JPH0542670B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等をす）の
様な電磁波に感受性のある光導電部材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる或いは、高速で繰返
し使用すると応答性が次第に低下する等の不都合
な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや螢光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が図られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子(X)のいずれか一
方を少なくとも含有するアモルフアス材料、所謂
水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化アモル
フアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化アモ
ルフアスシリコン〔以後これ等の総称的表記とし
て「ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使用する〕から構成さ
れ、光導電性を示す光受容層を有する光導電部材
の層構成を以後に説明される様な特定化の下に設
計されて作成された光導電部材は実用上著しく優
れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材
と較べてみてもあらゆる点において凌駕している
こと、殊に電子写真用の光導電部材として著しく
優れた特性を有していること及び長波長側に於け
る吸収スペクトル特性に優れていることを見出し
た点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない光導電部材を提供することを主た
る目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、画像のボ
ケのない、高品質画像を得る事が容易に出来る電
子写真用の光導電部材を提供することである。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、該支持体上に、ゲルマニウム原子を含む非晶
質材料で構成された第１の層領域(G)と、シリコン
原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示
す第２の層領域(S)とが前記支持体側より順に設け
られた層構成の光受容層とを有し、該光受容層
は、伝導性を制御する物質である周期律表第族
または第族のいずれかに属する原子Ｃを、該光
受容層に於いては、層厚方向の分布濃度の最大値
が前記第２の層領域(S)中にあり且つ前記第２の層
領域(S)においては、前記支持体側の方に多く分布
する状態で含有していることを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、可干渉光の使用に於いても干渉を充分
防止することが出来るとともに、画像形成への残
留電位の影響が全くなく、その電気的特性が安定
しており高感度で、高SN比を有するものであつ
て、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得ることがで
きる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２
を有し、該光受容層１０２は自由表面１０５を一
方の端面に有している。 光受容層１０２は、支持体１０１側よりゲルマ
ニウム原子と、必要に応じてシリコン原子Si、水
素原子Ｈ、ハロゲン原子Ｘの少なくとも１つを含
む非晶質材料（以後「ａ−Ge（Si、Ｈ、Ｘ）」と
略記する）で構成された第１の層領域(G)１０３と
ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成され、光導電性を有する
第２の層領域(S)１０４とが順に積層された層構造
を有する。 光受容層１０２は、伝導特性を制御する物質(C)
を含有し、該物質(C)は、光受容層１０２に於いて
は、その層厚方向の分布濃度の最大値が第２の層
領域(S)中にあり且つ第２の層領域(S)に於いては支
持体１０１側の方に多く分布する状態で含有され
る。 第１の層領域(G)中に於けるゲルマニウム原子
は、支持体の表面と平行な面内方向に於いては、
均一な状態で含有されるが、層厚方向には、均一
であつても不均一であつても差支えない。 又、第１の層領域(G)に於けるゲルマニウム原子
の分布状態が層厚方向に不均一な場合には、その
層厚方向に於ける分布濃度Ｃを、支持体側或いは
第２の層領域(S)側に向つて、次第に、或いはステ
ツプ状に、又は、線型的に変化させることが望ま
しい。 殊に、第１の層領域(G)中に於けるゲルマニウム
原子の分布状態が、全層領域にゲルマニウム原子
が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向
の分布濃度Ｃ(G)が支持体側より第２の層領域(S)に
向つて減少する変化が与えられている場合には、
第１の層領域(G)と第２の層領域(S)との間に於ける
親和性に優れ、且つ後述する様に支持体側端部に
於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に大
きくすることにより、半導体レーザ等を使用した
場合の、第２の層領域(S)では殆んど吸収し切れな
い長波長側の光を第１の層領域(G)に於いて、実質
的に完全に吸収することが出来、支持体面からの
反射による干渉を防止することが出来と共に、層
領域(G)と層領域(S)との界面での反射を充分押える
ことが出来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層
領域(G)と第２の層領域(S)とを構成する非晶質材料
の夫々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面に於いて化学的な安定性
