板ホルダにおいて、前記基板
保持部の前記基板下面周縁部と対応する部位に溝
を周設したことを特徴とするものである。
上に薄膜を形成するために、該基板下面を平坦な
凹部とした基板保持部に密着させた状態に保持す
るスパツタ装置の基板ホルダにおいて、前記基板
保持部の前記基板下面周縁部と対応する部位に溝
を周設したことを特徴とするものである。
［作用］
本発明によれば、平坦な凹部とした基板保持部
の基板下面周縁部と対応する部位に溝を周設した
ことによつて基板の周囲から基板の下面側にまわ
り込もうとする粒子飛散物が溝に落ち込むことに
より、基板の下面周縁部が堆積物によつて浮上が
るようなことがなく、基板とホルダの基板保持部
との間に確実な物理的接触状態を保たせることが
できる。
の基板下面周縁部と対応する部位に溝を周設した
ことによつて基板の周囲から基板の下面側にまわ
り込もうとする粒子飛散物が溝に落ち込むことに
より、基板の下面周縁部が堆積物によつて浮上が
るようなことがなく、基板とホルダの基板保持部
との間に確実な物理的接触状態を保たせることが
できる。
［実施例］
以下に、図面に基づいて本発明の実施例を詳細
かつ具体的に説明する。
かつ具体的に説明する。
第１Ａ図および第１Ｂ図は本発明の一実施例を
示す。ここで、３は凹型に形成された基板保持部
２の周囲に沿つて周設した溝であり、溝３自体の
断面形状については特に規制はなく、基板保持部
２の底面との間に段差さえあればよい。
示す。ここで、３は凹型に形成された基板保持部
２の周囲に沿つて周設した溝であり、溝３自体の
断面形状については特に規制はなく、基板保持部
２の底面との間に段差さえあればよい。
そこで、このような溝３を基板保持部２の周縁
に沿つて周設した基板ホルダ１０にあつては、飛
散して基板上に堆積される金属や化合物が基板の
周りから基板保持部２に侵入しても、これらが溝
３に堆積されることになり、堆積物により基板が
基板保持部２から浮上がるようなことがない。
に沿つて周設した基板ホルダ１０にあつては、飛
散して基板上に堆積される金属や化合物が基板の
周りから基板保持部２に侵入しても、これらが溝
３に堆積されることになり、堆積物により基板が
基板保持部２から浮上がるようなことがない。
第２図に本発明を適用した２インチウエハー基
板用ホルダの一例を各部寸法と共に示す。
板用ホルダの一例を各部寸法と共に示す。
［発明の効果］
以上説明してきたように、本発明によれば、基
板上に薄膜を形成するために、該基板下面を平坦
な凹部とした基板保持部に密着させた状態に保持
するスパツタ装置の基板ホルダにおいて、前記基
板保持部の前記基板下面周縁部と対応する部位に
溝を周設したので、スパツタにより飛散した粒子
が基板の周囲部と基板保持部とのすき間に入り込
んで双方間の物理的接触状態を劣化させる虞がな
くなり、従つて従来のように頻繁にホルダを交換
しなくてすみ、効率のよい経済的なスパツタ装置
を提供することができるようになつた。
板上に薄膜を形成するために、該基板下面を平坦
な凹部とした基板保持部に密着させた状態に保持
するスパツタ装置の基板ホルダにおいて、前記基
板保持部の前記基板下面周縁部と対応する部位に
溝を周設したので、スパツタにより飛散した粒子
が基板の周囲部と基板保持部とのすき間に入り込
んで双方間の物理的接触状態を劣化させる虞がな
くなり、従つて従来のように頻繁にホルダを交換
しなくてすみ、効率のよい経済的なスパツタ装置
を提供することができるようになつた。
第１Ａ図および第１Ｂ図は本発明スパツタ装置
の基板ホルダの一例を示す平面図および断面図、
第２図は本発明の一実施例における寸法を示す断
面図、第３Ａ図および第３Ｂ図は従来の基板ホル
ダの一例を示す平面図および断面図である。 ２……基板保持部、３……溝、１０……ホル
ダ。
の基板ホルダの一例を示す平面図および断面図、
第２図は本発明の一実施例における寸法を示す断
面図、第３Ａ図および第３Ｂ図は従来の基板ホル
ダの一例を示す平面図および断面図である。 ２……基板保持部、３……溝、１０……ホル
ダ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に薄膜を形成するために、該基板下面
を平坦な凹部とした基板保持部に密着させた状態
に保持するスパツタ装置の基板ホルダにおいて、 前記基板保持部の前記基板下面周縁部と対応す
る部位に溝を周設したことを特徴とするスパツタ
装置の基板ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14628089A JPH0313577A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | スパッタ装置の基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14628089A JPH0313577A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | スパッタ装置の基板ホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0313577A JPH0313577A (ja) | 1991-01-22 |
| JPH0541704B2 true JPH0541704B2 (ja) | 1993-06-24 |
Family
ID=15404150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14628089A Granted JPH0313577A (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | スパッタ装置の基板ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0313577A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
| US5855687A (en) * | 1990-12-05 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Substrate support shield in wafer processing reactors |
| CN104900567A (zh) * | 2014-03-04 | 2015-09-09 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种托盘以及腔室 |
| JP2017155282A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | 株式会社アルバック | 成膜装置、プラテンリング |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121648A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-18 | Pioneer Electronic Corp | Cvd device |
| JPS5842444Y2 (ja) * | 1980-06-30 | 1983-09-26 | 日本真空技術 株式会社 | ウエハの支承装置 |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14628089A patent/JPH0313577A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0313577A (ja) | 1991-01-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |