JPH0620627A - 蛍光表示管 - Google Patents
蛍光表示管Info
- Publication number
- JPH0620627A JPH0620627A JP4175280A JP17528092A JPH0620627A JP H0620627 A JPH0620627 A JP H0620627A JP 4175280 A JP4175280 A JP 4175280A JP 17528092 A JP17528092 A JP 17528092A JP H0620627 A JPH0620627 A JP H0620627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- metal plate
- fluorescent display
- display tube
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に搭載した半導体チップまたはその基
板にクラックが発生しないようにした安価な蛍光表示管
を提供することである。 【構成】 蛍光体層を有する表示部と、この表示部を駆
動する半導体チップを含む駆動回路部とを同一真空外囲
器内で同一基板上に設ける構造の蛍光表示管において、
その半導体チップを金属板上にダイボンデング材にてダ
イボンドし、その半導体チップをダイボンドした金属板
を同一基板上に無機のＡｇガラスまたはフリットガラス
にて取り付ける。 【効果】 安価な方法にて、蛍光表示管のガラスまたは
半導体チップのクラックを防ぐことができる。
板にクラックが発生しないようにした安価な蛍光表示管
を提供することである。 【構成】 蛍光体層を有する表示部と、この表示部を駆
動する半導体チップを含む駆動回路部とを同一真空外囲
器内で同一基板上に設ける構造の蛍光表示管において、
その半導体チップを金属板上にダイボンデング材にてダ
イボンドし、その半導体チップをダイボンドした金属板
を同一基板上に無機のＡｇガラスまたはフリットガラス
にて取り付ける。 【効果】 安価な方法にて、蛍光表示管のガラスまたは
半導体チップのクラックを防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光表示管に関し、特
に、表示部と駆動回路部とが同一真空外囲器内に設けら
れた通称、チップ・イン・グラス構造（以下、ＣＩＧ構
造という）を有する蛍光表示管に関するものである。
に、表示部と駆動回路部とが同一真空外囲器内に設けら
れた通称、チップ・イン・グラス構造（以下、ＣＩＧ構
造という）を有する蛍光表示管に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】添付図面の図５は、この種のＣＩＧ構造
を有する従来の蛍光表示管の例を一部破砕して示す斜視
図であり、この従来の蛍光表示管は、同一真空外囲器１
２内に、その同一基板１に、蛍光体層５を被着した陽極
導体４からなる陽極２と、半導体チップ６とを設けてい
る。また、陽極４の上には、グリッド１０と、フイラメ
ント状陰極１１とが張設されている。陽極２と、外部リ
ード９と端子部７との間は、配線導体３にて接続されて
おり、半導体チップ６と端子部７との間は、金属細線８
にて結線されている。
を有する従来の蛍光表示管の例を一部破砕して示す斜視
図であり、この従来の蛍光表示管は、同一真空外囲器１
２内に、その同一基板１に、蛍光体層５を被着した陽極
導体４からなる陽極２と、半導体チップ６とを設けてい
る。また、陽極４の上には、グリッド１０と、フイラメ
ント状陰極１１とが張設されている。陽極２と、外部リ
ード９と端子部７との間は、配線導体３にて接続されて
おり、半導体チップ６と端子部７との間は、金属細線８
にて結線されている。
【０００３】この種の蛍光表示管の外囲器は、一般にソ
ーダガラス基板で出来ており、このガラス基板上に、蛍
光表示部を駆動するための駆動回路部を構成する半導体
チップを直接ダイボンデング用のＡｇガラス等で接着さ
せた場合、ガラス基板の熱膨張率は、約９０×１０-7／
℃位である。また、半導体チップのベースシリコン基板
の熱膨張率は、約２３×１０-7／℃位である。したがっ
て、ソーダガラスと半導体チップとを直接接着させた場
合に、ガラス基板もしくは半導体チップにクラックが発
生するという問題が生じる。
ーダガラス基板で出来ており、このガラス基板上に、蛍
光表示部を駆動するための駆動回路部を構成する半導体
チップを直接ダイボンデング用のＡｇガラス等で接着さ
せた場合、ガラス基板の熱膨張率は、約９０×１０-7／
℃位である。また、半導体チップのベースシリコン基板
の熱膨張率は、約２３×１０-7／℃位である。したがっ
て、ソーダガラスと半導体チップとを直接接着させた場
合に、ガラス基板もしくは半導体チップにクラックが発
生するという問題が生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような問題を解決
するために、従来、特開昭６１−５５８４７号公報や特
開昭６２−２３４８５３号公報や特開昭６３−１９６０
４４号公報に開示されているような種々な技術が開発さ
れている。特開昭６１−５５８４７号公報には、蛍光体
層を有する表示部を駆動するための半導体チップを、真
空外囲器の基板に無機質ペーストのダイボンド材を用い
て固定するような蛍光表示管が開示されている。また、
特開昭６２−２３４８５３号公報にも、蛍光体層を有す
る表示部を駆動するための半導体チップを、真空外囲器
の基板に対して耐熱性ポリイミド樹脂あるいはＡｇガラ
ス無機ペーストでダイボンディングした蛍光表示管が開