の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域(G)中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れる。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層領域
(G)の層厚を示し、t_Bは支持体側の第１の層領域(G)
の端面の位置を、t_Tは支持体側とは反対側の第１
の層領域(G)の端面の位置を示す。即ちゲルマニウ
ム原子の含有される第１の層領域(G)はt_B側よりt_T
側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第１の層領域(G)中に含有されるゲ
ルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典
型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域(G)が形成される表面と該
第１の層領域(G)の表面とが接する界面位置t_Bより
t₁の位置までは、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
(G)がC₁なる一定の値を取り乍らゲルマニウム原
子が形成される第１の層領域(G)に含有され、位置
t₁よりは濃度C₂より界面位置t_Tに至るまで徐々に
連続的に減少されている。界面位置t_Tにおいては
ゲルマニウム原子の分布濃度ＣはC₃とされる。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_T
に至るまで濃度C₄から徐々に連続的に減少して
位置t_Tにおいて濃度C₅となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合には、位置t_Bより位置t₂まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値
とされ、位置t₂と位置t_Tとの間において、徐々に
連続的に減少され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで、濃度C₈より
連続的に徐々に減少され、位置t_Tにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置t_Bと位置t₃間においては、
濃度C₉と一定値であり、位置t_Tにおいては濃度
C₁₀される。位置t₃と位置t_Tとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置t₃より位置t_Tに至るまで減
少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置t_Bより位置t₄までは濃度C₁₁の一定値を取り、
位置t₄より位置t_Tまでは濃度C₁₂より濃度C₁₃まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置t_Bより位置t_T
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C₁₄より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置t_Bより位置t₅に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C₁₅
より濃度C₁₆まで一次関数的に減少され、位置t₅
と位置t_Tとの間においては、濃度C₁₆の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置t_Bにおいて濃度C₁₇で
あり、位置t₆に至るまではこの濃度C₁₇より初め
はゆつくりと減少され、t₅の位置付近において
は、急激に減少されて位置t₆では濃度C₁₈とされ
る。 位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t₇で濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t₈に
おいて、濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置t_Tの間にお
いては、濃度C₂₀より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域(G)中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向
の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本
発明においては、支持体側において、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面t_T側
においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて
可成り低くされた部分を有するゲルマニウム原子
の分布状態が第１の層領域(G)に設けられている。 本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層
を構成する第１の層領域(G)は好ましくは上記した
様に支持体側の方にゲルマニウム原子が比較的高
濃度で含有されている局在領域(A)を有するのが望
ましい。 本発明に於いては局在領域(A)は、第２図乃至第
１０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置
t_Bより5μ以内に設けられるのが望ましいものであ
る。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域（L_T）とされる場合
もあるし、又、層領域（L_T）の一部とされる場
合もある。 局在領域(A)を層領域（L_T）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値Cmaxがシリコン原子との
和に対して、好ましくは1000atomic ppm以上、
より好適には5000atomic ppm以上、最適には１
×1.0⁴atomic ppm以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される層領域(G)は、支持体側からの層厚で
