JPH0545617A - プラステイツク基板を用いたｌｃｄの分断方法 - Google Patents
プラステイツク基板を用いたｌｃｄの分断方法Info
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- JPH0545617A JPH0545617A JP20190991A JP20190991A JPH0545617A JP H0545617 A JPH0545617 A JP H0545617A JP 20190991 A JP20190991 A JP 20190991A JP 20190991 A JP20190991 A JP 20190991A JP H0545617 A JPH0545617 A JP H0545617A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 プラスティック基板を用いたＬＣＤの分断方
法は、ダイシングブレード１を備えたダイシング装置に
より分断するもので、高速回転数でダイシングブレード
１を回転させて、液晶層を挟持したプラスティック基板
２ａ・２ｂを切り込み、所定の厚みを切り残した後、折
り取ることによって分断する。又、ラミネーター６をプ
ラスティック基板２ａ・２ｂの裏面に設け、所定の回転
数でダイシングブレード１を回転させて、液晶層を挟持
したプラスティック基板２ａ・２ｂを切り込み、ラミネ
ーター６を所定厚みだけ切り残した後、ちぎり取ること
によって分断してもよい。 【効果】 分断面におけるクラックの発生を抑えること
ができる。端子出し分断処理を行う場合、電極パターン
等にダメージを与えることがなくなる。切り粉によりＬ
ＣＤ及び基板の表面に傷がつくことを防止できる。
法は、ダイシングブレード１を備えたダイシング装置に
より分断するもので、高速回転数でダイシングブレード
１を回転させて、液晶層を挟持したプラスティック基板
２ａ・２ｂを切り込み、所定の厚みを切り残した後、折
り取ることによって分断する。又、ラミネーター６をプ
ラスティック基板２ａ・２ｂの裏面に設け、所定の回転
数でダイシングブレード１を回転させて、液晶層を挟持
したプラスティック基板２ａ・２ｂを切り込み、ラミネ
ーター６を所定厚みだけ切り残した後、ちぎり取ること
によって分断してもよい。 【効果】 分断面におけるクラックの発生を抑えること
ができる。端子出し分断処理を行う場合、電極パターン
等にダメージを与えることがなくなる。切り粉によりＬ
ＣＤ及び基板の表面に傷がつくことを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスティック基板を
用いたＬＣＤ（Liquid Crystal Display）のセル化分断
あるいは端子出し分断方法に関するものである。
用いたＬＣＤ（Liquid Crystal Display）のセル化分断
あるいは端子出し分断方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＬＣＤは、基板材料として、ガラ
ス（３００mm×３００mm、厚みが０．５５mm〜１．１m
m）が用いられ、このガラス基板に、アンダーコート、
ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）電極、配向膜等（何れも図
示しない）を形成し、配向処理後、液晶層用のギャップ
を残して、２枚のガラス基板が貼り合わされる。この状
態で、ガラス基板が個々のセルに分断（セル化分断処
理）、および端子部に対向する部分が分断（端子出し分
断処理）される。
ス（３００mm×３００mm、厚みが０．５５mm〜１．１m
m）が用いられ、このガラス基板に、アンダーコート、
ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）電極、配向膜等（何れも図
示しない）を形成し、配向処理後、液晶層用のギャップ
を残して、２枚のガラス基板が貼り合わされる。この状
態で、ガラス基板が個々のセルに分断（セル化分断処
理）、および端子部に対向する部分が分断（端子出し分
断処理）される。
【０００３】ガラス基板の場合、所定の分断ラインに沿
って、ダイヤモンドカッター（図示しない）等で表面に
傷が入れられた後、ブレイク装置（図示しない）にて分
断ラインにショックを与えて分断する（ブレイク工程）
ようになっている。ガラス基板の場合、その材質上、表
面の傷が基板内部に伝わりやすいので、表面の傷に沿っ
て正確に分断処理が行える。なお、上記方法とは別に、
基板を予め分断してから、対向して貼り合わせる方法も
知られている。
って、ダイヤモンドカッター（図示しない）等で表面に
傷が入れられた後、ブレイク装置（図示しない）にて分
断ラインにショックを与えて分断する（ブレイク工程）
ようになっている。ガラス基板の場合、その材質上、表
面の傷が基板内部に伝わりやすいので、表面の傷に沿っ
て正確に分断処理が行える。なお、上記方法とは別に、
基板を予め分断してから、対向して貼り合わせる方法も
知られている。
【０００４】又、近年、ＬＣＤの薄型化、軽量化のため
に、従来のガラス基板が薄型化されたり、プラスティッ
ク基板を用いて超薄型化、超軽量化への試みがなされた
りしている。この結果、ＴＮ（Twisted Nematic ）型Ｌ
ＣＤについては、フィルム基材が開発され、量産化され
るに至っている。なお、上記フィルム基材として、ＰＥ
Ｓ（Polyether Sulphone）や一軸ＰＥＴ（Polyethylene
Telephthalate）等の厚みが０．１mm〜０．３mmのプラ
スティックフィルムが近年盛んに開発されている。
に、従来のガラス基板が薄型化されたり、プラスティッ
ク基板を用いて超薄型化、超軽量化への試みがなされた
りしている。この結果、ＴＮ（Twisted Nematic ）型Ｌ
ＣＤについては、フィルム基材が開発され、量産化され
るに至っている。なお、上記フィルム基材として、ＰＥ
Ｓ（Polyether Sulphone）や一軸ＰＥＴ（Polyethylene
Telephthalate）等の厚みが０．１mm〜０．３mmのプラ
スティックフィルムが近年盛んに開発されている。
【０００５】しかし、さらに高品位のＳＴＮ（Super Tw
isted Nematic ）型ＬＣＤについては、フィルム基材の
表面平坦性、耐熱性、寸法安定性等の問題から、未だ開
発中である。
isted Nematic ）型ＬＣＤについては、フィルム基材の
表面平坦性、耐熱性、寸法安定性等の問題から、未だ開
発中である。
【０００６】なお、上記のプラスティック基材を使用し
た場合、熱刃分断装置又はトムソン型による打抜き等に
