JPH0547556A - セミハード磁性膜およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 垂直記録媒体の下地層には飽和磁化が大きく
かつ保磁力が３０〜３００ Oe のセミハード磁性膜が適
するが、磁気的な異方性を生じ保磁力が変動する問題が
あった。本願は等方的なセミハード磁性膜と、これを安
定に作製できる無電解めっき法による製造方法を提供す
る。 【構成】 構成成分として少なくともＣｏ、Ｍｎおよび
Ｂからなる面内磁気異方性薄膜とする。その膜は、金属
イオンとしてコバルトイオン、マンガンイオン、添加剤
として少なくとも前記金属イオンの還元剤としてのジメ
チルアミンボランまたはジエチルアミンボランを含む水
溶液に、錯化剤としてクエン酸基およびリンゴ酸基を添
加した無電解めっき浴から得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、垂直記録に適用される
磁気記録媒体の下地層などに用いられるセミハ―ド磁性
膜およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、一般の磁気ディスク装置、磁気テ
―プ装置などの磁気記録装置においては、磁気記録媒体
の長手方向に磁化することにより記録を行ってきたが、
この方式では記録密度の増加に伴って媒体内の反磁界が
増大して残留磁化の減衰と回転を生じ、再生出力が著し
く減少するという欠点が存在する。このため記録密度が
増加するほど反磁界が小さくなり、高密度記録が可能な
垂直記録方式と、この垂直記録に適した磁気記録媒体と
して膜厚に垂直な方向に磁化容易なＣｏＣｒスパッタ膜
が提案されている（特開昭５２−１３４７０６号公
報）。このような垂直記録を効率良く行うため、２層構
造磁性膜を有する磁気記録体が提案されている（特公昭
５８−９１号公報）。２層構造磁性膜は垂直磁気記録層
（磁気記録媒体）と低保磁力の下地層からなり、この下
地層は垂直磁気記録層の裏面の磁極を打ち消す作用をす
るため減磁作用が減少し、再生出力の増大を図ることが
できる。２層構造磁性膜の下地層としては、主としてス
パッタ法によるＦｅＮｉ膜（パ―マロイ）、ＭｏＦｅＮ
ｉ膜（モリブデンパ―マロイ）、ＣｏＺｒ膜、ＣｏＺｒ
Ｎｂ膜などの軟磁性膜が使用される。しかし、垂直磁気
記録層（磁気記録媒体）の下地層として軟磁性膜を用い
る場合、再生出力は向上するが、低保磁力のため磁壁移
動が起こりやすく、ノイズが発生しやすい。このため軟
磁性膜のかわりに、コバルトまたはコバルト−ニッケル
合金のセミハ―ド磁性膜を使用することが提案されてい
る（特開平２−１８７１０号公報）。そしてこのセミハ
―ド磁性膜の保磁力は、３０ Oe より小さいとスパイク
ノイズの原因となり、３００ Oe より大きいと下地層へ
の記録が難しくなるため（裏面の磁極を打ち消す作用が
減じるため）、３０〜３００ Oe の範囲であることが好
ましいとされている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような下地層は、
スパッタ、蒸着、イオンプレ―ティングなどの乾式成膜
法によって作製されており、この場合、真空系内で行う
ため量産性に問題がある。このため、製造上の問題点を
改善して量産性に優れた無電解めっき法により作製され
た下地層の適用が検討されている。これには、無電解Ｎ
ｉＦｅＰめっき膜、無電解ＮｉＰめっき膜、無電解Ｎｉ
ＷＰめっき膜などが適用されているが、このうち飽和磁
化が４００ｅｍｕ／ｃｃと比較的大きいＮｉＦｅＰ膜を
使用した場合に最も大きな再生出力が得られる（アイ・
イ―・イ―・イ―・トランザクション・オン・マグネチ
ックス（IEEE Transaction on Magnetics）第Ｍａｇ−
２３巻，第２３５６〜２３５８頁，１９８７年）。ま
た、無電解めっき法では飽和磁化が１４００ｅｍｕ／ｃ
ｃ程度（ＮｉＦｅＰ膜の約３．５倍の値）と大きいＣｏ
Ｂ膜が作製可能であり、より出力増大効果が期待され
る。無電解ＣｏＢめっき浴としては、酒石酸を錯化剤と
する苛性アルカリ性めっき浴がある（日本応用磁気学会
学術講演概要集、第４８３頁、１９８９年）。しかし、
Ｃｏ合金の軟磁性膜またはセミハード磁性膜には、従来
一般に磁気特性に異法性を生じやすいという問題があっ
た。それは、膜面内のある方向に磁気測定したＭＨルー
プは矩形に近い形状をしている（磁化容易方向）が、膜
面内のその直交する方向に測定すると角形性は劣り、保
磁力が減少する（磁化困難方向）という現象である。ま
た、測定方向によっては、その中間状態の場合もある
が、いずれにしても磁気特性に異方性が生じていると、
どこかに磁化容易方向と磁化困難方向がある。磁化容易
方向が記録再生の方向と一致しない場合には、記録再生
特性を変動させる要因となる。めっき中に磁場をかけて
異方性を制御することが考えられるが、磁気ディスクの
ような形状において、円周方向に一定の磁場をかけるこ
とは困難である。また、無電解めっきで一括多量生産す
る場合、磁場を加えることは、より困難となる。本発明
の目的は、従来の問題を改善して、３０〜３００ Oe の
保磁力を有し、飽和磁化が大きいＣｏ系合金からなり、
磁気特性に異方性が殆ど生じない等方的なセミハ―ド磁
性膜と、これを安定に作製するための無電解めっき法を
用いたセミハ―ド磁性膜の製造方法を提供することにあ
る。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、構成成分とし
て少なくともＣｏ、ＭｎおよびＢを含む面内磁気異方性
薄膜であって、その面内方向の保磁力が３０〜３００ O
e であることを特徴とするセミハード磁性膜である。ま
た、本発明のセミハード磁性膜の製造方法は、金属イオ
ンとしてコバルトイオンおよびマンガンイオンを含み、
前記金属イオンの還元剤としてのジメチルアミンボラン
またはジエチルアミンボランを含み、添加剤として、少
なくとも前記金属イオンの錯化剤としてのクエン酸基お
よびリンゴ酸基を含む水溶液を用いて、無電解めっき法
によって形成することを特徴とする。本発明のセミハー
ド磁性膜のＭｎ含有量は、０．０２〜１０重量％、好ま
しくは０．１〜１０重量％の範囲である。Ｍｎ含有量
０．０２重量％から効果が現れ始め、例えば磁気ディス
クの同一円周上の保磁力の変動を調べた場合、変動を±
２０％に抑えられるが、０．１重量％以上になると保磁
力の変動は±７％内と著しい効果がある。無電解めっき
でＭｎ含有量を１０重量％以上にすることは難しく、ま
た飽和磁化も１０００ｅｍｕ／ｃｃ以下に減少する。本
発明において用いられる無電解めっき浴の主要成分とし
ては、金属イオンとしてコバルトイオンおよびマンガン
イオン、前記金属イオンの還元剤としてのジメチルアミ
ンボランまたはジエチルアミンボラン、前記金属イオン
の錯化剤としてクエン酸基およびリンゴ酸基を含むが、
本発明の目的、効果を損なわない範囲において、ｐＨ緩
衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、ピンホ―ル防止剤、界
面活性剤等の添加剤をさらに用いることができる。