5μ以内（t_Bから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大
値Cmaxが存在する様に形成されるのが好ましい
ものである。 本発明において、第１の層領域(G)中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量としては、本発明の
目的が効果的に達成される様に所望に従つて適宜
決められるが、好ましくは１〜10×10⁵atomic
ppm、より好ましくは100〜9.5×10⁵atomic
ppm、最適には500〜８×10⁵atomic ppmとされ
るのが望ましい。 本発明に於いて第１の層領域(G)と第２の層領域
(S)との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させ
る為の重要な因子の１つであるので形成される光
導電部材に所望の特性が充分与えられる様に、光
導電部材の設計の際に充分なる注意が払われる必
要がある。 本発明に於いて、第１の層領域(G)の層厚T_Bは、
好ましくは、30Å〜50μ、より好ましくは、40Å
〜40μ、最適には、50Å〜30μとされるのが望ま
しい。 又、第２の層領域(S)の層厚Ｔは、好ましくは
0.5〜90μ、より好ましくは、１〜80μ、最適には
２〜50μとされるのが望ましい。 第１の層領域(G)の層厚T_Bと第２の層領域(S)の
層厚Ｔの和（T_B＋Ｔ）としては、両層領域に要
求される特性と光受容層全体に要求される特性と
の相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材の
層設計の際に所望に従つて、適宜決定される。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（T_B
＋Ｔ）の数値範囲としては、好ましくは１〜
100μ、より好適には１〜80μ、最適には２〜50μ
とされるのが望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚T_B及び層厚Ｔとしては、好ましくは、
T_B／Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対
して適宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚T_B及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくはT_B／Ｔ≦0.9、
最適にはT_B／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚T_B及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
い。 本発明に於いて、第１の層領域(G)中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量が１×10⁵atomic
ppm以上の場合には、第１の層領域(G)の層厚T_B
としては、成可く薄くされるのが望ましく、好ま
しくは30μ以下、より好ましくは25μ以下、最適
には20μ以下とされるのが望ましいものである。 本発明において、光受容層を構成する第１の層
領域(G)又は／及び第２の層領域(S)中に必要に応じ
て含有されるハロゲン原子(X)としては、具体的に
はフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊に
フツ素、塩素を好適なものとして挙げることが出
来る。 本発明において、ａ−Ge（Si、Ｈ、Ｘ）で構成
される第１の層領域(G)を形成するには、例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、グロー放電法によ
つて、ａ−Ge（Si、Ｈ、Ｘ）で構成される第１の
層領域(G)を形成するには、基本的にはゲルマニウ
ム原子（Ge）を供給し得るGe供給用の原料ガス
と、必要に応じて、シリコン原子（Si）を供給し
得るSi供給用の原料ガス水素原子(H)導入用の原料
ガス又は／及びハロゲン原子(X)導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧
状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されてある所定の支持
体表面上に層形成すれば良い。ゲルマニウム原子
を不均一に分布させるには含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃを所望の変化率曲線に従つて
制御し乍らａ−Ge（Si、Ｈ、Ｘ）からなる層を形
成させれば良い。又、スパツタリング法で形成す
る場合には、例えばAr、He等の不活性ガス又は
これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
でSiで構成されたターゲツト、或いは、該ターゲ
ツトとGeで構成されたターゲツトの二枚を使用
して、又は、SiとGeの混合されたターゲツトを
使用して、必要に応じて、He、Ar等の稀釈ガス
で稀釈されたGe供給用の原料ガス又はSi供給用
の原料ガスを、必要に応じて、水素原子(H)又は／
及びハロゲン原子(X)導入用のガスをスパツタリン
グ用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ雰
囲気を形成すると共に、前記Ge供給用の原料ガ
ス又は／及びSi供給用の原料ガスのガス流量を所
望の変化率曲線に従つて制御し乍ら、前記のター
ゲツトをスパツタリングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH₄、Si₂H₆、
Sis₃H₈、Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し得る
水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易
さ、Si供給効率の良さ等の点でSiH₄、Si₂H₆が好
ましいものとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH₄、Ge₂H₆、Ge₃H₈ 、Ge₄H₁₀、Ge₅H₁₂、
