JPH0546083B2 - - Google Patents
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- JPH0546083B2 JPH0546083B2 JP58055186A JP5518683A JPH0546083B2 JP H0546083 B2 JPH0546083 B2 JP H0546083B2 JP 58055186 A JP58055186 A JP 58055186A JP 5518683 A JP5518683 A JP 5518683A JP H0546083 B2 JPH0546083 B2 JP H0546083B2
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- amorphous
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/38—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites amorphous, e.g. amorphous oxides
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/0009—Materials therefor
- G02F1/0036—Magneto-optical materials
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性を有することを特徴とするア
モルフアス酸化物磁性体およびその製造法に係る
ものである。
モルフアス酸化物磁性体およびその製造法に係る
ものである。
従来、アモルフアスの酸化物磁性体ならびにそ
の製造法について数多くの報告がなされている。
しかしこれらのアモルフアス酸化物磁性体は何れ
も常磁性か反強磁性の特性を有するものであり、
工業的に有用である強磁性を示すものが全く知ら
れていなかつた。強磁性のアモルフアス酸化物磁
性体が得られれば、磁気コア、高磁歪材料、トラ
ンス材料、磁気光学用素子材料その他の磁性材料
として様々の用途に有用な磁性材料が得られる。
の製造法について数多くの報告がなされている。
しかしこれらのアモルフアス酸化物磁性体は何れ
も常磁性か反強磁性の特性を有するものであり、
工業的に有用である強磁性を示すものが全く知ら
れていなかつた。強磁性のアモルフアス酸化物磁
性体が得られれば、磁気コア、高磁歪材料、トラ
ンス材料、磁気光学用素子材料その他の磁性材料
として様々の用途に有用な磁性材料が得られる。
ところで、本発明者等は、先きに、フエライト
（スピネル型の結晶構造のもの、六方晶型の結晶
構造のもの、ガーネツト型の結晶構造を有するも
のの何れか強磁性酸化物）と五酸化リン（P2O5）
との酸化物混合体を1300℃〜1600℃で溶融した後
に、少くとも1200℃以上の温度から超急冷するこ
とにより強磁性の特性を有するアモルフアス酸化
物磁性体を製造する方法を斯界ではじめて発明し
た（特願昭56−163491号）。またこの場合に五酸
化リンの組成範囲の一部を酸化硼素（B2O3）、酸
化ゲルマニウム（GeO2）、酸化ビスマス
（Bi2O3）、酸化タンタル（Ta2O5）、酸化ガリウム
（Ga2O3）、酸化セレン（SeO2）及び酸化テルル
（TeO2）の中から選ばれた単一の酸化物あるいは
２種以上の酸化物で置換できることも明らかにし
た。
（スピネル型の結晶構造のもの、六方晶型の結晶
構造のもの、ガーネツト型の結晶構造を有するも
のの何れか強磁性酸化物）と五酸化リン（P2O5）
との酸化物混合体を1300℃〜1600℃で溶融した後
に、少くとも1200℃以上の温度から超急冷するこ
とにより強磁性の特性を有するアモルフアス酸化
物磁性体を製造する方法を斯界ではじめて発明し
た（特願昭56−163491号）。またこの場合に五酸
化リンの組成範囲の一部を酸化硼素（B2O3）、酸