【０００５】コバルトイオンは、コバルトの硫酸塩、塩
化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解
することによって供給される。コバルトイオンの濃度
は、０．００５〜０．５ｍｏｌ／ｌの範囲が用いられる
が、好ましくは０．０１〜０．３ｍｏｌ／ｌの範囲であ
る。マンガンイオンは、マンガンの硫酸塩、塩化塩、酢
酸塩などの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解すること
によって供給される。マンガンイオンの濃度は、０．０
０１〜０．４ｍｏｌ／ｌの範囲が用いられるが、好まし
くは、０．００５〜０．２ｍｏｌ／ｌの範囲である。本
発明において用いられる金属イオンとしては、コバルト
およびマンガンを主成分とするが、少量のＮｉ，Ｆｅ，
Ｂｅ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｒｕ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｎ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔａ，Ｉｒ，Ｈｇ，Ｔ
ｌ，Ｎｂ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｇａ，
Ｇｅ，Ｗ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｓ
ｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｏｓ，Ｐｂ，Ｒｅ，Ｂｉ
等のイオンを本発明の効果を損なわない範囲で含んでい
てもよい。還元剤としては、ジメチルアミンボランまた
はジエチルアミンボランないしはこれらの誘導体が、
０．０００１〜０．３ｍｏｌ／ｌ、好ましくは０．００
５〜０．１ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられる。

