JPH08981B2 - 無電解めっき浴 - Google Patents
無電解めっき浴Info
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- JPH08981B2 JPH08981B2 JP2269001A JP26900190A JPH08981B2 JP H08981 B2 JPH08981 B2 JP H08981B2 JP 2269001 A JP2269001 A JP 2269001A JP 26900190 A JP26900190 A JP 26900190A JP H08981 B2 JPH08981 B2 JP H08981B2
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- mol
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気記録媒体（磁性膜）の膜厚方向の磁化
によって記録を行なう、いわゆる垂直記録に用いる磁気
記録媒体を作製するめっき浴に関するものである。
によって記録を行なう、いわゆる垂直記録に用いる磁気
記録媒体を作製するめっき浴に関するものである。
（従来の技術） 従来、一般の磁気ディスク装置、磁気テープ装置など
の磁気記録装置においては、磁気記録媒体の長手方向に
磁化することにより記録を行ってきたが、この方式では
記録密度の増加に従って媒体内の反磁界が増大して残留
磁化の減衰と回転を生じ、再生出力が著しく減少すると
いう欠点が存在する。このため記録密度が増加するほど
反磁界が小さくなり、高密度記録が可能な垂直記録方式
と、この垂直記録に適した記録媒体としてCoCrスパッタ
膜が提案されている（特開昭52-134706号公報）。その
後このような垂直記録媒体として、CoCrスパッタ膜のほ
かに、スパッタ、蒸着などの乾式成膜法によるCoM、CoC
rM（Ｍは第３元素）などのCo合金膜、Fe合金膜、Os添加
フェライト膜、Baフェライト膜などが開発されてきた
が、これらの膜を乾式成膜法によって作製する場合、真
空系内で行なうため量産性に問題がある。
の磁気記録装置においては、磁気記録媒体の長手方向に
磁化することにより記録を行ってきたが、この方式では
記録密度の増加に従って媒体内の反磁界が増大して残留
磁化の減衰と回転を生じ、再生出力が著しく減少すると
いう欠点が存在する。このため記録密度が増加するほど
反磁界が小さくなり、高密度記録が可能な垂直記録方式
と、この垂直記録に適した記録媒体としてCoCrスパッタ
膜が提案されている（特開昭52-134706号公報）。その
後このような垂直記録媒体として、CoCrスパッタ膜のほ
かに、スパッタ、蒸着などの乾式成膜法によるCoM、CoC
rM（Ｍは第３元素）などのCo合金膜、Fe合金膜、Os添加
フェライト膜、Baフェライト膜などが開発されてきた
が、これらの膜を乾式成膜法によって作製する場合、真
空系内で行なうため量産性に問題がある。
このためこの様な製造上の問題点を改善して量産性に
優れた無電解めっき法により、垂直記録媒体を作製する
方法が開発されている。この方法に用いるめっき浴に
は、無電解CoMnPめっき浴（特開昭57-140869号公報）、
無電解CoNiMnPめっき浴（特開昭58-058267号公報）、無
電解CoNiMnRePめっき浴（特開昭60-103181号公報）が見
出されている。コバルト合金磁性膜において垂直異方性
を有するためには、hcpCo（六方晶）のｃ軸を主として
基板に垂直配向させることが必要条件であり、まずCoP
あるいはCoNiPのめっき浴にMnを添加し、CoMnP、CoNiMn
Pなどの合金膜とすることによって良好な垂直配向性が
得られた。さらにCoNiMnPにReを添加して磁気特性が改
善された。
優れた無電解めっき法により、垂直記録媒体を作製する
方法が開発されている。この方法に用いるめっき浴に
は、無電解CoMnPめっき浴（特開昭57-140869号公報）、
無電解CoNiMnPめっき浴（特開昭58-058267号公報）、無
電解CoNiMnRePめっき浴（特開昭60-103181号公報）が見
出されている。コバルト合金磁性膜において垂直異方性
を有するためには、hcpCo（六方晶）のｃ軸を主として
基板に垂直配向させることが必要条件であり、まずCoP
あるいはCoNiPのめっき浴にMnを添加し、CoMnP、CoNiMn
Pなどの合金膜とすることによって良好な垂直配向性が
得られた。さらにCoNiMnPにReを添加して磁気特性が改
善された。
しかし、媒体特性は膜構造および膜組成と密接な関係
があり、多元合金膜の構造・組成を制御して良好な媒体
特性を得ることは容易ではない。このため合金系を単純
化することが研究された。まず、タルトロン酸がCoのｃ
軸垂直配向のために極めて有効な錯化剤であることが分