Ge₆H₁₄、Ge₇H₁₆、Ge₈H₁₈Ge₉H₂₀等のガス状態
の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に
使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作
業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点で
GeH₄、Ge₂H₆、Ge₃H₆が好ましいものとして挙
げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF₃、
BrF₅、BrF₃、IF₃、IF₇、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄、Si₂F₆、SiCl₄、SiBr₄等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域(G)を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域(G)を作成する場合、基本的には、例え
ばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素と
Ge供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウム
とAr、H₂、He等のガス等を所定の混合比とガス
流量になる様にして第１の層領域(G)を形成する堆
積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等のガ
スのプラズマ雰囲気を形成することによつて、所
望の支持体上に第１の層領域(G)を形成し得るもの
であるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易
になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス
又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混
合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂、
SiH₂I₂、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiH₂Br₂、SiHBr₃等
のハロゲン置換水素化珪素、及びGeHF₃、
GeH₂F₂、GeH₃F₁、GeHCl₃、GeH₂Cl₂、
GeH₃Cl、GeHBr₃、GeH₂Br₂、GeH₃Br、
GeHI₃、GeH₂I₂、GeH₃I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、GeF₄、GeCl₄、GeBr₄、
GeI₄、GeF₂、GeCl₂、GeBr₂、GeI₂等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な第１の層領域(G)形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第１の層領域(G)形成の際に層中にハロゲン原
子の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御
に極めて有効な水素原子も導入されるので、本発
明においては好適なハロゲン導入用の原料として
使用される。 水素原子を第１の層領域(G)中に構造的に導入す
るには、上記の他にH₂、或いはSiH₄、Si₂H₆、
Si₃H₈、Si₄H₁₀等の水素化硅素をGeを供給する為
のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、GeH₄，Ge₂H₆、Ge₃H₈、Ge₄H₁₀、Ge₅H₁₂，
Ge₆H₁₄、Ge₇H₁₆，Ge₈H₁₈、Ge₂H₂₀等の水素化
ゲルマニウムとSiを供給する為のシリコン又はシ
リコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を
生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の第１の層領域(G)中に含有される水素原子
(H)の量又はハロゲン原子(X)の量又は水素原子とハ
ロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは0.01
〜40atomic％、より好適には0.05〜30atomic％、
最適には0.1〜25atomic％とされるのが望ましい。 第１の層領域(G)中に含有される水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子(X)の量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或いはハ
ロゲン原子(X)を含有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制
御してやれば良い。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有されない第２の層領域(S)、必要に応じ
てゲルマニウム原子の含有される第１の層領域(G)
には、伝導特性を制御する物質(C)を含有させるこ
とにより、該層領域(S)及び該層領域(G)の伝導特性
を所望に従つて任意に制御することが出来る。 この際、第２の層領域(S)に含有される前記物質
(C)は、層領域(G)の全領域又は一部の層領域に含有
されて良いが、いずれの場合も支持体側の方に多
く分布する状態として含有される必要がある。 即ち、第２の層領域(S)に設けられる物質(C)の含
有される層領域（SPN）は、第２の層領域(S)の
全層領域として設けられるか又は、第２の層領域
(S)の一部として支持体側端部領域（SE）として
設けられる。前者の全層領域として設けられる場
合には、その分布濃度C(S)が支持体側の方向に向
つて、線型的に又はステツプ状に、或いは曲線的
に増大する線に設けられる。 分布濃度C(S)が曲線的に増大する場合には、支
持体側に向つて、単調的に増大する様に伝導性を