【０００６】錯化剤としてのクエン酸基は、クエン酸ま
たはクエン酸ナトリウム、クエン酸カリウムなどの可溶
性塩によって供給される。これらは、０．００１〜０．
８ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられるが、０．０１〜０．２
５ｍｏｌ／ｌの範囲が好ましい。錯化剤としてのリンゴ
酸基は、リンゴ酸またはリンゴ酸ナトリウム、リンゴ酸
カリウムなどの可溶性塩によって供給される。これら
は、０．００１〜２ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられるが、
０．０５〜１．１ｍｏｌ／ｌの範囲が好ましい。また錯
化剤としてはこのほかに、ギ酸，酢酸，プロピオン酸，
酪酸，イソ酪酸，吉草酸，イソ吉草酸，シュウ酸，グル
タル酸，マレイン酸，酒石酸，フマル酸，シトラコン
酸，イタコン酸，トリカルバリル酸，コハク酸，マロン
酸，グリコ―ル酸，チオグリコ―ル酸，乳酸，β−ヒド
ロキシプロピオン酸，ピルビン酸，オキサル酢酸，ジグ
リコ―ル酸，チオジグリコ―ル酸，メルカプトコハク
酸，ジメルカプトコハク酸，安息香酸，マンデル酸，フ
タル酸，サリチル酸，アスコルビン酸，スルホサリチル
酸，トロポロン，３−メチルトロポロン，タイロン等の
カルボン酸、エチレンジアミン，ジエチレントリアミ
ン，トリエチレンテトラアミン，ピリジン等のアミンお
よびその誘導体、イミノジ酢酸，イミノジプロピオン
酸，ニトリロトリ酢酸，ニトリロトリプロピオン酸，エ
チレンジアミンジ酢酸，エチレンジアミンテトラ酢酸，
エチレンジアミンテトラプロピオン酸，ジエチレントリ
アミンペンタ酢酸等のアミノポリカルボン酸、アラニ
ン，ザルコシン，バリン，ノルロイシン，チロシン，シ
ステイン，グルタミン酸，グリシン，アスパラギン酸，
アスパラギン，ヒスチジン等のアミノ酸、グルコン酸，
アロン酸，イドン酸，ガラクトン酸，グロン酸，タロン
酸，マンノン酸等のヘキソン酸、ピロリン酸などの弱酸
またはそれらの可溶性塩の１種または２種以上の組み合
わせを本発明の効果を損なわない範囲で用いてもよい。

【０００７】ｐＨ緩衝剤としては、硫酸アンモニウム，
塩化アンモニウムなどのアンモニウム塩、ホウ酸などが
使用される。濃度範囲は０．００１〜２ｍｏｌ／ｌ、好
ましくは０．０３〜０．７ｍｏｌ／ｌが用いられる。ｐ
Ｈ調節剤としては、アンモニアまたは苛性アルカリとし
てＮａＯＨ，ＬｉＯＨ，ＫＯＨ等の水酸化物が、１種ま
たは２種以上を組み合わせて用いられる。またアンモニ
アと苛性アルカリを併用することも行われる。通常、ｐ
Ｈ調節剤を加えない建浴前のめっき液はほぼ中性ないし
酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ性にｐＨ
調節される。所要のｐＨを上回った場合、ｐＨ降下には
塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用いられる。ｐＨ範囲
は４〜１３、好ましくは７〜１１の間で用いられる。

