JPH0542385A - 汚染物質の除去方法 - Google Patents
汚染物質の除去方法Info
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- JPH0542385A JPH0542385A JP3221179A JP22117991A JPH0542385A JP H0542385 A JPH0542385 A JP H0542385A JP 3221179 A JP3221179 A JP 3221179A JP 22117991 A JP22117991 A JP 22117991A JP H0542385 A JPH0542385 A JP H0542385A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 汚染物質の付着した基材の汚染物質の除去時
に、基材にダメージを与えることなく汚染物質を除去す
る方法を実現する。 【構成】 汚染物質の付着した基材にレーザー光を照射
して該汚染物質を除去することを特徴とする汚染物質の
除去方法であり、基材６には吸収されず、該基材に付着
した汚染物質７にのみ吸収される選択吸収性を有する波
長のレーザー光を照射するため、レーザー光を発生する
手段１と、倍波を発生するＳＨＧ４と、基本波を除去す
るオプティカルフィルター５とを有する除去装置であ
り、基材６を傷めず、汚染物質７のみを除去することが
できる。
に、基材にダメージを与えることなく汚染物質を除去す
る方法を実現する。 【構成】 汚染物質の付着した基材にレーザー光を照射
して該汚染物質を除去することを特徴とする汚染物質の
除去方法であり、基材６には吸収されず、該基材に付着
した汚染物質７にのみ吸収される選択吸収性を有する波
長のレーザー光を照射するため、レーザー光を発生する
手段１と、倍波を発生するＳＨＧ４と、基本波を除去す
るオプティカルフィルター５とを有する除去装置であ
り、基材６を傷めず、汚染物質７のみを除去することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂にレーザー光を照
射して加工を行なうアブレーションや、製膜、その他の
加工などによって、物質の表面に付着した汚染物質（副
生成物）を除去する方法に関するものである。
射して加工を行なうアブレーションや、製膜、その他の
加工などによって、物質の表面に付着した汚染物質（副
生成物）を除去する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、物質（基材）の表面に付着した汚
染物質を除去する方法としては、 １）汚染物質を溶解する液体で洗浄する、 ２）汚染物質を界面活性剤を含む水溶液で洗浄する、 ３）超音波洗浄する、 ４）ＵＶ／Ｏ3 洗浄する、 ５）プラズマアッシャー、 ６）機械的に削り取る（ふき取る）、 などの方法があった。
染物質を除去する方法としては、 １）汚染物質を溶解する液体で洗浄する、 ２）汚染物質を界面活性剤を含む水溶液で洗浄する、 ３）超音波洗浄する、 ４）ＵＶ／Ｏ3 洗浄する、 ５）プラズマアッシャー、 ６）機械的に削り取る（ふき取る）、 などの方法があった。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、つぎのような問題が生ずる場合があっ
た； １）上記従来例１）では、洗浄液が汚染物質を溶解し、
かつ基材にダメージをあたえない場合にしか使えない。
記従来例では、つぎのような問題が生ずる場合があっ
た； １）上記従来例１）では、洗浄液が汚染物質を溶解し、
かつ基材にダメージをあたえない場合にしか使えない。
【０００４】２）上記従来例２）では、汚染物質が油や
蛋白質などの場合にしか有効でない。
蛋白質などの場合にしか有効でない。
【０００５】３）上記従来例３）では、基材が微細な構
造をもつ樹脂や薄い金属箔の場合、基材が超音波によっ
て破壊されてしまう。
造をもつ樹脂や薄い金属箔の場合、基材が超音波によっ
て破壊されてしまう。
【０００６】４）上記従来例４）及び５）では、基材が
樹脂の場合、基材がダメージを受けてしまう。
樹脂の場合、基材がダメージを受けてしまう。
【０００７】５）上記従来例６）では、基材にも傷など
のダメージをあたえてしまう。
