JPH0547907A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0547907A JPH0547907A JP22648491A JP22648491A JPH0547907A JP H0547907 A JPH0547907 A JP H0547907A JP 22648491 A JP22648491 A JP 22648491A JP 22648491 A JP22648491 A JP 22648491A JP H0547907 A JPH0547907 A JP H0547907A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- vacuum suction
- bonding
- inch
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １台のウェハーステージで大きさの異なる半
導体ウェハーを保持固定する。 【構成】 ウェハーステージに共通真空吸着孔１ａを設
け、該共通真空吸着孔１ａを中心として異径の真空吸着
孔１ｂ，１ｃ，１ｄを同芯上に設ける。
導体ウェハーを保持固定する。 【構成】 ウェハーステージに共通真空吸着孔１ａを設
け、該共通真空吸着孔１ａを中心として異径の真空吸着
孔１ｂ，１ｃ，１ｄを同芯上に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に関し、特にボールバンプボンディング装置に関する。
に関し、特にボールバンプボンディング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フィルムキャリア半導体装置やフ
リップチップ等の半導体装置は、ＩＣチップの電極パッ
ド上に金属突起物であるバンプを形成している。
リップチップ等の半導体装置は、ＩＣチップの電極パッ
ド上に金属突起物であるバンプを形成している。
【０００３】バンプの形成方法としては、通常電極パッ
ド上に選択的にＡｕや半田等の金属を拡散防止層や接着
層等からなるバリヤメタル層を介して電解メッキ法で形
成するのが一般的であるが、従来から幾つかのメッキ法
に代わる方法が提案されている。代替案の一つとして、
特開昭４９−５２９７３号で開示されているボールバン
プ法がある。
ド上に選択的にＡｕや半田等の金属を拡散防止層や接着
層等からなるバリヤメタル層を介して電解メッキ法で形
成するのが一般的であるが、従来から幾つかのメッキ法
に代わる方法が提案されている。代替案の一つとして、
特開昭４９−５２９７３号で開示されているボールバン
プ法がある。
【０００４】この方法は、Ａｕ，半田等からなるワイヤ
ーをワイヤーボンディング法を使用してボールを形成
し、ボールを電極パッド上に接合後、ボールのみを残し
てワイヤーを切断することによってバンプ形成するもの
である。
ーをワイヤーボンディング法を使用してボールを形成
し、ボールを電極パッド上に接合後、ボールのみを残し
てワイヤーを切断することによってバンプ形成するもの
である。
【０００５】このようなボールバンプ法は、一般的には
自動化されたボールバンプボンディング装置を使用して
実施される。
自動化されたボールバンプボンディング装置を使用して
実施される。
【０００６】従来のボールバンプボンディング装置は図
２に示すように、半導体ウェハー供給部２ａと、ウェハ
ー収納部２ｂと、ウェハーステージ２ｃと、ボールバン
プボンディングヘッド部２ｄと、認識用カメラ２ｅと、
認識装置２ｆと、ワイヤー供給部２ｇと、ボンディング
ヘッドをＸ・Ｙ方向に動かすマニプレーター２ｈと、操
作パネル２ｉと、モニター２ｊとを有している。次に動
作について説明する。
２に示すように、半導体ウェハー供給部２ａと、ウェハ
ー収納部２ｂと、ウェハーステージ２ｃと、ボールバン
プボンディングヘッド部２ｄと、認識用カメラ２ｅと、
認識装置２ｆと、ワイヤー供給部２ｇと、ボンディング
ヘッドをＸ・Ｙ方向に動かすマニプレーター２ｈと、操
作パネル２ｉと、モニター２ｊとを有している。次に動
作について説明する。
【０００７】図２に示すウェハー供給部２ａより半導体
ウェハーをウェハーステージ２ｃへ搬送し、ボンディン
グステージ上で半導体ウェハーのオリエンテーションフ
ラット面を基準にして爪等を押しあてて位置決めをし真
空吸着にて半導体ウェハーをウェハーステージ２ｃに固
着する。
ウェハーをウェハーステージ２ｃへ搬送し、ボンディン
グステージ上で半導体ウェハーのオリエンテーションフ
ラット面を基準にして爪等を押しあてて位置決めをし真
空吸着にて半導体ウェハーをウェハーステージ２ｃに固
着する。
【０００８】次に認識用カメラ２ｅにて半導体ウェハー
を写し出し、認識装置２ｆにて半導体ウェハー上のＩＣ
チップの位置検出を行い、あらかじめ記憶させた座標デ
ータに基づいてＩＣチップの電極パッド上にボールバン
プボンディング技術を用いて良品ＩＣチップにボールバ
ンプを付ける。
を写し出し、認識装置２ｆにて半導体ウェハー上のＩＣ
チップの位置検出を行い、あらかじめ記憶させた座標デ