【０００８】

【作用】無電解めっき膜のめっき粒子は、中心部がＣｏ
リッチとなり、ＢやＰといった混入元素は外側に分布し
て非磁性に近い層をつくり、Ｃｏリッチな部分を包み込
む構造をとると考えられている。無電解めっきＣｏＰ合
金膜では２〜５％程度ものＰを共析させることができる
ため、このような非磁性層が厚くなり、Ｃｏ粒子の磁気
的な孤立化が進み、数百 Oe 以上の高保磁力の硬質磁性
膜が得られることになる。また、磁気異方性は、面内に
等方性となりやすい。一方、無電解めっきＣｏＢ合金膜
では、通常Ｂ共析量が１％以下と少なく純Ｃｏに近いＣ
ｏＢ合金膜となるため、数 Oe 程度ないしはそれ以下と
いった軟磁性膜が得られやすいとされる。純Ｃｏに近い
軟磁性膜の場合、成膜中に地磁気の影響を受けやすいほ
かに、局所的なわずかな組成の差異や応力などの要因
で、結晶磁気異方性や歪磁気異方性がある方向に生じや
すいと考えられる。このため発明者らは、わずかの要因
で異方性を生じないようＣｏＢ合金膜に第３の元素を加
えて等方的な膜構造を得ることを実験的に広範囲に検討
した結果、マンガンの添加が有効であることが明らかと
なった。また、無電解ＣｏＭｎＢめっき浴にクエン酸基
とリンゴ酸基を錯化剤として使用することにより、飽和
磁化の大きいセミハード磁性膜が安定に得られ、本発明
の目的に適用できることも見い出した。本発明は、この
ような知見を得たことによりもたらされたものである。

【０００９】

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。 実施例１ ８．２５インチ径のアルミ合金円板上に、非磁性ＮｉＰ
層をめっきし、表面を鏡面研磨してディスク基板とし
た。この基板上に、下記の無電解めっき浴を用いて膜厚
０．０５μｍのＣｏＭｎＢ膜を形成した。 無電解めっき浴（１） 浴組成 硫酸コバルト ０．１０ ｍｏｌ／ｌ 硫酸マンガン ０〜０．１１ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ０．０１５ ｍｏｌ／ｌ 硫酸アンモニウム ０．１ ｍｏｌ／ｌ リンゴ酸ナトリウム ０．４ ｍｏｌ／ｌ クエン酸ナトリウム ０．０４ ｍｏｌ／ｌめっき条件 浴温 ７０℃ めっき浴のｐＨ ８．０（室温にてアンモ
ニアでｐＨ調節） ディスク基板の半径８０〜９０ｍｍにおいて直径１０ｍ
ｍに切り出し、測定試料とした。硫酸マンガン濃度をか
えて得られたＣｏＢ膜またはＣｏＭｎＢ膜の磁気特性を
振動試料式磁力計を用いて測定した結果を図２に示す。
膜面内の方向を変えて測定し、保磁力が最大となる方向
が磁化容易方向であるが、その保磁力Ｈｃは、硫酸マン
ガンを加えない場合、６５ Oe であった。硫酸マンガン
濃度の添加によってＨｃを増加させることができ、０．
０５ｍｏｌ／ｌで９０ Oe となった。