より分断処理が行われている。
た場合、熱刃分断装置又はトムソン型による打抜き等に
より分断処理が行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の厚み０．１mmの
ＰＥＳや一軸ＰＥＴ等は、現在、薄いスリットから押し
出されて成型されているため表面にスジ等が生じる。そ
こで、表面平坦性の向上を図るため、表面が研磨された
鋳型を用いて成型されたプラスティック基材を用いる方
法が試みられている。
ＰＥＳや一軸ＰＥＴ等は、現在、薄いスリットから押し
出されて成型されているため表面にスジ等が生じる。そ
こで、表面平坦性の向上を図るため、表面が研磨された
鋳型を用いて成型されたプラスティック基材を用いる方
法が試みられている。
【０００８】この方法に適したプラスティック材料とし
ては、エポキシ系、アクリル系の樹脂が挙げられる。こ
れらの材料は、眼鏡のレンズとしても用いられている
が、硬くて脆いという性質を有している。このため、従
来のガラス又は上記の０．１mm〜０．３mmのプラスティ
ックフィルムに対して用いられる分断処理技術では、セ
ル化分断処理及び端子出し分断処理が行えない。
ては、エポキシ系、アクリル系の樹脂が挙げられる。こ
れらの材料は、眼鏡のレンズとしても用いられている
が、硬くて脆いという性質を有している。このため、従
来のガラス又は上記の０．１mm〜０．３mmのプラスティ
ックフィルムに対して用いられる分断処理技術では、セ
ル化分断処理及び端子出し分断処理が行えない。
【０００９】厚み０．４mm程度のアクリル系およびエポ
キシ系樹脂からなる基板の場合、曲げ応力に対して或る
程度の弾性を有するので、ガラス基板のような表面の傷
に沿った分断が行えない。また、応力印加時、所定値以
上の応力に対して割れを生じる。所定値以上の応力が印
加されたために割れると、この分断面にはクラックが発
生し易く、このクラックを起点に、小さな応力で更に割
れが進行するという問題点を有している。
キシ系樹脂からなる基板の場合、曲げ応力に対して或る
程度の弾性を有するので、ガラス基板のような表面の傷
に沿った分断が行えない。また、応力印加時、所定値以
上の応力に対して割れを生じる。所定値以上の応力が印
加されたために割れると、この分断面にはクラックが発
生し易く、このクラックを起点に、小さな応力で更に割
れが進行するという問題点を有している。
【００１０】本発明は上記の点に鑑み、エポキシ系やア
クリル系樹脂に代表される硬くて脆いプラスティック基
板を用いたＬＣＤのセル化分断処理および端子出し分断
処理を行える方法を提供するものである。
クリル系樹脂に代表される硬くて脆いプラスティック基
板を用いたＬＣＤのセル化分断処理および端子出し分断
処理を行える方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、上記
課題を解決するために、ブレードを備えたダイシング装
置により分断するプラスティック基板を用いたＬＣＤの
分断方法であって、以下の工程を含んでいる。
課題を解決するために、ブレードを備えたダイシング装
置により分断するプラスティック基板を用いたＬＣＤの
分断方法であって、以下の工程を含んでいる。
【００１２】即ち、請求項１の発明は、所定の回転数
（例えば、２００００ｒｐｍ）でブレードを回転させ
て、液晶層を挟持したプラスティック基板を切り込み、
所定の厚み（例えば、５０μｍ）を切り残す工程と、該
工程終了後、切り残し部分を折り取ることによって分断
する工程とを含んでいる。
（例えば、２００００ｒｐｍ）でブレードを回転させ
て、液晶層を挟持したプラスティック基板を切り込み、
所定の厚み（例えば、５０μｍ）を切り残す工程と、該
工程終了後、切り残し部分を折り取ることによって分断
する工程とを含んでいる。
【００１３】又、請求項２の発明は、上記課題を解決す
るために、ブレードを備えたダイシング装置により分断
するプラスティック基板を用いたＬＣＤの分断方法であ
って、以下の工程を含んでいる。
るために、ブレードを備えたダイシング装置により分断
するプラスティック基板を用いたＬＣＤの分断方法であ
って、以下の工程を含んでいる。
【００１４】即ち、請求項２の発明は、被覆部材（例え
ば、ポリエチレン製フィルムやポリエチレン製フィルム
付きの偏光フィルム）をプラスティック基板裏面に設け
る工程と、所定の回転数（例えば、１００００ｒｐｍ）
でブレードを回転させて、液晶層を挟持したプラスティ
ック基板を切り込み、上記被覆部材の所定の厚み（例え
ば、３０μｍ）を切り残す工程と、該工程後、切り残し
た部分をちぎり取ることによって分断する工程とを含ん
でいる。
ば、ポリエチレン製フィルムやポリエチレン製フィルム
付きの偏光フィルム）をプラスティック基板裏面に設け
る工程と、所定の回転数（例えば、１００００ｒｐｍ）
でブレードを回転させて、液晶層を挟持したプラスティ
ック基板を切り込み、上記被覆部材の所定の厚み（例え
ば、３０μｍ）を切り残す工程と、該工程後、切り残し
た部分をちぎり取ることによって分断する工程とを含ん
でいる。
【００１５】
【作用】請求項１の構成により、ダイシング装置のブレ
ードが所定の回転数で回転させられることによって、分
断面に生じるクラックが抑えられる。
ードが所定の回転数で回転させられることによって、分
断面に生じるクラックが抑えられる。
【００１６】例えば、端子出し分断処理を行う場合、上
記回転数で回転するブレードにより液晶層を挟持したプ
ラスティック基板が切り込まれるが、所定の厚み分だけ
切り残されるので、対向するプラスティック基板に設け
られた電極パターン等を傷つけることがなくなる。そし
て、所定の厚みだけ残して切り込みが終了すると、切り
残された部分が折り取られて分断される。
記回転数で回転するブレードにより液晶層を挟持したプ
ラスティック基板が切り込まれるが、所定の厚み分だけ
切り残されるので、対向するプラスティック基板に設け
られた電極パターン等を傷つけることがなくなる。そし
て、所定の厚みだけ残して切り込みが終了すると、切り
残された部分が折り取られて分断される。
【００１７】一方、セル化分断処理を行う場合、上記回
転数で回転するブレードにより液晶層を挟持したプラス
ティック基板が切り込まれる。この時、上側のプラステ
ィック基板はブレードの回転により完全に分断される
が、下側のプラスティック基板は、所定の厚み分だけ切
り残される。そして、所定の厚みだけ残して切り込みが
終了すると、切り残された部分が折り取られて分断され
る。
転数で回転するブレードにより液晶層を挟持したプラス
ティック基板が切り込まれる。この時、上側のプラステ
ィック基板はブレードの回転により完全に分断される
