JPH0462071B2

JPH0462071B2 -

Info

Publication number: JPH0462071B2
Application number: JP58240022A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; Yukihiko Oonuki; Shigeru Oono
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-12-20
Filing date: 1983-12-20
Publication date: 1992-10-05
Also published as: JPS60131540A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルルアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、化学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる或いはは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかつた。更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや蛍光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されず、支持体に到達する光の量が
多くなると、支持体自体が光導電層を透過して来
る光に対する反射率が高い場合には、光導電層内
に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や隣原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が図ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な問題の総てが解決される様に工夫される必要
がある。本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン
原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有する
アモルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリ
コン、ハロゲン化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総括的表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使
用する〕から構成され、光導電性を示す光受容層
を有する光導電部材の層構成を以後に説明される
様な特定化の下に設計されて作成された光導電部
材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点
において凌駕していること、殊に電子写真用の光
導電部材として著しく優れた特性を有しているこ
と及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優
れていることを見出した点に基いている。本発明は電気的、化学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない電子写真用光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い電子写真用光導電部を提供
することである。本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用される程度に、静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分ある電子写真用光
導電部材を提供することである。本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、画像のボ
ケのない、高品質画像を得る事が容易に出来る電
子写真用の光導電部材を提供することである。本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性を有する電子写真用光導電部材を提
供することでもある。本発明の電子写真用光導電部材（以下単に「光
導電部材」と称する）光導電部材用の支持体と、
該支持体上に、１〜10×10⁵atomic ppmのゲル
マニウム原子を含む非晶質材料で構成された層厚
30Å〜50μの第１の層領域（Ｇ）及びシリコン原
子を含む非晶質材料で構成された層厚0.5〜90μの
第２の層領域（Ｓ）とが前記支持体側より順に設
けられた層構成の光導電性を示す層厚１〜100μ
の第一の層（）とシリコン原子と１×10^-3〜
90atomic％の炭素原子とを含む非晶質材料で構
成された層厚0.003〜30μの第二の層（）とから
成る光受容層とを有し、前記第一の層（）は、
伝導性を制御する物質（Ｃ）を、層厚方向の分布
濃度の最大値が30atomic ppm以上で前記第２の
層領域（Ｓ）中にあり且つ前記第２の層領域
（Ｓ）に於いては、前記支持体側の方に前記最大
値を有する状態で含有していることを特徴とす
る。上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、可干渉光の使用に於いても干渉を充分
防止することが出来るとともに、画像形成への残
留電位の影響が全くなく、その電気的特性が安定
しており高感度で、高SN比を有するものであつ
て、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い、高品質の画像を安定して繰返し得ることがで
きる。更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
するために模式的に示した模式的構成図である。第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、第一の層（）
１０２と第二の層（）１０５とから成る光受容
層１０７を有し、該光受容層１０７は自由表面１
０６を一方の端面に有している。第一の層（）１０２は、支持体１０１側より
ゲルマニウム原子と、必要に応じてシリコン原子
（Si）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子（Ｘ）の少
なくとも１つを含む非晶質材料（以後「ａ−Ge
（Si，Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成された第１の
層領域Ｇ１０３とａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され、
光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）１０４とが
順に積層された層構造を有する。第一の層（）１０２は、伝導特性を制御する
物質Ｃを含有し、該物質Ｃは、第一の層（）１
０２に於いては、その層厚方向の分布濃度の最大
値が第２の層領域（Ｓ）中にあり且つ第２の層領
域（Ｓ）に於いては支持体１０１側の方に多く分
布する状態で含有される。第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原
子は、支持体の表面と平行な面内方向に於いて
は、均一な状態で含有されるが、層厚方向には、
均一であつても不均一であつても差支えない。又、第１の層領域（Ｇ）は１０３に於けるゲル
マニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一な場
合には、その層厚方向に於ける分布濃度Ｃを、支
持体側或いは第２の層領域（Ｓ）１０４側に向つ
て、次第に、或いはステツプ状に、又は、線型的
に変化させることが望ましい。殊に、第１の層領域（Ｇ）１０３中に於けるゲ
ルマニウム原子の分布状態が、全層領域にゲルマ
ニウム原子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子
の層厚方向の分布濃度Ｃ，（Ｇ）が支持体側より
第２の層領域（Ｓ）１０４に向つて減少する変化
が与えられている場合には、第１の層領域（Ｇ）
１０３と第２の層領域（Ｓ）１０４との間に於け
る親和性に優れ、且つ後述する様に支持体側端部
に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端に
大きくすることにより、半導体レーザ等を使用し
た場合の、第２の層領域（Ｓ）１０４では殆ど吸
収し切れない長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）
１０３に於いて、実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来ると共に、層領域（Ｇ）１０３と層領
域（Ｓ）１０４との界面での反射を充分押えるこ
とが出来る。第２図乃至第１０図には、本発明に於ける光導
電部材の第１の層領域（Ｇ）１０３中に含有され
るゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の典型
的例が示される。第２図乃至第１０図において、横軸は、ゲルマ
ニウム原子の分布濃度（Ｃ）を、縦軸は、第１の
層領域（Ｇ）１０３の層厚を示し、t_Bは支持体側
の第１の層領域（Ｇ）１０３の端面の位置を、t_T
は支持体側とは反対側の第１の層領域（Ｇ）１０
３の端面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子
の含有される第１の層領域（Ｇ）１０３はt_B側よ
りt_T側に向つて層形成がなされる。第２図には、第１の層領域（Ｇ）１０３中に含