【００１０】次にディスク基板の半径８０〜９０ｍｍに
おいて、３０度おきに直径１０ｍｍの測定試料を切り出
し、円周方向に保磁力を測定した。硫酸マンガン０ｍｏ
ｌ／ｌ、０．００５ｍｏｌ／ｌおよび０．０５ｍｏｌ／
ｌの場合の保磁力測定結果を図１に示す。硫酸マンガン
０ｍｏｌ／ｌの場合は角度０度においてほぼ磁化容易方
向であり、保磁力が６５ Oe であったが、角度１２０度
ではほぼ磁化困難方向となり、保磁力は２５ Oe であっ
た。磁気特性に異方性が生じており、同一円周上の保磁
力の変動は±４５％にも達した。硫酸マンガン０．００
５ｍｏｌ／ｌの場合、保磁力は６６〜７３ Oe の範囲に
あり、同一円周上の保磁力の変動は±５％に減少した。
硫酸マンガン濃度の増加とともに保磁力の変動が減少
し、硫酸マンガン０．０５ｍｏｌ／ｌの場合、同一円周
上の保磁力の変動は±２％に減少した。硫酸マンガン濃
度をさらに増加した場合も保磁力の変動は±２％に抑え
られたが、０．１１ｍｏｌ／ｌを越えるとめっき析出が
次第に困難となった。硫酸マンガン０．００５ｍｏｌ／
ｌの場合、膜中のＭｎ含有量は０．１重量％であり、飽
和磁化は１３７０ｅｍｕ／ｃｃと大きな値を示した。硫
酸マンガン濃度とともに膜中のＭｎ含有量が増加し、飽
和磁化は減少するが、０．００５〜０．１１ｍｏｌ／ｌ
の濃度範囲で得られるＣｏＭｎＢ膜の飽和磁化は１００
０ｅｍｕ／ｃｃ以上の大きな値を示した。また、０．０
０５〜０．１１ｍｏｌ／ｌの濃度範囲ではめっき浴は安
定であった。

【００１１】実施例２ 実施例１と同様にして膜厚０．１μｍのＣｏＭｎＢ膜を
形成したが、本実施例では下記の無電解めっき浴を用い
た。 無電解めっき浴（２）浴組成 硫酸コバルト ０．０５ ｍｏｌ／ｌ 硫酸マンガン ０〜０．１ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ０．０１ ｍｏｌ／ｌ 硫酸アンモニウム ０．１ ｍｏｌ／ｌ リンゴ酸ナトリウム ０．５ ｍｏｌ／ｌ クエン酸ナトリウム ０．１８ ｍｏｌ／ｌめっき条件 浴温 ７０℃ めっき浴のｐＨ ９．０（室温にてアンモ
ニアでｐＨ調節） 硫酸マンガン濃度をかえて得られたＣｏＢ膜またはＣｏ
ＭｎＢ膜の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。
磁化容易方向の保磁力についてみると、硫酸マンガンを
加えない場合１５ Oe であったが、硫酸マンガン濃度の
添加によってＨｃを増加させることができ、０．００５
ｍｏｌ／ｌで３０ Oe となった。さらに硫酸マンガン濃
度が増すとＨｃが増加し、０．０４ｍｏｌ／ｌで最大値
６５ Oeとなった後やや減少し、０．１ｍｏｌ／ｌで６
０ Oeとなる。同一円周上の保磁力の変動については、
硫酸マンガン０ｍｏｌ／ｌの場合±５５％にも達した
が、硫酸マンガン０．００５ｍｏｌ／ｌで±７％に減少
し、硫酸マンガン０．０４ｍｏｌ／ｌで±３．５％に減
少した。硫酸マンガン濃度をさらに増加した場合も保磁
力の変動は±３．５％内に抑えられたが、０．１ｍｏｌ
／ｌを越えるとめっき析出が次第に困難となった。硫酸
マンガン０．００５ｍｏｌ／ｌの場合の膜中のＭｎ含有
量は０．１重量％であり、飽和磁化は１３８０ｅｍｕ／
ｃｃと大きな値を示した。硫酸マンガン濃度とともに膜
中のＭｎ含有量が増加し飽和磁化は減少するが、０．０
０５〜０．１ｍｏｌ／ｌの濃度範囲で得られるＣｏＭｎ
Ｂ膜の飽和磁化は１０００ｅｍｕ／ｃｃ以上の大きな値
を示した。また、０．００５〜０．１ｍｏｌ／ｌの濃度
範囲ではめっき浴は安定であった。

