JPH0547818A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0547818A
JPH0547818A JP3200557A JP20055791A JPH0547818A JP H0547818 A JPH0547818 A JP H0547818A JP 3200557 A JP3200557 A JP 3200557A JP 20055791 A JP20055791 A JP 20055791A JP H0547818 A JPH0547818 A JP H0547818A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding wire
semiconductor chip
semiconductor device
pad
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3200557A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Toyosawa
健司 豊沢
Kazuya Fujita
和弥 藤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP3200557A priority Critical patent/JPH0547818A/ja
Publication of JPH0547818A publication Critical patent/JPH0547818A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ポップコーン現象を防止することができると
ともに、ボンディングワイヤの接続不良を防止して薄型
化することができる半導体装置を提供する。 【構成】 リードフレームは、半導体チップ10のパッド
12と電気的に接続されるインナリード11と、その他アウ
タリード、フレーム等により構成されており、ダイパッ
ドを具備していない。半導体チップ10のパッド12とイン
ナリ−ド11とは高強度ボンディングワイヤ13によって接
続されている。高強度ボンディングワイヤ13は、従来の
金ボンディングワイヤ（引っ張り強度が１０〜１５ｇ）
に比べて引っ張り強度が２〜３倍（２０〜４５ｇ）のも
のが用いられ、例えば金ボンディングワイヤに対する不
純物を１００ｐｐｍ以上に増加して合金化した合金ボン
ディングワイヤ又は銅ボンディングワイヤが用いられ
る。高強度ボンディングワイヤ13によって結合された半
導体チップ10とインナリード11とは樹脂14によって共に
封止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂モールド型の半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の樹脂モールド型のＩＣパ
ッケージ構造を示す平面図、図８は、図７の線VIIIーVI
IIに沿った側面断面図である。
【０００３】リードフレームは、半導体チップ20を支持
するためのダイパッド21と、半導体チップ20のパッド23
と電気的に接続されたインナリード22と、その他アウタ
リード、フレーム等により構成されている。半導体チッ
プ20のリードフレームへの実装は、ダイボンドペースト
により半導体チップ20をダイパッド21上に固定し、半導
体チップ20のパッド23とインナリード22とを金ボンディ
ングワイヤ24により接続した後、これらの部材20〜24を
樹脂25により封止することにより実施される。
【０００４】ダイパッド21には、通常、４２％Ｎｉと５
８％Ｆｅとの合金である42アロイが用いられ、金ボンデ
ィングワイヤ24には、純度９９．９９％の金（不純物１
００ｐｐｍ以下）を素材として直径が２３〜３２μｍ
φ、引っ張り強度が１０〜１５ｇのものが用いられる。
【０００５】この種の半導体装置は、半導体チップ12の
厚さが４００μｍ、ダイパッド21の厚さが１５０μｍ、
半導体チップ20の上の樹脂14の厚さが２３０μｍ、半導
体チップ20の下の樹脂25の厚さが１９０μｍ、合計の厚
さが約１．０ｍｍまで薄型化されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置で
は、ダイパッド21は半導体チップ20を支持するために用
いられている。しかしながら、ダイパッド21と樹脂25と
の間の密着性は必ずしも完全ではなく、また、ダイパッ
ド21と封止樹脂外部のリ−ドフレ−ムとは、ダイパッド
保持部（図示せず）を介して通じているので、ダイパッ
ド21と樹脂25との間の空隙内に水分が侵入する可能性が
ある。このために、図９に示すように、ＩＣパッケージ
をプリント基板（図示せず）に実装する際の加熱によっ
て空隙内の水分が水蒸気になり、ＩＣパッケージ内部の
圧力を上昇させＩＣパッケージを破裂させ、クラック26
が発生するいわゆるポップコーン現象が発生するという
問題点がある。さらに、このクラック26を通じて水分等
の不純物が半導体装置内に侵入するので、半導体チップ
の故障を引き起こすことになる。
【０００７】この種の半導体装置では、ＩＣパッケージ
の厚さは１．０ｍｍ程度まで薄型化されているが、更に
薄型化するためには半導体チップ20、ダイパッド21又は
樹脂25を薄くする必要がある。樹脂25の薄肉化は、モー
ルド成型時における樹脂25の充填不良の発生、又は金ボ
ンディングワイヤ24の樹脂25の外への露出を引き起こす
ので薄型化の手段としては適当でない。
【０００８】特開平２ー１３４８５２号公報には、リー
ドフレームのアイランド部（ダイパッド）を省略し、半
導体チップの表面と裏面を樹脂により直接封止する半導
体装置が開示されている。この装置では、ダイパッドが
無いのでポップコーン現象を防止することができるが、
半導体チップのパッドとインナリードとを接続するボン
ディングワイヤの引っ張り強度については明示されてい
ない。
【０００９】また、ボンディングワイヤは、モールド成
型時の流れ込む樹脂の圧力の影響により変形を受ける可
能性がある。この種のボンディングワイヤの変形は半導