のダメージをあたえてしまう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、以下の手段を有する。
決するため、以下の手段を有する。
【０００９】汚染物質の付着した基材にレーザー光を照
射して該汚染物質を除去することを特徴とする汚染物質
の除去方法。
射して該汚染物質を除去することを特徴とする汚染物質
の除去方法。
【００１０】前記レーザー光が、前記汚染物質には吸収
され、前記基材には吸収されない選択吸収性を有する波
長であることを特徴とする汚染物質の除去方法。
され、前記基材には吸収されない選択吸収性を有する波
長であることを特徴とする汚染物質の除去方法。
【００１１】基材にレーザー光を照射して行なうアブレ
ーション加工において、該加工の際に発生する汚染物質
に、該汚染物質には吸収され、前記基材には吸収されな
い選択吸収性を有する波長のレーザー光を照射して、前
記汚染物質のみ除去することを特徴とする汚染物質の除
去方法。
ーション加工において、該加工の際に発生する汚染物質
に、該汚染物質には吸収され、前記基材には吸収されな
い選択吸収性を有する波長のレーザー光を照射して、前
記汚染物質のみ除去することを特徴とする汚染物質の除
去方法。
【００１２】また、前記レーザー光は、基本波を変換し
て倍波を発生させ、前記基本波を除去し、前記倍波のみ
を取り出して前記汚染物質に照射することを特徴とする
汚染物質の除去方法。
て倍波を発生させ、前記基本波を除去し、前記倍波のみ
を取り出して前記汚染物質に照射することを特徴とする
汚染物質の除去方法。
【００１３】
【作用】本発明は、樹脂にレーザー光を照射して加工を
おこなうアブレーションや、製膜、その他の加工の際
に、基材に付着した汚染物質（副生成物）に、選択吸収
性を有する波長のレーザー光を照射することにより、非
接触で、基材にダメージを与えることなく、選択的に汚
染物質（副生成物）を除去できるものである。
おこなうアブレーションや、製膜、その他の加工の際
に、基材に付着した汚染物質（副生成物）に、選択吸収
性を有する波長のレーザー光を照射することにより、非
接触で、基材にダメージを与えることなく、選択的に汚
染物質（副生成物）を除去できるものである。
【００１４】更に、従来、除去の困難な色素レーザーの
色素セル内の汚染物質も、色素セル基材を傷付けること
なく除去することができる。
色素セル内の汚染物質も、色素セル基材を傷付けること
なく除去することができる。
【００１５】
［実施例１］図１は、本発明の特徴を最もよく表わす実
施例１の構成図であり、同図において、１はＱ−スイッ
チ ＹＡＧレーザー、４はＳｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎ
ｉｃＧｅｎｅｒａｔｅｒ（ＳＨＧ），５は（Ｏｐｔｉｃ
ａｌ）フィルター、６は被加工基材としてのポリエーテ
ルサルフォンのフィルム、７はＫｒＦエキシマ−レーザ
ーによるアブレーションによって基材７に微細加工を施
した際に発生し、基材７に付着した副生成物（汚染物
質）（主にグラファイト状カーボン）である。
施例１の構成図であり、同図において、１はＱ−スイッ
チ ＹＡＧレーザー、４はＳｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎ
ｉｃＧｅｎｅｒａｔｅｒ（ＳＨＧ），５は（Ｏｐｔｉｃ
ａｌ）フィルター、６は被加工基材としてのポリエーテ
ルサルフォンのフィルム、７はＫｒＦエキシマ−レーザ
ーによるアブレーションによって基材７に微細加工を施
した際に発生し、基材７に付着した副生成物（汚染物
質）（主にグラファイト状カーボン）である。
【００１６】上記構成において、ＹＡＧレーザー１から
照射されたパルスレーザー光（基本波；λ＝１０６４ｎ
ｍ）は、その数〜数十パーセントがＳＨＧ４によって倍
波（λ＝５３２ｎｍ）に変換される。
照射されたパルスレーザー光（基本波；λ＝１０６４ｎ
ｍ）は、その数〜数十パーセントがＳＨＧ４によって倍
波（λ＝５３２ｎｍ）に変換される。
【００１７】ＳＨＧ４を出たレーザー光は、基本波とそ
の倍波の混合光であるので、フィルター５によって基本
波をカットし、倍波のみを取り出す。
の倍波の混合光であるので、フィルター５によって基本
波をカットし、倍波のみを取り出す。