り、CoNiMnReP膜中にMnを用いることなく垂直配向させ
ることが可能となった（特開昭61-003316号公報）。し
かし、タルトロン酸は高価であるため、タルトロン酸を
用いないでグリコール酸およびリンゴ酸を含むことを特
徴とした無電解めっき浴によって、CoNiP垂直媒体膜が
得られている（第13回日本応用磁気学会学術講演概要
集、294頁、1989年11月24日）。
があり、多元合金膜の構造・組成を制御して良好な媒体
特性を得ることは容易ではない。このため合金系を単純
化することが研究された。まず、タルトロン酸がCoのｃ
軸垂直配向のために極めて有効な錯化剤であることが分
り、CoNiMnReP膜中にMnを用いることなく垂直配向させ
ることが可能となった（特開昭61-003316号公報）。し
かし、タルトロン酸は高価であるため、タルトロン酸を
用いないでグリコール酸およびリンゴ酸を含むことを特
徴とした無電解めっき浴によって、CoNiP垂直媒体膜が
得られている（第13回日本応用磁気学会学術講演概要
集、294頁、1989年11月24日）。
一般に膜面に垂直な方向に磁化容易となる条件は、媒
体の異方性エネルギーをKu、膜固有の垂直異方性エネル
ギーをＫ⊥、形状異方性エネルギーを２πMs2（Msは飽
和磁化）としたとき、Ｋ⊥＞２πMs2あるいは、Ku＝Ｋ
⊥−２πMs2＞０の関係があることである。（これは、
媒体の垂直異方性磁界Hkと反磁界の最大値４πMsとの間
にHk＞４πMsの関係があるということと同様である。）
垂直記録媒体においては必ずしもこの条件を満たす必要
はないが、KuあるいはHkが大きな値をもつほど媒体特性
として好ましいといえる。高密度記録を得るためには、
通常少なくとも2.0kOe程度以上のHk値であることが好ま
しい。
体の異方性エネルギーをKu、膜固有の垂直異方性エネル
ギーをＫ⊥、形状異方性エネルギーを２πMs2（Msは飽
和磁化）としたとき、Ｋ⊥＞２πMs2あるいは、Ku＝Ｋ
⊥−２πMs2＞０の関係があることである。（これは、
媒体の垂直異方性磁界Hkと反磁界の最大値４πMsとの間
にHk＞４πMsの関係があるということと同様である。）
垂直記録媒体においては必ずしもこの条件を満たす必要
はないが、KuあるいはHkが大きな値をもつほど媒体特性
として好ましいといえる。高密度記録を得るためには、
通常少なくとも2.0kOe程度以上のHk値であることが好ま
しい。
一方、大きな再生出力を得るためにはMs値を大きくす
ることが望ましい。すなわちアイ・イー・イー・イート
ランザクション オン マグネチックス（IEEE Transac
tion on Magnetics）第Mag-18巻、第２号、第769〜771
頁によれば、Ms＜（3/4π）Hc（⊥）（Hc（⊥）は媒体
の垂直方向の保磁力）の条件下において再生出力値はMs
に比例するとされている。また前記文献においてMs≧
（3/4π）Hc（⊥）の場合、再生出力はHc（⊥）に比例
するとされている。従って、再生出力を大きくするに
は、Hc（⊥）を大きくし、十分な垂直磁気異方性を有す
る範囲内でMsを大きくする必要がある。実際上は、使用
する磁気ヘッドの種類または記録条件によってHc（⊥）
の値が制限を受けるため、要求される記録密度および出
力に応じて適するHc（⊥）値を選択しうることが望まし
い。
ることが望ましい。すなわちアイ・イー・イー・イート
ランザクション オン マグネチックス（IEEE Transac
tion on Magnetics）第Mag-18巻、第２号、第769〜771
頁によれば、Ms＜（3/4π）Hc（⊥）（Hc（⊥）は媒体
の垂直方向の保磁力）の条件下において再生出力値はMs
に比例するとされている。また前記文献においてMs≧
（3/4π）Hc（⊥）の場合、再生出力はHc（⊥）に比例
するとされている。従って、再生出力を大きくするに
は、Hc（⊥）を大きくし、十分な垂直磁気異方性を有す
る範囲内でMsを大きくする必要がある。実際上は、使用
する磁気ヘッドの種類または記録条件によってHc（⊥）
の値が制限を受けるため、要求される記録密度および出
力に応じて適するHc（⊥）値を選択しうることが望まし
い。
（発明が解決しようとする課題） 前記の無電解CoNiPめっき浴を用いることにより、従
来のCoNiMnP、CoNiMnReP、CoNiRePなどの合金膜に比較
して単純化された合金系の垂直記録媒体が得られる。し
かし、多元合金膜で得られる特性を単純化された合金膜
で得るため、めっき反応の制御がより重要となる。この
ため浴系が複雑になり、より制御が難しいめっき浴とな
っていた。すなわち前記の無電解CoNiPめっき浴では、
錯化剤として少なくともグリコール酸およびリンゴ酸を
含むことを特徴としているが、めっき浴にグリコール酸
を使用した場合媒体特性を再現性良く得ることは容易で
はない。このためグリコール酸使用の必要がなく単純化