体チップ20とボンディングワイヤ24との間、ボンディン
グワイヤ24間、インナリード22とボンディングワイヤ24
との間において短絡を発生させる要因となる。
【００１０】従って、本発明は、上記の問題点を解決
し、ポップコーン現象を防止することができると共に、
より薄型化が可能な半導体装置を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、パッド
を有する半導体チップと、ダイパッドが省略されており
インナリードを有するリードフレームと、インナリード
とパッドとを接続する２０ｇ以上の引っ張り強度を有す
るボンディングワイヤとを備えており、インナリードと
半導体チップとボンディングワイヤとが共に樹脂により
封止された半導体装置が提供される。
【００１２】半導体チップのボンディングワイヤが接続
される側の面上の周縁部に電気的に絶縁な絶縁層を備え
てもよい。
【００１３】少なくとも半導体チップのパッドとボンデ
ィングワイヤとの接続部分を補強用樹脂で覆うこともあ
り得る。
【００１４】
【作用】半導体チップを支持するダイパッドが省略され
ており、インナリードと半導体チップのパッドとが２０
ｇ以上の引っ張り強度を有する高強度ボンディングワイ
ヤによって接続されている。このため、水分が半導体装
置内に侵入することは無く、ポップコーン現象を防止す
ることができると共に、半導体装置の厚さを薄型化する
ことができる。
【００１５】また、半導体チップのボンディングワイヤ
を接続する面上の周縁部に絶縁性の層を具備したので、
半導体チップが傾いた際、半導体チップ上面の周縁部が
ボンディングワイヤに接触することによる半導体チップ
とボンディングワイヤと間の短絡を防止できる。
【００１６】さらに、補強用樹脂によって少なくとも半
導体チップのパッドとボンディングワイヤとの接続部分
を覆うので、モールド成型時のボンディングワイヤの変
形は生じない。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明に係る半導体装置の一実施例を示
す平面図、図２は、図１の線IIーIIに沿った側面断面図
である。
【００１８】図１に示すように本実施例の半導体装置に
用いられるリードフレームはダイパッドを具備しておら
ず、半導体チップ10のパッドと電気的に接続されるイン
ナリード11と、その他アウタリード、フレーム等により
構成されている。半導体チップ10のパッド12とインナリ
−ド11とは高強度ボンディングワイヤ13によって接続さ
れている。この半導体装置の製造工程は以下で詳細に述
べるが、モ−ルド成型以前においては、高強度ボンディ
ングワイヤ13のみが半導体チップ10を支持する。高強度
ボンディングワイヤ13によって結合された半導体チップ
10とインナリード11とは樹脂14によって共に公知の方法
で封止される。
【００１９】高強度ボンディングワイヤ13は、従来の金
ボンディングワイヤ（引っ張り強度が１０〜１５ｇ）に
比べて引っ張り強度が２〜３倍（２０〜４５ｇ）のもの
が用いられ、例えば金ボンディングワイヤに対する不純
物を１００ｐｐｍ以上に増加して合金化した合金ボンデ
ィングワイヤ又は銅ボンディングワイヤが用いられる。
【００２０】本実施例による半導体装置はダイパッドを
具備していないので、水分が半導体装置内に侵入するこ
とは無く、ポップコーン現象を防止することができると
共に、半導体装置の厚さを薄型化することができる。例
えば半導体チップ10の厚さが４００μｍ、半導体チップ
10の上の樹脂14の厚さが１１０μｍ、半導体チップ10の
下の樹脂14の厚さが１９０μｍであるとすると、半導体
装置の厚さは合計８３０μｍでありダイパッド分薄くな
る。
【００２１】本実施例では樹脂14の薄肉化は実施されて
いないので、樹脂14の充填不良が発生したり、高強度ボ
ンディングワイヤ13が樹脂14の外に露出することは無
い。また、高強度ボンディングワイヤ13の引っ張り強度
が２０〜４５ｇであるので、高強度ボンディングワイヤ
13が破断等することがなく、これによって半導体チップ
10とインナリード11との間の接続不良を防止することが
できる。
【００２２】図３に上記した実施例の半導体装置の製造
装置の一部を示す。
【００２３】以下、図３を参照して半導体装置の製造方
法の一部について説明する。図３には、図中Ａで示した
ワイヤボンド装置とＢで示したダイシング後のチップ供
給装置が示されている。
【００２４】まず、半導体チップ50をチップ供給装置に
セットアップする。カセット52でテープ51を引き延ばす
ことによって、並んでいる複数の半導体チップ50の各間
隔を広げる。次に、突き上げピン53にて、テープの下か
ら１つの半導体チップ50を突き上げ、これと同時にチッ
プ吸引用のコレット54にてチップを吸着して、これを回
旋してワイヤボンド装置の加熱ヒートブロック55上に位
置合わせして載せる。チップ吸引用のコレット54の吸引
を停止すると、加熱ヒートブロック55内部からの吸引に
よって半導体チップ50はコレット54からはずれ、加熱ヒ
ートブロック55に吸着固定される。
【００２５】この際に、前もってワイヤボンダにリード
フレームが固定されており、ダイパッドの無いインナー
リード中央部のワイヤボンダ上に半導体チップ50が載置
される。高強度ボンディングワイヤ56がキャピラリ57に
よって半導体チップ50とリードフレムのインナリード58
との間にボンディングされる。
【００２６】ワイヤボンド終了後、加熱ヒートブロック
55の吸引が停止され、ローディングフレームを移動させ
て次の半導体チップのワイヤボンドが同じステップで実
施される。
【００２７】図４に第２の実施例による半導体装置の平
面図、図５に図４の線VーV に沿った断面図を示す。
【００２８】第１の実施例と同様に、リードフレームは
ダイパッドを具備しておらず、半導体チップ10のパッド
と電気的に接続されるインナリード11と、その他アウタ
リード、フレーム等により構成されている。半導体チッ
プ10のパッド12とインナリ−ド11とは高強度ボンディン
グワイヤ13によって接続されている。モ−ルド成型以前
においては、高強度ボンディングワイヤ13のみが半導体
