JPH0669326A - ウェハホルダー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 完全な表面電極を有する半導体ウェハを得る
のに適したウェハホルダーを提供する。 【構成】 磁性体からなる平板状本体の表面に半導体ウ
ェハを載置する。平板状本体の表面上に対向して固定保
持体と磁性体からなる可動保持体を配置し、これらの保
持体が半導体ウェハの周辺を部分的に覆う様に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はウェハホルダーに関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ウェハホルダーの改良が数多くな
されているが、その中で例えば特開昭５４−６４５５号
公報で開示されたウェハホルダーを図４の断面図と図５
の平面図で示す。これらの図に於て、平板状本体２１上
に半導体ウェハ２２が載置されている。板バネ２３がビ
ス２４にて平板状本体２１に固定され、板バネ２３の先
端部２５により半導体ウェハ２２が保持されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかして上述のウェハ
ホルダーを用いると、半導体ウェハ２２から得られる素
子の歩留まりが悪いという欠点がある。即ち、このウェ
ハホルダーに固定された半導体ウェハ２２に表面電極を
形成するために、表面全体に金属を蒸着する。しかし板
バネの先端部２５が蒸着の邪魔になり、その先端部２５
の下にある半導体ウェハ２２の部分が蒸着されない。従
って、この半導体ウェハ２２を分割して素子を得た時
に、上述の未蒸着部に対応した素子は電極が形成されず
に不完全なものとなる。故に、本発明は上述の従来の欠
点に鑑みてなされたものであり、完全な表面電極を有す
る半導体ウェハを得るのに適したウェハホルダーを提供
するものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、磁性体からなる平板状本体の表面に半導
体ウェハを載置する。半導体ウェハの周辺を部分的に覆
う様に、平板状本体の表面上に対向して固定保持体と磁
性体からなる可動保持体を配置する。

【０００５】

【作用】通常、半導体ウェハの周辺近傍は素子に分割し
ても良品とはならない部分である。本発明は上述の様
に、この半導体ウェハの周辺を部分的に覆った保持体を
設ける。故に半導体ウェハは周辺を除いて蒸着による表
面電極が形成されるので、分割して得られかつ周辺を除
く素子は全数、完全な表面電極が形成される。更に割れ
た半導体ウェハに対しても、磁性体からなる可動保持体
で覆うので、半導体ウェハを位置ずれなしに平板状本体
に容易にかつ確実に固定できる。

【０００６】

【実施例】以下に本発明の第１実施例を図１と図２に従
い説明する。図１は本実施例に係るウェハホルダーの断
面図であり、図２はその平面図である。これらの図に於
て平板状本体１は厚さ約２mmの金属性円板よりなる。平
板状本体１は望しくはＳＵＳ４３０または鉄の様な磁性
体からなる。固定具２は金属からなり、その１端は平板
状本体１に溶接等で固定され、その他端は蒸着機の内部
に固定するためにネジ切りされている。

【０００７】固定保持板３、４、５は共に金属、望しく
はステンレス板からなり、平板状本体１の表面にビス６
により固定されている。固定保持板３、４、５は略直交
して２個、望しくは３個配置されている。固定保持板
３、４、５の断面は長方形を部分的に斜めカットされた
形状をしている。

【０００８】可動保持体７はフェライト等の磁性体から
なり、その大きさは長さ１１mm、幅６mm、厚さ３mm程度
である。可動保持体７の断面は長方形を部分的に斜めカ
ットされた形状をしている。

【０００９】半導体ウェハ８は例えば、燐化ガリウムの
基板上にｎ型領域とｐ型領域をエピタキシャル成長させ
たものの裏面にｎ型電極を形成されたものである。半導
体ウェハ８は固定保持体３、４と可動保持体７のそれぞ
れの斜めカット部３ａ、４ａと７ａと当接して配置され
ている。すなわち固定保持体３、４と可動保持体７は半
導体ウェハ８の周辺を部分的に覆って、平板状本体１の
表面上に対向して配置されている。また必要に応じて半
導体ウェハ８は固定保持体４、５と可動保持体７に保持
されても良い。上述の部品により本実施例のウェハホル
ダー９は構成されている。