された無電解CoNiPめっき浴が要望されていた。
来のCoNiMnP、CoNiMnReP、CoNiRePなどの合金膜に比較
して単純化された合金系の垂直記録媒体が得られる。し
かし、多元合金膜で得られる特性を単純化された合金膜
で得るため、めっき反応の制御がより重要となる。この
ため浴系が複雑になり、より制御が難しいめっき浴とな
っていた。すなわち前記の無電解CoNiPめっき浴では、
錯化剤として少なくともグリコール酸およびリンゴ酸を
含むことを特徴としているが、めっき浴にグリコール酸
を使用した場合媒体特性を再現性良く得ることは容易で
はない。このためグリコール酸使用の必要がなく単純化
された無電解CoNiPめっき浴が要望されていた。
本発明の目的は、従来の問題を改善して、垂直記録媒
体として優れた特性をもち、適切なHc（⊥）値を有する
CoNiP膜を再現性良く安定に作製できる無電解めっき浴
を提供することにある。
体として優れた特性をもち、適切なHc（⊥）値を有する
CoNiP膜を再現性良く安定に作製できる無電解めっき浴
を提供することにある。
（課題を解決するための手段） 本発明によるCoNiP垂直記録媒体の無電解めっき浴
は、金属イオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン
を含み、添加剤として少なくとも次亜リン酸または次亜
リン酸塩の１種以上よりなる前記金属イオンの還元剤を
含み、前記金属イオンの錯化剤として酒石酸基、マロン
酸基およびリンゴ酸基を含む無電解めっき浴であって、
リンゴ酸基の濃度が0.3〜1.0mol/lの範囲であることを
特徴としている。
は、金属イオンとしてコバルトイオン、ニッケルイオン
を含み、添加剤として少なくとも次亜リン酸または次亜
リン酸塩の１種以上よりなる前記金属イオンの還元剤を
含み、前記金属イオンの錯化剤として酒石酸基、マロン
酸基およびリンゴ酸基を含む無電解めっき浴であって、
リンゴ酸基の濃度が0.3〜1.0mol/lの範囲であることを
特徴としている。
本発明において用いられる無電解めっき浴の主要成分
としては、金属イオンとして少なくともコバルトイオン
およびニッケルイオンを含み、添加剤として少なくとも
前記金属イオンの還元剤を含む水溶液に、前記金属イオ
ンの錯化剤としてマロン酸基、酒石酸基およびリンゴ酸
基を含むが、本発明の目的、効果を損なわない範囲にお
いて、pH緩衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、ピンホール
防止剤、界面活性剤等の添加剤が用いられることがあ
る。
としては、金属イオンとして少なくともコバルトイオン
およびニッケルイオンを含み、添加剤として少なくとも
前記金属イオンの還元剤を含む水溶液に、前記金属イオ
ンの錯化剤としてマロン酸基、酒石酸基およびリンゴ酸
基を含むが、本発明の目的、効果を損なわない範囲にお
いて、pH緩衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、ピンホール
防止剤、界面活性剤等の添加剤が用いられることがあ
る。
コバルトイオン、ニッケルイオンは、コバルトまたは
ニッケルの硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無
電解めっき浴中に溶解することによって供給される。コ
バルトイオンの濃度は、0.0015〜1mol/lの範囲が用いら
れるが、好ましくは0.02〜0.15mol/lの範囲である。ニ
ッケルイオンの濃度は、0.01〜1mol/lの範囲が用いられ
るが、好ましくは0.03〜0.2mol/lの範囲である。
ニッケルの硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無
電解めっき浴中に溶解することによって供給される。コ
バルトイオンの濃度は、0.0015〜1mol/lの範囲が用いら
れるが、好ましくは0.02〜0.15mol/lの範囲である。ニ
ッケルイオンの濃度は、0.01〜1mol/lの範囲が用いられ
るが、好ましくは0.03〜0.2mol/lの範囲である。
還元剤としては、次亜リン酸または次亜リン酸塩の１
種以上が、0.01〜0.6mol/l、好ましくは0.07〜0.35mol/
lの範囲で用いられる。
種以上が、0.01〜0.6mol/l、好ましくは0.07〜0.35mol/
lの範囲で用いられる。
錯化剤としては、マロン酸やマロン酸ナトリウム、マ
ロン酸エチル、マロン酸メチルなどのマロン酸基および
酒石酸や酒石酸ナトリウム、酒石酸アンモニウム、酒石
酸カリウムナトリウム、酒石酸アンモニウムカリウム、
酒石酸ジエチルなどの酒石酸基およびリンゴ酸やリンゴ
酸ナトリウム、リンゴ酸カリウム、リンゴ酸エチルなど
のリンゴ酸基が使用される。マロン酸基は、マロン酸ま