示されている。さらにまた、特開昭６３−１９６０４４
号公報には、半導体チップを基板に対して、導電性粒子
と膜状の金属酸化物とのマトリックス構造の導電性ダイ
ボンド層を介して固着させた半導体チップ付基板が開示
されている。
するために、従来、特開昭６１−５５８４７号公報や特
開昭６２−２３４８５３号公報や特開昭６３−１９６０
４４号公報に開示されているような種々な技術が開発さ
れている。特開昭６１−５５８４７号公報には、蛍光体
層を有する表示部を駆動するための半導体チップを、真
空外囲器の基板に無機質ペーストのダイボンド材を用い
て固定するような蛍光表示管が開示されている。また、
特開昭６２−２３４８５３号公報にも、蛍光体層を有す
る表示部を駆動するための半導体チップを、真空外囲器
の基板に対して耐熱性ポリイミド樹脂あるいはＡｇガラ
ス無機ペーストでダイボンディングした蛍光表示管が開
示されている。さらにまた、特開昭６３−１９６０４４
号公報には、半導体チップを基板に対して、導電性粒子
と膜状の金属酸化物とのマトリックス構造の導電性ダイ
ボンド層を介して固着させた半導体チップ付基板が開示
されている。
【０００５】これらの従来の技術によれば、ガラス基板
もしくは半導体チップにクラックが発生する問題をある
程度抑えることができるかもしれないが、特殊なダイボ
ンディングペーストを用いるものであり、高価なものと
なりがちであった。
もしくは半導体チップにクラックが発生する問題をある
程度抑えることができるかもしれないが、特殊なダイボ
ンディングペーストを用いるものであり、高価なものと
なりがちであった。
【０００６】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消した蛍光表示管を提供することである。
を解消した蛍光表示管を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、蛍光体
層を有する表示部と、前記表示部を駆動する半導体チッ
プを含む駆動回路部とを同一真空外囲器内で同一基板上
に設ける構造の蛍光表示管において、前記半導体チップ
を金属板上にダイボンデング材にてダイボンドし、該半
導体チップをダイボンドした金属板を前記同一基板上に
無機のＡｇガラスまたはフリットガラスにて取り付け
る。
層を有する表示部と、前記表示部を駆動する半導体チッ
プを含む駆動回路部とを同一真空外囲器内で同一基板上
に設ける構造の蛍光表示管において、前記半導体チップ
を金属板上にダイボンデング材にてダイボンドし、該半
導体チップをダイボンドした金属板を前記同一基板上に
無機のＡｇガラスまたはフリットガラスにて取り付け
る。
【０００８】
【実施例】次に、添付図面に基づいて、本発明の実施例
について本発明をより詳細に説明する。
について本発明をより詳細に説明する。
【０００９】図１は、本発明のＣＩＧ構造を有する蛍光
表示管の実施例を示す部分断面図であり、図２は、ＣＩ
Ｇ構造部の拡大断面図であり、図３は、図２のＣＩＧ構
造部の拡大平面図であり、さらに、図４は、図３に示し
た金属板の４隅部分の１つをさらに拡大して示す図であ
る。
表示管の実施例を示す部分断面図であり、図２は、ＣＩ
Ｇ構造部の拡大断面図であり、図３は、図２のＣＩＧ構
造部の拡大平面図であり、さらに、図４は、図３に示し
た金属板の４隅部分の１つをさらに拡大して示す図であ
る。
【００１０】図１において、陽極基板１は、絶縁性を有
するソーダガラス基板で構成されており、その内側表面
には、陽極導体４及び配線導体３がＡｌ薄膜パターンで
形成されている。陽極導体４の上には、蛍光体層５が被
着されており、陽極２を構成している。陽極２から上方
へ一定間隔をおいてグリッド１０が配設され、さらに上
方へ一定間隔をおいて、フィラメント状の陰極１１が張
設されている。
するソーダガラス基板で構成されており、その内側表面
には、陽極導体４及び配線導体３がＡｌ薄膜パターンで
形成されている。陽極導体４の上には、蛍光体層５が被
着されており、陽極２を構成している。陽極２から上方
へ一定間隔をおいてグリッド１０が配設され、さらに上
方へ一定間隔をおいて、フィラメント状の陰極１１が張
設されている。
【００１１】また、陽極基板１の端部には、蛍光表示管
駆動回路用の半導体チップ６が、薄い４２合金の金属板
１４を介して取り付けられている。このように、本発明
によれば、半導体チップ６は、図２および図３によく示
されるように、薄い金属板１４の上に、ダイボンディン
グ層（無機Ａｇガラス層）１３を介して焼成ボンディン
グされており、この薄い金属板１４の厚みは、例えば、
５０μｍであり、金属板１４の４隅には、切片１４ａが
形成されており、この４つの切片１４ａを、陽極基板１
に対して無機Ａｇペースト１７にて焼成固定している。
駆動回路用の半導体チップ６が、薄い４２合金の金属板
１４を介して取り付けられている。このように、本発明
によれば、半導体チップ６は、図２および図３によく示
されるように、薄い金属板１４の上に、ダイボンディン
グ層（無機Ａｇガラス層）１３を介して焼成ボンディン
グされており、この薄い金属板１４の厚みは、例えば、
５０μｍであり、金属板１４の４隅には、切片１４ａが
形成されており、この４つの切片１４ａを、陽極基板１
に対して無機Ａｇペースト１７にて焼成固定している。
【００１２】さらにまた、半導体チップ６と、陽極２に
配線導体３で接続している端部７とは、金属細線８にて
結線されている。図１によく示されるように、半導体チ
ップ６の上方には、光の入射およびカソードからのバリ
ューム飛散によるＩＣ配線及び端子間の電気リークを防
止するために、シールド金属板１８を取り付けている。