【００１０】そしてこのウェハホルダー９に固定された
半導体ウェハ８は蒸着機内に配置され、金と亜鉛等から
なる試料に電子ビームが照射され、半導体ウェハ８の表
面全般に金と亜鉛等が蒸着される。その後、エッチング
により所定の形状をしたｐ型電極が半導体ウェハ８上に
形成される。そして半導体ウェハ８を分割することによ
り複数の素子が得られる。

【００１１】通常、半導体ウェハ８の周辺から約１mm内
部の範囲では、素子に分割しても良品とはならないので
役に立たない部分である。何故ならば、この部分で素子
の形状が四角にならないし、分割時のストレスが残って
いるからである。従って固定保持体３、４、５と可動保
持体７が半導体ウェハ８を覆う長さを１mm以内に設定す
る方が良い。

【００１２】従来のウェハホルダーを用いた半導体ウェ
ハ１枚当り約 13000個の素子が得られ、その中で約 200
個の素子が板バネの先端部の下に対応しており、不完全
な素子となる。歩留まりは (13000-200)/13000＝98.46
％である。これに対して本実施例のウェハホルダーを用
いた半導体ウェハでは、約 13000個の素子が得られ歩留
まりは 100％である。

【００１３】次に本発明の第２実施例を図３の平面図に
従い説明する。この図に於て、第１実施例と同じ固定保
持体３、４、５が平板状本体１上に固定されている。半
導体ウェハ１０、１１は第１実施例のものと異なり、割
れたり、不定形のものでも用いることができる。半導体
ウェハ１０は固定保持体３、４と可動保持体７のそれぞ
れの斜めカット部３ａ、４ａ、７ａと当接して固定され
ている。半導体ウェハ１１は固定保持体４、５と可動保
持体７のそれぞれの斜めカット部４ａ、５ａ、７ａと当
接して固定されている。

【００１４】上述の様に割れた又は不定形の半導体ウェ
ハ１０、１１に対しても、可動保持体７で固定すること
により、半導体ウェハ１０、１１を位置ずれなしにかつ
浮くことなしに平板状本体１上に固定できる。そして半
導体ウェハ１０、１１の大きさによっては、複数のウェ
ハを同時に蒸着することができるので製造時間が短縮で
きる。

【００１５】

【発明の効果】本発明は上述の様に、半導体ウェハの周
辺を部分的に覆った保持体を設けるので、半導体ウェハ
は周辺近傍を除いて蒸着による完全な表面電極が形成で
きる。また通常、半導体ウェハの周辺近傍は分割しても
完全な素子にならないので役に立たない部分である。故
に半導体ウェハを分割して得られた素子は全数、完全な
表面電極が設けられており歩留まりが 100％となる。

【００１６】更に本発明は割れた又は不定形の半導体ウ
ェハに対しても、磁性体からなる移動可能な可動保持体
で半導体ウェハを簡単にかつ確実に固定することができ
る。故に半導体ウェハを位置ずれなしにかつ浮くことな
しに平板状本体上に固定できる。従って表面電極を形成
するために蒸着工程中に、蒸着される金属が半導体ウェ
ハと平板状本体の隙間を通って半導体ウェハの裏面のｎ
型電極に付着することがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係るウェハホルダーの断
面図である。

【図２】本発明の第１実施例に係るウェハホルダーの平
面図である。

【図３】本発明の第２実施例に係るウェハホルダーの平
面図である。

【図４】従来のウェハホルダーの断面図である。

【図５】従来のウェハホルダーの平面図である。

【符号の説明】

１ 平板状本体 ３、４、５ 固定保持体 ７ 可動保持体 ８、１０、１１ 半導体ウェハ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 平板状本体と、その表面に載置された半
   導体ウェハの周辺を部分的に覆い、かつ前記平板状本体
   の表面上に対向して配置された固定保持体と可動保持体
   を具備し、前記平板状本体と前記可動保持体が磁性体か
   らなる事を特徴とするウェハホルダー。