たはマロン酸の可溶性塩が0.05〜1.7mol/lの範囲で用い
られるが、0.2〜0.9mol/lの範囲が好ましい。酒石酸基
は、酒石酸または酒石酸の可溶性塩が0.01〜1.2の範囲
で用いられるが、0.05〜0.6mol/lの範囲が好ましい。リ
ンゴ酸基は、リンゴ酸またはリンゴ酸の可溶性塩が0.3
〜1mol/lの範囲で用いられる。グリコール酸を使用する
ことなくCoNiP垂直記録媒体を得るためには、特にこの
濃度範囲のリンゴ酸基を用いて、マロン酸基および酒石
酸基と併用する必要がある。
ロン酸エチル、マロン酸メチルなどのマロン酸基および
酒石酸や酒石酸ナトリウム、酒石酸アンモニウム、酒石
酸カリウムナトリウム、酒石酸アンモニウムカリウム、
酒石酸ジエチルなどの酒石酸基およびリンゴ酸やリンゴ
酸ナトリウム、リンゴ酸カリウム、リンゴ酸エチルなど
のリンゴ酸基が使用される。マロン酸基は、マロン酸ま
たはマロン酸の可溶性塩が0.05〜1.7mol/lの範囲で用い
られるが、0.2〜0.9mol/lの範囲が好ましい。酒石酸基
は、酒石酸または酒石酸の可溶性塩が0.01〜1.2の範囲
で用いられるが、0.05〜0.6mol/lの範囲が好ましい。リ
ンゴ酸基は、リンゴ酸またはリンゴ酸の可溶性塩が0.3
〜1mol/lの範囲で用いられる。グリコール酸を使用する
ことなくCoNiP垂直記録媒体を得るためには、特にこの
濃度範囲のリンゴ酸基を用いて、マロン酸基および酒石
酸基と併用する必要がある。
pH緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩
などが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウ
ム、ホウ酸等を用いることが好ましい。濃度範囲は0.01
〜3mol/l、好ましくは0.03〜1mol/lが用いられる。
などが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウ
ム、ホウ酸等を用いることが好ましい。濃度範囲は0.01
〜3mol/l、好ましくは0.03〜1mol/lが用いられる。
pH調節剤としては、アンモニアまたは苛性アルカリと
してNaOH,LiOH,KOH,RbOH,CsOH,FrOH,Be(OH)2,Mg(OH)2,C
a(OH)2,Sr(OH)2,Ba(OH)2,Ra(OH)2等の金属の水酸化物
が、１種または２種以上を組み合わせて用いられる。ま
たアンモニアと苛性アルカリを併用することも行われ
る。
してNaOH,LiOH,KOH,RbOH,CsOH,FrOH,Be(OH)2,Mg(OH)2,C
a(OH)2,Sr(OH)2,Ba(OH)2,Ra(OH)2等の金属の水酸化物
が、１種または２種以上を組み合わせて用いられる。ま
たアンモニアと苛性アルカリを併用することも行われ
る。
通常、pH調節剤を加えない建浴前のめっき液はほぼ中
性ないし酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ
性にpH調節される。所要のpHを上回った場合、pH降下に
は塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用いられる。pH範囲
は7.5〜12.5、好ましくは8.0〜11.0の間で用いられる。
性ないし酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ
性にpH調節される。所要のpHを上回った場合、pH降下に
は塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用いられる。pH範囲
は7.5〜12.5、好ましくは8.0〜11.0の間で用いられる。
（作用） CoNiP垂直記録媒体を作製するためのめっき浴とし
て、無電解CoNiMnRePめっき浴よりも浴系の単純化され
た無電解CoNiRePめっき浴のほうが好ましい。Mnを使用
することなく、hcpCo（六方晶）のｃ軸を基板に垂直配
向させ、垂直記録媒体として優れた特性を得るため従来
はタルトロン酸という特殊な錯化剤が使用されていた。
これは、タルトロン酸がCoのｃ軸垂直配向のための好ま
しい錯体状態を維持する上で重要な役割を果たしていた
と考えられている。そこで適切な錯化剤の組合せによっ
ては、MnのほかにReを使用することも必要なくなるので
はないかと考えられた。しかし、錯化剤と析出合金膜の
配向性の関係が明らかとなっていないため、本発明に至
るまでに、実験的に広範囲に鋭意検討した結果、各種の
錯化剤の中でマロン酸基、酒石酸基およびリンゴ酸基の
組合せがこの目的に適用できることを見出した。特にリ
ンゴ酸基の濃度範囲が重要であり、0.3〜1mol/lとする
必要がある。現在のところ錯化剤と膜構造・磁気特性と
の関係が理論的に解明されていないため、重要な錯化剤