陽極基板１上には、側面板１２ａと前面板１２ｂからな
る箱形の容器部１２が封着結合されている。その後、排
気管より管内の気体を排気して高真空状態になったとき
排気管を封止して、蛍光表示管とされている。
配線導体３で接続している端部７とは、金属細線８にて
結線されている。図１によく示されるように、半導体チ
ップ６の上方には、光の入射およびカソードからのバリ
ューム飛散によるＩＣ配線及び端子間の電気リークを防
止するために、シールド金属板１８を取り付けている。
陽極基板１上には、側面板１２ａと前面板１２ｂからな
る箱形の容器部１２が封着結合されている。その後、排
気管より管内の気体を排気して高真空状態になったとき
排気管を封止して、蛍光表示管とされている。
【００１３】次に、本発明により、半導体チップ６を真
空外囲器１２のガラス基板１に組み付ける方法につい
て、より詳細に説明する。ダイボンディング用のＡｇガ
ラスペーストまたはフリットガラスペーストをスタンピ
ング法、ディスペンサー法、印刷法等で、半導体チップ
６を取り付ける厚み５０μｍの４２金属板１４の上面ま
たは半導体チップ６の裏面の少なくとも一方に塗布す
る。次に、半導体チップ６を金属板１４上に正確に位置
決めをして載置する。次に金属板１４の４隅の切片１４
ａにＡｇペーストまたはフリットガラスを塗布する。当
然、半導体チップ６を金属板１４に張り付けるＡｇガラ
スペーストまたはフリットガラスは、ベースの材料（金
属板またはガラス板）に近い熱膨張係数材料を選ぶ。ま
た、４２金属板１４とガラス基板（ソーダガラス）１の
熱膨張係数が異なるため、熱膨張をのがれるように、金
属板１４の４隅の切片１４ａは、図４によく示されるよ
うに、六角のメッシュ状にするとよい。そして、最後
に、半導体チップ６を載置したガラス基板１をピーク温
度が４００〜５００℃に設定された酸化雰囲気の焼成炉
で加熱硬化させ接合させる。
空外囲器１２のガラス基板１に組み付ける方法につい
て、より詳細に説明する。ダイボンディング用のＡｇガ
ラスペーストまたはフリットガラスペーストをスタンピ
ング法、ディスペンサー法、印刷法等で、半導体チップ
６を取り付ける厚み５０μｍの４２金属板１４の上面ま
たは半導体チップ６の裏面の少なくとも一方に塗布す
る。次に、半導体チップ６を金属板１４上に正確に位置
決めをして載置する。次に金属板１４の４隅の切片１４
ａにＡｇペーストまたはフリットガラスを塗布する。当
然、半導体チップ６を金属板１４に張り付けるＡｇガラ
スペーストまたはフリットガラスは、ベースの材料（金
属板またはガラス板）に近い熱膨張係数材料を選ぶ。ま
た、４２金属板１４とガラス基板（ソーダガラス）１の
熱膨張係数が異なるため、熱膨張をのがれるように、金
属板１４の４隅の切片１４ａは、図４によく示されるよ
うに、六角のメッシュ状にするとよい。そして、最後
に、半導体チップ６を載置したガラス基板１をピーク温
度が４００〜５００℃に設定された酸化雰囲気の焼成炉
で加熱硬化させ接合させる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄い金属板上にダイボンディング用層（Ａｇガラス、フ
リットガラス）を介して半導体チップを固着させ、半導
体チップを固着させた薄い金属板をガラス基板にＡｇペ
ーストまたはフリットガラスにて固着させる構造とした
ことにより、ガラスまたは半導体チップのクラックを防
ぐことができる。
薄い金属板上にダイボンディング用層（Ａｇガラス、フ
リットガラス）を介して半導体チップを固着させ、半導
体チップを固着させた薄い金属板をガラス基板にＡｇペ
ーストまたはフリットガラスにて固着させる構造とした
ことにより、ガラスまたは半導体チップのクラックを防
ぐことができる。
【００１５】金属板の４隅の切片をメッシュ状にしてお
くと、金属とガラス基板の膨張を吸収することができる
ため、ガラス基板および半導体チップにクラックを発生
させないように固定することがより容易に可能となる。
くと、金属とガラス基板の膨張を吸収することができる
ため、ガラス基板および半導体チップにクラックを発生
させないように固定することがより容易に可能となる。
【図１】本発明のＣＩＧ構造を有する蛍光表示管の実施
例を示す部分断面図である。
例を示す部分断面図である。
【図２】図１の蛍光表示管のＣＩＧ構造部の拡大断面図
である。
である。
【図３】図１の蛍光表示管のＣＩＧ構造部の拡大平面図
である。
である。
【図４】図３に示した金属板の４隅部分の１つをさらに
拡大して示す図である。
拡大して示す図である。
【図５】従来のＣＩＧ構造を有する蛍光表示管の例を示
す一部破砕斜視図である。
す一部破砕斜視図である。
１ 陽極基板 ２ 陽極 ３ 配線導体 ４ 陽極導体 ５ 蛍光体層 ６ 半導体チップ ７ 端部 ８ 金属細線 １０ グリット １１ 陰極 １２ 真空外囲器 １３ ダイボンデング層 １４ 金属板 １４ａ 切片 １７ 無機Ａｇペースト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 正秋 愛知県名古屋市西区則武新町３丁目１番36 号 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 内 (72)発明者 可児 康之 愛知県名古屋市西区則武新町３丁目１番36 号 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 内 (72)発明者 遠藤 昇 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 九州ノリタケ株式会社内 (72)発明者 毛利 順 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 九州ノリタケ株式会社内 (72)発明者 松本 俊一 福岡県朝倉郡夜須町大字三並字八ツ並2160 番地 九州ノリタケ株式会社内 (72)発明者 藤井 哲夫 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 武井 宏 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 沼崎 浩二 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 蛍光体層を有する表示部と、前記表示部