が、下側のプラスティック基板は、所定の厚み分だけ切
り残される。そして、所定の厚みだけ残して切り込みが
終了すると、切り残された部分が折り取られて分断され
る。
【００１８】なお、切り残す厚みは、折り取る際にプラ
スティック基板に印加される力による弊害を受けないよ
うに設定する必要がある。
スティック基板に印加される力による弊害を受けないよ
うに設定する必要がある。
【００１９】又、請求項２の構成により、ブレードによ
る切り込みに先立ってプラスティック基板の裏面に被覆
部材が設けられる。この被覆部材によって、切り込み時
に生ずる切り粉によりプラスティック基板の表面が傷つ
くことを防止できる。これは上側・下側両基板に端子出
し処理を行う場合に、特に有用である。
る切り込みに先立ってプラスティック基板の裏面に被覆
部材が設けられる。この被覆部材によって、切り込み時
に生ずる切り粉によりプラスティック基板の表面が傷つ
くことを防止できる。これは上側・下側両基板に端子出
し処理を行う場合に、特に有用である。
【００２０】それから、ダイシング装置のブレードが所
定の回転数で回転させられる。上記の回転数でブレード
を切り込むことにより、分断面に生じるクラックが抑え
られる。
定の回転数で回転させられる。上記の回転数でブレード
を切り込むことにより、分断面に生じるクラックが抑え
られる。
【００２１】例えば、端子出し分断処理を行う場合、上
記回転数で回転するブレードにより液晶層を挟持した上
側プラスティック基板が切り込まれるが、所定の厚み分
だけ切り残されるので、対向するプラスティック基板に
設けられた電極パターン等を傷つけることがなくなる。
上側・下側両基板の端子出し分断処理を行う場合、上側
・下側両基板を表裏反転して、今度は下側プラスティッ
ク基板が同様に所定の厚みだけ切り残される。そして、
所定の厚み残して切り込みが終了すると、切り残された
部分が折り取られて分断される。
記回転数で回転するブレードにより液晶層を挟持した上
側プラスティック基板が切り込まれるが、所定の厚み分
だけ切り残されるので、対向するプラスティック基板に
設けられた電極パターン等を傷つけることがなくなる。
上側・下側両基板の端子出し分断処理を行う場合、上側
・下側両基板を表裏反転して、今度は下側プラスティッ
ク基板が同様に所定の厚みだけ切り残される。そして、
所定の厚み残して切り込みが終了すると、切り残された
部分が折り取られて分断される。
【００２２】一方、セル化分断処理を行う場合、上記回
転数で回転するブレードにより液晶層を挟持したプラス
ティック基板が切り込まれる。この時、上側のプラステ
ィック基板及びその上に設けられた被覆部材と、下側の
プラスティック基板とはブレードの回転により完全に分
断されるが、下側のプラスティック基板の裏面に設けら
れた被覆部材だけは、所定の厚み分だけ切り残される。
そして、所定の厚みだけ残して切り込みが終了すると、
被覆部材の切り残された部分がちぎり取られて分断され
る。
転数で回転するブレードにより液晶層を挟持したプラス
ティック基板が切り込まれる。この時、上側のプラステ
ィック基板及びその上に設けられた被覆部材と、下側の
プラスティック基板とはブレードの回転により完全に分
断されるが、下側のプラスティック基板の裏面に設けら
れた被覆部材だけは、所定の厚み分だけ切り残される。
そして、所定の厚みだけ残して切り込みが終了すると、
被覆部材の切り残された部分がちぎり取られて分断され
る。
【００２３】なお、分断処理後は、偏光部材が基板外面
に設けられるが、被覆部材として偏光部材を含む構成を
採用した場合、この工程が簡略化できる。
に設けられるが、被覆部材として偏光部材を含む構成を
採用した場合、この工程が簡略化できる。
【００２４】
【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図８に基づい
て説明すれば、以下のとおりである。
て説明すれば、以下のとおりである。
【００２５】本実施例では、エポキシ系、アクリル系等
に代表される硬くて脆いプラスティック基板を用いたＬ
ＣＤのセル化分断処理および端子出し分断処理をダイシ
ング装置（図示しない）を用いて行っている。
に代表される硬くて脆いプラスティック基板を用いたＬ
ＣＤのセル化分断処理および端子出し分断処理をダイシ
ング装置（図示しない）を用いて行っている。
【００２６】ダイシング装置は、ダイヤモンド粒子が混
入された円盤状のダイシングブレードを備えており、こ
のダイシングブレードを高速回転してプラスティック基
板を分断している。なお、上記ダイシングブレードの厚
みは２０μｍ〜２００μｍであり、上記回転数は８００
０ｒｐｍ〜４００００ｒｐｍである。
入された円盤状のダイシングブレードを備えており、こ
のダイシングブレードを高速回転してプラスティック基
板を分断している。なお、上記ダイシングブレードの厚
みは２０μｍ〜２００μｍであり、上記回転数は８００
０ｒｐｍ〜４００００ｒｐｍである。
【００２７】上記高速回転数でダイシングブレードを回
転させてプラスティック基板を切り込むことにより、そ
の分断面にクラックが発生しなくなり、安定して該基板
を分断できる。なお、ダイシングブレードの回転数を変
化させるだけでなく、ダイシングブレードの刃幅、径、
ダイヤモンド粒径および被分断物を吸着するステージ送
り速度等の条件を変化させることによって、更に良好な
分断面が得られる。
転させてプラスティック基板を切り込むことにより、そ
の分断面にクラックが発生しなくなり、安定して該基板
を分断できる。なお、ダイシングブレードの回転数を変
化させるだけでなく、ダイシングブレードの刃幅、径、
ダイヤモンド粒径および被分断物を吸着するステージ送
り速度等の条件を変化させることによって、更に良好な
分断面が得られる。
【００２８】ここで、上記ダイシング装置を使用して行
う分断処理を以下に説明する。すなわち、厚み０．４mm
のアクリル系の上側・下側プラスティック基板２ａ・２
ｂを用意し、これらの基板２ａ・２ｂにＩＴＯ膜を蒸着
後、エッチングパターン化することにより、ＩＴＯ電極
５（端子部分を含む透明電極）を形成する。その後、配
向膜印刷、配向処理を行い、セルギャップ材を散布し、
シール印刷を行って、２枚の基板２ａ・２ｂを対向させ
て貼り合わせたサンプル１０をダイシング装置（岡本工
作機会製作所製）のステージ４にセットする（図１参
照）。なお、上記基板２ａ・２ｂの間には、液晶層用の
ギャップを確保するスペーサーを含むシール材３が形成
されている。
う分断処理を以下に説明する。すなわち、厚み０．４mm
のアクリル系の上側・下側プラスティック基板２ａ・２
ｂを用意し、これらの基板２ａ・２ｂにＩＴＯ膜を蒸着