ータに基づいてＩＣチップの電極パッド上にボールバン
プボンディング技術を用いて良品ＩＣチップにボールバ
ンプを付ける。
【０００９】さらにウェハー上の全ＩＣチップにボール
バンプ付を行った後、ウェハー収納部２ｂへ半導体ウェ
ハーを搬送することで実施していた。
バンプ付を行った後、ウェハー収納部２ｂへ半導体ウェ
ハーを搬送することで実施していた。
【００１０】又、従来半導体ウェハーは、径がφ４，φ
５，φ６等様々な大きさがあり、ボンディングステージ
に半導体ウェハーを固着するために、図３に示すように
φ４インチ半導体ウェハーにはφ４インチ用ボンディン
グステージ３ｂ（図３（ｂ））、φ５インチ半導体ウェ
ハーにはφ５インチ用ボンディングステージ３ｃ（図３
（ｃ））、φ６インチ半導体ウェハーにはφ６インチ用
ボンディングステージ３ｄ（図３（ｄ））というように
半導体ウェハー口径に合ったボンディングステージを半
導体ウェハー口径が変わるたびに変更し、これをボンデ
ィングステージの土台（図３（ａ）））３ａにねじ穴３
ｅにて取付けていた。
５，φ６等様々な大きさがあり、ボンディングステージ
に半導体ウェハーを固着するために、図３に示すように
φ４インチ半導体ウェハーにはφ４インチ用ボンディン
グステージ３ｂ（図３（ｂ））、φ５インチ半導体ウェ
ハーにはφ５インチ用ボンディングステージ３ｃ（図３
（ｃ））、φ６インチ半導体ウェハーにはφ６インチ用
ボンディングステージ３ｄ（図３（ｄ））というように
半導体ウェハー口径に合ったボンディングステージを半
導体ウェハー口径が変わるたびに変更し、これをボンデ
ィングステージの土台（図３（ａ）））３ａにねじ穴３
ｅにて取付けていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この従来のボールバン
プボンディング装置では、径が異なっている半導体ウェ
ハーを装置にかける場合、あらかじめ半導体ウェハーの
径に合ったボンディングステージをボンディングステー
ジの土台に取り付けておく必要があるという問題があっ
た。
プボンディング装置では、径が異なっている半導体ウェ
ハーを装置にかける場合、あらかじめ半導体ウェハーの
径に合ったボンディングステージをボンディングステー
ジの土台に取り付けておく必要があるという問題があっ
た。
【００１２】一般に半導体ウェハーの吸着は、ほぼ中央
部でも十分保持できるが、ボールバンプ付の装置では、
ボンディングを実施する際に半導体ウェハーに反り等が
あると、ボンディングの高さにバラツキが生じボールバ
ンプ付性が悪くなり、半導体ウェハーの高さの制御が重
要である。
部でも十分保持できるが、ボールバンプ付の装置では、
ボンディングを実施する際に半導体ウェハーに反り等が
あると、ボンディングの高さにバラツキが生じボールバ
ンプ付性が悪くなり、半導体ウェハーの高さの制御が重
要である。
【００１３】従って、中央部のみでは半導体ウェハーの
反りが防げないために、少なくとも中央部と縁を吸着保
持固定する必要があった。又、例えば最大径のウェハー
に合わせてステージ全面に吸着孔を設けると、小さな径
のウェハーを使う際に真空が漏れ、吸着力が不十分とな
る問題があった。これらから半導体ウェハーに合った吸
着ステージが必要であった。
反りが防げないために、少なくとも中央部と縁を吸着保
持固定する必要があった。又、例えば最大径のウェハー
に合わせてステージ全面に吸着孔を設けると、小さな径
のウェハーを使う際に真空が漏れ、吸着力が不十分とな
る問題があった。これらから半導体ウェハーに合った吸
着ステージが必要であった。
【００１４】本発明の目的は前記課題を解決した半導体
装置の製造装置を提供することにある。
装置の製造装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体装置の製造装置においては、半
導体ウェハーを真空吸着により保持固定するウェハース
テージに、固定する半導体ウェハーの径の大きさに応じ
て異径の真空吸着孔を同心上に設け、ウェハー径にあわ
せて前記吸着孔を選択的に使い分ける機能を有するもの
である。
め、本発明に係る半導体装置の製造装置においては、半
導体ウェハーを真空吸着により保持固定するウェハース
テージに、固定する半導体ウェハーの径の大きさに応じ
て異径の真空吸着孔を同心上に設け、ウェハー径にあわ
せて前記吸着孔を選択的に使い分ける機能を有するもの
である。
【００１６】
【作用】本発明では、ウェハーステージ上に設けた異径
の真空吸着孔からウェハーの大きさに合致したものを選
択し、半導体ウェハーを適正な大きさの真空吸着孔で真
空吸着するようにしたものである。
の真空吸着孔からウェハーの大きさに合致したものを選
択し、半導体ウェハーを適正な大きさの真空吸着孔で真
空吸着するようにしたものである。
【００１７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１８】図１（ａ）は、本発明の一実施例を示す平
面図、図１（ｂ）は同側面図である。
面図、図１（ｂ）は同側面図である。
【００１９】図１において、ボンディングステージ２ｃ