有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
の第１の典型例が示される。第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）１０３が形成され
る表面と該第１の層領域（Ｇ）１０３の表面とが
接する界面位置t_Bよりt₁の位置までは、ゲルマニ
ウム原子の分布濃度ＣがC₁なる一定の値を取り
乍らゲルマニウム原子が形成される第１の層領域
（Ｇ）１０３に含有され、位置t₁よりは濃度C₂よ
り界面位置t_Tに至るまで徐々に連続的に減少され
ている。界面位置t_Tにおいてはゲルマニウム原子
の分布濃度ＣはC₃とされる。第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_T
に至るまで濃度C₄から徐々に連続的に減少して
位置t_Tにおいて濃度C₅となる様な分布状態を形成
している。第４図の場合には、位置t_Bより位置t₂まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値
とされ、位置t₂と位置t_Tとの間において、徐徐に
連続的に減少され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで、濃度C₈より
連続的に徐々に減少され、位置t_Tにおいて実質的
に零とされている。第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置t_Bと位置t₃間においては、
濃度C₉と一定値であり、位置t_Tにおいては濃度
C₁₀とされる。位置t₃と位置t_Tとの間では、分布濃
度Ｃし一次関数的に位置t₃より位置t_Tに至るまで
減少されている。第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置t_Bより位置t₄までは濃度C₁₁の一定値を取り、
位置t₄より位置t_Tまでは濃度C₁₂より濃度C₁₃まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。第８図に示す例においては、位置t_Bより位置t_T
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C₁₄より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。第９図においては、位置t_Bより位置t₅に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C₁₅
より濃度C₁₆まで一次関数的に減少され、位置t₅
と位置t_Tとの間においては、濃度C₁₆の一定値と
された例が示されている。第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置t_Bにおいて濃度C₁₇で
あり、位置t₆に至るまではこの濃度C₁₇より初め
はゆつくりと減少され、t₆の位置付近において
は、急激に減少されて位置t₆までは濃度C₁₈とさ
れる。位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t₇で濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t₈に
おいて、濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置t_Tの間にお
いては、濃度C₂₀より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従つて減少されている。以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域（Ｇ）１０３中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の典型例の幾つかを説明し
た様に、本発明においては、支持体側において、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有
し、界面t_T側においては、前記分布濃度Ｃは支持
体側に較べて可成り低くされた部分を有するゲル
マニウム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）１
０３に設けられている。本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層
を構成する第１の層領域（Ｇ）１０３は好ましく
は上記した様に支持体側の方にゲルマニウム原子
が比較的高濃度で含有されている局在領域Ａを有
するのが望ましい。本発明に於いては局在領域Ａは、第２図乃至第
１０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置
t_Bより5μ以内に設けられるのが望ましいものであ
る。本発明においては、上記局在領域Ａは、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域L_Tとされる場合もあ
るし、又、層領域L_Tの一部とされる場合もある。局在領域（Ａ）を層領域L_Tの一部とするか又
は全部とするかは、形成される層に要求される特
性に従つて適宜決められる。局在領域Ａはその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値C_naxがシリコン原子との和
に対して、好ましくは1000atomic ppm以上、よ
り好適には5000atomic ppm以上、最適には１×
10⁴atomic ppm以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）１０３は、支持体
側からの層厚で5μ以内（t_Bから5μ厚の層領域）に
分布濃度の最大値Cmaxが存在する様に形成され
るのが好ましいものである。本発明において、第１の層領域（Ｇ）１０３中
に含有されるゲルマニウム原子の含有量として
は、本発明の目的が効果的に達成される様に所望
に従つて適宜決められるが、好ましくは１〜10×
10⁵atomie ppmより好ましくは100〜9.5×10⁵
aoimic ppm、最適には500〜８×10⁵atomic
ppmとされるのが望ましい。本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）１０３と第
２の層領域（Ｓ）１０４との層厚は、本発明の目
的を効果的に達成させる為の重要な因子の１つで
あるので形成される光導電部材に所望の特性が充
分与えられる様に、光導電部材の設計の際に充分
なる注意が払われる必要がある。本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）１０３の
層厚T_Bは、好ましくは、30Å〜50μ、より好まし
くは、40Å〜40μ、最適には、50Å〜30μとされ
るのが望ましい。又、第２の層領域（Ｓ）１０４の層厚Ｔは、好
ましくは0.5〜90μ、より好ましくは、１〜80μ、
最適には２〜50μとされるのが望ましい。第１の層領域（Ｇ）の層厚T_Bと第２の層領域
（Ｓ）１０４の層厚Ｔの和（T_B＋Ｔ）としては、
両層領域に要求される特性と第一の層１０２全体
に要求される特性との相互間の有機的関連性に基
づいて、光導電部材１００の層設計の際に所望に
従つて、適宜決定される。本発明の光導電部材１００に於いては、上記の
（T_B＋Ｔ）の数値範囲としては、好ましくは１〜
100μ、より好適には１〜80μ、最適には２〜50μ
とされるのが望ましい。本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚_B及び層厚Ｔとしては、好ましくは、
T_B／Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対
して適宜適切な数値が選択されるのが望ましい。上記の場合に於ける層厚T_B及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくはT_B／Ｔ≦0.9、
最適にはT_B／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚T_B及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
い。本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量が１×10⁵
atomic ppm以上の場合には、第１の層領域
（Ｇ）１０３の層厚T_Bとしては、成可く薄くされ
るのが望ましく、好ましくは30μ以下、より好ま
しくは25μ以下、最適には20μ以下とされるのが
望ましいものである。本発明において、光受容層を構成する第１の層
領域（Ｇ）１０３又は／及び第２の層領域（Ｓ）
１０４中に必要に応じて含有されるハロゲン原子
（Ｘ）としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、
ヨウ素が挙げられ、殊にフツ素、塩素を好適なも
のとして挙げることが出来る。本発明において、ａ−Ge（Si，Ｈ，Ｘ）で構成
される第１の層領域（Ｇ）１０３を形成するに
は、例えばグロ−放電法、スパツタリング法、或
いはイオンプレ−テイング法等の放電現象を利用
する真空堆積法によつて成される。例えば、グロ
−放電法によつて、ａ−Ge（Si，Ｈ，Ｘ）で構成
される第１の層領域（Ｇ）１０３を形成するに
は、基本的にはゲルマニウム原子（Ge）を供給
し得るGe供給用の原料ガスと、必要に応じて、
シリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料
ガスと、水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧しに得る堆積室内に所望のガス圧状態で