後、エッチングパターン化することにより、ＩＴＯ電極
５（端子部分を含む透明電極）を形成する。その後、配
向膜印刷、配向処理を行い、セルギャップ材を散布し、
シール印刷を行って、２枚の基板２ａ・２ｂを対向させ
て貼り合わせたサンプル１０をダイシング装置（岡本工
作機会製作所製）のステージ４にセットする（図１参
照）。なお、上記基板２ａ・２ｂの間には、液晶層用の
ギャップを確保するスペーサーを含むシール材３が形成
されている。
【００２９】ところで、使用したダイシングブレード
は、厚みが０．０３５mm、直径が５０．２mm、回転数が
２００００ｒｐｍであり、ステージ送り速度は３０mm／
ｓｅｃに設定されている。なお、ダイシング装置で通常
使用される切削水はセル内部への水分の浸透を避けるた
め使用していない。
は、厚みが０．０３５mm、直径が５０．２mm、回転数が
２００００ｒｐｍであり、ステージ送り速度は３０mm／
ｓｅｃに設定されている。なお、ダイシング装置で通常
使用される切削水はセル内部への水分の浸透を避けるた
め使用していない。
【００３０】図１乃至図８を参照しながら、上記条件下
における、本実施例に係るプラスティック基板を用いた
ＬＣＤの分断方法を説明すると、以下のとおりである。
における、本実施例に係るプラスティック基板を用いた
ＬＣＤの分断方法を説明すると、以下のとおりである。
【００３１】上記のサンプル１０に対して端子出し分断
処理を行う場合、図１に示すように、まず、分断用マー
ク（図示しない）に沿って、上側プラスティック基板２
ａをダイシングブレード１によって切り込む（図５参
照）。但し、この際、５０μｍの厚みだけ残るように切
り込む。
処理を行う場合、図１に示すように、まず、分断用マー
ク（図示しない）に沿って、上側プラスティック基板２
ａをダイシングブレード１によって切り込む（図５参
照）。但し、この際、５０μｍの厚みだけ残るように切
り込む。
【００３２】なお、上側プラスティック基板２ａにも、
上記ＩＴＯ電極５が形成されている場合には、サンプル
１０の表裏を反転した後、９０°回転し、上記と同様
に、分断マークに沿って下側プラスティック基板２ｂを
厚み５０μｍだけ残るように切り込む（図６の破線参
照）。
上記ＩＴＯ電極５が形成されている場合には、サンプル
１０の表裏を反転した後、９０°回転し、上記と同様
に、分断マークに沿って下側プラスティック基板２ｂを
厚み５０μｍだけ残るように切り込む（図６の破線参
照）。
【００３３】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、切り込みによりできた溝にそって折り
取られることによって、サンプル１０から分断される
（図２参照）。これにより、高速回転数のダイシングブ
レード１で上側プラスティック基板２ａ、或いは下側プ
ラスティック基板２ｂが切り込まれるので、その分断面
に発生するクラックを抑えることができると共に、対向
基板上に形成されたＩＴＯ電極５が傷つくことを防止で
きる。
１０は、その後、切り込みによりできた溝にそって折り
取られることによって、サンプル１０から分断される
（図２参照）。これにより、高速回転数のダイシングブ
レード１で上側プラスティック基板２ａ、或いは下側プ
ラスティック基板２ｂが切り込まれるので、その分断面
に発生するクラックを抑えることができると共に、対向
基板上に形成されたＩＴＯ電極５が傷つくことを防止で
きる。
【００３４】次に、上記のサンプル１０に対してセル化
分断処理を行う場合、まず、分断用マーク（図示しな
い）に沿って、図３に示すように、上側プラスティック
基板２ａをダイシングブレード１によって切り込む。そ
して、上側プラスティック基板２ａを完全に切断した
後、更に、下側プラスティック基板２ｂを切り込む（図
５参照）。但し、この際、５０μｍの厚みだけ残るよう
に切り込む。その後、サンプル１０を９０°回転し、上
記と同様に、上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂ
の切り込みを行う（図７の一点鎖線参照）。
分断処理を行う場合、まず、分断用マーク（図示しな
い）に沿って、図３に示すように、上側プラスティック
基板２ａをダイシングブレード１によって切り込む。そ
して、上側プラスティック基板２ａを完全に切断した
後、更に、下側プラスティック基板２ｂを切り込む（図
５参照）。但し、この際、５０μｍの厚みだけ残るよう
に切り込む。その後、サンプル１０を９０°回転し、上
記と同様に、上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂ
の切り込みを行う（図７の一点鎖線参照）。
【００３５】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、下側プラスティック基板２ｂの切り込
みによりできた溝に沿って折り取られることによって、
図４及び図８に示すように、サンプル１０から分断され
る（ブレイク工程）。
１０は、その後、下側プラスティック基板２ｂの切り込
みによりできた溝に沿って折り取られることによって、
図４及び図８に示すように、サンプル１０から分断され
る（ブレイク工程）。
【００３６】これにより、高速回転数のダイシングブレ
ード１で上側プラスティック基板２ａおよび下側プラス
ティック基板２ｂが切り込まれるので、その分断面に発
生するクラックを抑えることができる。セル化分断処理
の際、下側プラスティック基板２ｂを切り残すのは、ダ
イシング装置のステージ４の汎用性を確保するためであ
る。
ード１で上側プラスティック基板２ａおよび下側プラス
ティック基板２ｂが切り込まれるので、その分断面に発
生するクラックを抑えることができる。セル化分断処理
の際、下側プラスティック基板２ｂを切り残すのは、ダ
イシング装置のステージ４の汎用性を確保するためであ
る。
【００３７】又、上側・下側プラスティック基板２ａ・
２ｂを所定の厚みだけ残して切り込むことによって、ブ
レイク工程が従来のガラス基板に比べて簡略化できる。
更に、プラスティック基板２ａ・２ｂの貼り合わせ後に
分断処理が行えるので、予め分断してから貼り合わせる
方法に比べて、基板段差がない状態で貼り合わせプレス
を行うことが可能であり、セルギャップの均一性が向上
すると共に、電極パターンの断線も防止できる。
２ｂを所定の厚みだけ残して切り込むことによって、ブ
レイク工程が従来のガラス基板に比べて簡略化できる。
更に、プラスティック基板２ａ・２ｂの貼り合わせ後に
分断処理が行えるので、予め分断してから貼り合わせる
方法に比べて、基板段差がない状態で貼り合わせプレス
を行うことが可能であり、セルギャップの均一性が向上