制御する物質(C)を層領域(S)中に設けるのが望まし
い。 層領域（SPN）を第２の層領域(S)中に、その
一部として設ける場合には、層領域（SPN）中
に於ける物質(C)の分布状態は支持体の表面と平行
な面内方向に於いては均一とされるが、層厚方向
に於いては均一でも不均一でも差支えない。この
場合、層領域（SPN）に於いて、物質(C)が層厚
方向に不均一に分布する様に設けるには、前記の
第１の層領域(S)の全層領域に設ける場合と同様の
分布濃度線となる様に設けるのが望ましい。 第１の層領域(G)に伝導性を制御する物質(C)を含
有させて該物質(C)の含有される層領域（GPN）
を設ける場合も第２の層領域(S)に層領域（SPN）
を設ける場合と同様に行うことが出来る。 本発明に於いては、第１の層領域(G)及び第２の
層領域(S)のいずれにも伝導特性を制御する物質(C)
を含有させる場合、両層領域に含有される物質(C)
は同種でも互いに異種であつても良い。 而乍ら、両層領域に同種の伝導性を制御する物
質(C)を含有させる場合には、該物質(C)の層厚方向
に於ける最大分布濃度が第２の層領域(S)にある、
即ち、第２の層領域(S)の内部又は、第１の層領域
(G)との界面にある様に設けるのが好ましい。 殊に、前記の最大分布濃度が第１の層領域(G)と
の接触界面又は、該界面近傍に設けるのが望まし
い。 本発明に於いては、上記の様に光受容層中に伝
導特性を制御する物質(C)を含有させて該物質(C)を
含有する層領域（PN）を、第２の層領域(S)の少
なくとも一部の層領域を占める様に、好ましく
は、第２の層領域(S)の支持体側端部層領域（SE）
として設ける。 層領域（PN）が第１の層領域(S)及び第２の層
領域(G)の両者に跨る様に設けられる場合には、伝
導特性を制御する物質(C)の層領域（GPN）に於
ける最大分布濃度C(G)_naxと、層領域（SPN）に
於ける最大分布濃度C(S)_naxとの間にはC(G)_nax
〈C(S)_naxなる関係式が成立する様に物質(C)が光受
容層中に含有される。 層領域（PN）に含有される伝導性を制御する
物質(C)としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、Si
又はGeに対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不
純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙
げることが出来る。 具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ、Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第属原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ、Asである。 本発明において、光受容層中に設けられる層領
域（PN）に含有される伝導特性を制御する物質
(C)の含有量は、該層領域（PN）に要求される伝
導特性、或いは該層領域（PN）が直に接触して
設けられる支持体或いは他の層領域との接触界面
における特性との関係等、有機的関連性におい
て、適宜選択することが出来る。又、前記層領域
に直に接触して設けられる他の層領域の特性や、
該他の層領域との接触界面における特性との関係
も考慮されて、伝導特性を制御する物質(C)の含有
量が適宜選択される。 本発明において、層領域（PN）中に含有され
る伝導特性を制御する物質(C)の含有量としては、
好ましくは0.01〜５×10⁴atomic ppm、より好適
には0.5〜１×10⁴atomic ppm、最適には１〜５
×10³atomic ppmとされるのが望ましい。 本発明において、伝導特性を支配する物質(C)が
含有される層領域（PN）を第１の層領域(S)と第
２の層領域(G)の接触界面に接して、或いは層領域
（PN）の一部が第１の層領域(G)の少なくとも一
部を占める様にし、且つ層領域（PN）における
該物質(C)の含有量を、好ましくは30atomic ppm
以上、より好適には50atomic ppm以上、最適に
は100atomic ppm以上することによつて、例え
ば該含有させる物質が前記のＰ型不純物の場合に
は、光受容層の自由表面が極性に帯電処理を受
けた際に支持体側から第２の層領域(G)中へ注入さ
れる電子の移動を効果的に阻止することが出来、
又、前記含有させる物質が前記のｎ型不純物の場
合には、光受容層の自由表面が極性に帯電処理
を受けた際に、支持体側から第２の層領域(G)中へ
注入される正孔の移動を効果的に阻止することが
出来る。 上記の様な場合には、本発明の前述した基本構
成の下に前記層領域（PN）を除いた部分の層領
域(Z)には、層領域（PN）に含有される伝導特性
を支配する物質の極性とは別の極性の伝導特性を
支配する物質を含有させても良いし、或いは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、層領域
（PN）に含有される実際の量よりも一段と少な
い量にして含有させても良いものである。 この様な場合、前記層領域(Z)中に含有される前
記伝導特性を支配する物質の含有量としては、層
領域（PN）に含有される前記物質の極性や含有
量に応じて所望に従つて適宜決定されるものであ
るが、好ましくは、0.001〜1000atomic ppm、よ
り好適には0.05〜500atomic ppm、最適には0.1
〜200atomic ppmとされるのが望ましい。 本発明において、層領域（PN）及び層領域(Z)
に同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合
には、層領域(Z)における含有量としては、好まし
くは、30atomic ppm以下とするのが望ましい。 上記した場合の他に、本発明においては、光受
容層中に、一方の極性を有する伝導性を支配する
物質を含有させた層領域と、他方の極性を有する
伝導性を支配する物質を含有させた層領域とを直
に接触する様に設けて、該接触領域に所謂空乏層
を設けることも出来る。つまり、例えば光受容層
中に、前記のｐ型不純物を含有する層領域と前記
のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触する
様に設けて所謂Ｐ−ｎ接合を形成して、空乏層を
設けることが出来る。 第１１図乃至第２４図には、光受容層中に含有
される伝導特性を制御する物質(C)の層厚方向の分
布状態の典型的例が示される。 これ等の図に於いて、横軸は物質(C)の層厚方向
の分布濃度C_(PN)を、縦軸は光受容層の支持体側か
らの層厚ｔを示してある。t₀は、層領域(G)と層領
域(S)の接触界面の位置を示す。 又、横軸、縦軸に於いて使用する記号は、殊に
断らない限り第２図乃至第１０図に於いて使用し
た記号と同様の意味を持つ。 第１１図には、光受容層中に含有される伝導特
性を制御する物質(C)の層厚方向の分布状態の第１
の典型例が示される。 第１１図に示される例では、物質(C)は、層領域
(G)には含有されておらず、層領域(S)にのみ濃度
C₁の一定分布濃度で含有されている。詰り、層
領域(S)はt₀とt₁間の端部層領域に物質(C)が濃度C₁
の一定の分布濃度で含有されている。 第１２図の例では、層領域(G)には、物質(C)は万
偏無く含有されているが、層領域(S)には物質(C)は
含有されてない。 そして、物質(C)はt₀とt₂の間の層領域には、分
布濃度がC₂と一定濃度で含有され、t₂とt_Tの間の
層領域にはC₂より遥かに低い濃度C₃の一定濃度
で含有される。 この様な分布濃度C_(PN)で物質(C)を光受容層を構
成する層領域(S)に含有させることで、層領域(G)よ
り層領域(S)に注入される電荷の表面方向への移動
を効果的に阻止することが出来ると同時に、光感
度及び暗抵抗の向上を計ることが出来る。 第１３図の例では、層領域(G)に物質(C)が万偏無
く含有されてはいるが、t₀に於ける濃度C₄より上
表面方向に単調的に減少してt_Tに於いて濃度０と
なる様に分布濃度C_(PN)が変化している状態で物質
(C)が含有されている。層領域(G)には物質(C)は含有
されてない。 第１４図及び第１５図の例の場合は、物質(C)が
層領域(S)の下部端部層領域に偏在的に含有されて
いる例である。即ち、第１４図及び第１５図の例
の場合は、層領域(S)は、物質(C)の含有されている
層領域と、物質(C)の含有されていない層領域と
が、この順で支持体側より積層された層構造を有
する。 第１４図と第１５図の例の場合に於いて異なる
点は、第１４図の場合が分布濃度C_(PN)がt₀とt₃間
に於いてt₀の位置での濃度C₅よりt₃の位置での濃
度０まで単調的に減少しているのに対して、第１
５図の場合は、t₀とt₄間に於いて、t₀の位置での
濃度C₆よりt₄の位置での濃度０まで線形的に連続
して減少していることである。第１４図及び第１
５図の例の場合も、層領域(G)には物質(C)は含有さ
れていない。 第１７図乃至第２４図の例に於いては、層領域
(G)及び層領域(S)の両者に伝導性を制御する物質(C)
が含有されている場合が示される。 第１７図乃至第２２図の例の場合は、層領域(S)
は、物質(C)が含有されている層領域と、物質(C)が
含有されてない層領域が支持体側よりこの順で積
層された２層構造を有しているのが共通してい
る。その中で第１７図乃至第２１図の例に於いて
は、いずれも層領域(G)に於ける物質(C)の分布状態
は、第２の層領域(S)との界面位置t₀より支持体側
に向つて減少している分布濃度C_(PN)の変化状態を
有していることである。 第２３図及び第２４図の例の場合は、光受容層
の全層領域に亘つて層厚方向に物質(C)が万偏無く
含有されている。 加えて第２３図の場合は、層領域(G)に於いて
は、t_Bに於ける濃度C₂₃よりt₀に於ける濃度C₂₂ま
でt_Bよりt₀に向つて線形的に増加し、層領域(S)に
於いては、t₀に於ける濃度C₂₂よりt_Tに於ける濃度
０までt₀よりt_Tに向つて単調的に連続して減少し
ている。 第２４図の場合は、t_Bとt₁₃の間の層領域に於い
ては、濃度C₂₄の一定分布濃度で物質(C)が含有さ
れ、t₁₃とt_Tの間の層領域に於いては、濃度C₂₅よ
り線形的に減少して、t_Tに於いて０に至つてい
る。 以上第１１図乃至第２４図に於いて、光受容層
中に於ける伝導性を制御する物質(C)の分布濃度
C_(PN)の変化例の代表的な場合を説明した様に、い
ずれの例に於いても、物質(C)の最大分布濃度が第
２の層領域(S)に存する様に物質(C)が光受容層中に
含有される。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成され
る第２の層領域(S)を形成するには前記した第１の
層領域(G)形成用の出発物質（）の中より、Ｇ供
給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２の層領域(S)形成用の出発物質（）〕を使用
して、第１の層領域(G)を形成する場合と同様の方
法と条件に従つて行うことが出来る。 即ち、本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構
成される第２の層領域(S)を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。例えば、グロー放電法によ
つて、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成される第２の層領
域(S)を形成するには、基本的には前記したシリコ
ン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガスと
共に、必要に応じて水素原子(H)導入用の又は／及
びハロゲン原子(X)導入用の原料ガスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設定されて
ある所定の支持表面上にａ−Si（Ｈ、Ｘ）からな
る層を形成させれば良い。又、スパツタリング法
で形成する場合には、例えばAr、He等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの
雰囲気中でSiで構成されたターゲツトをスパツタ
リングする際、水素原子(H)又は／及びハロゲン原
子(X)導入用のガスをスパツタリング用の堆積室に
導入しておけば良い。 本発明に於いて、形成される非晶質層を構成す