チップ10を支持する。半導体チップ10の高強度ボンディ
ングワイヤ13を接続する面上の周縁部に電気的に絶縁な
絶縁層15が具備されている。絶縁層15は、テープ状の樹
脂、例えばポリイミドテープから形成されている。この
テープは、ワイヤボンディングの工程の前に半導体チッ
プに付加される。高強度ボンディングワイヤ13によって
結合された半導体チップ10とインナリード11とは樹脂14
によって共に公知の方法で封止される。
【００２９】本実施例による半導体装置は、第１の実施
例と同様にダイパッドを具備していないので、水分が半
導体装置内に侵入することは無く、ポップコーン現象を
防止することができると共に、半導体装置の厚さを薄型
化することができる。さらに、半導体チップ10のボンデ
ィングワイヤ13を接続する面上の周縁部に絶縁層15が具
備されたので、もし半導体チップ10が傾いても、半導体
チップ10上面の周縁部がボンディングワイヤ13に接触す
ることによる半導体チップ10とボンディングワイヤ13と
間の短絡を防止できる。従って、ポップコーン現象を防
止でき、短絡不良がない信頼性のある半導体装置を提供
することができる。
【００３０】図６に第３の実施例による半導体装置の断
面図を示す。
【００３１】第１の実施例と同様に、リードフレームは
ダイパッドを具備しておらず、半導体チップ10のパッド
と電気的に接続されるインナリード11と、その他アウタ
リード、フレーム等により構成されている。半導体チッ
プ10のパッド12とインナリ−ド11とは高強度ボンディン
グワイヤ13によって接続されている。
【００３２】さらに、本実施例では半導体チップのパッ
ド12とボンディングワイヤ13との接続部分が補強用樹脂
16によって覆われている。補強用樹脂16としては、例え
ばエポキシ系樹脂が使用される。そして、高強度ボンデ
ィングワイヤ13によって結合された半導体チップ10とイ
ンナリード11とは樹脂14によって共に公知の方法で封止
される。
【００３３】本実施例による半導体装置は、第１の実施
例と同様にダイパッドを具備していないので、水分が半
導体装置内に侵入することは無く、ポップコーン現象を
防止することができると共に、半導体装置の厚さを薄型
化することができる。さらに、モールド成型時の流れ込
む樹脂の圧力の影響によるボンディングワイヤ13の変形
が発生することはない。従って、ポップコーン現象を防
止でき、かつ短絡不良がない信頼性のある半導体装置を
提供することができる。
【００３４】この実施例による半導体装置の製造には、
第１の実施例の半導体装置の製造工程のワイヤボンディ
ング工程の後に、以下に示す工程が追加される。
【００３５】ワイヤボンディング工程の後、溶解した補
強用樹脂16を半導体チップ10の上面全体に滴下して、ボ
ンディングワイヤ13と半導体チップ10のパッド12との接
続部分を覆って補強する。この補強用樹脂16は、液状の
エポキシ系樹脂を使用したものであって、滴下後に熱硬
化される。若しくは、固形の補強用樹脂16を少なくとも
ボンディングワイヤ13と半導体チップ10のパッド12との
接続部分に載せ、この補強用樹脂16を熱溶解、熱硬化す
ることによって両者を覆ってもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による第１
の実施例は、半導体チップを支持するダイパッドを省略
したリードフレームのインナリードと半導体チップのパ
ッドとを２０ｇ以上の引っ張り強度を有する高強度ボン
ディングワイヤにより接続し、インナリードと半導体チ
ップと高強度ボンディングワイヤとを樹脂により封止し
たので、ポップコーン現象を防止することができるとと
もに、ボンディングワイヤの接続不良を防止し、さらに
半導体装置を薄型化することができる。
【００３７】第２の実施例は、さらに、半導体チップの
ボンディングワイヤを接続する面上の周縁部に絶縁性の
層を具備したので、もし半導体チップが傾いても、半導
体チップ上面の周縁部がボンディングワイヤに接触する
ことによる半導体チップとボンディングワイヤと間の短
絡を防止できる。
【００３８】さらに、第３の実施例では、補強用樹脂に
よって少なくとも半導体チップのパッドとボンディング
ワイヤとの接続部分が覆われているので、モールド成型
時のボンディングワイヤの変形は生じない。これによっ
て、短絡不良を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例の平面図で
ある。
【図２】図１の線IIーIIに沿った側面断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造装置の一部の側
面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の他の実施例の平面図
である。
【図５】図３の線 VーV に沿った側面断面図である。
【図６】本発明に係る半導体装置の他の実施例の側面断
面図である。
【図７】従来の半導体装置を示す平面図である。
【図８】図７の線VIIIーVIIIに沿った側面断面図であ
る。
【図９】従来の半導体装置のポップコーン現象を示す側
面断面図である。
【符号の説明】
10 半導体チップ 11 インナリード 12 パッド 13 高強度ボンディングワイヤ 14 樹脂 15 絶縁層 16 補強用樹脂

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パッドを有する半導体チップと、ダイパ
    ッドが省略されておりインナリードを有するリードフレ
    ームと、該インナリードと前記パッドとを接続する２０
    ｇ以上の引っ張り強度を有するボンディングワイヤとを
    備えており、前記インナリードと前記半導体チップと前
    記ボンディングワイヤとが共に樹脂によって封止された
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記半導体チップの前記ボンディングワ
    イヤが接続される側の面上の周縁部に電気的に絶縁な絶
    縁層を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体