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されてある所定の支持体表面
上に層形成すれば良い。ゲルマニウム原子を不均
一に分布させるには含有されるゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを所望の変化率曲線に従つて制御し
乍らａ−Ge（Si，Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させ
れば良い。又、スパツタリング法で形成する場合
には、例えば、Ar，He等の不活性ガス又はこれ
等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSi
で構成されたターゲツト、或いは、該ターゲツト
とGeで構成されたターゲツトの二枚を使用して、
又は、SiとGeの混合されたターゲツトを使用し
て、必要に応じて、He，Ar等の稀釈ガスで稀釈
されたGe供給用の原料ガス又はSi供給用の原料
ガスを、必要に応じて、水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパツタリ
ング用の堆積室に導入し、所望のガスのプラズマ
雰囲気を形成すると共に、前記Ge供給用の原料
ガス又は／及びSi供給用の原料ガスのガス流量を
所望の変化率曲線に従つて制御し乍ら、前記のタ
ーゲツトをスパツタリングしてやれば良い。イオンプレ−テイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源とし
て蒸着ボ−トに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法、或いは、エレクトロンビ−ム法（EB法）等
によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガス
プラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツタ
リング法の場合と同様にする事で行うことが出来
る。本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，
Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH₄，Si₂H₆が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈，Ge₄H₁₀，Ge₅H₁₂，Ge₆
H₁₄，Ge₇H₁₆，Ge₈H₁₈，Ge₉H₂₀等のガス状態の
又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業
時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点で、
GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈が好ましいものとして挙
げられる。本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン置換されたシ
ラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF₃，
BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，SiBr₄等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域（Ｇ）１０３を形成する事が出来る。グロ−放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域（Ｇ）１０３を作成する場合、基本的
には、例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン
化硅素とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲル
マニウムとAr，H₂，He等のガス等を所定の混合
比とガス流量になる様にして第１の層領域（Ｇ）
１０３を形成する堆積室に導入し、グロ−放電を
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成す
ることによつて、所望の支持体上に第１の層領域
（Ｇ）１０３を形成し得る物であるが、水素原子
の導入割合の制御を一層容易になる様に計る為に
これ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含む
硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても
良い。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂，SiH₂
I₂，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₂Br₂，SiHBr₃等のハ
ロゲン置換水素化硅素、及びGeHF₃，GeH₂F₂，
GeH₃F₁，GeHCl₃，GeH₂Cl₂，GeH₃Cl，
GeHBr₃，GeH₂Br₂，GeH₃Br，GeHI₃，GeH₂
I₂，GeH₃Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム、
等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物、GeF₄，GeCl₄，GeBr₄，GeI₄，GeF₂，
Gecl₂，GeBr₂，GeI₂等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も
有効な第１の層領域（Ｇ）１０３形成用の出発物
質として挙げる事が出来る。これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第１の層領域（Ｇ）１０３形成の際に層中に
ハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子も導入される
ので、本発明においては好適なハロゲン導入用の
原料として使用される。水素原子を第１の層領域（Ｇ）１０３中に構造
的に導入するには、上記の他にH₂或いはSiH₄，
Si₂H₆，Si₃H₈，Si₄H₁₀等の水素硅素Geを供給す
る為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、
或いは、GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈，Ge₄H₁₀，Ge₅
H₁₂，Ge₆H₁₄，Ge₇H₁₆，Ge₈H₁₈，Ge₂H₂₀等の水
素化ゲルマニウムとSiを供給する為のシリコン又
はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放
電を生起させる事でも行う事が出来る。本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の第１の層領域（Ｇ）１０３中に含有され
る水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の
量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋
Ｘ）は好ましくは0.01〜40atomic％、より好適に
は0.05〜30atomic％、最適には0.1〜25atomic％
とされるのが望ましい。第１の層領域（Ｇ）１０３中に含有される水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を
制御するには、例えば支持体温度又は／及び水素
原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有さ
せる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ導
入する量、放電電力を制御してやれば良い。本発明の光導電部材１００に於いては、ゲルマ
ニウム原子の含有されない第２の層領域（Ｓ）１
０４、必要に応じてゲルマニウム原子の含有され
る第１の層領域（Ｇ）１０３には、伝導性を制御
する物質Ｃを含有させることにより、該第２の層
領域（Ｓ）１０４及び該層領域（Ｇ）１０４の伝
導特性を所望に従つて任意に制御することが出来
る。この際、第２の層領域（Ｓ）１０４に含有され
る前記物質Ｃは、第１の層領域（Ｇ）１０４の全
領域又は一部の層領域に含有されて良いが、いず
れの場合も支持体側の方に多く分布する状態とし
て含有される必要がある。即ち、第２の層領域（Ｓ）１０４に設けられる
物質Ｃの含有される層領域（SPN）は、第２の
層領域（Ｓ）１０４の全層領域として設けられる
か又は、第２の層領域（Ｓ）１０４の一部として
支持体側端部層領域（SE）として設けられる。
前者の全層領域として設けられる場合には、その
分布濃度C_sが支持体側の方向に向つて、線型的に
又はステツプ状に、或いは曲線的に増大する様に
設けられる。分布濃度C_sが曲線的に増大する場合には、支持
体側に向つて、単調的に増大する様に伝導性を制
御する物質Ｃを第２の層領域（Ｓ）１０４中に設
けるのが望ましい。層領域（SPN）を第２の層領域（Ｓ）１０４
中に、その一部として設ける場合には、層領域
（SPN）中に於ける物質Ｃの分布状態は支持体の
表面と平行な面内方向に於いては均一とされる
が、層厚方向に於いては均一でも不均一でも差支
えない。この場合、層領域（SPN）に於いて、
物質Ｃが層厚方向に不均一に分布する様に設ける
には、前記の第１の層領域（Ｇ）の全層領域に設
ける場合と同様の分布濃度線となる様に設けるの
が望ましい。第１の層領域（Ｇ）１０３に伝導性を制御する