化ゲルマニウム（GeO2）、酸化ビスマス
（Bi2O3）、酸化タンタル（Ta2O5）、酸化ガリウム
（Ga2O3）、酸化セレン（SeO2）及び酸化テルル
（TeO2）の中から選ばれた単一の酸化物あるいは
２種以上の酸化物で置換できることも明らかにし
た。
上記発明において、五酸化リン（P2O5）中の
リンイオンのイオン半径が比較的小さいことは良
く知られており、この小さなイオン半径がアモル
フアス酸化物磁性体を作製し易くしている一つの
原因であろうと本発明者等は推測していた。とこ
ろが、その後も研究を進めるうちに、上記のよう
なイオン半径の小さいものに限られず、酸化ビス
マス（Bi2O3）中のビスマスイオンのようにイオ
ン半径の大きなものもアモルフアス酸化物磁性体
を製造する上で極めて効果的な役割を果すことが
明らかになつた。すなわち、フエライトの組成範
囲が70〜92.5モル％で、残部の酸化ビスマス
（Bi2O3）の組成範囲が30〜7.5モル％である試料
を1300℃〜1600℃の温度に加熱溶融した後に、少
くとも1200℃以上の温度から超急冷すると強磁性
の特性を有する有用なアモルフアス酸化物磁性体
を作製することが出来ることが判明した。この材
料は、磁気光学用素子材料及びコアとしてきわめ
て有用な特性を有している。
リンイオンのイオン半径が比較的小さいことは良
く知られており、この小さなイオン半径がアモル
フアス酸化物磁性体を作製し易くしている一つの
原因であろうと本発明者等は推測していた。とこ
ろが、その後も研究を進めるうちに、上記のよう
なイオン半径の小さいものに限られず、酸化ビス
マス（Bi2O3）中のビスマスイオンのようにイオ
ン半径の大きなものもアモルフアス酸化物磁性体
を製造する上で極めて効果的な役割を果すことが
明らかになつた。すなわち、フエライトの組成範
囲が70〜92.5モル％で、残部の酸化ビスマス
（Bi2O3）の組成範囲が30〜7.5モル％である試料
を1300℃〜1600℃の温度に加熱溶融した後に、少
くとも1200℃以上の温度から超急冷すると強磁性
の特性を有する有用なアモルフアス酸化物磁性体
を作製することが出来ることが判明した。この材
料は、磁気光学用素子材料及びコアとしてきわめ
て有用な特性を有している。
第１図は先に述べたマンガンフエライト
（MnFe2O4）と五酸化リン（P2O5）との混合酸化
物を白金ルツボに入れ1350℃で約10分間加熱溶融
した後に水で冷却した双ロールの間を通過させて
ることにより急速冷却し、アモルフアス薄帯（厚
さ約30〜50ミクロン）とした場合の磁気飽和値
（emu／ｇ）の値を示す。第１図から明らかなよ
うに、試料の組成が92.5MnFe2O4・7.5P2O5であ
る場合がアモルフアス酸化物領域と多結晶酸化物
領域との組成境界となる。またマンガンフエライ
トの含有量が70モル％以下の場合には磁気飽和値
は著しく小さくなる。フエライト−酸化ビスマス
の場合も、第１図のグラフと実質同一の挙動を示
す（従つてグラフは省略する）。また、マンガン
フエライトに限らず、バリウムフエライト及びコ
バルトフエライトにおいても同様な挙動が示され
る。この事実が、本発明においてフエライトの含
有量を70〜92.5モル％に限定した理由である。
（MnFe2O4）と五酸化リン（P2O5）との混合酸化
物を白金ルツボに入れ1350℃で約10分間加熱溶融
した後に水で冷却した双ロールの間を通過させて
ることにより急速冷却し、アモルフアス薄帯（厚
さ約30〜50ミクロン）とした場合の磁気飽和値
（emu／ｇ）の値を示す。第１図から明らかなよ
うに、試料の組成が92.5MnFe2O4・7.5P2O5であ
る場合がアモルフアス酸化物領域と多結晶酸化物
領域との組成境界となる。またマンガンフエライ
トの含有量が70モル％以下の場合には磁気飽和値
は著しく小さくなる。フエライト−酸化ビスマス
の場合も、第１図のグラフと実質同一の挙動を示
す（従つてグラフは省略する）。また、マンガン
フエライトに限らず、バリウムフエライト及びコ