であるリンゴ酸基の作用を十分説明するに至らない。し
かし、発明者等が好適浴を発見した後に結果から考察し
てみると、リンゴ酸CH2CH(OH)(COOH)2は、磁性膜のCo結
晶を垂直配向させる作用のあるタルトロン酸CH(OH)(COO
H)2にCH2が増えたもので構造が近い。また、いずれもOH
基とCOOH基をともに有するカルボン酸である。このよう
な錯化剤の構造的な特質が本作用に起因しているのでは
ないかと推察される。
て、無電解CoNiMnRePめっき浴よりも浴系の単純化され
た無電解CoNiRePめっき浴のほうが好ましい。Mnを使用
することなく、hcpCo（六方晶）のｃ軸を基板に垂直配
向させ、垂直記録媒体として優れた特性を得るため従来
はタルトロン酸という特殊な錯化剤が使用されていた。
これは、タルトロン酸がCoのｃ軸垂直配向のための好ま
しい錯体状態を維持する上で重要な役割を果たしていた
と考えられている。そこで適切な錯化剤の組合せによっ
ては、MnのほかにReを使用することも必要なくなるので
はないかと考えられた。しかし、錯化剤と析出合金膜の
配向性の関係が明らかとなっていないため、本発明に至
るまでに、実験的に広範囲に鋭意検討した結果、各種の
錯化剤の中でマロン酸基、酒石酸基およびリンゴ酸基の
組合せがこの目的に適用できることを見出した。特にリ
ンゴ酸基の濃度範囲が重要であり、0.3〜1mol/lとする
必要がある。現在のところ錯化剤と膜構造・磁気特性と
の関係が理論的に解明されていないため、重要な錯化剤
であるリンゴ酸基の作用を十分説明するに至らない。し
かし、発明者等が好適浴を発見した後に結果から考察し
てみると、リンゴ酸CH2CH(OH)(COOH)2は、磁性膜のCo結
晶を垂直配向させる作用のあるタルトロン酸CH(OH)(COO
H)2にCH2が増えたもので構造が近い。また、いずれもOH
基とCOOH基をともに有するカルボン酸である。このよう
な錯化剤の構造的な特質が本作用に起因しているのでは
ないかと推察される。
本発明は、このような知見を得たことによりもたらさ
れたものである。
れたものである。
（実施例） 次に具体的に実施例および比較例により本発明を説明
する。
する。
実施例１ アルミ合金基板上に非磁性Ni-P層をめっきし、表面を
鏡面研磨した後、その上に下記のめっき浴を用いて膜厚
0.06〜1.0μｍのCoNiP合金磁性膜を形成した。
鏡面研磨した後、その上に下記のめっき浴を用いて膜厚
0.06〜1.0μｍのCoNiP合金磁性膜を形成した。
めっき浴（１） 浴組成 硫酸コバルト 0.065mol/l 硫酸ニッケル 0.17 mol/l 次亜リン酸ナトリウム 0.25 mol/l 硫酸アンモニウム 0.5 mol/l 酒石酸ナトリウム 0.2 mol/l マロン酸ナトリウム 0.7 mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.7 mol/l めっき条件 浴温80℃ めっき浴のpH9.5（室温にてアンモニア水でpH調節） こうして得られた磁性膜の磁気特性を振動試料型磁力
計および磁気トルク計を用いて測定した。この磁性膜の
MHループは、垂直ループが面内ループを囲んだ垂直磁気
異方性膜特有の形状であった。Hkは6.1kOe、飽和磁化Ms
は610emu/ccの大きな値を有していた。磁気異方性エネ
ルギー測定より得られたトルク曲線は、全て明瞭な一軸
異方性を示し正の異方性エネルギーKu値を有していた
（例えば膜厚0.25μｍにおいて6.5×104erg/cc）。
計および磁気トルク計を用いて測定した。この磁性膜の
MHループは、垂直ループが面内ループを囲んだ垂直磁気
異方性膜特有の形状であった。Hkは6.1kOe、飽和磁化Ms
は610emu/ccの大きな値を有していた。磁気異方性エネ
ルギー測定より得られたトルク曲線は、全て明瞭な一軸
異方性を示し正の異方性エネルギーKu値を有していた
（例えば膜厚0.25μｍにおいて6.5×104erg/cc）。
次に、このような特性を示す原因と考えられる磁性膜
の構造について、Ｘ線回析および電子線回析より検討し
た。Ｘ線回析では、hcpCo（六方晶）のｃ軸が基板面に
垂直配向していることを示す（002）面からの回析によ
る鋭いピークのみが認められ、他の格子面からの回析に
相当するピークは認められなかった。また、電子線回析
結果からもｃ軸が基板面に垂直配向したhcpCo構造から
構成されており、膜厚0.06μｍという薄膜時より高い配
向性を示していることが明らかとなった。
の構造について、Ｘ線回析および電子線回析より検討し
た。Ｘ線回析では、hcpCo（六方晶）のｃ軸が基板面に
垂直配向していることを示す（002）面からの回析によ
る鋭いピークのみが認められ、他の格子面からの回析に
相当するピークは認められなかった。また、電子線回析
結果からもｃ軸が基板面に垂直配向したhcpCo構造から