の上面には、中心部に共通真空吸着孔１ａが設けられ、
共通真空吸着孔１ａを中心として異径のリング状真空吸
着孔１ｂ，１ｃ，１ｄが同芯上に設けられている。
の上面には、中心部に共通真空吸着孔１ａが設けられ、
共通真空吸着孔１ａを中心として異径のリング状真空吸
着孔１ｂ，１ｃ，１ｄが同芯上に設けられている。
【００２０】また、各真空吸着孔１ａ，１ｂ，１ｃ，１
ｄには、真空配管１ｆが複数に分岐されて設けられ、分
岐部には真空系統切替部１ｅが設けられている。
ｄには、真空配管１ｆが複数に分岐されて設けられ、分
岐部には真空系統切替部１ｅが設けられている。
【００２１】ボンディングステージ２ｃへの真空配管１
ｆを２系統以上の複数系統配管し、真空系統切替部１ｅ
の操作にて半導体ウェハー口径に合った真空配管を選
び、φ４インチ半導体ウェハーならばφ４インチ用真空
吸着孔１ｂと共通真空吸着孔１ａで半導体ウェハーを真
空吸着することによりボンディングステージに固着す
る。
ｆを２系統以上の複数系統配管し、真空系統切替部１ｅ
の操作にて半導体ウェハー口径に合った真空配管を選
び、φ４インチ半導体ウェハーならばφ４インチ用真空
吸着孔１ｂと共通真空吸着孔１ａで半導体ウェハーを真
空吸着することによりボンディングステージに固着す
る。
【００２２】また、φ５インチ半導体ウェハーであれば
φ５インチ用真空吸着孔１ｃと共通真空吸着孔１ａ、ま
たφ６インチ半導体ウェハーであればφ６インチ用真空
吸着孔１ｄと共通真空吸着孔１ａ、また他の口径のウェ
ハーであればその口径に合った真空吸着孔にて半導体ウ
ェハーを真空吸着にてボンディングステージに固着す
る。
φ５インチ用真空吸着孔１ｃと共通真空吸着孔１ａ、ま
たφ６インチ半導体ウェハーであればφ６インチ用真空
吸着孔１ｄと共通真空吸着孔１ａ、また他の口径のウェ
ハーであればその口径に合った真空吸着孔にて半導体ウ
ェハーを真空吸着にてボンディングステージに固着す
る。
【００２３】そこで、ボールバンプボンディング技術を
用いて半導体ウェハーに自動ボールバンプ付を行う。
用いて半導体ウェハーに自動ボールバンプ付を行う。
【００２４】さらに、半導体ウェハーを供給する時にセ
ンサー等により半導体ウェハーの口径を自動検知し、こ
の情報により真空系統切替を自動に行うこともできる。
ンサー等により半導体ウェハーの口径を自動検知し、こ
の情報により真空系統切替を自動に行うこともできる。
【００２５】尚、上記実施例では、ボールバンプボンダ
ーについて述べたが、本ステージは半導体ウェハーを真
空吸着する必要があり、かつ、吸着時に半導体ウェハー
の反りを避ける必要のある工程の例えばウェハー研削
機、レジスト露光機等の設備について共通して使用でき
る。
ーについて述べたが、本ステージは半導体ウェハーを真
空吸着する必要があり、かつ、吸着時に半導体ウェハー
の反りを避ける必要のある工程の例えばウェハー研削
機、レジスト露光機等の設備について共通して使用でき
る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボンディ
ングステージ部の真空配管及び真空吸着孔を複数個設け
たので、半導体ウェハーの口径が変わっても、専用のボ
ンディングステージに付け変える必要が無く、作業工数
の削減ができ、無人化につながるという効果を有する。
ングステージ部の真空配管及び真空吸着孔を複数個設け
たので、半導体ウェハーの口径が変わっても、専用のボ
ンディングステージに付け変える必要が無く、作業工数
の削減ができ、無人化につながるという効果を有する。
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例を示す平面図、
（ｂ）は、同側面図である。
（ｂ）は、同側面図である。
【図２】従来装置を示す斜視図である。
【図３】従来例に係るボンディングステージを示す図で
ある。
ある。
１ａ 共通真空吸着孔 １ｂ φ４インチ用真空吸着孔 １ｃ φ５インチ用真空吸着孔 １ｄ φ６インチ用真空吸着孔 １ｅ 真空系統切替部 １ｆ 真空配管 ２ａ ウェハー供給部 ２ｂ ウェハー収納部 ２ｃ ボンディングステージ ２ｄ ボンディングヘッド部 ２ｅ 認識カメラ ２ｆ 認識装置 ２ｇ ワイヤー供給部 ２ｈ マニプレーター ２ｉ 操作パネル ２ｊ モニター ３ａ ボンディングステージの土台 ３ｂ φ４インチ用ボンディングステージ ３ｃ φ５インチ用ボンディングステージ ３ｄ φ６インチ用ボンディングステージ ３ｅ ねじ穴
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハーを真空吸着により保持固
定するウェハーステージに、固定する半導体ウェハーの
径の大きさに応じて異径の真空吸着孔を同心上に設け、
ウェハー径にあわせて前記吸着孔を選択的に使い分ける
機能を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22648491A JPH0547907A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 半導体装置の製造装置 |