【００１８】取り出した倍波は、ＫｒＦエキシマ−レー
ザーによるアブレーションによって微細加工を施した際
に発生した副生成物（主にグラファイト状カーボン）７
が表面に付着しているポリエーテルサルフォンのフィル
ム６に、１〜１０ｐｕｌｓ照射する。
ザーによるアブレーションによって微細加工を施した際
に発生した副生成物（主にグラファイト状カーボン）７
が表面に付着しているポリエーテルサルフォンのフィル
ム６に、１〜１０ｐｕｌｓ照射する。
【００１９】この時照射した倍波のエネルギー密度は、
３．３ｍｊ／ｐｕｌｓ ｃｍ2 である。
３．３ｍｊ／ｐｕｌｓ ｃｍ2 である。
【００２０】ポリエーテルサルフォンのフィルム６に入
射した倍波（λ＝５３２ｎｍ）は、ポリエーテルサルフ
ォンには吸収のない波長のレーザー光であるが、アブレ
ーションによる微細加工の副生成物であるカーボングラ
ファイト７には吸収がある、選択吸収性のある波長のレ
ーザー光である。このため、ポリエーテルサルフォンの
フィルム６および微細加工によって形成された微細構造
にはダメージを与えずに、カーボン７を選択的に除去す
ることができた。
射した倍波（λ＝５３２ｎｍ）は、ポリエーテルサルフ
ォンには吸収のない波長のレーザー光であるが、アブレ
ーションによる微細加工の副生成物であるカーボングラ
ファイト７には吸収がある、選択吸収性のある波長のレ
ーザー光である。このため、ポリエーテルサルフォンの
フィルム６および微細加工によって形成された微細構造
にはダメージを与えずに、カーボン７を選択的に除去す
ることができた。
【００２１】［実施例２］図２は、本発明の特徴を最も
よく表わす実施例２の構成図であり、同図において、２
はＱ−スイッチ ルビーレーザー、８はＫｒＦエキシマ
−レーザーによるアブレーションによって微細加工を施
したポリイミドのフィルム、７は、該加工時に生じた汚
染物質である副生成物（主にグラファイト状カーボン）
である。上記構成において、ルビーレーザー２から照射
されたパルスレーザー光（λ＝６９４ｎｍ）を、ＫｒＦ
エキシマ−レーザーによるアブレーションによって微細
加工を施し、副生成物（主にグラファイト状カーボンか
らなる汚染物質）７が表面に付着しているポリイミドの
フィルム８に、１〜５ｐｕｌｓ照射する。
よく表わす実施例２の構成図であり、同図において、２
はＱ−スイッチ ルビーレーザー、８はＫｒＦエキシマ
−レーザーによるアブレーションによって微細加工を施
したポリイミドのフィルム、７は、該加工時に生じた汚
染物質である副生成物（主にグラファイト状カーボン）
である。上記構成において、ルビーレーザー２から照射
されたパルスレーザー光（λ＝６９４ｎｍ）を、ＫｒＦ
エキシマ−レーザーによるアブレーションによって微細
加工を施し、副生成物（主にグラファイト状カーボンか
らなる汚染物質）７が表面に付着しているポリイミドの
フィルム８に、１〜５ｐｕｌｓ照射する。
【００２２】この時照射したレーザー光のエネルギー密
度は、５ｍｊ／ｐｕｌｓｃｍ2 である。
度は、５ｍｊ／ｐｕｌｓｃｍ2 である。
【００２３】ポリイミドフィルム８に入射したレーザー
光（λ＝６９４ｎｍ）は、ポリイミドフィルム８には吸
収されず、アブレーションによる微細加工の副生成物で
あるカーボングラファイトからなる汚染物質７には吸収
される波長のレーザー光であるため、ポリイミドフィル
ム８および微細加工によって形成された微細構造にはダ
メージをあたえずに、カーボン７を選択的に除去するこ
とができた。
光（λ＝６９４ｎｍ）は、ポリイミドフィルム８には吸
収されず、アブレーションによる微細加工の副生成物で
あるカーボングラファイトからなる汚染物質７には吸収
される波長のレーザー光であるため、ポリイミドフィル
ム８および微細加工によって形成された微細構造にはダ
メージをあたえずに、カーボン７を選択的に除去するこ
とができた。
【００２４】［実施例３］図３は、本発明の実施例３を
最もよく表す構成図であり、同図において、３はＸｅＣ
ｌエキシマ−レーザー、９はＸｅＣｌエキシマ−レーザ
ー励起の色素レーザーに永年使われていた色素セル、７
は永年使われて、色素が分解してできたカーボン７であ
り、石英の色素セル９の内部に付着しているものであ
る。
最もよく表す構成図であり、同図において、３はＸｅＣ
ｌエキシマ−レーザー、９はＸｅＣｌエキシマ−レーザ