物質Ｃを含有させて該物質Ｃの含有される層領域
（GPN）を設ける場合も第２の層領域（Ｓ）１０
４に層領域（SPN）を設ける場合と同様に行う
ことが出来る。本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）１０４
及び第２の層領域（Ｓ）１０４のいずれにも伝導
特性を制御する物質Ｃを含有させる場合、両層領
域に含有される物質Ｃは同種でも互いに異種であ
つても良い。而乍ら、両層領域に同種の伝導性を制御する物
質Ｃを含有させる場合には、該物質Ｃの層厚方向
に於ける最大分布濃度が第２の層領域（Ｓ）１０
４にある、即ち、第２の層領域（Ｓ）１０４の内
部又は、第１の層領域（Ｇ）１０３との界面にあ
る様に設けるのが好ましい。殊に、前記の最大分布濃度が第１の層領域
（Ｇ）１０３との接触界面又は、該界面近傍に設
けるのが望ましい。本発明に於いては、上記の様に第一の層（）
１０２中に伝導特性を制御する物質Ｃを含有させ
て該物質Ｃを含有する層領域（PN）を、第２の
層領域（Ｓ）１０４の少なくとも一部の層領域を
占める様に、好ましくは、第２の層領域（Ｓ）１
０４の支持体側端部層領域（SE）として設ける。層領域（PN）が第１の層領域（Ｇ）及び第２
の層領域（Ｓ）の両者に跨る様に設けられる場合
には、伝導特性を制御する物質Ｃの層領域
（GPN）に於ける最大分布濃度C_Gmaxと、層領域
（SPN）に於ける最大分布濃度C_Smaxとの間には
C_Gmax＜C_Smaxなる関係式が成立する様に物質
Ｃが第一の層（）１０２中に含有される。層領域（PN）に含有される伝導性を制御する
物質Ｃとしては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、Si
又はGeに対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不
純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙
げることが出来る。具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）、等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ，Gaである。ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ，Asである。本発明において、第一の（）１０２中に設け
られる層領域（PN）に含有される伝導特性を制
御する物質Ｃの含有量は、該層領域（PN）に要
求される伝導特性、或いは該層領域（PN）が直
に接触して設けられる支持体或いは他の層領域と
の接触界面における特性との関係等、有機的関連
性において、適宜選択することが出来る。又、前
記層領域に直に接触して設けられる他の層領域の
特性や、該他の層領域との接触界面における特性
との関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質
Ｃの含有量が適宜選択される。本発明において、層領域（PN）中に含有され
る伝導特性を制御する物質Ｃの含有量としては、
好ましく0.01〜５×10⁴atomic ppm、より好適に
は0.5〜１×10⁴atomic ppm、最適には１〜５×
10³atomic ppmとされるのが望ましい。本発明において、伝導特性を支配する物質Ｃが
含有される層領域（PN）を第１の層領域（Ｇ）
と第２の層領域（Ｓ）の接触界面に接して、或い
は層領域（PN）の一部が第１の層領域（Ｇ）の
少なくとも一部を占める様にし、且つ層領域
（PN）における該物質Ｃの含有量を、好ましく
は30atomic ppm以上、より好適には50atomic
ppm以上、最適には100atomic ppm以上とする
ことによつて、例えば該含有させる物質が前記の
ｐ型不純物の場合には、光受容層の自由表面が
極性に帯電処理を受けた際に支持体側から第２の
層領域（Ｓ）中へ注入される電子の移動を効果的
に阻止することが出来、又、前記含有させる物質
が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由
表面が極性に帯電処理を受けた際に、支持体側
から第２の層領域（Ｓ）中へ注入される正孔の移
動を効果的に阻止することが出来る。上記の様な場合には、本発明の前述した基本構
成の下に前記層領域（PN）を除いた部分の層領
域（Ｚ）には、層領域（PN）に含有される伝導
特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導特
性を支配する物質を含有させても良いし、或い
は、同極性の伝導特性を支配する物質を、層領域
（PN）に含有される実際の量よりも一段と少な
い量にして含有させても良いものである。この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有され
る前記伝導特性を支配する物質の含有量として
は、層領域（PN）に含有される前記物質の極性
や含有量に応じて所望に従つて適宜決定されるも
のであるが、好ましくは、0.001〜1000atomic
ppm、より好適には0.05〜500atomic ppm、最適
には0.1〜200atomic ppmとされるのが望ましい。本発明において、層領域（PN）及び層領域
（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質を含有させ
る場合には、層領域（Ｚ）における含有量として
は、好ましくは、30atomic ppm以下とするのが
望ましい。上記した場合の他に、本発明においては、第一
の層（）１０２中に、一方の極性を有する伝導
性を支配する物質を含有させた層領域と、他方の
極性を有する伝導性を支配する物質を含有させた
層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に所謂空乏層を設けることも出来る。つまり、例
えば第一の層（）１０２中に前記ｐ型不純物を
含有する層領域と前記のｎ型不純物を含有する層
領域とを直に接触する様に設けて所謂ｐ−ｎ接合
を形成して、空乏層を設けることが出来る。第１１図乃至第２４図には、第１の層（）１
０２中に含有される伝導特性を制御する物質Ｃの
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。これ等の図に於いて、横軸は物質（Ｇ）の層厚
方向の分布濃度C_PNを、縦軸は第一の層（）１
０２の支持体側からの層厚ｔを示してある。t_Bは
第１の層領域（Ｇ）の支持体側の耐面の位置、t_T
は第２の層領域（Ｓ）の支持体側とは反対の端面
の位置、t_Oは、層領域（Ｇ）と層領域（Ｓ）の接
触界面の位置、をそれぞれ示す。第１１図には、光受容層中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の層厚方向の分布状態の
第１の典型例が示される。第１１図に示される例では、物質（Ｃ）は、第
１の層領域（Ｇ）１０３には含有されておらず、
第２の層領域（Ｓ）１０４にのみ濃度C₁の一定
分布濃度で含有されている。つまり、第２の層領
域（Ｓ）１０４はt₀とt₁間の端部層領域に物質
（Ｃ）が濃度C₁の一定の分布濃度で含有されてい
る。第１２図の例では、第１の層領域（Ｇ）１０３
には、物質（Ｃ）は万偏無く含有されてはいる
が、第２の層領域（Ｓ）１０４には物質（Ｃ）は
含有されていない。そして、物質（Ｃ）はt₀とt₂の間の層領域に
は、分布濃度がC₂と一定濃度で含有され、t₂とt_T
の間の層領域にはC₂よりは!?かに低い濃度C₃の
一定濃度で含有されている。この様な分布濃度C_(PN)で物質Ｃを光受容層を構
成する層領域（Ｓ）に含有させることで第１の層
領域（Ｇ）１０３より第２の層領域（Ｓ）１０４
に注入される電荷の表面方向への移動を効果的に
阻止することが出来ると同時に、光感度及び暗抵
抗の向上を計ることが出来る。第１３図の例では、第１の層領域（Ｇ）１０３
に物質Ｃが万偏無く含有されているが、t₀に於け
る濃度C₄より上表面方向に単調的に減少してt_Tに
於いて濃度０となる様に分布濃度C_(PN)が変化して
いる状態で物質（Ｃ）が含有されている。第１の
層領域（Ｇ）１０３には物質（Ｃ）は含有されて
いない。第１４図及び第１５図の例の場合は、物質
（Ｃ）が第２の層領域（Ｓ）１０４の下部端部層
領域に偏在的に含有されている例である。即ち、
第１４図及び第１５図の例の場合は、第２の層領
域（Ｓ）１０４は、物質（Ｃ）の含有されている
層領域と、物質（Ｃ）の含有されていない層領域
とが、この順で支持体側より積層された層構造を
有する。第１４図と第１５図の例の場合に於いて異なる
点は、第１４図の場合が分布濃度C_(PN)がt₀とt₃間
に於いてt₀の位置での濃度C₅よりt₃の位置での濃
度０まで単調的に減少しているのに対して、第１
５図の場合は、t₀とt₄間に於いて、t₀の位置での
濃度C₆よりt₄の位置での濃度０まで線形的に連続
して減少していることである。第１４図及び第１
５図の例の場合も、第１の層領域（Ｇ）１０３に
は物質（Ｃ）は含有されていない。第１７図乃至第２４図の例に於いては、第１の
層領域（Ｇ）１０３及び第２の層領域（Ｓ）１０
４の両者に伝導性を制御する物質（Ｃ）が含有さ
れている場合が示される。第１７図乃至第２２図の例の場合は、第２の層
領域（Ｓ）１０４は、物質（Ｃ）が含有されてい
る層領域と、物質（Ｃ）が含有されていない層領
域が支持体側よりこの順で積層された２層構造を
有しているのが共通している。その中で第１７図
乃至第２１図の例に於いては、いずれも第１の層
領域（Ｇ）１０３に於ける物質（Ｃ）の分布状態
は、第２の層領域（Ｓ）１０４との界面位置t₀よ
り支持体側に向つて減少している分布濃度C_(PN)の
変化状態を有していることである。第２３図及び第２４図の例の場合は、第一の層
（）１０２の全層領域に亘つて層厚方向に物質