| EP92307386A EP0527645A1 (en) | 1991-08-12 | 1992-08-12 | Apparatus for holding semiconductor devices during processing thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22648491A JPH0547907A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547907A true JPH0547907A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16845827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22648491A Pending JPH0547907A (ja) | 1991-08-12 | 1991-08-12 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0527645A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0547907A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7646478B2 (en) | 2006-02-10 | 2010-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for examining spectral characteristics of transmitted light through an object |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105332992B (zh) * | 2014-07-30 | 2018-01-12 | 睿励科学仪器（上海）有限公司 | 真空吸盘 |
| CN108878338B (zh) * | 2017-05-11 | 2020-10-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种吸片装置 |
| CN110323175B (zh) * | 2019-04-16 | 2023-01-06 | 深圳市正鸿泰科技有限公司 | 一种具有吸力调节功能的便捷型芯片分拣设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60146675A (ja) * | 1984-01-05 | 1985-08-02 | Canon Inc | チヤツク |
| JPS627343B2 (ja) * | 1978-03-15 | 1987-02-17 | Nippon Light Metal Co |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4131267A (en) * | 1978-06-02 | 1978-12-26 | Disco Kabushiki Kaisha | Apparatus for holding workpiece by suction |
| US4603897A (en) * | 1983-05-20 | 1986-08-05 | Poconics International, Inc. | Vacuum pickup apparatus |
-
1991
- 1991-08-12 JP JP22648491A patent/JPH0547907A/ja active Pending
-
1992
- 1992-08-12 EP EP92307386A patent/EP0527645A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627343B2 (ja) * | 1978-03-15 | 1987-02-17 | Nippon Light Metal Co | |
| JPS60146675A (ja) * | 1984-01-05 | 1985-08-02 | Canon Inc | チヤツク |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7646478B2 (en) | 2006-02-10 | 2010-01-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method for examining spectral characteristics of transmitted light through an object |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0527645A1 (en) | 1993-02-17 |
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