【００１２】実施例３ 実施例１と同様にして膜厚０．１μｍのＣｏＭｎＢ膜を
形成したが、本実施例では下記の無電解めっき浴を用い
た。 無電解めっき浴（３） 浴組成 塩化コバルト ０．１５ ｍｏｌ／ｌ 硫酸マンガン ０〜０．２５ｍｏｌ／ｌ ジメチルアミンボラン ０．０２ ｍｏｌ／ｌ 硫酸アンモニウム ０．２５ ｍｏｌ／ｌ リンゴ酸ナトリウム ０．４ ｍｏｌ／ｌ クエン酸ナトリウム ０．３５ ｍｏｌ／ｌめっき条件 浴温 ７０℃ めっき浴のｐＨ １０．０（室温にてアンモ
ニアでｐＨ調節） 硫酸マンガン濃度をかえて得られたＣｏＢ膜またはＣｏ
ＭｎＢ膜の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。
磁化容易方向の保磁力についてみると、硫酸マンガンを
加えない場合１９５ Oe であったが、硫酸マンガン濃度
の添加によってＨｃを増加させることができ、０．０１
ｍｏｌ／ｌで２３０ Oe となった。さらに硫酸マンガン
濃度が増すとＨｃが増加し、０．１４ｍｏｌ／ｌで最大
値２９５Oe となった後減少し、０．２５ｍｏｌ／ｌで
２５０ Oe となる。同一円周上の保磁力の変動について
は、硫酸マンガン０ｍｏｌ／ｌの場合±５０％にも達し
たが、硫酸マンガン０．０１ｍｏｌ／ｌで±６％に減少
し、硫酸マンガン０．１４ｍｏｌ／ｌで±２．５％に減
少した。硫酸マンガン濃度をさらに増加した場合も保磁
力の変動は±２．５％内に抑えられたが、０．２５ｍｏ
ｌ／ｌを越えるとめっき析出が次第に困難となった。硫
酸マンガン０．０１ｍｏｌ／ｌの場合の膜中のＭｎ含有
量は０．１２重量％であり、飽和磁化は１３６０ｅｍｕ
／ｃｃと大きな値を示した。硫酸マンガン濃度とともに
膜中のＭｎ含有量が増加し飽和磁化は減少するが、０．
０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌの濃度範囲で得られるＣｏＭ
ｎＢ膜の飽和磁化は１０００ｅｍｕ／ｃｃ以上の大きな
値を示した。また、０．０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌの濃
度範囲ではめっき浴は安定であった。