（Ｃ）が万偏無く含有されている。加えて第２３図の場合は、第１の層領域（Ｇ）
１０３に於いては、t_Bに於ける濃度C₂₃よりt₀に於
ける濃度C₂₂までt_Bよりt₀に向つて線形的に増加
し、第２の層領域（Ｓ）１０４に於いては、t₀に
於ける濃度C₂₂よりt_Tに於ける濃度０までt₀よりt_T
に向つて単調的に連続して減少している。第２４図の場合は、t_Bとt₁₃の間の層領域に於い
ては、濃度C₂₄の一定分布濃度で物質（Ｃ）が含
有され、t₁₃とt_Tの間の層領域に於いては、濃度
C₂₅より線形的に減少して、t_Tにおいて０に至つ
ている。以上第１１図乃至第２４図に於いて、第一の層
（）１０２中に於ける伝導性を制御する物質
（Ｃ）の分布濃度C_(PN)の変化例の代表的な場合を
説明した様に、いずれの例に於いても、物質
（Ｃ）の最大分布濃度が第２の層領域（Ｓ）１０
４に存する様に物質Ｃが第一の層（）１０２中
に含有される。本発明に於いてａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される
第２の層領域（Ｓ）１０４を形成するには前記し
た第１の層領域（Ｇ）１０３形成用の出発物質
（）の中より、Ｇ供給用の原料ガスとなる出発
物質を除いた出発物質〔第２の層領域（Ｓ）形成
用の出発物質（）〕を使用して、第１の層領域
（Ｇ）１０３を形成する場合と同様の方法と条件
に従つて行うことが出来る。即ち、本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層領域（Ｓ）１０４を形成するに
は例えばグロー放電法、スパツタリング法、或い
はイオンプレーテイング法等の放電現象をりよう
する真空堆積法によつて成される。例えば、グロ
ー放電法によつて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）１０４を形成するには、基
本的には前記したシリコン原子Siを供給し得るSi
供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されてある所定の支持表
面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれ
ば良い。又、スパツタリング法で形成する場合に
は、例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで構
成されたターゲツトをスパツタリングする際、水
素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用のガスをスパツタリング用の堆積室に導入して
おけば良い。本発明に於いて、形成される第一の層（）１
０２を構成する第２の層領域（Ｓ）１０４中に含
有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子
（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは、１〜40atomic％、よ
り好適には５〜30atomic％、最適には５〜
25atomic％とされるのが望ましい。第一の層（）１０２を構成する層領域中に、
伝導特性を制御する物質（Ｃ）、例えば、第族
原子或いは第族原子を構造的に導入して前記物
質（Ｃ）の含有された層領域（PN）を形成する
には、層形成の際に、第族原子導入用の出発物
質或いは第族原子導入用の出発物質をガス状態
で堆積室中に、第一の層（）１０２を形成する
為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第族原子導入用の出発物質と成り得るも
のとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。その様な第族原子導入用
の出発物質として具体的には硼素原子導入用とし
ては、B₂H₆，B₄H₁₀，B₅H₉，B₅H₁₁，B₆H₁₀，
B₆H₁₂，B₆H₁₄等の水素化硼素、BF₃，BCl₃，
BBr₃等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、AlCl₃，GaCl₃，Ga（CH₃）₃，InCl₃，TlCl₃等
も挙げることが出来る。第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH₃，P₂H₄等の水素化燐、PH₄Ｉ，PF₃，
PF₅，PCl₃，PCl₅，PBr₃，PIr₅，PI₃等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、A_sH₃，A_sF₃，A_s
Cl₃，A_sF₅，SbH₃，SbF₃，SbF₅，SbCl₃，
SbCl₅，BiH₃，BiCl₃，BiBr₃等も第族原子導
入用の出発物質の有効なものとして挙げることが
出来る。第１図に示される光導電部材１００においては
第一の層（）１０２上に形成される第二の層
（）１０５は自由表面を有し、主に耐湿性、連
続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特
性、耐久性において本発明の目的を達成する為に
設けられる。又、本発明においては、第一の層（）１０２
と第二の層（）１０５とを構成する非晶質材料
の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有
しているので、積層界面において化学的な安定性
の確保が充分成されている。本発明における第二の層（）１０５は、シリコ
ン原子（Si）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）と
を含む非晶質材料（以後、「ａ−（Si_xC_1-x）ｙ
（Ｈ，Ｘ）_1-y」担し、０＜ｘ、ｙ＜１、と記す）
で構成される。ａ−（Si_xC_1-x）ｙ（Ｈ，Ｘ）_1-yで構成される第
二の層（）の形成はグロー放電法、スパツタリ
ング法、イオンプランテーシヨン法、イオンプレ
ーテイング法、エレクトロンビーム法等によつて
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によつて適宜選択
されて採用されるが、所望する特性を有する光導
電部材を製造する為の作製条件の制御が比較的容
易であり、シリコン原子と共に炭素原子及びハロ
ゲン原子を、作製する第二の層（）１０５中に
導入するのが容易に行える等の利点からグロー放
電法或いはスパツターリング法が好適に採用され
る。更に、本発明においては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の層（）１０５を形成しても良い。グロー放電法によつて第二の層（）１０５を
形成するには、ａ−（Si_xC_1-x）ｙ（Ｈ，Ｘ）_1-y形
成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定
量の混合比で混合して、支持体の設置してある真
空堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、
グロー放電を生起させることでガスプラズマ化し
て、前記支持体上に既に形成されてある第一の層
（）１０２上にａ−（Si_xC_1-x）ｙ（Ｈ，Ｘ）_1-yを
堆積させれば良い。本発明において、ａ−（Si_xC_1-x）ｙ（Ｈ，Ｘ）_1-
_ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子
（Si）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン
原子（Ｘ）、の中の少なくとも１つの構成原子と
するガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原
料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原料
ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又はSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子と
する原料ガス又は／及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又、所望の混合比で混合する
か、或いはSiを構成原子とする原料ガスと、Si，
Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、
Si，Ｃ及びＸの３つの構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。本発明において、第二の層（）１０５中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが望ましい
ものである。本発明において、第二の層（）１０５を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧においてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。本発明において、第二の層（）１０５形成用
の原料ガスとして有効に使用されるものは、Siと
Ｈとを構成原子とするSiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、Si₄
H₁₀等のシラン（Silane）類等の水素化珪素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間
化合物、ハロゲン化珪素、ハロゲン置換水素化珪
素、水素化珪素等を挙げる事が出来る。具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH₄）、エタン（C₂H₆）、プロパン（C₃H₈）、ｎ