構成されており、膜厚0.06μｍという薄膜時より高い配
向性を示していることが明らかとなった。
すなわち本実施例で得られた磁性膜は垂直磁気異方性
を示し、垂直記録媒体として好ましい特性を有すること
が明らかとなった。
を示し、垂直記録媒体として好ましい特性を有すること
が明らかとなった。
実施例２ 実施例１と同様の手順で磁性膜の作製を行なったが、
本実施例ではめっき浴（１）においてリンゴ酸ナトリウ
ムの濃度を０〜1.1mol/lの範囲で変化させてCoNiP合金
磁性膜を形成した。
本実施例ではめっき浴（１）においてリンゴ酸ナトリウ
ムの濃度を０〜1.1mol/lの範囲で変化させてCoNiP合金
磁性膜を形成した。
こうして得られた磁性膜の磁気特性（異方性磁界Hk、
保磁力Hc（⊥））を測定した結果を第１図に示す。
保磁力Hc（⊥））を測定した結果を第１図に示す。
リンゴ酸ナトリウム濃度が0mol/lの場合、Hkは0.55kO
eであり、磁性膜のMHループ、トルク測定からも面内に
磁化容易な膜であった。リンゴ酸ナトリウムを0.3mol/l
添加すると、Hkは3.8kOeとなり、磁性膜のMHループ、ト
ルク測定からも垂直磁化容易な膜へ変化する傾向が認め
られた。リンゴ酸ナトリウム濃度の増加とともにHkはさ
らに増加し垂直磁化膜へと進む。リンゴ酸ナトリウム濃
度が0.6mol/lでHkが最大値6.25kOeに達する。それ以上
の濃度ではHkが減少し、1.0mol/lで3.6kOeとなる。ま
た、本発明のめっき浴では垂直磁気異方性が増加しても
Msが急減することがなく、550〜630emu/ccの大きな値を
維持していた。Hc（⊥）については、Hkが3.5kOe以上の
膜において、約860〜1750Oeのかなり広い範囲で変化さ
せることができた。リンゴ酸ナトリウム濃度が0.3〜1.0
mol/lの範囲において、得られる磁性膜のMHループは、
垂直ループが面内ループを囲んだ垂直磁気異方性膜特有
の形状であった。これらの磁性膜のＸ線回析では、（00
2）面からの回析による鋭いピークのみが認められ、他
の格子面からの回析に相当するピークは認められなかっ
た。また、電子線回析結果からもｃ軸が基板面に垂直配
向したhcpCo構造から構成されており、高い結晶性と配
向性を示していることが明らかとなった。
eであり、磁性膜のMHループ、トルク測定からも面内に
磁化容易な膜であった。リンゴ酸ナトリウムを0.3mol/l
添加すると、Hkは3.8kOeとなり、磁性膜のMHループ、ト
ルク測定からも垂直磁化容易な膜へ変化する傾向が認め
られた。リンゴ酸ナトリウム濃度の増加とともにHkはさ
らに増加し垂直磁化膜へと進む。リンゴ酸ナトリウム濃
度が0.6mol/lでHkが最大値6.25kOeに達する。それ以上
の濃度ではHkが減少し、1.0mol/lで3.6kOeとなる。ま
た、本発明のめっき浴では垂直磁気異方性が増加しても
Msが急減することがなく、550〜630emu/ccの大きな値を
維持していた。Hc（⊥）については、Hkが3.5kOe以上の
膜において、約860〜1750Oeのかなり広い範囲で変化さ
せることができた。リンゴ酸ナトリウム濃度が0.3〜1.0
mol/lの範囲において、得られる磁性膜のMHループは、
垂直ループが面内ループを囲んだ垂直磁気異方性膜特有
の形状であった。これらの磁性膜のＸ線回析では、（00
2）面からの回析による鋭いピークのみが認められ、他
の格子面からの回析に相当するピークは認められなかっ
た。また、電子線回析結果からもｃ軸が基板面に垂直配
向したhcpCo構造から構成されており、高い結晶性と配
向性を示していることが明らかとなった。
すなわち本実施例で得られた磁性膜は、垂直磁気異方
性を示し、垂直記録媒体として好ましい諸特性を有する
ことが明らかとなった。
性を示し、垂直記録媒体として好ましい諸特性を有する
ことが明らかとなった。
実施例３ 実施例１と同様の手順で磁性膜の作製を行なったが、
本実施例では下記のめっき浴を用いてCoNiP合金磁性膜
を形成した。
本実施例では下記のめっき浴を用いてCoNiP合金磁性膜
を形成した。
めっき浴（２） 塩化コバルト 0.05 mol/l 塩化ニッケル 0.15 mol/l 次亜リン酸ナトリウム 0.16 mol/l 塩化アンモニウム 0.35 mol/l 酒石酸ナトリウム 0.35 mol/l マロン酸ナトリウム 0.8 mol/l リンゴ酸ナトリウム ０〜1.3 mol/l めっき条件 浴温83℃ めっき浴のpH9.3（室温にてアンモニア水でpH調節） こうして得られた磁性膜の磁気特性（異方性磁界Hk、
保磁力Hc（⊥））を測定した結果を第２図に示す。
保磁力Hc（⊥））を測定した結果を第２図に示す。
リンゴ酸ナトリウム濃度が0mol/lの場合、Hkは0.6kOe
であり、磁性膜のMHループ、トルク測定からも面内に磁
化容易な膜であった。リンゴ酸ナトリウムを0.3mol/l添