すると共に、電極パターンの断線も防止できる。
【００３８】なお、基板の切り残し厚みは、エポキシ
系、アクリル系樹脂からなり厚みが０．４mmの基板の場
合、５０μｍ以下に設定することが好ましい。
系、アクリル系樹脂からなり厚みが０．４mmの基板の場
合、５０μｍ以下に設定することが好ましい。
【００３９】ところで、上記ダイシング装置により分断
処理を行う場合、切り込み時に発生する切り粉によりプ
ラスティック基板の外面に傷がつくことがある。これに
対処するために、ここで示す例では、被覆部材がプラス
ティック基板に設けられるようになっている。なお、上
記実施例と同一の機能を有する部材については同一の参
照符号を付記する。
処理を行う場合、切り込み時に発生する切り粉によりプ
ラスティック基板の外面に傷がつくことがある。これに
対処するために、ここで示す例では、被覆部材がプラス
ティック基板に設けられるようになっている。なお、上
記実施例と同一の機能を有する部材については同一の参
照符号を付記する。
【００４０】本実施例でも、前記実施例と同様に、プラ
スティック基板を用いたＬＣＤのセル化分断処理および
端子出し分断処理をダイシング装置（図示しない）を用
いて行っている。また、ダイシングブレードの回転数が
１００００ｒｐｍであること以外は、前記実施例と同じ
条件下で分断処理が行われるものとする。
スティック基板を用いたＬＣＤのセル化分断処理および
端子出し分断処理をダイシング装置（図示しない）を用
いて行っている。また、ダイシングブレードの回転数が
１００００ｒｐｍであること以外は、前記実施例と同じ
条件下で分断処理が行われるものとする。
【００４１】上記サンプル１０を準備し、この両面、即
ち、上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂの裏面
に、フィルム状のラミネーター６・６（被覆部材）をそ
れぞれ貼り付けた後、ステージ４にセットする（図９参
照）。なお、上記ラミネーター６の材質としては、例え
ばポリエチレンが挙げられ、その厚みは、例えば５０μ
ｍに設定されている。
ち、上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂの裏面
に、フィルム状のラミネーター６・６（被覆部材）をそ
れぞれ貼り付けた後、ステージ４にセットする（図９参
照）。なお、上記ラミネーター６の材質としては、例え
ばポリエチレンが挙げられ、その厚みは、例えば５０μ
ｍに設定されている。
【００４２】上記のサンプル１０に対して端子出し分断
処理を行う場合、図１０に示すように、まず、分断用マ
ーク（図示しない）に沿って、ラミネーター６をダイシ
ングブレード１によって切り込み、ラミネーター６の切
断が完了したら、上側プラスティック基板２ａをダイシ
ングブレード１によって更に切り込む（図５参照）。
処理を行う場合、図１０に示すように、まず、分断用マ
ーク（図示しない）に沿って、ラミネーター６をダイシ
ングブレード１によって切り込み、ラミネーター６の切
断が完了したら、上側プラスティック基板２ａをダイシ
ングブレード１によって更に切り込む（図５参照）。
【００４３】但し、この際、基板２ａが５０μｍの厚み
だけ残るように切り込む。
だけ残るように切り込む。
【００４４】なお、上側プラスティック基板２ａにも、
上記ＩＴＯ電極５が形成されている場合には、サンプル
１０の表裏を反転した後、９０°回転し、上記と同様
に、分断マークに沿ってラミネーター６及び下側プラス
ティック基板２ｂを厚み５０μｍだけ残るように切り込
む（図６の破線参照）。
上記ＩＴＯ電極５が形成されている場合には、サンプル
１０の表裏を反転した後、９０°回転し、上記と同様
に、分断マークに沿ってラミネーター６及び下側プラス
ティック基板２ｂを厚み５０μｍだけ残るように切り込
む（図６の破線参照）。
【００４５】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、切り込みによりできた基板の溝に沿っ
て折り取られることによって、サンプル１０から分断さ
れる（図１１参照）。
１０は、その後、切り込みによりできた基板の溝に沿っ
て折り取られることによって、サンプル１０から分断さ
れる（図１１参照）。
【００４６】これにより、両面の端子出し分断処理を行
うために、サンプル１０の表裏を反転させる際に生じる
ことがある基板外面の傷を防止できる。また、高速回転
数のダイシングブレード１で上側プラスティック基板２
ａ、或いは下側プラスティック基板２ｂが切り込まれる
ので、その分断面に発生するクラックを抑えることがで
きると共に、対向基板上に形成されたＩＴＯ電極５が傷
つくことも併せて防止できる。
うために、サンプル１０の表裏を反転させる際に生じる
ことがある基板外面の傷を防止できる。また、高速回転
数のダイシングブレード１で上側プラスティック基板２
ａ、或いは下側プラスティック基板２ｂが切り込まれる
ので、その分断面に発生するクラックを抑えることがで
きると共に、対向基板上に形成されたＩＴＯ電極５が傷
つくことも併せて防止できる。
【００４７】次に、上記のサンプル１０に対してセル化
分断処理を行う場合、まず、分断用マーク（図示しな
い）に沿って、図１２に示すように、ラミネーター６及
び上側プラスティック基板２ａをダイシングブレード１
によって切り込む。そして、ラミネーター６及び上側プ
ラスティック基板２ａを完全に切断した後、更に、下側
プラスティック基板２ｂを切り込み、完全に下側プラス
ティック基板２ｂを切断後、基板２ｂの裏面のラミネー
ター６に更に切り込む。但し、この際、ラミネーター６
が３０μｍの厚みだけ残るように切り込む。その後、サ
ンプル１０を９０°回転し、上記と同様に、ラミネータ
ー６・６および上側・下側プラスティック基板２ａ・２
ｂの切り込みを行う（図７の一点鎖線参照）。
分断処理を行う場合、まず、分断用マーク（図示しな
い）に沿って、図１２に示すように、ラミネーター６及
び上側プラスティック基板２ａをダイシングブレード１
によって切り込む。そして、ラミネーター６及び上側プ
ラスティック基板２ａを完全に切断した後、更に、下側
プラスティック基板２ｂを切り込み、完全に下側プラス
ティック基板２ｂを切断後、基板２ｂの裏面のラミネー
ター６に更に切り込む。但し、この際、ラミネーター６
が３０μｍの厚みだけ残るように切り込む。その後、サ
ンプル１０を９０°回転し、上記と同様に、ラミネータ
ー６・６および上側・下側プラスティック基板２ａ・２
ｂの切り込みを行う（図７の一点鎖線参照）。
【００４８】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、下側プラスティック基板２ｂ側のラミ