−ブタン（ｎ−C₄H₁₀），ペンタン（C₅H₁₂）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C₂H₄）、
プロピレン（C₃H₆）、ブテン−１（C₄H₈）、ブテ
ン−２（C₄H₈）、イソブチレン（C₄H₈）、ペンテ
ン（C₅H₁₀）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C₂H₂）、メチルアセチレン（C₃
H₄）、ブチン（C₄H₆）、ハロゲン単体としては、
フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハ
ロゲン化水素としては、FH、HI、HCl、HBr、
ハロゲン間化合物としては、BrF、ClF、ClF₃、
ClF₅、BrF₅、BrF₃、IF₇、IF₅、ICl、IBr、ハロ
ゲン化珪素としてはSiF₄、Si₂F₆、SiCl₄、SiCl₃
Br、SiCl₂Br₂、SiClBr₃、SiCl₃Ｉ、SiBr₄、ハロ
ゲン置換水素化珪素としては、SiH₂F₂、SiH₂
Cl₂、SiHCl₃、SiH₃Cl、SiH₃Br、SiH₂Br₂、
SiHBr₃、水素化珪素としては、SiH₄、Si₂H₈、
Si₄H₁₀等のシラン（Silane）類、等々を挙げるこ
とが出来る。これ等の他に、CF₄、CCl₄、CBr₄、CHF₃、
CH₂F₂、CH₃Ｆ、CH₃Cl、CH₃Br、CH₃Ｉ、C₂
H₅Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素、
SF₄、SF₆等のフツ素化硫黄化合物、Si（CH₃）₄、
Si（C₂H₅）₄等のケイ化アルキルやSiCl（CH₃）₃、
SiCl₂（CH₃）₂、SiCl₃CH₃等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることが出来る。これ等の第二の層（）１０５形成物質は、形
成される第二の層（）１０５中に、所定の組成
比でシリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の層（）１０５の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH₃）₄と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl₃、SiH₂Cl₂、SiCl₄或い
はSiH₃Cl等を所定の混合比にしてガス状態で第
二の層（）１０５形成用の装置内に導入してグ
ロー放電を生起させることによつてａ−（Si_x
C_1-x）ｙ（Cl＋Ｈ）_1-yから成る第二の層（）１
０５を形成することが出来る。スパツターリング法によつて第二の層（）１
０５を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウエ
ーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて
含有されているウエーハーをターゲツトとして、
これ等を必要に応じてハロゲン原子又は／及び水
素原子を構成要素として含む種々のガス雰囲気中
でスパツターリングすることによつて行えば良
い。例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツター用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガ
スプラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツ
ターリングすれば良い。又、別にには、SiとＣとは別々のターゲツトと
して、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを
使用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ、Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては前述したグロー放電の例で示した第二の層
（）１０５形成用の物質がスパツターリング法
の場合にも有効な物質として使用され得る。本発明において、第二の層（）１０５をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例
えばHe、Ne、Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。本発明における第二の層（）１０５は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。即ち、Si、Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作製条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導
電的性質までの間の性質を、各々示すので本発明
においては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Si_xC_1-x）ｙ（Ｈ，Ｘ）_1-yが形成される様に、
所望に従つてその作製条件の選択が厳密に成され
る。例えば、第二の層（）１０５を電気的耐圧
性の向上を主な目的として設けるにはａ−（Si_x
C_1-x）ｙ（Ｈ，Ｘ）_1-yは使用環境において電気絶
縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成され
る。又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の層（）１０５が設け
られる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（Si_xC_1-x）ｙ
（Ｈ，Ｘ）_1-yが作成される。第一の層（）１０２の表面にａ−（Si_xC_1-x）
ｙ（Ｈ，Ｘ）_1-yから成る第二の層（）１０５を
形成する際、層形成中の支持体温度は、形成され
る層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明においては、目的とする特性を有する
ａ−（Si_xC_1-x）ｙ（Ｈ，Ｘ）_1-yが所望通りに作成
され得る様に層作成時の所望体温度が厳密に制御
されるのが望ましい。本発明における、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の層（）１０５の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の層（）１０
５の形成が実行されるが、好ましくは、20〜400
℃、より好適には50〜350℃、最適には100〜300
℃とされるのが望ましいものである。第二の層
（）１０５の形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べ
て比較的容易である事等の為に、グロー放電法や
スパツターリング法の採用が有利であるが、これ
等の層形成法で第二の層（）１０５を形成する
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際
の放電パワーが作成されるａ−（Si_xC_1-x）yX_1-y
の特性を左右する重要な因子の１つである。本発明における目的が達成される為の特性を有
するａ−（Si_xC_1-x）yX_1-yが生産性良く効果的に
作成される為の放電パワー条件としては好ましく
は10〜300W、より好適には20〜250W、最適には
50〜200Wとされるのが望ましいものである。堆積室内のガス圧は好ましくは0.01〜1Torr、
より好適には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望
ましい。本発明においては第二の層（）１０５を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられが、これ
等の層作成フアクターは、独立的に別々に決めら
れものではなく、所望特性のａ−（Si_xC_1-x）ｙ
（Ｈ，Ｘ）_1-yから成る第二の層（）１０５が形
成される様に相互的有機的関連性に基づいて各層
作成フアクターの最適値が決められのが望まし
い。本発明の光導電部材における第二の層（）１
０５に含有される炭素原子の量は、第二の層１
０５の作成条件と同様、本発明の目的を達成する
所望の特性が得られる第二の層（）１０５が形
成される重要な因子である。本発明における第二
の層（）１０５に含有される炭素原子の量は、
第二の層（）１０５を構成する非晶質材料の種
類及びその特性に応じて適宜所望に応じて決めら
れるものである。即ち、前記一般式ａ−（Si_xC_1-x）ｙ（Ｈ，Ｘ）_1-
_ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコ
ン原子と炭素原子しで構成される非晶質材料（以
後、「ａ−SiaC_1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ−（Si_bC₁−ｂ）_cH_1-c」
と記す。但し、０＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子
と炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原
子とで構成される非晶質材料（以後、「ａ−（Si_d
C_1-d）_e（Ｈ，Ｘ）_1-e」と記す、但し０＜ｄ、ｅ＜
１）に分類される。本発明において、第二の層（）１０５がａ−
Si_aC_1-aで構成される場合、第二の層１０５に
含有される炭素原子の量は好ましくは、１×10^-3
〜90atomic％、より好適には１〜80atomic％、
最適には10〜75atomic％とされるのが望ましい