    装置。
  3. 【請求項３】 少なくとも前記半導体チップのパッドと
    前記ボンディングワイヤとの接続部分が補強用樹脂で覆
    われたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
    装置。
JP3200557A 1991-08-09 1991-08-09 半導体装置 Pending JPH0547818A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3200557A JPH0547818A (ja) 1991-08-09 1991-08-09 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3200557A JPH0547818A (ja) 1991-08-09 1991-08-09 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0547818A true JPH0547818A (ja) 1993-02-26

Family

ID=16426294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3200557A Pending JPH0547818A (ja) 1991-08-09 1991-08-09 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0547818A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02123745A (ja) * 1988-11-02 1990-05-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH0382059A (ja) * 1989-08-24 1991-04-08 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH03268449A (ja) * 1990-03-19 1991-11-29 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02123745A (ja) * 1988-11-02 1990-05-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH0382059A (ja) * 1989-08-24 1991-04-08 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH03268449A (ja) * 1990-03-19 1991-11-29 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6043564A (en) Semiconductor device having ball-bonded pads
JP3207738B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2577766B2 (ja) 半導体デバイスの実装方法およびその実装化装置
KR100445072B1 (ko) 리드 프레임을 이용한 범프 칩 캐리어 패키지 및 그의제조 방법
US5891758A (en) Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
JPH08306853A (ja) 半導体装置及びその製造方法及びリードフレームの製造方法
US20110133329A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2008160148A (ja) 電子パッケージの形成方法
US20060006505A1 (en) Lead frame for improving molding reliability and semiconductor package with the lead frame
JP2005531137A (ja) 部分的にパターン形成したリードフレームならびに半導体パッケージングにおけるその製造および使用の方法
JP2002076040A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH09252065A (ja) 半導体装置及びその製造方法及び基板フレーム
US6590279B1 (en) Dual-chip integrated circuit package and method of manufacturing the same
JPH0864725A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH0455341B2 (ja)
JPH10242368A (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびに半導体モジュールおよびｉｃカード
JPH11354572A (ja) 半導体チップパッケ―ジ及びその製造方法
US5621242A (en) Semiconductor package having support film formed on inner leads
JPH0547818A (ja) 半導体装置
JPH118270A (ja) 半導体チップの搭載方法、チップオンチップ構造体の製造方法及びチップオンボード構造体の製造方法
JPS60120543A (ja) 半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム
JPH07226418A (ja) チップキャリア半導体装置及びその製造方法
JPH11186449A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH09330992A (ja) 半導体装置実装体とその製造方法
JP2001358287A (ja) 半導体装置