加すると、Hkは2.2kOeとなり、磁性膜のMHループ、トル
ク測定からも垂直磁化容易な膜へ変化する傾向が認めら
れた。リンゴ酸ナトリウム濃度の増加とともにHkはさら
に増加し垂直磁化膜へ進む。リンゴ酸ナトリウム濃度が
0.7mol/lでHkが最大値5.55kOeに達する。それ以上の濃
度ではHkが減少し、1.0mol/lで2.0kOeとなる。また、本
発明のめっき浴では垂直磁気異方性が増加してもMsが急
減することがなく、500〜600emu/ccの大きな値を維持し
ていた。Hc（⊥）については、Hkが2.0kOe以上の膜にお
いて、約500〜1500Oeのかなり広い範囲で変化させるこ
とができた。リンゴ酸ナトリウム濃度が0.4〜0.9mol/l
の範囲において、得られる磁性膜のMHループは、垂直ル
ープが面内ループを囲んだ垂直磁気異方性膜特有の形状
であった。これらの磁性膜のＸ線回析では、（002）面
からの回析による鋭いピークのみが認められ、他の格子
面からの回析に相当するピークは認められなかった。ま
た、電子線回析結果からもｃ軸が基板面に垂直配向した
hcpCo構造から構成されており、高い結晶性と配向性を
示していることが明らかとなった。
であり、磁性膜のMHループ、トルク測定からも面内に磁
化容易な膜であった。リンゴ酸ナトリウムを0.3mol/l添
加すると、Hkは2.2kOeとなり、磁性膜のMHループ、トル
ク測定からも垂直磁化容易な膜へ変化する傾向が認めら
れた。リンゴ酸ナトリウム濃度の増加とともにHkはさら
に増加し垂直磁化膜へ進む。リンゴ酸ナトリウム濃度が
0.7mol/lでHkが最大値5.55kOeに達する。それ以上の濃
度ではHkが減少し、1.0mol/lで2.0kOeとなる。また、本
発明のめっき浴では垂直磁気異方性が増加してもMsが急
減することがなく、500〜600emu/ccの大きな値を維持し
ていた。Hc（⊥）については、Hkが2.0kOe以上の膜にお
いて、約500〜1500Oeのかなり広い範囲で変化させるこ
とができた。リンゴ酸ナトリウム濃度が0.4〜0.9mol/l
の範囲において、得られる磁性膜のMHループは、垂直ル
ープが面内ループを囲んだ垂直磁気異方性膜特有の形状
であった。これらの磁性膜のＸ線回析では、（002）面
からの回析による鋭いピークのみが認められ、他の格子
面からの回析に相当するピークは認められなかった。ま
た、電子線回析結果からもｃ軸が基板面に垂直配向した
hcpCo構造から構成されており、高い結晶性と配向性を
示していることが明らかとなった。
すなわち本実施例で得られた磁性膜は、垂直磁気異方
性を示し、垂直記録媒体として好ましい諸特性を有する
ことが明らかとなった。
性を示し、垂直記録媒体として好ましい諸特性を有する
ことが明らかとなった。
また、以上の実施例で用いた無電解めっき浴は、従来
のグリコール酸基を錯化剤に使用した無電解めっき浴に
比較して浴管理が容易で著しく安定性に優れ、垂直記録
媒体として優れた特性を有する磁性膜を再現性良く作製
することができた。同一容量のめっき浴から多数の媒体
を作製する場合、めっき当初に得られる2.0kOe以上の異
方性磁界Hk値が2.0kOe以下の値になるまでのめっき処理
量を浴寿命とすると、本発明による無電解めっき浴の浴
寿命は従来のグリコール酸基を使用した無電解めっき浴
に比較して５倍以上に増加していた。
のグリコール酸基を錯化剤に使用した無電解めっき浴に
比較して浴管理が容易で著しく安定性に優れ、垂直記録
媒体として優れた特性を有する磁性膜を再現性良く作製
することができた。同一容量のめっき浴から多数の媒体
を作製する場合、めっき当初に得られる2.0kOe以上の異
方性磁界Hk値が2.0kOe以下の値になるまでのめっき処理
量を浴寿命とすると、本発明による無電解めっき浴の浴
寿命は従来のグリコール酸基を使用した無電解めっき浴
に比較して５倍以上に増加していた。
（発明の効果） 以上、実施例で示されたように、本発明によれば、Co
NiP磁性膜を作製する無電解めっき浴において、金属イ
オンとして少なくともコバルトイオンおよびニッケルイ
オンを含み、添加剤として少なくとも次亜リン酸または
次亜リン酸塩の１種以上よりなる前記金属イオンの還元
剤を含み、前記金属イオンの錯化剤として酒石酸基、マ
ロン酸基およびリンゴ酸基を含み、そのリンゴ酸基の濃
度を0.3〜1.0mol/lの範囲で変化することにより、めっ
き浴の維持管理が容易となり、大きなHk値を維持してHc
（⊥）値を広い範囲で変化させることができ、垂直記録
媒体として優れた特性を有する磁性膜を安定に多数作製
することができる。
NiP磁性膜を作製する無電解めっき浴において、金属イ
オンとして少なくともコバルトイオンおよびニッケルイ
オンを含み、添加剤として少なくとも次亜リン酸または
次亜リン酸塩の１種以上よりなる前記金属イオンの還元