ものである。即ち、先のａ−Si_aC_1-aのａの表示
で行えば、ａが好ましくは0.1〜0.99999、より好
適には0.2〜0.99、最適には0.25〜0.9である。本発明において、第二の層（）１０５がａ−
（Si_bC_1-b）cH_1-cで構成される場合、第二の層
（）１０５に含有される炭素原子の量は、好ま
しくは１×10^-3〜90atomic％とされ、より好ま
しくは１〜90atomic％、最適には10〜80atomic
％とされるのが望ましいものである。水素原子の
含有量としては、好ましくは１〜40atomic％、
より好ましくは２〜35atomic％、最適には５〜
30atomic％とされるのが望ましく、これ等の範
囲に水素含有量がある場合に形成される光導電部
材は、実際面において優れたものとして充分適用
させ得るものである。即ち、先のａ−（Si_bC_1-b）_eH_1-cの表示で行えば
ｂが好ましくは0.1〜0.99999、より好適には0.1〜
0.99、最適0.15〜0.9、ｃが好ましくは0.6〜0.99、
より好適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であ
るのが望ましい。第二の層１０５が、ａ−（Si_dC_1-d）ｅ（Ｈ，
Ｘ）_1-eで構成される場合には、第二の層１０５
中に含有される炭素原子の含有量としては、好ま
しくは１×10_-3〜90atomic％、より好適には１
〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とされ
るのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは１〜20atomic％、より
好適には１〜18atomic％、最適には２〜
15atomic％とされるのが望ましく、これ等の範
囲にハロゲン原子含有量がある場合に作成される
光導電部材を実際面に充分適用させ得るものであ
る。必要に応じて含有される水素原子の含有量と
しては、好ましくは19atomic％以下、より好適
には13atomic％以下とされるのが望ましいもの
である。即ち、先のａ−（Si_dC_1-d）ｅ（Ｈ，Ｘ）_1-eのｄ、
ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは0.1〜
0.99999、より好適には0.1〜0.99、最適には0.15
〜0.9、ｅが好ましくは0.8〜0.99、より好適には
0.82〜0.99、最適には0.85〜0.98であるのが望ま
しい。本発明における第二の層（）１０５の層厚の
数範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つである。本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。又、第二の層（）１０５の層厚は、該層中
に含有される炭素原子の量や第一の層（）１０
２の層厚との関係においても、各々の層領域に要
求される特性に応じた有機的な関連性の下に所望
に従つて適宜決定される必要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点においても考慮されるのが望ましい。本発明における第二の層（）１０５の層厚と
しては、好ましくは0.003〜30μ、より好適には
0.004〜20μ、最適には0.005〜10μとされるのが望
ましいものである。本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体として、ポリエステル、ポリ
エチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテ
ート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミツ
ク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁性
支持体は、好適には少なくともその一方の表面を
導電処理され、該導電処理された表面側に他の層
が設けられるのが望ましい。例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In₂O₃、SnO₂、ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱て上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。第２５図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。図中の２０２〜２０６のガスボンベには、本発
明の光導電部材を形成するための原料ガスが密封
されており、その１例としてたとえば２０２は、
Heで稀釈されたSiH₄ガス（純度99.999％、以下
SiH₄／Heと略す。）ボンベ、２０３はHeで稀釈
されたGeH₄ガス（純度99.999％、以下GeH₄／
Heと略す。）ボンベ、２０４はHeで稀釈された
SiF₄ガス（純度99.99％、以下SiF₄／Heと略す。）
ボンベ、２０５はHeで稀釈されたB₂H₆ガス（純
度99.999％、以下、B₂H₆／Heと略す。）ボンベ、
２０６はH₂ガス（純度99.999％）ボンベである。これらのガスを反応室２０１に流入させるには
ガスボンベ２０２〜２０６のバルブ２２２〜２２
６、リークバルブ２３５が閉じられていることを
確認し、又、流入バルブ２１２〜２１６、流出バ
ルブ２１７〜２２１、補助バルブ２３２〜２３３
が開かれていることを確認して、先ずメインバル
ブ２３４を開いて反応室２０１、及び各ガス配管
内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５×
10^-6torrになつた時点で補助バルブ２３２，２３
３、流出バルブ２１７〜２２１を閉じる。次にシリンダ−状基体２３７上に光受容層を形
成する場合の１例をあげると、ガスボンベ２０２
よりSiH₄／Heガス、ガスボンベ２０３より
GeH₄／Heガスを、バルブ２２２，２２３を夫々
開いて出口圧ゲージ２２７，２２８の圧を１Kg／
cm²に調整し、流入バルブ２１２，２１３を徐々に
開けて、マスフロコントローラ２０７，２０８内
に夫々を流入させる。引き続いて流出バルブ２１
７，２１８、補助バルブ２３２を徐々に開いて
夫々のガスを反応室２０１に流入させる。このと
きのSiH₄／Heガス流量とGeH₄／Heガス流量と
の比が所望の値になるように流出バルブ２１７，
２１８を調整し、又、反応室２０１内の圧力が所
望の値になるように真空計２３６の読みを見なが
らメインバルブ２３４の開口を調整する。そして
基体２３７の温度が加熱ヒーター２３８により50
〜400℃の範囲の温度に設定されていることを確
認された後、電源２４０を所望の電力に設定して
反応室２０１内にグロー放電を生起させて基体２
３７上に第１の層領域（Ｇ）１０３を形成する。
所望の層厚に第１の層領域（Ｇ）１０３が形成さ
れた時点に於いて、流出バルブ２１８を完全に閉
じること及びガスボンベ２０５よりB₂H₆／Heガ
スを前記SiH₄／Heガスと同様なバルブ操作によ
り反応室２０１内に導き所望のドーピング曲線に
したがつてマスフロコントローラ２１０を制御す
る、又、必要に応じて放電条件を変えること以外
は、同様な条件と手順に従つて、所望時間グロー
放電を維持することで、前記の第１の層領域
（Ｇ）１０３上にゲルマニウム原子が実質的に含
有されていない第２の層領域（Ｓ）１０４を形成
することが出来る。この様にして、第１の層領域（Ｇ）１０３と第
２の層領域（Ｓ）１０４とで構成された第一の層
（）１０２が基体２３７上に形成される。上記の様にして所望層厚に形成された第一の層
（）１０２上に第二の層（）１０５を形成す
るには、第一の層（）１０２の形成の際と同様
なバルブ操作によつて、例えばSiH₄ガス、C₂H₄
ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀
釈して、所望の条件に従つて、グロー放電を生起
させることによつて成される。第二の層（）１０５中にハロゲン原子を含有
させるには、例えばSiF₄ガスとC₂H₄ガス、或い
はこれにSiH₂ガスを加えて上記と同様にして第
二の層（）１０５を形成することによつて成さ
れる。夫々の層を形勢する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室２０１内、流出バルブ２１
７〜２２１から反応室２０１内に至るガス配管内
に残留することを避けるために、流出バルブ２１
７〜２２１を閉じ、補助バルブ２３２，２３３を
開いてメインバルブ２３４を全開して系内を一旦
高真空に排気する操作を必要に応じて行う。第二の層（）１０５中に含有される炭素原子
の量は例えば、グロー放電による場合はDiH₄ガ
スと、C₂H₄ガスの反応室２０１内に導入される
流量比を所望に従つて変えるか、或いは、スパツ
ターリングで層形成する場合には、ターゲツトを
形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエハ
のスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉
末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてターゲ
ツトを成型することによつて所望に応じて制御す
ることが出来る。第二の層（）１０５中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原子
導入用の原料ガス、例えばSiF₄ガスが反応室２０
１内に導入される際の流量を調整することによつ
て成される。又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体２３７はモータ２３９により一定速
