JPH0547878A - 半導体ウエーハ表面検査装置 - Google Patents

半導体ウエーハ表面検査装置

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JPH0547878A
JPH0547878A JP19758391A JP19758391A JPH0547878A JP H0547878 A JPH0547878 A JP H0547878A JP 19758391 A JP19758391 A JP 19758391A JP 19758391 A JP19758391 A JP 19758391A JP H0547878 A JPH0547878 A JP H0547878A
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JP
Japan
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converter
light
semiconductor wafer
intensity
wafer surface
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Pending
Application number
JP19758391A
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English (en)
Inventor
Atsushi Hirai
敦 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】従来の半導体ウェーハ表面異物検知装置に使用
されている受光システムでは、一度に受光できる光の強
度範囲が狭いという問題があった。 【構成】変換器1と変換器2は入力された光を電気信号
に変換するものであり、それぞれ電源3および電源4に
より異なる電圧で駆動される。すなわち、変換器1と変
換器2とでは、受光できる光の強度範囲が異なる。 【効果】入力された光を電気信号に変換する変換器とそ
の変換器を駆動する電源をそれぞれ複数個使用すること
により、一度に受光できる光の強度範囲が広がるという
効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハ表面検査
装置において、特に光強度を検知する半導体ウエーハ表
面検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体ウェーハ表面検査装置は、
図4に示すように、光を電気信号に変換する変換器1
と、変換器1を駆動する電源3と、変換器1の出力を処
理するデータ処理部5を有している。
【0003】次に動作について説明する。
【0004】入射光9が変換器1に入力されると、変換
器1は入射光9の強度に応じた電気信号をデータ処理部
5に出力する。あらかじめ、データ処理部5に電気信号
と光強度との関係を入力しておけば、データ処理部5に
入力された電気信号の強度から、変換器1に入力された
入射光9の強度を検知することができる。また、変換器
1で電気信号に変換できる光強度の範囲は、電源3で変
換器1に供給される電圧によって決定される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体ウェ
ーハ表面検査装置では、変換器に供給される電圧によっ
て変換器が変換できる光の強度範囲が決定されるため、
一度電圧を設定すると決定された光の強度範囲を超える
光は変換できないという問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェーハ
表面検査装置は、光を入力し電気信号を出力する変換器
と、この変換器を駆動するための電源をそれぞれ複数個
と、前記変換器の出力を処理するデータ処理部とを備え
ている。
【0007】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
【0008】図1は本発明の実施例の半導体ウェーハ表
面検査装置の概要図である。変換器1と変換器2は入力
された光の強度に応じた電気信号を出力する変換器であ
り、それぞれ電源3と電源4により異なる電圧で駆動さ
れる。すなわち、変換器1と変換器2では受光できる光
の強度範囲が異なる。図2に変換器1と変換器2の受光
できる光強度範囲を示す。また、変換器1と変換器2の
出力は、データ処理部5に入力される。一方、レーザー
発振器6から出力されたレーザー光7は半導体ウェーハ
8の表面を走査する。半導体ウェーハ8の表面に異物が
存在すれば、レーザー光7が異物を照射した時に、レー
ザー光7は異物により散乱され、変換器1および変換器
2で受光され、その出力はデータ処理部5に入力され
る。データ処理部5にあらかじめ、入力される電気信号
と変換器1および変換器2で受光する光強度との関係を
入力しておくことにより、変換器2で受光した光の強度
を知ることができる。
【0009】図3は変換器1および変換器2に入力され
る光強度と出力される電気信号強度の関係である。変換
器1はAからBの範囲の光強度を検知することができ、
変換器2はBからCの範囲の光強度を検知することがで
きる。すなわち、変換器1と変換器2を両方使用するこ
とにより、変換器1または変換器2だけを使用した場合
に比べ、より広範囲の強度の光を検知することが可能と
なる。また、変換器および変換器を駆動する電源を増す
ことにより、更に広範囲の強度の光を検知することが可
能となる。
【0010】尚、実施に当っては、変換器毎の異物マッ
プを重ね合わせ、1つの異物からの散乱光を複数の変換
器で検知している場合は、1つの異物としてカウントす
る処理を行なう必要がある。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、入力され
た光を電気信号に変換する変換器とその変換器を駆動す
る電源とをそれぞれ複数個使用したので、それぞれの変
換器に供給する電圧を一度設定するだけで、変換器が変
換できる光の強度範囲が広がるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の概要図。
【図2】図1に示した変換器の受光できる光強度の範囲
を示した図。
【図3】図1に示した変換器に入力される光強度とその
変換器から出力される電気信号との関係を示した図。
【図4】従来の技術を示す概要図。
【符号の説明】
1 変換器 2 電源 3 変換器 4 電源 5 データ処理部 6 レーザー発振器 7 レーザー光 8 半導体ウェーハ 9 入射光

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光を電気信号に変換する変換器と、この
    変換器を駆動する電源と、前記変換器の出力を処理する
    データ処理部を有する半導体ウェーハ表面検査装置にお
    いて、前記変換器と電源をそれぞれ複数個備え、かつそ
    れぞれの変換器が異なる範囲の光強度を変換することを
    特徴とする半導体ウェーハ表面検査装置。
JP19758391A 1991-08-07 1991-08-07 半導体ウエーハ表面検査装置 Pending JPH0547878A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011099788A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Toshiba Corp パターン検査装置及びパターン検査方法

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980728