剤を含み、前記金属イオンの錯化剤として酒石酸基、マ
ロン酸基およびリンゴ酸基を含み、そのリンゴ酸基の濃
度を0.3〜1.0mol/lの範囲で変化することにより、めっ
き浴の維持管理が容易となり、大きなHk値を維持してHc
（⊥）値を広い範囲で変化させることができ、垂直記録
媒体として優れた特性を有する磁性膜を安定に多数作製
することができる。
第１図は、実施例２において得られる本発明の無電解め
っき浴のリンゴ酸ナトリウム濃度と得られるCoNiP磁性
膜のHkおよびHc（⊥）の関係を示す図であり、第２図
は、実施例３における同様の図である。
っき浴のリンゴ酸ナトリウム濃度と得られるCoNiP磁性
膜のHkおよびHc（⊥）の関係を示す図であり、第２図
は、実施例３における同様の図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−58270（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−15985（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−231176（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−83281（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】金属イオンとしてコバルトイオン、ニッケ
ルイオンを含み、添加剤として少なくとも次亜リン酸ま
たは次亜リン酸塩の１種以上よりなる前記金属イオンの
還元剤を含み、前記金属イオンの錯化剤として酒石酸
基、マロン酸基およびリンゴ酸基を含む無電解めっき浴
であって、リンゴ酸基の濃度が0.3〜1.0mol/lの範囲で
あることを特徴とするCoNiP垂直記録媒体の無電解めっ
き浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2269001A JPH08981B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 無電解めっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2269001A JPH08981B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 無電解めっき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04143282A JPH04143282A (ja) | 1992-05-18 |
| JPH08981B2 true JPH08981B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=17466294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2269001A Expired - Fee Related JPH08981B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 無電解めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08981B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5858270A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Nec Corp | 無電解めつき浴 |
| JPS6115985A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-24 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 無電解めつき浴 |
| JPS61231176A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-15 | Nec Corp | 無電解めつき方法 |
| JPS6383281A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-13 | Nec Corp | 無電解めつき浴 |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP2269001A patent/JPH08981B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04143282A (ja) | 1992-05-18 |
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