バルトフエライトにおいても同様な挙動が示され
る。この事実が、本発明においてフエライトの含
有量を70〜92.5モル％に限定した理由である。
本発明においては、酸化ビスマス（Bi2O3）組
成の一部を酸化硼素（B2O3）、酸化ゲルマニウム
（GeO2）、酸化アンチモン（Sb2O3）、五酸化バナ
ジウム（V2O5）、五酸化タンタル（TaO）、酸化
鉛（PbO）の中から選ばれた一種類以上の酸化物
でもつて、０〜10モル％の範囲で置換できること
も確認された。これらの酸化物の添加は試料の溶
融を促進するとともに、磁気飽和値を増大させる
効果がある。
成の一部を酸化硼素（B2O3）、酸化ゲルマニウム
（GeO2）、酸化アンチモン（Sb2O3）、五酸化バナ
ジウム（V2O5）、五酸化タンタル（TaO）、酸化
鉛（PbO）の中から選ばれた一種類以上の酸化物
でもつて、０〜10モル％の範囲で置換できること
も確認された。これらの酸化物の添加は試料の溶
融を促進するとともに、磁気飽和値を増大させる
効果がある。
本発明強磁性アモルフアス酸化物磁性体の調製
に当つて、試料を溶融する温度が1300℃以下の場
合には、溶融した後に如何に急速に冷却してもア
モルフアス状態の酸化物を得ることは出来なかつ
た。さらに、1300℃〜1600℃の温度で溶融した試
料を1200℃以上の温度から超急冷することが肝要
であつて、徐冷したり或いは1200℃以下の温度か
ら如何に急速に冷却してもアモルフアス状態にす
ることは出来ないということが多くの実験から確
められた。溶融した試料を超急冷して固体化する
場合に、急冷速度は早い方が望ましい。すなわち
冷却速度が速い程、均一なアモルフアス組織を得
ることが出来るからである。従つて、液体窒素内
にその一部を浸漬した金属板上に溶融物体を注ぎ
超急冷する方法もある。実験の結果、毎秒少くと
も５℃以上の速度で超急冷することが望ましいこ
とが判明した。
に当つて、試料を溶融する温度が1300℃以下の場
合には、溶融した後に如何に急速に冷却してもア
モルフアス状態の酸化物を得ることは出来なかつ
た。さらに、1300℃〜1600℃の温度で溶融した試
料を1200℃以上の温度から超急冷することが肝要
であつて、徐冷したり或いは1200℃以下の温度か
ら如何に急速に冷却してもアモルフアス状態にす
ることは出来ないということが多くの実験から確
められた。溶融した試料を超急冷して固体化する
場合に、急冷速度は早い方が望ましい。すなわち
冷却速度が速い程、均一なアモルフアス組織を得
ることが出来るからである。従つて、液体窒素内
にその一部を浸漬した金属板上に溶融物体を注ぎ
超急冷する方法もある。実験の結果、毎秒少くと
も５℃以上の速度で超急冷することが望ましいこ
とが判明した。
第２図は、本発明組成の一例として
92MnFe2O4・8Bi2O3なる組成の試料を1400℃で
10分間加熱溶融した後に、これを直ちに液体窒素
中に浸した胴板の表面に注ぎ、超急冷した試料の
Ｘ線回析線を示す。第２図はこの試料がアモルフ
アス状態になつていることをよく示している。
92MnFe2O4・8Bi2O3なる組成の試料を1400℃で
10分間加熱溶融した後に、これを直ちに液体窒素
中に浸した胴板の表面に注ぎ、超急冷した試料の
Ｘ線回析線を示す。第２図はこの試料がアモルフ
アス状態になつていることをよく示している。
試料を溶融する際にフエライト中のFe3+イオ
ンがFe2+イオンに還元されて、磁性を低下させ
たり、電気抵抗を小さくするなどの好ましくない
現象が起り易い。従つて、本発明の試料を溶融す
る際には酸素分圧が0.2〜10気圧の酸化性雰囲気
内で実施することが望ましい。雰囲気の酸素分圧
が高い程、比較的容易にかつ良質のアモルフアス
酸化物磁性体を作製することが出来る。しかし10
気圧以上の酸素分圧の雰囲気中で工業的に量産す
ることは困難である。
ンがFe2+イオンに還元されて、磁性を低下させ
たり、電気抵抗を小さくするなどの好ましくない
現象が起り易い。従つて、本発明の試料を溶融す
