JPH054507U - デユアル・インライン・パツケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体集積回路を保護しているパッケージ部
分と基板の熱膨張係数の違いから生じる応力を吸収し、
はんだ付け部を守るためのリードを得る。 【構成】 先端から付け根までが先端と同じ細い幅で、
かつつば３の付いているリード２を半導体集積回路を保
護しているパッケージ部分１に取り付け、パッケージ部
分１と基板の熱膨張係数の違いから発生する応力を吸収
する。またリード２に設けられたつば３がパッケージ部
分１と基板の間に所定の距離を作り、その距離の分だけ
リード２が更に柔軟性を持つ。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は、デュアル・インライン・パッケージ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）のリード構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

図２は、従来のデュアル・インライン・パッケージ（以下単にパッケージとい う。）を示す図であり、図において、１は半導体集積回路を保護しているパッケ ージ部分、２はリードである。

【０００３】 従来のパッケージは上記のように構成され、例えばパッケージをはんだ付けす る際、リード２の先端部の細い部分まで基板のスルーホールに挿入して、はんだ 付けされる。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

上記のようなパッケージでは、リード２がパッケージを保護しているパッケー ジ部分１を支えており、パッケージ部分１と基板の熱膨張係数の違いから、リー ド２のはんだ付け部に応力が掛かり、リード２が太いために、リード２で応力を 吸収することができずリード２のはんだ付け部のはんだにクラック等の不具合が 生じるという問題点があった。

【０００５】 この考案は、かかる課題を解決するために成されたものであり、半導体集積回 路を保護しているパッケージ部分と基板の熱膨張係数の違いから発生する応力を 吸収する構造をもつリードを提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

この考案に係るパッケージは、半導体集積回路を保護しているパッケージ部分 と基板の熱膨張係数の違いから発生する応力を吸収できるように、リード全体を 細くし、柔軟性をもたせ、かつ基板のスルーホールにリードを挿入したとき、パ ッケージが基板から適当な高さ位置でとまるように、リードにつばを設けたもの である。

【０００７】

【作用】

この考案は、リードの先端から付け根まで先端と同じ細い幅に成っており、柔 軟なため、半導体集積回路を保護しているパッケージ部分と基板の熱膨張係数の 違いから発生する応力を吸収できる。

【０００８】 また、リードに設けられたつばが、パッケージと基板の間に適当な距離を作り 、その距離の分だけリードが更に柔軟性を持つことになる。このことにより、リ ードが半導体集積回路を保護しているパッケージ部分と基板の熱膨張係数の違い から発生する応力をより吸収できるようになる。

【０００９】

【実施例】

実施例１． 図１はこの考案の一実施例を示す図であり、１は上記従来と全く同一のもので ある。２は先端から付け根まで先端と同じ細い幅のリードである。３はリードに 設けられたつばである。

【００１０】 前記のようなリード構造を有するパッケージは半導体集積回路を保護している パッケージ部分１と基板の熱膨張係数の違いから発生する応力を先端から付け根 まで先端と同じ細い幅のリード２で、吸収することができる。

【００１１】 また、リード２に設けられたつば３が、パッケージと基板の間に適当な距離を 作り、その距離の分だけリードが更に柔軟性を持つことになる。

【００１２】

【考案の効果】

この考案は、以上説明したように構成されているので、以下に記載されるよう な効果を奏する。

【００１３】 パッケージのリードを先端から付け根まで先端と同じような太さに細くし、リ ードの途中につばを設けるだけで、半導体集積回路を保護しているパッケージ部 分と基板の熱膨張係数の違いから発生する応力を吸収し、はんだ付け部を保護す ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案の実施例１を示す図である。

【図２】従来のデュアル・インライン・パッケージを示
す図である。

【符号の説明】

１ パッケージ部分 ２ リード ３ つば

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項１】 リード付け根から先端までが同じ細い幅
   を有し、かつ、つばが設けられているリードを有するこ
   とを特徴とするデュアル・インライン・パッケージ。