ネーター６の切り込みによりできた溝に沿ってちぎり取
られることによって、図１３に示すように、サンプル１
０から分断される（ブレイク工程）。
１０は、その後、下側プラスティック基板２ｂ側のラミ
ネーター６の切り込みによりできた溝に沿ってちぎり取
られることによって、図１３に示すように、サンプル１
０から分断される（ブレイク工程）。
【００４９】これにより、ラミネーター６を所定厚みだ
け切り残し、高速回転数のダイシングブレード１で上側
・下側プラスティック基板２ａ・２ｂが完全に切断され
るので、基板自身のバリの発生の防止および分断面のレ
ベルが向上し、クラックの発生が抑えられる。
け切り残し、高速回転数のダイシングブレード１で上側
・下側プラスティック基板２ａ・２ｂが完全に切断され
るので、基板自身のバリの発生の防止および分断面のレ
ベルが向上し、クラックの発生が抑えられる。
【００５０】又、３０μｍの厚みだけ切り残したラミネ
ーター６をちぎり取ることにより、ブレイク工程が従来
のガラス基板に比べて簡略化できる。更に、プラスティ
ック基板２ａ・２ｂの貼り合わせ後に分断処理が行える
ので、予め分断してから貼り合わせる方法に比べて、基
板段差がない状態で貼り合わせプレスを行うことが可能
であり、セルギャップの均一性が向上すると共に、電極
パターンの断線も防止できる。
ーター６をちぎり取ることにより、ブレイク工程が従来
のガラス基板に比べて簡略化できる。更に、プラスティ
ック基板２ａ・２ｂの貼り合わせ後に分断処理が行える
ので、予め分断してから貼り合わせる方法に比べて、基
板段差がない状態で貼り合わせプレスを行うことが可能
であり、セルギャップの均一性が向上すると共に、電極
パターンの断線も防止できる。
【００５１】ここで、上記被覆部材として、偏光部材７
（例えば、フィルム状の部材）がプラスティック基板上
に設けられる場合について以下に説明する。なお、偏光
部材７は、所定の偏光軸角度において、例えば接着剤に
よりプラスティック基板に貼り合わせたものであり、表
面保護用として偏光部材外面にラミネータ６が付けられ
ている（図１４参照）。また、サンプル１０において、
これ以外の構成および分断条件は、図９に示したものと
同じであるので、詳細な説明をここでは省略する。
（例えば、フィルム状の部材）がプラスティック基板上
に設けられる場合について以下に説明する。なお、偏光
部材７は、所定の偏光軸角度において、例えば接着剤に
よりプラスティック基板に貼り合わせたものであり、表
面保護用として偏光部材外面にラミネータ６が付けられ
ている（図１４参照）。また、サンプル１０において、
これ以外の構成および分断条件は、図９に示したものと
同じであるので、詳細な説明をここでは省略する。
【００５２】上記のサンプル１０に対して端子出し分断
処理を行う場合、前記実施例と同様に、５０μｍの厚み
だけ残るように上側プラスティック基板２ａ／下側プラ
スティック基板２ｂを切り込む。そして、切り込まれた
サンプル１０は、その後、切り込みによりできた基板の
溝に沿って折り取られることによって、サンプル１０か
ら分断される。
処理を行う場合、前記実施例と同様に、５０μｍの厚み
だけ残るように上側プラスティック基板２ａ／下側プラ
スティック基板２ｂを切り込む。そして、切り込まれた
サンプル１０は、その後、切り込みによりできた基板の
溝に沿って折り取られることによって、サンプル１０か
ら分断される。
【００５３】これにより、両面の端子出し分断処理を行
うために、サンプル１０の表裏を反転させる際に切り粉
により生じることがある偏光部材外面及び基板外面の傷
を防止できる。また、高速回転数のダイシングブレード
１で上側プラスティック基板２ａ、或いは下側プラステ
ィック基板２ｂが切り込まれるので、その分断面に発生
するクラックを抑えることができると共に、対向基板上
に形成されたＩＴＯ電極５等が傷つくことを回避でき
る。
うために、サンプル１０の表裏を反転させる際に切り粉
により生じることがある偏光部材外面及び基板外面の傷
を防止できる。また、高速回転数のダイシングブレード
１で上側プラスティック基板２ａ、或いは下側プラステ
ィック基板２ｂが切り込まれるので、その分断面に発生
するクラックを抑えることができると共に、対向基板上
に形成されたＩＴＯ電極５等が傷つくことを回避でき
る。
【００５４】次に、上記のサンプル１０に対してセル化
分断処理を行う場合、まず、分断用マーク（図示しな
い）に沿って、図１５に示すように、上側のラミネータ
ー６、偏光部材７、及び上側プラスティック基板２ａを
ダイシングブレード１によって切り込み、完全に切断し
た後、更に、下側プラスティック基板２ｂを切り込み、
完全に下側プラスティック基板２ｂ及び下側の偏光部材
７を切断後、基板２ｂの外面のラミネーター６に更に切
り込む。但し、この際、ラミネーター６が３０μｍの厚
みだけ残るようにラミネーター６を切り込む。その後、
サンプル１０を９０°回転し、上記と同様に、ラミネー
ター６・６、上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂ
及び偏光部材７の切り込みを行う（図７の一点鎖線参
照）。
分断処理を行う場合、まず、分断用マーク（図示しな
い）に沿って、図１５に示すように、上側のラミネータ
ー６、偏光部材７、及び上側プラスティック基板２ａを
ダイシングブレード１によって切り込み、完全に切断し
た後、更に、下側プラスティック基板２ｂを切り込み、
完全に下側プラスティック基板２ｂ及び下側の偏光部材
７を切断後、基板２ｂの外面のラミネーター６に更に切
り込む。但し、この際、ラミネーター６が３０μｍの厚
みだけ残るようにラミネーター６を切り込む。その後、
サンプル１０を９０°回転し、上記と同様に、ラミネー
ター６・６、上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂ
及び偏光部材７の切り込みを行う（図７の一点鎖線参
照）。
【００５５】以上のようにして、切り込まれたサンプル
１０は、その後、下側プラスティック基板２ｂ側のラミ
ネーター６の切り込みによりできた溝に沿ってちぎり取
られることによって、図１３に示すように、サンプル１
０から分断される（ブレイク工程）。
１０は、その後、下側プラスティック基板２ｂ側のラミ
ネーター６の切り込みによりできた溝に沿ってちぎり取
られることによって、図１３に示すように、サンプル１
０から分断される（ブレイク工程）。
【００５６】これにより、下側のラミネーター６を所定
の厚みだけ切り残し、高速回転数のダイシングブレード
１で上側のラミネーター６、上側・下側偏光部材７・７