ー励起の色素レーザーに永年使われていた色素セル、７
は永年使われて、色素が分解してできたカーボン７であ
り、石英の色素セル９の内部に付着しているものであ
る。
【００２５】上記構成において、ＸｅＣｌエキシマ−レ
ーザー３から照射されたパルスレーザー光（λ＝３０８
ｎｍ）を、ＸｅＣｌエキシマ−レーザー励起の色素レー
ザーに永年使われて、色素が分解してできたカーボン９
が内面に付着した石英の色素セル９に、１〜５ｐｕｌｓ
照射する。この時照射したレーザー光のエネルギー密度
は、５０ｍｊ／ｐｕｌｓ ｃｍ2 である。
ーザー３から照射されたパルスレーザー光（λ＝３０８
ｎｍ）を、ＸｅＣｌエキシマ−レーザー励起の色素レー
ザーに永年使われて、色素が分解してできたカーボン９
が内面に付着した石英の色素セル９に、１〜５ｐｕｌｓ
照射する。この時照射したレーザー光のエネルギー密度
は、５０ｍｊ／ｐｕｌｓ ｃｍ2 である。
【００２６】カーボン７が内面に付着した石英の色素セ
ル９に入射したレーザー光（λ＝３０８ｎｍ）は、石英
には吸収されない波長のレーザー光であるが、汚染物質
であるカーボンには吸収される波長のレーザー光であ
り、石英の色素セル９にはダメージをあたえずに、カー
ボン７を選択的に除去することができた。
ル９に入射したレーザー光（λ＝３０８ｎｍ）は、石英
には吸収されない波長のレーザー光であるが、汚染物質
であるカーボンには吸収される波長のレーザー光であ
り、石英の色素セル９にはダメージをあたえずに、カー
ボン７を選択的に除去することができた。
【００２７】従来、色素レーザーの色素セルの内側に付
着したカーボンは除去する手段がなく、カーボンが付着
した色素セルは捨てるしかなかったが、本実施例に述べ
た方法を用いれば、色素セルを何度も再生できる。
着したカーボンは除去する手段がなく、カーボンが付着
した色素セルは捨てるしかなかったが、本実施例に述べ
た方法を用いれば、色素セルを何度も再生できる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
樹脂にレーザー光を照射して加工をおこなうアブレーシ
ョンや、製膜、その他の加工などによって、基材に付着
した汚染物質（副生成物）に対して、選択吸収性の波長
を有するレーザー光を照射することにより、非接触で、
基材にダメージを与えることなく、選択的に汚染物質
（副生成物）を除去することができる。
樹脂にレーザー光を照射して加工をおこなうアブレーシ
ョンや、製膜、その他の加工などによって、基材に付着
した汚染物質（副生成物）に対して、選択吸収性の波長
を有するレーザー光を照射することにより、非接触で、
基材にダメージを与えることなく、選択的に汚染物質
（副生成物）を除去することができる。
【００２９】また従来、色素レーザーの色素セルの内側
に付着したカーボンは除去する手段がなく、カーボンが
付着した色素セルは捨てるしかなかったが、本発明の方
法を用いれば、色素セルを何度も再生できる効果が得ら
れる。
に付着したカーボンは除去する手段がなく、カーボンが
付着した色素セルは捨てるしかなかったが、本発明の方
法を用いれば、色素セルを何度も再生できる効果が得ら
れる。
【図１】本発明の実施例１を説明するための構成図。
【図２】本発明の実施例２を説明するための構成図。
【図３】本発明の実施例３を説明するための構成図。
１ Ｑ−スイッチ ＹＡＧレーザー ２ Ｑ−スイッチ ルビーレーザー ３ ＸｅＣｌ エキシマ−レーザー ４ Ｓｅｃｏｎｄ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａ
ｔｏｒ ５ （Ｏｐｔｉｃａｌ）フィルター ６ ＫｒＦエキシマ−レーザーによるアブレーション
によって微細加工を施し、副生成物（汚染物質）（主に
グラファイト状カーボン）が表面に付着しているポリエ
ーテルサルフォンのフィルムであ る。 ７ 副生成物（汚染物質）（主にグラファイト状カー
ボン） ８ ＫｒＦエキシマ−レーザーによるアブレーション
によって微細加工を施し、副生成物（汚染物質）（主に
グラファイト状カーボン）が表面に付着しているポリイ
ミドのフィルム ９ ＸｅＣｌエキシマ−レーザー励起の色素レーザー
に永年使われて、色素が分解してできたカーボンが内面
に付着した石英の色素セルである。