る際には酸素分圧が0.2〜10気圧の酸化性雰囲気
内で実施することが望ましい。雰囲気の酸素分圧
が高い程、比較的容易にかつ良質のアモルフアス
酸化物磁性体を作製することが出来る。しかし10
気圧以上の酸素分圧の雰囲気中で工業的に量産す
ることは困難である。
更に、本発明に従えば、本発明のアモルフアス
酸化物強磁性体は超急冷後再加熱処理することに
よりその磁性特性を更に一層向上させることがで
きる。第３図はMnFeO4−Bi2O3系の３種のもの
の再加熱温度による磁気飽和値の増大の様相を示
す。
酸化物強磁性体は超急冷後再加熱処理することに
よりその磁性特性を更に一層向上させることがで
きる。第３図はMnFeO4−Bi2O3系の３種のもの
の再加熱温度による磁気飽和値の増大の様相を示
す。
第３図に示すように、上記の超急冷によつて作
製した本発明のアモルフアス酸化物磁性体を室温
からゆつくり温度を上昇させながら再加熱すると
磁気飽和値は増大する。そしてアモルフアス状態
が多結晶状態に変化する結晶化温度（マンガンフ
エライトとBi2O3から成る酸化物の場合は約650
℃）以上になると反つて磁気飽和値は減少する傾
向を示した。これは結晶化温度以上で非磁性の結
晶相が析出するためと考えられている。したがつ
て結晶化温度より低い温度で長時間加熱してアモ
ルフアス材料の磁性の向上を計ることが重要なこ
とである。
製した本発明のアモルフアス酸化物磁性体を室温
からゆつくり温度を上昇させながら再加熱すると
磁気飽和値は増大する。そしてアモルフアス状態
が多結晶状態に変化する結晶化温度（マンガンフ
エライトとBi2O3から成る酸化物の場合は約650
℃）以上になると反つて磁気飽和値は減少する傾
向を示した。これは結晶化温度以上で非磁性の結
晶相が析出するためと考えられている。したがつ
て結晶化温度より低い温度で長時間加熱してアモ
ルフアス材料の磁性の向上を計ることが重要なこ
とである。
こうして得られた本発明の強磁性を有するアモ
ルフアス酸化物磁性体は光をよく通すので、磁気
光学用素子材料として工業的に極めて有用であ
る。また電気抵抗も大きいので高い周波数領域に
おけるコアとしても重要である。
ルフアス酸化物磁性体は光をよく通すので、磁気
光学用素子材料として工業的に極めて有用であ
る。また電気抵抗も大きいので高い周波数領域に
おけるコアとしても重要である。
実施例 １
85モル％コバルトフエライトと、12モル％の酸
化ビスマスと、３モル％の酸化硼素の混合粉体を
白金ルツボに入れ電気炉内で1350℃に加熱溶融し
た後で水に冷却した双ロール間を通過させて急冷
した。こうして作製した試料の磁気飽和値は
17.4emu／ｇであつた。電気抵抗値は350Ω−cm
であつた。Ｘ線回析と顕微鏡組成の観察によつ
て、この試料がアモルフアスであることを確認し
た。この試料を空気中で600℃に10時間加熱した
ところ、その磁気飽和値は20.2emu／ｇまで増大
した。
化ビスマスと、３モル％の酸化硼素の混合粉体を
白金ルツボに入れ電気炉内で1350℃に加熱溶融し
た後で水に冷却した双ロール間を通過させて急冷
した。こうして作製した試料の磁気飽和値は
17.4emu／ｇであつた。電気抵抗値は350Ω−cm
であつた。Ｘ線回析と顕微鏡組成の観察によつ
て、この試料がアモルフアスであることを確認し
た。この試料を空気中で600℃に10時間加熱した
ところ、その磁気飽和値は20.2emu／ｇまで増大
した。
実施例 ２
70モル％バリウムフエライトと20モル％の酸化
ビスマスと５モル％酸化アンチモンと３モル％酸
化鉛からなる試料を２気圧の酸素分圧の雰囲気中
で1400℃で20分間加熱し溶融した後に直ちに双ロ
ール間を通過させて冷却し厚さ約20ミクロンのア
モルフアス薄帯を得た。この試料の室温における
磁気飽和値は13.2emu／ｇであり、保磁力は3200
エルステツドであつた。このアモルフアス薄帯を
２気圧の酸素分圧の雰囲気中で620℃に５時間再
加熱したところ、その磁気飽和値は23.5emu／ｇ