及び上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂが完全に
切断されるので、基板自身のバリの発生の防止および分
断面のレベルが向上し、クラックの発生が抑えられると
共に、偏光部材及び基板が切り粉により傷つくことを防
止できる。なお、ラミネーター６を所定の厚みだけ切り
残すのは、ダイシング装置のステージ４の汎用性を確保
するためである。
の厚みだけ切り残し、高速回転数のダイシングブレード
１で上側のラミネーター６、上側・下側偏光部材７・７
及び上側・下側プラスティック基板２ａ・２ｂが完全に
切断されるので、基板自身のバリの発生の防止および分
断面のレベルが向上し、クラックの発生が抑えられると
共に、偏光部材及び基板が切り粉により傷つくことを防
止できる。なお、ラミネーター６を所定の厚みだけ切り
残すのは、ダイシング装置のステージ４の汎用性を確保
するためである。
【００５７】又、ラミネーター６を所定の厚みだけ残し
て切り込むことによって、ブレイク工程が従来のガラス
基板に比べて簡略化できる。更に、プラスティック基板
２ａ・２ｂの貼り合わせ後に分断処理が行えるので、予
め分断してから貼り合わせる方法に比べて、基板段差が
ない状態で貼り合わせプレスを行うことが可能であり、
セルギャップの均一性が向上すると共に、電極パターン
の断線も防止できる。
て切り込むことによって、ブレイク工程が従来のガラス
基板に比べて簡略化できる。更に、プラスティック基板
２ａ・２ｂの貼り合わせ後に分断処理が行えるので、予
め分断してから貼り合わせる方法に比べて、基板段差が
ない状態で貼り合わせプレスを行うことが可能であり、
セルギャップの均一性が向上すると共に、電極パターン
の断線も防止できる。
【００５８】又、偏光部材７も同時に分断しているの
で、後工程である偏光部材７の分断および貼り付け工程
が簡略化され、コスト低減が図れる。
で、後工程である偏光部材７の分断および貼り付け工程
が簡略化され、コスト低減が図れる。
【００５９】
【発明の効果】請求項１の発明のプラスティック基板を
用いたＬＣＤの分断方法は、以上のように、所定の回転
数でブレードを回転させて、液晶層を挟持したプラステ
ィック基板を切り込み、所定の厚みを切り残した後、折
り取ることによって分断する構成である。
用いたＬＣＤの分断方法は、以上のように、所定の回転
数でブレードを回転させて、液晶層を挟持したプラステ
ィック基板を切り込み、所定の厚みを切り残した後、折
り取ることによって分断する構成である。
【００６０】それゆえ、硬くて脆いプラスティック基板
を分断しても、その分断面におけるクラックの発生を抑
えることができる。又、端子出し分断処理を行う場合、
対向するプラスティック基板上の電極パターン等にダメ
ージを与えることを回避できる。更に、プラスティック
基板の貼り合わせ後に分断処理が行えるので、予め分断
してから貼り合わせる方法と比較して、基板段差がない
状態で貼り合わせプレスを行うことが可能であり、セル
ギャップの均一性を向上させることができると共に、電
極パターンの断線も回避できる。又、ガラス基板採用の
際のブレイク工程と比べて、大幅に工程を簡略化でき、
コスト低減が図れるという効果を併せて奏する。
を分断しても、その分断面におけるクラックの発生を抑
えることができる。又、端子出し分断処理を行う場合、
対向するプラスティック基板上の電極パターン等にダメ
ージを与えることを回避できる。更に、プラスティック
基板の貼り合わせ後に分断処理が行えるので、予め分断
してから貼り合わせる方法と比較して、基板段差がない
状態で貼り合わせプレスを行うことが可能であり、セル
ギャップの均一性を向上させることができると共に、電
極パターンの断線も回避できる。又、ガラス基板採用の
際のブレイク工程と比べて、大幅に工程を簡略化でき、
コスト低減が図れるという効果を併せて奏する。
【００６１】又、請求項２の発明のプラスティック基板
を用いたＬＣＤの分断方法は、以上のように、被覆部材
をプラスティック基板裏面に設け、所定の回転数でブレ
ードを回転させて、液晶層を挟持したプラスティック基
板を切り込み、上記被覆部材の所定の厚みを切り残した
後、ちぎり取ることによって分断する構成である。
を用いたＬＣＤの分断方法は、以上のように、被覆部材
をプラスティック基板裏面に設け、所定の回転数でブレ
ードを回転させて、液晶層を挟持したプラスティック基
板を切り込み、上記被覆部材の所定の厚みを切り残した
後、ちぎり取ることによって分断する構成である。
【００６２】それゆえ、請求項１の効果に加えて、切り
粉による偏光部材および基板の表面のダメージを防止で
きる。又、セル化分断処理の場合、プラスティック基板
は完全に分断されるので、基板にバリが発生することを
防止できる。更に、偏光部材を含む被覆部材を採用すれ
ば、分断工程以降に正規サイズに切断された偏光部材を
貼り付ける際に位置精度が要求される後工程の簡略化が
可能であり、位置精度の向上、時間短縮およびコスト低
減が可能となる。
粉による偏光部材および基板の表面のダメージを防止で
きる。又、セル化分断処理の場合、プラスティック基板
は完全に分断されるので、基板にバリが発生することを
防止できる。更に、偏光部材を含む被覆部材を採用すれ
ば、分断工程以降に正規サイズに切断された偏光部材を
貼り付ける際に位置精度が要求される後工程の簡略化が
可能であり、位置精度の向上、時間短縮およびコスト低
減が可能となる。
【００６３】又、本発明は、アクリル系およびエポキシ
系の基板用に適用されるのに限定されず、プラスティッ
クの材質およびその厚みに関係なく適用でき、又ガラス
基板に対しても適用可能であるという効果を併せて奏す
る。
系の基板用に適用されるのに限定されず、プラスティッ
クの材質およびその厚みに関係なく適用でき、又ガラス
基板に対しても適用可能であるという効果を併せて奏す
る。
【図１】本発明の端子出し分断処理を示す説明図であ
る。
る。
【図２】図１において、端子出し分断処理が終了したこ
とを示す説明図である。
とを示す説明図である。
【図３】本発明のセル化分断処理を示す説明図である。
【図４】図３において、セル化分断処理が終了したこと
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図５】本発明に係るプラスティック基板を用いたＬＣ
Ｄの分断手順を示し、所定の分断ラインに沿って端子出
し分断あるいはセル化分断が行われたことを示す説明図
である。
Ｄの分断手順を示し、所定の分断ラインに沿って端子出
し分断あるいはセル化分断が行われたことを示す説明図
である。
【図６】図５の状態を反転し、さらに９０°回転して、
端子出し分断が行われたことを示す説明図である。
