JPH0543182B2 - - Google Patents

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JPH0543182B2
JPH0543182B2 JP59188127A JP18812784A JPH0543182B2 JP H0543182 B2 JPH0543182 B2 JP H0543182B2 JP 59188127 A JP59188127 A JP 59188127A JP 18812784 A JP18812784 A JP 18812784A JP H0543182 B2 JPH0543182 B2 JP H0543182B2
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JP
Japan
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circuit conductor
aluminum
foil
circuit
nickel foil
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Kozo Hirai
Masaaki Togashi
Yasuhiko Horio
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は混成集積回路において半導体チツプと
回路導体をアルミニウムリード線を用いて結線す
る方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点） 従来、金属基板に絶縁物層を介して回路を形成
して成る混成集積回路において、半導体チツプと
回路導体とを接続する方法として最も一般的な方
法として金線あるいはアルミニウム線によるワイ
ヤボンデイング法が用いられている。アルミニウ
ム線によるワイヤボンデイングをする場合、銅箔
から成る回路導体に直接、超音波振動法によりア
ルミニウム線を固着させることは不可能で、何ら
かの方法で固着させる回路導体表面をアルミニウ
ムあるいはニツケルにする必要がある。
従来用いられている方法として、第１図に示す
ように、金属基板１に絶縁物層２を介して積層し
た銅箔３より成る回路導体のボンデイング部分に
回路導体と接着した半導体チツプ５と、回路導体
の表面に部分的にメツキされたニツケル層６との
間をアルミニウムリード線７により超音波振動法
で結線する方法がある。
また、第２図に示すように、金属基板１に絶縁
物層２を介して積層した銅箔３から成る回路導体
に、半田４あるいは導電性の接着剤８によりアル
ミニウムあるいはニツケルから成る金属ペレツト
９を固着し、そこに前記と同様アルミニウムリー
ド線７により超音波振動法で結線する方法があ
る。
また、第３図に示すように、金属基板１に絶縁
物層２を介して銅箔３と、アルミニウム箔１０を
クラツドした金属箔を積層した基板を銅箔層とア
ルミニウム箔層をそれぞれ別々にエツチングする
ことによつて、銅箔３から成る回路導体部分と銅
箔上の一部にアルミニウム箔１０を形成させ、そ
のアルミニウム箔１０に、前記と同様、アルミニ
ウムリード線７により超音波振動法で結線する方
法がある。
しかし第１図の、部分的にニツケルメツキをす
る方法では、銅箔により回路形成した基板に基板
完成後ニツケルメツキをするため、工程が長くな
り、またメツキ設備を必要とするなどかなりな困
難と負担が伴う。
また第２図に示す金属ペレツト９を基板上に半
田４あるいは導電性接着剤８により固着する方法
は、ボンデイングすべき半導体チツプの数が少な
く、しかもトランジスタやダイオードのように接
続するワイヤー数の少ない場合には効果的な方法
であるが、ボンデイングすべき半導体チツプの数
が多い場合や、IC、LSI等のように接続するワイ
ヤー数が多い場合には、金属ペレツトを１個づつ
基板上に固着するには固着する金属ペレツトの数
によつて非常に時間がかかり生産性が落ち、また
金属ペレツトの大きさは小さくするには限界があ
り、従つて数が多くなるとスペース上の問題も無
視できなくなる。また第３図に示す銅箔と、アル
ミニウム箔をクラツドした箔を積層した銅箔部分
とアルミニウム箔部分をそれぞれ別々にエツチン
グすることによつて回路導体とボンデイング部と
を形成する方法では、混成集積回路を構成する半
導体チツプ、コンデンサ、トランジスタ等の部品
を半田で接着させる回路導体部分にアルミニウム
箔があると良好な半田付けができないため、どう
しても半田付け部分はアルミニウム箔を除去する
必要がある。
そのため、この銅箔とアルミニウム箔をクラツ
ドした箔を用いる方法では、アルミニウム部分と
銅部分の２種類の回路導体を形成させるエツチン
グ工程が必要になり、工程が複雑になる。
以上のように、従来の方法では半導体チツプと
回路導体をアルミニウム線で接続するには、設備
的、工程的に種々問題点を有していた。
（発明の目的） 本発明は上記従来の問題点を解消するもので、
一般のプリント基板と同様の簡単な工程、設備で
アルミニウム線の超音波ボンデイングが可能な混
成集積回路基板を提供するものである。
（発明の構成） 本発明は、金属基板上に絶縁物層を介して、ニ
ツケル箔を積層した積層物の前記ニツケル箔をエ
ツチングして回路導体を形成させて混成集積回路
基板を構成する方法である。
（実施例の説明） 本発明の一実施例を第４図に従つて説明する。
金属基板１に絶縁物層２を介してニツケル箔１１
を積層し、エツチングによつて回路導体を形成さ
せた混成集積回路基板の前記回路導体上に半田４
により半導体チツプ５を接着させ、アルミニウム
リード線７によつて半導体チツプ５と、ニツケル
箔１１から成る回路導体を超音波振動法により結
線し混成集積回路を形成するものである。
（発明の効果） 本発明によれば、回路導体を形成するための１
回のエツチング工程のみで回路導体の形成とアル
ミニウムリード線の超音波振動法による結線を合
せ可能ならしむるもので、工程が増えたり、特別
な設備が必要になることがない。
通常の回路導体に用いられる銅箔に比べニツケ
ル箔は導体抵抗が高く、大電流が流れる部分では
銅箔に比べ劣るが、混成集積回路として用いる場
合、大電流の流れる部分はそれほど長くなること
はなく、実用上ほとんど問題にならない。それよ
りも、半導体チツプのアルミニウムリード線によ
る超音波振動法によるボンデイング可能性と混成
集積回路を構成する半導体チツプ、コンデンサ、
トランジスタ等の部品を半田で接着させることが
できる点の２つを合せもつ効果は大なるものがあ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図から第３図は従来の方法の説明図、第４
図は本発明の方法の説明図である。 １……金属基板、２……絶縁物層、３……銅
箔、４……半田、５……半導体チツプ、６……ニ
ツケルメツキ層、７……アルミニウムリード線、
８……導電性接着剤、９……金属ペレツト、１０
……アルミニウム箔、１１……ニツケル箔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 金属基板上に絶縁物層を介してニツケル箔を
    積層した積層物の前記ニツケル箔層をエツチング
    して形成させた回路導体にアルミニウムリード線
    を超音波振動法により固着させることを特徴とす
    るリード線の接続方法。
JP59188127A 1984-09-10 1984-09-10 リ−ド線の接続方法 Granted JPS6167233A (ja)

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JP59188127A JPS6167233A (ja) 1984-09-10 1984-09-10 リ−ド線の接続方法

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JP59188127A JPS6167233A (ja) 1984-09-10 1984-09-10 リ−ド線の接続方法

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Publication Number Publication Date
JPS6167233A JPS6167233A (ja) 1986-04-07
JPH0543182B2 true JPH0543182B2 (ja) 1993-06-30

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