を駆動する半導体チップを含む駆動回路部とを同一真空
外囲器内で同一基板上に設ける構造の蛍光表示管におい
て、前記半導体チップを金属板上にダイボンデング材に
てダイボンドし、該半導体チップをダイボンドした金属
板を前記同一基板上に無機のＡｇガラスまたはフリット
ガラスにて取り付けたことを特徴とする蛍光表示管。 - 【請求項２】 前記ダイボンデング材は、Ａｇ粉末とフ
リットガラスからなる組成物で形成されたＡｇガラス、
またはフリットガラスである請求項１記載の蛍光表示
管。 - 【請求項３】 前記金属板の前記同一基板上への取付け
は、その金属板の４隅にて行われている請求項１また２
記載の蛍光表示管。 - 【請求項４】 前記金属板の４隅の部分は、メッシュ状
に加工されている請求項３記載の蛍光表示管。 - 【請求項５】 前記ダイボンデング材および前記Ａｇガ
ラスまたはフリットガラスの熱膨張係数は、前記金属板
または前記同一基板の熱膨張係数に合わせている請求項
１または請求項２まては請求項３または請求項４記載の
蛍光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4175280A JPH0620627A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 蛍光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4175280A JPH0620627A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 蛍光表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620627A true JPH0620627A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15993371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4175280A Pending JPH0620627A (ja) | 1992-07-02 | 1992-07-02 | 蛍光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620627A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108409A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2006100738A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2009105138A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Futaba Corp | ダイボンドペースト及び該ダイボンドペーストを用いた蛍光表示管 |
| CN113451155A (zh) * | 2020-03-26 | 2021-09-28 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件 |
-
1992
- 1992-07-02 JP JP4175280A patent/JPH0620627A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108409A (ja) * | 2004-10-06 | 2006-04-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2006100738A1 (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Fujitsu Limited | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7800210B2 (en) | 2005-03-18 | 2010-09-21 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device |
| JP2009105138A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Futaba Corp | ダイボンドペースト及び該ダイボンドペーストを用いた蛍光表示管 |
| CN113451155A (zh) * | 2020-03-26 | 2021-09-28 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 加工半导体晶片的方法、半导体晶片、夹和半导体器件 |
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