端子出し分断が行われたことを示す説明図である。
【図７】図６の状態でセル化分断処理が行われたことを
示す説明図である。
示す説明図である。
【図８】図７の状態から、折り取り或いはちぎり取りに
より分断されたことを示す説明図である。
より分断されたことを示す説明図である。
【図９】基板の外面にラミネーターが貼り付けられた場
合のサンプルがステージにセットされたことを示す説明
図である。
合のサンプルがステージにセットされたことを示す説明
図である。
【図１０】図９のサンプルに対して端子出し分断処理を
行うことを示す説明図である。
行うことを示す説明図である。
【図１１】図１０において、端子出し分断処理が行われ
て分断されたことを示す説明図である。
て分断されたことを示す説明図である。
【図１２】図９のサンプルに対してセル化分断処理を行
うことを示す説明図である。
うことを示す説明図である。
【図１３】図１２において、セル化分断処理が行われて
分断されたことを示す説明図である。
分断されたことを示す説明図である。
【図１４】図９において、偏光部材の上にラミネーター
が設けられたサンプルがステージにセットされたことを
示す説明図である。
が設けられたサンプルがステージにセットされたことを
示す説明図である。
【図１５】図１４のサンプルに対してセル化分断処理を
行うことを示す説明図である。
行うことを示す説明図である。
１ ダイシングブレード（ブレード） ２ａ 上側プラスティック基板 ２ｂ 下側プラスティック基板 ４ ステージ ５ ＩＴＯ電極 ６ ラミネーター（被覆部材） ７ 偏光部材（被覆部材） １０ サンプル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福地 俊生 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 磯畑 恭平 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】ブレードを備えたダイシング装置により分
断するプラスティック基板を用いたＬＣＤの分断方法で
あって、 所定の回転数でブレードを回転させて、液晶層を挟持し
たプラスティック基板を切り込み、所定の厚みを切り残
した後、折り取ることによって分断することを特徴とす
るプラスティック基板を用いたＬＣＤの分断方法。 - 【請求項２】ブレードを備えたダイシング装置により分
断するプラスティック基板を用いたＬＣＤの分断方法で
あって、 被覆部材をプラスティック基板裏面に設け、所定の回転
数でブレードを回転させて、液晶層を挟持したプラステ
ィック基板を切り込み、上記被覆部材の所定の厚みを切
り残した後、ちぎり取ることによって分断することを特
徴とするプラスティック基板を用いたＬＣＤの分断方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201909A JP2849495B2 (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | プラスティック基板を用いたｌｃｄの分断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3201909A JP2849495B2 (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | プラスティック基板を用いたｌｃｄの分断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545617A true JPH0545617A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2849495B2 JP2849495B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=16448830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3201909A Expired - Lifetime JP2849495B2 (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | プラスティック基板を用いたｌｃｄの分断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2849495B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6366334B1 (en) | 1999-05-17 | 2002-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for removing removal part in liquid crystal display device using jet of compressed air to remove part of the substrate |
| JP2003066424A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液晶セルの製造方法および液晶セル |
| US7002660B2 (en) | 1997-10-15 | 2006-02-21 | Bae Systems Plc | Liquid crystal displays |
| US8235761B2 (en) | 2004-09-02 | 2012-08-07 | Tannas Jr Lawrence E | Apparatus and methods for resizing electronic displays |
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| US8792076B2 (en) | 1999-03-22 | 2014-07-29 | Lawrence E. Tannas, Jr. | Customized electronic displays and methods of customizing the physical size and/or shape thereof |
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- 1991-08-12 JP JP3201909A patent/JP2849495B2/ja not_active Expired - Lifetime
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