【００１３】実施例４ 実施例１と同様にして膜厚０．１μｍのＣｏＭｎＢ膜を
形成したが、本実施例では下記の無電解めっき浴を用い
た。 無電解めっき浴（４） 浴組成 硫酸コバルト ０．０９ ｍｏｌ／ｌ 硫酸マンガン ０〜０．１５ｍｏｌ／ｌ ジエチルアミンボラン ０．０１６ ｍｏｌ／ｌ 硫酸アンモニウム ０．３ ｍｏｌ／ｌ リンゴ酸ナトリウム ０．３５ ｍｏｌ／ｌ クエン酸ナトリウム ０．０５ ｍｏｌ／ｌめっき条件 浴温 ７５℃ めっき浴のｐＨ ８．５（室温にてアンモニ
アでｐＨ調節） 硫酸マンガン濃度をかえて得られたＣｏＢ膜またはＣｏ
ＭｎＢ膜の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。
磁化容易方向の保磁力についてみると、硫酸マンガンを
加えない場合５５ Oe であったが、硫酸マンガン濃度の
添加によってＨｃを増加させることができ、０．０１ｍ
ｏｌ／ｌで８５ Oe となった。さらに硫酸マンガン濃度
が増すとＨｃが増加し、０．０６ｍｏｌ／ｌで最大値１
０５ Oeとなった後減少し、０．１５ｍｏｌ／ｌで９５
Oe となる。同一円周上の保磁力の変動については、硫
酸マンガン０ｍｏｌ／ｌの場合±４０％にも達したが、
硫酸マンガン０．０１ｍｏｌ／ｌで±５．５％に減少
し、硫酸マンガン０．０６ｍｏｌ／ｌで±２．５％に減
少した。硫酸マンガン濃度をさらに増加した場合も保磁
力の変動は±２．５％内に抑えられたが、０．１５ｍｏ
ｌ／ｌを越えるとめっき析出が次第に困難となった。硫
酸マンガン０．０１ｍｏｌ／ｌの場合の膜中のＭｎ含有
量は０．１重量％であり、飽和磁化は１３６５ｅｍｕ／
ｃｃと大きな値を示した。硫酸マンガン濃度とともに膜
中のＭｎ含有量が増加し飽和磁化は減少するが、０．０
１〜０．１５ｍｏｌ／ｌの濃度範囲で得られるＣｏＭｎ
Ｂ膜の飽和磁化は１０００ｅｍｕ／ｃｃ以上の大きな値
を示した。また、０．０１〜０．１５ｍｏｌ／ｌの濃度
範囲ではめっき浴は安定であった。

【００１４】なお、実施例１〜４ではアルミ合金板上
に、非磁性ＮｉＰ層をめっきした基板を使用したが、無
電解Ｃｕめっき層、電解Ｃｕめっき層、無電解ＮｉＣｕ
Ｐめっき層、無電解ＮｉＳｎＰめっき層 、無電解Ｎｉ
ＷＰめっき層、無電解ＮｉＷＰめっき層などのＮｉＰ以
外のめっき層を形成した基板や、銅基板、黄銅基板、適
当な触媒処理をしたプラスチック、ガラスなどの非金属
基板等の基板を用いた場合も同様に磁気特性の異方性が
抑制された等方的なセミハード磁性膜の特性が得られ
た。また、ＣｏＭｎＢめっき膜の膜厚も実施例の０．０
５および０．１μｍに限定されることはなく、０．００
５〜１０μｍの範囲において磁気特性の異方性が抑制さ
れた等方的なセミハード磁性膜の特性を得ることが可能
であった。

【００１５】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によるＣ
ｏＭｎＢセミハード磁性膜は、保磁力が３０〜３００ O
e で飽和磁化も１０００ｅｍｕ／ｃｃ以上と大きく、か
つ磁気特性の異方性が抑制された等方的な膜であるた
め、垂直磁気記録層の下地膜として最適であり、工業的
に有用である。また、このセミハード磁性膜は、無電解
めっき法によって安定に製造することができ量産性にも
優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例において硫酸マンガン濃度
０、０．００５および０．０５ｍｏｌ／ｌのめっき浴か
ら得られるＣｏＭｎＢセミハード磁性膜の保磁力の同一
円周上の変動を示す図である。

【図２】本発明の一実施例で得られるＣｏＭｎＢセミハ
ード磁性膜の保磁力とめっき浴の硫酸マンガン濃度との
関係を示す図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 構成成分として少なくともＣｏ、Ｍｎお
   よびＢを含む面内磁気異方性薄膜であって、その面内方
   向の保磁力が３０〜３００ Oe であることを特徴とする
   セミハード磁性膜。
2. 【請求項２】 金属イオンとしてコバルトイオンおよび
   マンガンイオンを含み、前記金属イオンの還元剤として
   のジメチルアミンボランまたはジエチルアミンボランを
   含み、添加剤として、少なくとも前記金属イオンの錯化
   剤としてのクエン酸基およびリンゴ酸基を含む水溶液を
   用いて、無電解めっき法によって形成することを特徴と
   するセミハード磁性膜の製造方法。