る第２の層領域(S)中に含有される水素原子(H)の量
又はハロゲン原子(X)の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは、１〜
40atomic％、より好適には５〜30atomic％、最
適には５〜25atomic％とされるのが望ましい。 光受容層を構成する層領域中に、伝導特性を制
御する物質(C)、例えば、第族原子或いは第族
原子を構造的に導入して前記物質(C)の含有された
層領域（PN）を形成するには、層形成の際に、
第族原子導入用の出発物質或いは第族原子導
入用の出発物質をガス状態で堆積室中に、光受容
層を形成する為の他の出発物質と共に導入してや
れば良い。この様な第族原子導入用の出発物質
と成り得るものとしては、常温常圧でガス状の又
は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい。その様な第
族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原
子導入用としては、B₂H₆、B₄H₁₀、B₅H₉、
B₅H₁₁、B₆H₁₀、B₆H₁₂、B₆H₁₄等の水素化硼素、
BF₃、BCl₃、BBr₃等のハロゲン化硼素等が挙げ
られる。この他、AlCl₃、GaCl₃、Ga（CH₃）₃、
InCl₃、TlCl₃等も挙げることが出来る。 第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH₃、P₂H₄等の水素化燐、PH₄I、PF₃、
PF₅、PCl₃、PCl₅、PBr₃、PIr₅、PI₃等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH₃、AsF₃、
AsCl₃，AsBr₃、AsF₅、SbH₃、SbF₃、SbF₅、
SbCl₃、SbCl₅、BiH₃、BiCl₃、BiBr₃等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In₂O₃、SnO₂、ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材と して使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光伝導部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限り
薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体の製造
上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第２５図に光伝導部材の製造装置の一例を示
す。 図中の２０２〜２０６のガスボンベには、本発
明の光導電部材を形成するための原料ガスが密封
されており、その１例としてたとえば２０２は、
Heで稀釈されたSiH₄ガス（純度99.999％、以下
SiH₄／Heと略す。）ボンベ、２０３はHeで希釈
されたGeH₄ガス（純度99.999％、以下GeH₄／
Heと略す。）ボンベ、２０４はHeで希釈された
SiF₄ガス（純度99.99％、以下SiF₄／Heと略す。）
ボンベ、２０５はHeで稀釈されたB₂H₆ガス（純
度99.999％、以下、B₂H₆／heと略す。）ボンベ、
２０６はH₂ガス（純度99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室２０１に流入させるには
ガスボンベ２０６〜２０６のバルブ２２２〜２２
６、リークバルブ２３５が閉じられていることを
確認し、又、流入バルブ２１２〜２１６、流出バ
ルブ２１７〜２２１、補助バルブ２３２，２３３
が開かれていることを確認して、先ずメインバル
ブ２３４を開いて反応室２０１、及び各ガス配管
内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５×
10^-6torrになつた時点で補助バルブ２３２，２３
３、流出バルブ２１７〜２２１を閉じる。 次にシリンダー状基体２３７上に光受容層を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンベ２０２
よりSiH₄／Heガス、ガスボンベ２０３より
GeH₄／Heガスを、バルブ２２２，２２３を夫々
開いて出口圧ゲージ２２７，２２８の圧を１Kg／
cm²に調整し、流入バルブ２１２，２１３を徐々に
開けて、マスフロコントローラ２０７，２０８内
に夫々を流入させる。引き続いて流出バルブ２１
７，２１８、補助バルブ２３２を徐々に開いて
夫々のガスを反応室２０１に流入させる。このと
きのSiH₄／Heガス流量とGeH₄／Heガス流量と
の比が所望の値になるように流出バルブ２１７，
２１８を調整し、又、反応室２０１内の圧力が所
望の値になるように真空計２３６の読みを見なが
らメインバルブ２３４の開口を調整する。そして
基体２３７の温度が加熱ヒーター２３８により50
〜400℃の範囲の温度に設定されていることを確
認された後、電源２４０を所望の電力に設定して
反応室２０１内にグロー放電を生起させて基本２
３７上に第１の層領域(G)を形成する。所望の層厚
に第１の層領域(G)が形成された時点に於いて、流
出バルブ２１８を完全に閉じること及びガスボン
ベ２０５よりB₂H₆／Heガスを前記SiH₄／Heガ
スと同様なバルブ操作により反応室２０１内に導
き所望のドーピング曲線にしたがつて、マスフロ
コントローラ２１０を制御する、又、必要に応じ
て放電条件を変えること以外は、同様な条件と手
順に従つて、所望時間グロー放電を維持すること
で、前記の第１の層領域(G)上にゲルマニウム原子
が実質的に含有されてない第２の層領域(S)を形成
することが出来る。 この様にして、第１の層領域(G)と第２の層領域
(S)とで構成された非晶質層が基体２３７上に形成
される。 層形成を行つている間は層形成の均一化を図る
ため基体２３７はモータ２３９により一定速度で
回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第２５図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第１表に示す条件で電子写真用
像形成部材としての各試料を形成した（第２表参