ｔｏｒ ５ （Ｏｐｔｉｃａｌ）フィルター ６ ＫｒＦエキシマ−レーザーによるアブレーション
によって微細加工を施し、副生成物（汚染物質）（主に
グラファイト状カーボン）が表面に付着しているポリエ
ーテルサルフォンのフィルムであ る。 ７ 副生成物（汚染物質）（主にグラファイト状カー
ボン） ８ ＫｒＦエキシマ−レーザーによるアブレーション
によって微細加工を施し、副生成物（汚染物質）（主に
グラファイト状カーボン）が表面に付着しているポリイ
ミドのフィルム ９ ＸｅＣｌエキシマ−レーザー励起の色素レーザー
に永年使われて、色素が分解してできたカーボンが内面
に付着した石英の色素セルである。
Claims (4)
- 【請求項１】 汚染物質の付着した基材にレーザー光を
照射して該汚染物質を除去することを特徴とする汚染物
質の除去方法。 - 【請求項２】 前記レーザー光が、前記汚染物質には吸
収され、前記基材には吸収されない選択吸収性を有する
波長であることを特徴とする請求項１に記載の汚染物質
の除去方法。 - 【請求項３】 基材にレーザー光を照射して行なうアブ
レーション加工において、 該加工の際に発生する汚染物質に、該汚染物質には吸収
され、前記基材には吸収されない選択吸収性を有する波
長のレーザー光を照射して、前記汚染物質のみ除去する
ことを特徴とする汚染物質の除去方法。 - 【請求項４】 前記レーザー光は、基本波を変換して倍
波を発生させ、前記基本波を除去し、前記倍波のみを取
り出して前記汚染物質に照射することを特徴とする請求
項１、２又は３に記載の汚染物質の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221179A JPH0542385A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 汚染物質の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221179A JPH0542385A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 汚染物質の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0542385A true JPH0542385A (ja) | 1993-02-23 |
Family
ID=16762720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3221179A Pending JPH0542385A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 汚染物質の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0542385A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62233677A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-14 | 川崎重工業株式会社 | 噴流層炉または流動層炉の排出シユ−ト閉塞防止方法 |
| CN121423315A (zh) * | 2025-12-29 | 2026-01-30 | 季华实验室 | Cvd设备窗口原位清洁方法、装置、电子设备及存储介质 |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP3221179A patent/JPH0542385A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62233677A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-14 | 川崎重工業株式会社 | 噴流層炉または流動層炉の排出シユ−ト閉塞防止方法 |
| CN121423315A (zh) * | 2025-12-29 | 2026-01-30 | 季华实验室 | Cvd设备窗口原位清洁方法、装置、电子设备及存储介质 |
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