まで増大した。
ビスマスと５モル％酸化アンチモンと３モル％酸
化鉛からなる試料を２気圧の酸素分圧の雰囲気中
で1400℃で20分間加熱し溶融した後に直ちに双ロ
ール間を通過させて冷却し厚さ約20ミクロンのア
モルフアス薄帯を得た。この試料の室温における
磁気飽和値は13.2emu／ｇであり、保磁力は3200
エルステツドであつた。このアモルフアス薄帯を
２気圧の酸素分圧の雰囲気中で620℃に５時間再
加熱したところ、その磁気飽和値は23.5emu／ｇ
まで増大した。
第１図は、マンガンフエライト（MnFe2O4）
の含有量（残部は五酸化リン、P2O5）と磁気飽
和値の関係を示すグラフ、第２図は、
92MnFe2O4・8Bi2O3なる組成の試料がアモルフ
アスであることを示すＸ線回析線のパターンを示
す図、そして第３図はマンガンフエライト
（MnFe2O4）と酸化ビスマス（Bi2O3）から成る
３種類の組成のアモルフアス酸化物磁性体を空気
中で再加熱した場合における温度と磁気飽和値と
の関係を示すグラフである。
の含有量（残部は五酸化リン、P2O5）と磁気飽
和値の関係を示すグラフ、第２図は、
92MnFe2O4・8Bi2O3なる組成の試料がアモルフ
アスであることを示すＸ線回析線のパターンを示
す図、そして第３図はマンガンフエライト
（MnFe2O4）と酸化ビスマス（Bi2O3）から成る
３種類の組成のアモルフアス酸化物磁性体を空気
中で再加熱した場合における温度と磁気飽和値と
の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マンガンフエライト、バリウムフエライト、
およびコバルトフエライトより選択したフエライ
ト70〜92.5モル％と、酸化ビスマス（Bi2O3）30
〜7.5モル％とより成る組成を有し、そして強磁
性のアモルフアス組織を具備することを特徴とす
る酸化物磁性体。 ２ マンガンフエライト、バリウムフエライト、
およびコバルトフエライトより選択したフエライ
ト70〜92.5モル％と、酸化物30〜7.5モル％とよ
り成り、前記酸化物の10モル％以下が酸化硼素
（B2O3）、酸化ゲルマニウム（GeO2）、酸化アン
チモン（Sb2O3）、五酸化バナジウム（V2O5）、
五酸化タンタル（Ta2O5）および酸化鉛（PbO）
より選択した１種以上であり、酸化物の残部が酸
化ビスマス（Bi2O3）である組成を有し、そして
強磁性のアモルフアス組織を具備することを特徴
とする酸化物磁性体。 ３ マンガンフエライト、バリウムフエライト、
およびコバルトフエライトより選択したフエライ
ト70〜92.5モル％と、酸化ビスマス（Bi2O3）30
〜7.5モル％とより成る組成を有する混合体を調
製し、該混合体を0.2〜10気圧の酸素分圧の酸化
性雰囲気内で1300℃〜1600℃の温度に加熱溶融し
た後に、少くとも1200℃以上の温度から毎秒５℃
以上の速度で急冷してアモルフアス化することを
特徴とする強磁性アモルフアス酸化物磁性体の製
造法。 ４ マンガンフエライト、バリウムフエライト、
およびコバルトフエライトより選択したフエライ
ト70〜92.5モル％と、酸化物30〜7.5モル％とよ
り成り、前記酸化物の10モル％以下が酸化硼素
（B2O3）、酸化ゲルマニウム（GeO2）、酸化アン
チモン（Sb2O3）、五酸化バナジウム（V2O5）、
五酸化タンタル（Ta2O5）および酸化鉛（PbO）
より選択した１種以上であり、前記酸化物の残部
が酸化ビスマス（Bi2O3）である組成を有する混
合体を調製し、該混合体を0.2〜10気圧の酸素分
圧の酸化性雰囲気内で1300℃〜1600℃の温度に加
熱溶融した後、に、少なくとも1200℃以上の温度
から毎秒５℃以上の速度で急冷してアモルフアス
化することを特徴とする強磁性アモルフアス酸化
物磁性体の製造法。 ５ マンガンフエライト、バリウムフエライト、
およびコバルトフエライトより選択したフエライ
ト70〜92.5モル％と、酸化ビスマス（Bi2O3）30