照）。 層領域(S)の形成の際、B₂H₆ガス及びPH₃ガス
の流量比を予め設計された変化率線に従つて変化
させることによつて、第２６図に示す分布濃度を
夫々各試料に就て形成した。

【表】 こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置
に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンラン
プ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテス
トチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を各試料の光受容層表面をカス
ケードすることによつて、光受容層表面上に良好
なトナー画像を得た。光受容層上のトナー画像
を、5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した
所、各試料ともに解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。 上記に於いて、光源をタングステンランプの代
りに810nｍのGaAs系半導体レーザ（10ｍＷ）を
用いて、静電像の形成を行つた以外は、上記と同
様にして、各試料に就いてトナー転写画像の画質
評価を行つたところ、各試料とも解像力に優れ、
階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られ
た。 実施例 ２ 第２５図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体状に第３表に示す条件で電子写真用
像形成部材としての各試料を形成した（第４表参
照）。 層領域(G)及び層領域(S)の形成の際にB₂H₆ガス
及びPH₃ガスの流量比を予め設計された変化率線
に従つて変化させることによつて、第２７図に示
す分布濃度を夫々、各試料に就て形成した。 これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の
画像評価テストを行つたところ、いずれの試料も
高品質のトナー転写画像を与えた。又、各試料に
就て38℃、80％RHの環境に於いて20万回の繰返
し使用テストを行つたところ、いずれの試料も画
像品質の低下は見られなかつた。

【表】 実施例 ３ 第２５図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第５表に示す条件で電子写真用
像形成部材としての試料（試料No.31−１〜37−
12）を夫々作成した（第６表）。 各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃
度は第２８図に、又、不純物原子の含有分布濃度
は第２６及び第２７図に示される。 これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の
画像評価テストを行つたところ、いずれの試料も
高品質のトナー転写画像を与えた。又、各試料に
就て38℃、80％RHの環境に於いて20万回の繰返
し使用テストを行つたところ、いずれの試料も画
像品質の低下は見られなかつた。

【表】

【表】

【表】

【表】 以上の本発明の実施例における共通の層作成条
件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層…約
200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層…約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々層領域(G)中のゲルマニウム原子の分布状態を
説明する為の説明図、第１１図乃至第２４図は、
夫々、光受容層中の不純物原子の分布状態を説明
する為の説明図、第２５図は本発明で使用された
装置の模式的説明図で、第２６図乃至第２８図は
夫々本発明の実施例に於ける各原子の分布状態を
示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……光受容層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、該支持体上に、ゲ
   ルマニウム原子を含む非晶質材料で構成された第
   １の層領域(G)と、シリコン原子を含む非晶質材料
   で構成され、光導電性を示す第２の層領域(S)とが
   前記支持体側より順に設けられた層構成の光受容
   層とを有し、該光受容層は、周期律表第族また
   は第族に属する原子の少なくともいずれかに属
   する原子Ｃを、該光受容層に於いては、層厚方向
   の分布濃度の最大値が前記第２の層領域(S)中にあ
   り且つ前記第２の層領域(S)においては、前記支持
   体側の方に多く分布する状態で含有していること
   を特徴とする光導電部材。 ２ 第１の層領域(G)中にシリコン原子が含有され
   ている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
   材。 ３ 第１の層領域(G)中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が層厚方向に不均一である特許請求の
   範囲第１項に記載の光導電部材。 ４ 第１の層領域(G)中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が層厚方向に均一である特許請求の範
   囲第１項に記載の光導電部材。 ５ 第１の層領域(G)及び第２の層領域(S)の少なく
   ともいずれか一方に水素原子が含有されている特
   許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ６ 第１の層領域(G)及び第２の層領域(S)の少なく
   ともいずれか一方にハロゲン原子が含有されてい
   る特許請求の範囲第１項または第５項に記載の光
   導電部材。 ７ 第１の層領域(G)中に於けるゲルマニウム原子
   の分布状態が前記支持体側の方に多く分布する分
   布状態である特許請求の範囲第２項に記載の光導
   電部材。