度で回転させてやるのが望ましい。以下実施例について説明する。実施例１第２５図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第１表に示す条件で電子写真用
像形成部材としての各試料を形成した（第２表参
照）。第２の層領域（Ｓ）の形成の際、B₂H₆ガス及
びPH₃ガスの流量比を予め設計された変化率線に
従つて変化させることによつて、第２６図に示す
分布濃度を夫々各試料に就て形成した。

【表】こうして得られた各試料を、帯電露光実験装置
に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンラン
プ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテス
トチヤートを通して照射させた。その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を各試料の光受容層表面をカス
ケ−ドすることによつて、光受容層表面上に良好
なトナ−画像を得た。光受容層上のトナ−画像
を、5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した
所、各試料ともに解像力に優れ、階調再現法のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。上記に於いて、光源をタングステンランプの代
わりに810nmのGaAs系半導体レーザ（10mW）
を用いて、静電像の形成を行つた以外は、上記と
同様にして、各試料に就いてトナ−転写画像の画
質評価を行つたところ、各試料とも解像力に優
れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得ら
れた。実施例２第２５図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第３表に示す条件で電子写真用
像形成部材としての各試料を形成した（第４表参
照）。第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の
形成の際にB₂H₆ガス及びPH₃ガスの流量比を予
め設計された変化率線に従つて変化させることに
よつて、第２７図に示す分布濃度を夫々、各試料
に就て形成した。これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の
画像評価テストを行つたところ、いずれの試料も
高品質のトナ−転写画像を与えた、又、各試料に
就て38℃、80％RHの環境に於いて20万回の繰返
し使用テストを行つたところ、いずれの試料も画
像品質の低下は見られなかつた。

【表】実施例３第２５図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第５表に示す条件で電子写真用
像形成部材としての試料（試料No.31−１〜37−
12）を夫々作成した（第６表）。各試料に於けるゲルマニウム原子の含有分布濃
度は第２８図に、又、不純物原子の含有分布濃度
は第２６及び第２７図に示される。これ等の試料の夫々に就て、実施例１と同様の
画像評価テストを行つたところ、いずれの試料も
高品質のトナ−転写画像を与えた。又、各試料に
就て38℃、80％RHの環境に於いて20万回の繰返
し使用テストを行つたところ、いずれの試料も画
像品質の低下は見られなかつた。実施例４第二の層（）１０５の作成条件を第７表に示
す各条件にした以外は、実施例１の試料No.１−
１，１−２，１−３と同様の条件と手順に従つて
第８表に示す電子写真用像形成部材の夫々（試料
No.１−１−１〜１−１−８、２−１−１〜２−１
−８、３−１−１〜３−１−８の24個の試料）を
作成した。こうして得られた各電子写真用像形成部材の
夫々を個別に複写装置に設置し、各実施例に記載
したのと同様の条件によつて、各実施例に対応し
た電子写真用像形成部材の夫々について、転写画
像の総合画質評価と繰り返し連続使用による耐久
性の評価を行つた。各試料の転写画像の総合画質評価と、繰り返し
連続使用による耐久性の評価の結果を第８表に示
す。実施例５第二の層（）１０５の形成時、シリコンウエ
ハとグラフアイトのターゲツト面積比を変えて、
第二の層（）１０５におけるシリコン原子と炭
素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例２
の試料No.２−１と全く同様な方法によつて像形成
部材の夫々を作成した。こうして得られた像形成
部材の夫々につき、実施例１に述べた如き、作
像、現像、クリーニングの工程を約５万回繰り返
した後、画像評価を行つたところ第９表の如き結
果を得た。実施例６第二の層（）１０５の層の形成時、SiH₄ガ
スとC₂H₄ガスの流量比を変えて、第二の層（）
１０５におけるシリコン原子と炭素原子の含有量
比を変化させる以外は実施例２の試料No.２−１と
全く同様な方法によつて像形成部材の夫々を作成
した。こうして得られた各像形成部材につき、実施例
１に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回
繰り返した後、画像評価を行つたところ、第10表
の如き結果を得た。実施例７第二の層（）１０５の層の形成時、SiH₄ガ
ス、SiF₄ガス、C₂H₄ガスの流量比を変えて、第
二の層（）１０５におけるシリコン原子と炭素
原子の含有量比を変化させる以外は、実施例３の
試料No.31−１と全く同様な方法によつて像形成部
材の夫々を作成した。こうして得られた各像形成
部材につき実施例１に述べた如き作像、現像、ク
リーニングの工程を約５万回繰り返した後、画像
評価を行つたところ第11表の如き結果を得た。実施例８第二の層（）１０５の層厚を変える以外は、
実施例３の試料No.31−１と全く同様な方法によつ
て像形成部材の夫々を作成した。実施例１に述べ
た如き、作像、現像、クリーニングの工程を繰り
返し第12表の結果を得た。

【表】

【表】評価基準：◎…優良
○…良好

【表】

【表】以上の本発明の実施例における共通の層作成条
件を以下に示す。基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層
……約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層
……約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々層領域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の分布状
態を説明する為の説明図、第１１図乃至第２４図
は、夫々、第一の層（）中の不純物原子の分布
状態を説明する為の説明図、第２５図は本発明で
使用された装置の模式的説明図で第２６図乃至第
２８図は夫々本発明の実施例に於ける各原子の分
布状態を示す説明図である。１００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の層（）、１０５……第二の層
（）、１０７……光受容層。

Claims

【特許請求の範囲】１電子写真用光導電部材用の支持体と、該支持
体上に、１〜10×10⁵atomic ppmのゲルマニウ
ム原子を含む非晶質材料で構成された層厚30〓〜
50μの第１の層領域（Ｇ）及びシリコン原子を含
む非晶質材料で構成された層厚0.5〜90μの第２の
層領域（Ｓ）とが前記支持体側より順に設けられ
た層構成の光導電性を示す層厚１〜100μの第一
の層（）とシリコン原子と１×10^-3〜
90atomic％の炭素原子とを含む非晶質材料で構
成された層厚0.003〜30μの第二の層（）とから
成る光受容層とを有し、前記第一の層（）は、
伝導性を制御する物質（Ｃ）を、層厚方向の分布
濃度の最大値が30atomic ppm以上で前記第２の
層領域（Ｓ）中にあり且つ前記第２の層領域
（Ｓ）に於いては、前記支持体側の方に前記最大
値を有する状態で含有していることを特徴とする
電子写真用光導電部材。２第１の層領域（Ｇ）中にシリコン原子が含有
されている特許請求の範囲第１項に記載の電子写
真用光導電部材。３第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム
原子の分布状態が層厚方向に不均一である特許請
求の範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。４第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム
原子の分布状態が層厚方向に均一である特許請求
の範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。５第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）
の少なくともいずれか一方に水素原子が含有され
ている特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用
光導電部材。６第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）
の少なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有
されている特許請求の範囲第１項及び第５項に記
載の電子写真用光導電部材。７第１の層領域（Ｇ）中におけるゲルマニウム
原子の分布状態が前記支持体側の方に多く分布す
る分布状態である特許請求の範囲第２項に記載の
電子写真用光導電部材。８伝導性を支配する物質（Ｃ）が周期律表第
族に属する原子である特許請求の範囲第１項に記
載の電子写真用光導電部材。９伝導性を支配する物質（Ｃ）が周期律表第
族に属する原子である特許請求の範囲第１項に記
載の電子写真用光導電部材。