〜7.5モル％とより成る組成を有する混合体を調
製し、該混合体を0.2〜10気圧の酸素分圧の酸化
性雰囲気内で1300℃〜1600℃の温度に加熱溶融し
た後に、少なくとも1200℃以上の温度から毎秒５
℃以上の速度で急冷してアモルフアス化し、更に
該アモルフアス化材料を結晶化温度以下の温度で
加熱することにより磁気特性を向上させることを
特徴とする強磁性アモルフアス酸化物磁性体の製
造法。 ６ マンガンフエライト、バリウムフエライト、
およびコバルトフエライトより選択したフエライ
ト70〜92.5モル％と、酸化物30〜7.5モル％とよ
り成り、前記酸化物の10モル％以下が酸化硼素
（B2O3）、酸化ゲルマニウム（GeO2）、酸化アン
チモン（Sb2O3）、五酸化バナジウム（V2O5）、
五酸化タンタル（Ta2O5）および酸化鉛（PbO）
より選択した１種以上であり、前記酸化物の残部
が酸化ビスマス（Bi2O3）である組成を有する混
合体を調製し、該混合体を0.2〜10気圧の酸素分
圧の酸化性雰囲気内で1300℃〜1600℃の温度に加
熱溶融した後に、少なくとも1200℃以上の温度か
ら毎秒５℃以上の速度で急冷してアモルフアス化
し、更に該アモルフアス化材料を結晶化温度以下
の温度で加熱することにより磁気特性を向上させ
ることを特徴とする強磁性アモルフアス酸化物磁
性体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055186A JPS59182503A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | 強磁性アモルフアス酸化物磁性体およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58055186A JPS59182503A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | 強磁性アモルフアス酸化物磁性体およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182503A JPS59182503A (ja) | 1984-10-17 |
| JPH0546083B2 true JPH0546083B2 (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=12991677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58055186A Granted JPS59182503A (ja) | 1983-04-01 | 1983-04-01 | 強磁性アモルフアス酸化物磁性体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182503A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61101450A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-20 | 新技術開発事業団 | 非晶質強磁性酸化物 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5788040A (en) * | 1980-11-13 | 1982-06-01 | Otsuka Chem Co Ltd | Inorganic amorphous material and its manufacture |
-
1983
- 1983-04-01 JP JP58055186A patent/JPS59182503A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59182503A (ja) | 1984-10-17 |
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